JPS647458Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （技術分野） この考案は、高記録密度のフロツピデイスク用
として好適な、記録／再生ヘツドと消去ヘツドを
一体化した磁気ヘツドに関する。

（従来技術） 磁気ドラム、磁気デイスク、磁気テープ等の磁
気ヘツドとして、記録／再生ヘツドの両側部にそ
れぞれ消去ヘツドを一体的に配置したものが知ら
れている。この磁気ヘツドはさらに具体的には、
例えば特公昭44−17679号公報において周知のよ
うに、第１図に示すような記録／再生ヘツド１の
記録／再生ギヤツプ２と、磁気ヘツドに対する記
録媒体の移動方向（矢印Ａ）の下流側でトラツク
の両側部にそれぞれ配置された消去ヘツド３，４
の消去ギヤツプ５，６とが互いに平行なもの（ト
ンネル消去方式）、あるいは第２図に示すように
記録／再生ギヤツプ２と消去ギヤツプ７，８とが
互いに直角をなすもの（ストラドル消去方式）、
あるいは第３図に示すように記録／再生ギヤツプ
１に対して消去ギヤツプ９，１０が０〜90゜の範
囲で傾斜しているもの等が知られている。

このような磁気ヘツドは、記録時に、記録／再
生ヘツド２により記録媒体上に記録トラツクを形
成する際に、同時に消去ヘツド３，４に消去電流
を流して、記録トラツクの両側部を消去し、記録
トラツクの側縁部を整えるもので、これによりト
ラツク密度を高め、ひいては記録媒体の高密度化
を図るものである。

しかしながら、このような磁気ヘツドは、再生
時に、第４図に示すように、記録トラツクＢに対
して記録／再生ヘツド１が正しく一致せず、記
録／再生ヘツド１が記録トラツクＢに対して機械
的にズレてしまうことが往々にしてある。このよ
うな場合には、消去ヘツド３の消去ギヤツプ５
は、再生しようとする記録トラツクＢの磁界を拾
つてしまい、また消去ヘツド４の消去ギヤツプ６
は隣接トラツクB₁の磁界を拾うこともある。こ
のように消去ギヤツプ５，６で拾われた磁界によ
る磁束は、記録／再生ヘツド１側へ雑音磁束とし
て分流し、記録／再生ヘツドのＳ／Ｎを低下して
しまう。

この現象は、フロツピデイスク用の磁気ヘツド
のように、記録／再生ギヤツプと消去ギヤツプ
が、従つて記録／再生ヘツドのコアと消去ヘツド
のコアが製造上の制約から極めて接近している場
合に著しく、また、第１図に示すトンネル消去方
式による磁気ヘツドにおいて、記録／再生ヘツド
の磁路と消去ヘツドの磁路が平行であるために、
著しい。さらにこの現象は、第５図および第６図
に示すように、消去ヘツド３，４にバツクポール
（またはバツクバー）１１を付加して、消去ヘツ
ド３，４を閉磁路構造とした時に、消去ギヤツプ
５，６の拾う雑音磁束は矢印で示すように記録／
再生ヘツド１側へ分流し、この現象が著しい。

そのため現在では、消去ヘツドのバツクポール
を設けずに消去ヘツドを開磁路構造とし、消去ギ
ヤツプが拾つた磁束が記録／再生ヘツドに分流す
ることに対する磁気抵抗を上げることにより、消
去ヘツド３，４と記録／再生ヘツドの結合を防止
し、消去ギヤツプが拾う雑音磁束による再生信号
のＳ／Ｎの悪化を防止する手段が講じられてい
る。

しかしながら、最近では高密度化のために、フ
ロツピデイスク等の記録媒体の保磁力Hcを上げ
ざるを得ず（現在ではHcは300Oe程度であるが、
いずれ600〜700Oe程度になるものと見られる。）、
従つて、記録媒体の保磁力Hcが上がると、上記
のようなバツクポールのない開磁路構造の消去ヘ
ツドでは消去効率が低下し、完全な消去が困難と
なる。さらに開磁路構造では消去ギヤツプ以外の
ところから外部雑音磁界を拾つてくることが多
い。

また、第３図に示すような消去ギヤツプ９，１
０を斜めにしたものでは、消去ギヤツプ９，１０
が読み出す隣接トラツクからのクロストークに対
してはアジマス損失により抑制することができる
が、その他の雑音に対してはあまり効果がない。

（考案の目的） この考案の目的は、記録／再生ヘツドと消去ヘ
ツドが極く接近しているような磁気ヘツドにおい
て、消去ヘツドと記録／再生ヘツドとの磁気的結
合を防止して、消去ヘツドが拾う雑音磁界により
再生信号のＳ／Ｎが悪化することを防止し、消去
ヘツドを閉磁路構造として消去効率を高くするこ
とにある。

（考案の構成） そこでこの考案は、消去ヘツド用コイルと並列
にコンデンサを接続し、消去ギヤツプが拾う高周
波雑音を低減することを特徴とするものである。

（実施例） 以下、この考案の実施例を図面を参照して説明
する。

第７図において、１２は記録／再生ヘツド、１
３は記録／再生ギヤツプ、１４は記録／再生ヘツ
ド用コイルである。消去ヘツド１５，１６は消去
ギヤツプ１７，１８を有し、バツクポール１９，
２０が付加されて閉磁路構造とされる。２１は消
去ヘツド用コイルであり、この消去ヘツド用コイ
ル２１と並列にコンデンサ２３を接続する。

