JPS647515B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザのチツプを製造する方法
に関し、詳しくは、へき開した端面に酸化防止用
のコーテイングを施こす工程に特徴を有するもの
である。

〔従来技術〕

半導体レーザのチツプは素材ウエハをへき開し
て得られた細長いウエハ小片をその長手方向に細
断して形成されるものであり、発光端面となるへ
き開面の酸化を防止して寿命を延ばすために
Si₃N₄又はAl₂O₃等の被膜をコーテイングしてい
る。

この場合、従来は、ウエハからへき開分断した
ウエハ小片の１本ごとに端面コーテイングを施こ
していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、上記従来方法ではコーテイング装置へ
の装填や取出しに時間がかゝり、生産性が低いも
のとなつていた。

本発明は、端面酸化防止用のコーテイング手段
に改良を施こすことによつて、ウエハ単位の処理
を可能にし、生産性の高いチツプ製造を行うこと
ができるとともに、レーザー光の取出し効率を向
上することができるチツプ製造方法を提供しよう
としたものである。

〔問題を解決するための手段〕

本発明による半導体レーザーのチツプ製造方法
は、次の各工程を含んでいる点に特徴がある。

アルカリ可溶のポジレストを予め表面にコー
テイング処理したウエハのコーテイング表面一
端縁に、レーザー共振器長の２倍のピツチでへ
き開起点用の第１ケガキ傷を形成する第１へき
開前処理工程。

前記ケガキ傷の形成面を露呈させた状態で粘
着シート上に貼着したウエハを、シート外面か
らの印圧によつてへき開処理する第１へき開処
理工程。

へき開された２倍幅ウエハ小片を並列貼着し
た前記粘着シートを、貼着面がウエハ小片群の
並列方向に沿つて凸曲するよう湾曲保持した状
態で酸化防止被膜をウエハ小片群の露呈面全面
にコーテイングする第１酸化防止被膜コーテイ
ング工程。

各ウエハ小片の一端縁表面に小片幅の中央に
位置させてへき開起点用第２ケガキ傷を形成す
る第２へき開前処理工程。

前記第１へき開工程と同じ手段で２倍幅ウエ
ハ小片をレーザー共振器長に等しい幅のウエハ
小片にへき開分断する第２へき開処理工程。

第１コーテイング工程と同じ手段でウエハ小
片群の露呈面全面に酸化防止被膜をコーテイン
グする第２酸化防止被膜コーテイング工程。

粘着シートで各ウエハ小片を、その長手方向
に所定ピツチで細断してチツプ群を形成する細
断工程。

粘着シートを伸展して各チツプを互いに分離
するチツプ分離工程。

各チツプのポジレストをアルカリで溶解除去
したのち、水洗・乾燥する保護被膜除工程。

〔作用〕

上記方法によると、貼着シートに貼着したウエ
ハ単位ごとにへき開、酸化防止被膜のコーテイン
グ、細断、及びチツプの分離を一連に行うことに
なる。又、チツプの対向するへき開面の一方には
一層のコーテイングが、他方には２層のコーテイ
ングがなされる。

〔実施例 １〕 以下本発明方法の各工程を図面に基づいて順次
的に説明する。

へき開前処理工程（第１図乃至第３図参照） 電極面を上面にした半導体レーザの素材ウエハ
１は、予めアルカリで溶解可能なポジレスト（例
えばAZ1350）の保護被膜が上面にコーテイング
されており、このウエハ１が真空チヤツク２を備
えた可動テーブル３の上面に吸着固定され、一定
ピツチづつ側方に間欠移動される。保護被膜がコ
ーテイングされたウエハ１の上面には15μ程度の
厚さのアルミ箔４が添着されるとともに、ウエハ
１の前端縁の上面はアルミ箔４の前端より少し露
呈される。

テーブル３の上方には上下及び前後に駆動され
るダイヤモンドスクライバー５が配備され、その
ダイヤモンド針６がウエハ１の後端側においてウ
エハ１から外れた位置でアルミ箔４上に落下さ
れ、引続いてウエハ１上を通過して前方に掃引移
動される。

そして、アルミ箔４の前端縁から露呈されたウ
エハ前端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷７ａ
が形成される。

上記作動をテーブル３の定ピツチ送りごとに繰
返してウエハ１の前端縁上にレーザー発振器長Ｌ
の２倍のピツチＰ（＝2L）で多数のケガキ傷７ａ
…が形成され、このウエハ１が、片面が粘着面Ａ
に形成された塩化ビニール等の伸展可能な軟質プ
ラスチツク製の粘着シート８上に、ケガキ傷７ａ
が露呈されるように貼着される。