このように消去ヘツド用コイル２１をコンデン
サ２３により短絡すると、消去ヘツド用コイル２
１には高周波磁界は存在しないので、消去ヘツド
コア内には高周波雑音は存在できなくなる。記
録／再生ヘツド用コイル１４に誘起される雑音電
圧は周波数が高いので、コンデンサ２３による短
絡の雑音低減効果が大きい。また、フロツピデイ
スク用磁気ヘツドの消去ヘツドなどは直流消去で
あるので、このように消去ヘツド用コイル２１を
コンデンサで高周波的に短絡しても、消去ヘツド
１５，１６の消去動作に不都合は生じない。

また、このように消去ヘツド１５，１６と記
録／再生ヘツド１２の磁気的結合が高周波では防
止されるので、バツクポール１９，２０を付加し
て、消去ヘツド１５，１６を閉磁路構造とするこ
とができ、消去効率がよくなり、保磁力Hcの高
い記録媒体を使うことができ、高密度化が可能に
なる。さらに、閉磁路構造とすることにより、外
部雑音に対しても強くなる。

なお、消去ヘツドを開磁路構造とした場合で
も、コンデンサ２３による短絡によりある程度の
雑音抑制効果はある。

また高周波雑音は、隣接トラツクからのクロス
トークだけではなく、全ての高周波雑音の低減効
果がある。クロストークなどの周波数がある程度
判明している雑音に対しては、付加したコンデン
サ２３の容量を適当に選定して、そのコンデンサ
２３の容量と消去ヘツド用コイル２１のインダク
タンスで構成される共振回路の共振周波数を、抑
制しようとする雑音の周波数となるようにすれ
ば、その雑音の抑制効果を大きくできる。（但し、
Ｑをあまり高くすると、消去電流のオン、オフの
時にリンギングを発生する。） なお、コンデンサ２３の容量は100pF〜14μF程
度が好ましい。

また、この考案は、特にフロツピデイスク用の
トンネル消去方式の磁気ヘツド（第７図）に適用
するのが好適であるが、ストラドル消去方式（第
８図）や消去ギヤツプを斜めに設ける方式（第３
図）の場合にも同様に雑音低減効果がある。

なお、第８図において、１２は記録／再生ヘツ
ド、１３は記録／再生ギヤツプ、１４は記録／再
生ヘツド用コイル、２５は消去ヘツド、２６，２
７は消去ギヤツプ、２８はバツクポール、２９は
消去ヘツド用コイル、３０はコンデンサである。

（考案の効果） 以上説明したように、この考案によれば、消去
ヘツド用コイルと並列にコンデンサを接続したこ
とにより、消去ヘツドと記録／再生ヘツドの磁気
的結合が高周波では防止され、消去ギヤツプが拾
う高周波雑音磁界による再生信号のＳ／Ｎの悪化
を防止することができる。雑音の周波数がある程
度判明している場合には、コンデンサの容量を適
当に選定することにより、その雑音を容易に低減
できる。また、消去ヘツドを閉磁路構造にするこ
とができるので、消去効率が良くなり、保磁力の
高い記録媒体を使用でき、記録媒体の高密度化を
実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のトンネル消去方式の磁気ヘツド
のギヤツプ面を示す平面図、第２図は従来のスト
ラドル消去方式の磁気ヘツドのギヤツプ面を示す
平面図、第３図は従来の消去ギヤツプが傾斜して
いる方式の磁気ヘツドのギヤツプ面を示す平面
図、第４図は磁気ヘツドとトラツクの関係を示す
平面図、第５図は第１図に示す磁気ヘツドの正面
図、第６図は第１図および第５図に示す磁気ヘツ
ドの斜視図、第７図はこの考案による磁気ヘツド
の一実施例の斜視図、第８図はこの考案の磁気ヘ
ツドの他の実施例の斜視図である。 １２……記録／再生ヘツド、１３……記録／再
生ギヤツプ、１４……記録／再生ヘツド用コイ
ル、１５，１６，２５……消去ヘツド、１７，１
８，２６，２７……消去ギヤツプ、１９，２０，
２８……バツクポール、２１，２９……消去ヘツ
ド用コイル、２３，３０……コンデンサ、Ｂ，
B₁……トラツク。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 記録／再生ヘツドと、該記録／再生ヘツドに
   より記録されるトラツクの両側に消去トラツク
   を形成する消去ヘツドとを一体化した磁気ヘツ
   ドにおいて、消去ヘツド用コイルと並列にコン
   デンサを接続したことを特徴とする磁気ヘツ
   ド。 (2) コンデンサの容量と消去ヘツド用コイルのイ
   ンダクタンスで構成される共振回路の共振周波
   数を、抑制すべき雑音の周波数となるように該
   コンデンサの容量を選定した実用新案登録請求
   の範囲第１項記載の磁気ヘツド。 (3) コンデンサの容量が100pFないし1μFである
   実用新案登録請求の範囲第１項記載の磁気ヘツ
   ド。