へき開処理工程（第４図参照） 次に、大径ゴムローラ９と、これに対向する硬
質の小径ローラ１０との間に、ウエハ１をゴムロ
ーラ９側にして粘着シート８を供給通過させる。
すると、ウエハ１は小径ローラ１０の作用部にお
いてゴムローラ９側に加圧され彎曲され、各ケガ
キ傷７ａを起点としてへき開が進行し、粘着シー
ト８の下面に多数の２倍幅のウエハ小片１１ａが
並列状に貼着された状態でローラ間から出てく
る。

第１酸化防止被膜コーテイング工程（第５図
及び第６図参照） 次に、前記粘着シート８を、曲率の小さい円柱
状治具１２に巻回してクランプ１３で固定する。
すると、シート上のウエハ小片１１ａの夫々が治
具１２の外周曲率に沿つて拡開され、へき開面S₁
が開放される。

ここで、この治具１２が低温気相成長装置又は
スパツタ装置に導入され、シート８及び先にコー
テイングしたポジレジスト１４に悪影響を与えな
い比較的低温条件で、Si₃N₄、α−Si、SiO₂又は
Al₂O₃等の酸化防止被膜１５ａがウエハ小片１１
ａの露呈部分全体にコーテイングされる。

第２へき開前処理工程（第７図参照） ２倍幅のウエハ小片１１ａの前端縁上における
幅方向中央位置に、前記第１へき開前処理工程
と、同じ手段を用いてへき開起点用の第２ケガキ
傷７ｂが形成される。

第２へき開処理工程 次に、前記第１へき開処理工程と同じ手段を用
いて、各２倍幅ウエハ小片１１ａが発振器長Ｌと
等しい幅のウエハ小片１１ｂにへき開分断され
る。

第２酸化防止被膜コーテイング工程（第８図
参照） 次に、前記第１酸化防止被膜コーテイング工程
と同じ手段で各ウエハ小片１１ｂの露呈部分全体
に同じ材質の酸化防止被膜１５ｂがコーテイング
される。その結果、第１へき開面Siには２層、第
２へき開面S₂には一層のコーテイングが夫々施こ
されることになる。この場合、各被膜１５ａ，１
５ｂの厚さを夫々レーザー波長の１／4n（ｎは酸化 防止膜の屈折率）にすると、一層側が無反射コー
テイング面に、又、２層側が反射コーテイング面
となる。

細断線形成工程（第９図参照） 上記のようにウエハ小片１１ｂ群を並列貼着し
た粘着シート８は、間欠送りされる可動テーブル
１６上に吸着保持され、ダイヤモンドスクライバ
ー１７によつて小片１１ｂ群の上面に、小片長手
方向に一定のピツチで細断線としてのケガキ傷１
８が形成される。

細断工程 細断線１８群形成されたウエハ小片１１ｂ群
は、第４図に示したローラ式へき開手段と同様な
押圧手段を用いて、各細断線１８で細断され、縦
横に並列されたチツプ１９群が得られる。

チツプ分離工程（第１０図参照） チツプ１９群が貼着された粘着シート８は、そ
の端縁がチヤツク２０によつて挾持固定された状
態でリフタ２１上に装着され、リフタ下方のヒー
タ２２で適当に加熱されたのち、リフタ２１の上
昇によつてシート８は大きく伸長され、貼着され
た各チツプ１９は適当間隔をあけて分離される。
このシート伸長処理を前後・左右方向に各別、も
しくは同時に行うことによつて第１１図に示すよ
うに、縦横に互いに分離されたチツプ１９群を得
ることができる。

保護被膜除去工程 次に、アルカリ液、例えば10％NaOH、でポ
ジレジスト１４を溶解除去して、その上層の酸化
防止被膜部分も除去したのち、充分水洗し乾燥さ
れる。これによつて、第１２図に示すように、発
光端面となるへき開面S₂に一層の酸化防止被膜１
５ｂを残し、反射面となるべきへき開面Siに２層
の酸化防止被膜１５ａ，１５ｂを残したチツプ１
９が得られるのである。

尚、上記のようにして得られたチツプ１９は特
性チエツクの後、シート８に貼着したまゝで組立
工程に移されることになる。

〔実施例 ２〕 実施例１のに於て、Si₃N₄、α−Si、SiO₂、
Al₂O₃の内より２種類の異つた屈折率n₁，n₂の多
層繰り返し膜とし、各層の厚さをレーザー光波長
の１／2n₁、１／2n₂とし、同実施例に於る酸化防止膜 として、任意の厚さの、単層酸化防止膜又は、異
つた屈折率の多層繰り返し膜とし各層の厚さを任
意とする場合にも、この方法が有効である。

〔効果〕

以上説明したように、本発明方法によれば、貼
着シートを用いてウエハ単位ごとにへき開、細
断、酸化防止被膜のコーテイング、チツプの分離
を一連に行うことができ、生産性を極めて向上す
ることが可能となつた。

そして、特に本発明においては、チツプの対向
するへき開面のうち、一層の酸化被膜が形成され
た一方のへき開面を無反射コーテイング面に、
又、二層のの酸化被膜が形成された他方のへき開
面を反射コーテイング面とすることができ、無反
射コーテイング面からレーザー光を効率よく取出
すことが可能となり、又、高出力のレーザー光を
得ることができるようになつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法におけるへき開前処理手段
の斜視図、第２図はその側面図、第３図は第１へ
き開用の前処理の完了したウエハを示す斜視図、
第４図はへき開処理手段の斜視図、第５図は酸化
防止被膜コーテイング処理手段の一部切欠き側面
図、第６図は第５図におけるＢ部分の拡大図、第
７図は第２へき開用の前処理の完了したウエハ小
片群を示す斜視図、第８図は第２酸化防止被膜コ
ーテイング工程における要部の拡大図、第９図は
細断線形成手段の斜視図、第１０図はチツプ分離
手段の側面図、第１１図は分離処理後のチツプを
示す斜視図、第１２図は完成したチツプの拡大斜
視図である。 １……ウエハ、４……アルミ箔、７ａ……ケガ
キ傷、８……粘着シート、１４……ポジレジス
ト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ アルカリ可溶のポジレストを予め表面にコー
   テイング処理したウエハのコーテイング表面一端
   縁に、レーザー共振器長の２倍のピツチでへき開
   起点用の第１ケガキ傷を形成する第１へき開前処
   理工程と、前記ケガキ傷の形成面を露呈させた状
   態で粘着シート上に貼着したウエハを、シート外
   面からの印圧によつてへき開処理する第１へき開
   処理工程と、へき開された２倍幅ウエハ小片を並
   列貼着した前記粘着シートを、貼着面がウエハ小
   片群の並列方向に沿つて凸曲するよう湾曲保持し
   た状態で、Si₃O₄、Si、SiO₂、Al₂O₃等の酸化防
   止被膜を、ウエハ小片群の露呈面全面にコーテイ
   ングする第１酸化防止被膜コーテイング工程と、
   各ウエハ小片の一端縁表面に小片幅の中央に位置
   させてへき開起点用第２ケガキ傷を形成する第２
   へき開前処理工程と、前記第１へき開工程と同じ
   手段で各２倍幅ウエハ小片をレーザー共振器長に
   等しい幅のウエハ小片にへき開分断する第２へき
   開処理工程と、第１コーテイング工程と同じ手段
   でウエハ小片群の露呈面全面に酸化防止膜をコー
   テイングする第２酸化防止被膜コーテイング工程
   と、粘着シート上で各ウエハ小片を、その長手方
   向に所定ピツチで細断してチツプ群を形成する細
   断工程と、粘着シートを伸展して各チツプを互い
   に分離するチツプ分離工程と、各チツプのポジレ
   ジストをアルカリで溶解除去したのち、水洗・乾
   燥する保護被膜除去工程とを含む半導体レーザの
   チツプ製造方法。 ２ 第１酸化防止被膜の厚さと、第２酸化防止被
   膜の厚さを夫々レーザー光波長の１／4n（ｎは酸化 防止膜の屈折率）にしてある特許請求の範囲第１
   項に記載の半導体レーザのチツプ製造方法。 ３ 第１酸化防止膜を、n₁，n₂の異なつた屈折率
   の多層繰り返し膜とし、各層の厚さを、レーザー
   光波長の１／2n₁，１／2n₂としてあり、第２酸化防止膜 を単層とし、その厚さを任意とするか、異なつた
   屈折率の多層繰り返し膜とし、各層の厚さを任意
   とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体レー
   ザのチツプ製造方法。