JPS648711B2 - - Google Patents
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- JPS648711B2 JPS648711B2 JP20000381A JP20000381A JPS648711B2 JP S648711 B2 JPS648711 B2 JP S648711B2 JP 20000381 A JP20000381 A JP 20000381A JP 20000381 A JP20000381 A JP 20000381A JP S648711 B2 JPS648711 B2 JP S648711B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1671—Electric field
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、無電解めつき液中で刻々変化する
無電解析出厚さを連続して正確に測定する無電解
めつき厚さ連続測定方法に関する。
無電解析出厚さを連続して正確に測定する無電解
めつき厚さ連続測定方法に関する。
従来、析出反応中の無電解めつき厚さを連続的
に測定する方法として、めつき被膜の電気伝導度
を利用して、センサ材料をめつき液中に浸漬し、
電気伝導度の変化をめつき厚さの変化に換算して
連続的に測定するのが一般的である。
に測定する方法として、めつき被膜の電気伝導度
を利用して、センサ材料をめつき液中に浸漬し、
電気伝導度の変化をめつき厚さの変化に換算して
連続的に測定するのが一般的である。
第１図は従来の無電解めつき厚さ測定装置を示
す図である。この第１図における１は無電解めつ
き液、２は被めつき物、３は金属センサ、４はセ
ンサホルダ、５は抵抗測定計である。
す図である。この第１図における１は無電解めつ
き液、２は被めつき物、３は金属センサ、４はセ
ンサホルダ、５は抵抗測定計である。
この無電解めつき厚さ測定装置を用いてめつき
厚さを測定するに際し、被めつき物２と金属セン
サ３を同時にめつき液１に浸漬し、金属センサ３
に析出しためつき被膜より電気伝導度が変化し、
その変化量を抵抗測定計５によりめつき厚さとし
て換算測定する。なお、抵抗測定計５には感度を
上げるため、種々の増幅器を用いている。
厚さを測定するに際し、被めつき物２と金属セン
サ３を同時にめつき液１に浸漬し、金属センサ３
に析出しためつき被膜より電気伝導度が変化し、
その変化量を抵抗測定計５によりめつき厚さとし
て換算測定する。なお、抵抗測定計５には感度を
上げるため、種々の増幅器を用いている。
第２図は実際に、発明者らが第１図の無電解め
つき測定装置により、めつき厚さを測定した結果
を示すものである。抵抗測定計５の電位的影響を
皆無にするために、抵抗測定計５を接続しない
で、被めつき物２と金属センサ３のめつき厚さを
比較測定したものである。
つき測定装置により、めつき厚さを測定した結果
を示すものである。抵抗測定計５の電位的影響を
皆無にするために、抵抗測定計５を接続しない
で、被めつき物２と金属センサ３のめつき厚さを
比較測定したものである。
第２図において、特性Ａは被めつき物２のめつ
き時間と析出厚さの関係を示し、特性Ｂは金属セ
ンサ３のめつき時間と析出厚さの関係を示したも
のである。めつき条件として、めつき液１には、
周知の無電解Ni―Ｂ浴、被めつき物２は前処理
を施したエポキシ板、金属センサ３には0.3mmφ
のニツケル線を用いた。
き時間と析出厚さの関係を示し、特性Ｂは金属セ
ンサ３のめつき時間と析出厚さの関係を示したも
のである。めつき条件として、めつき液１には、
周知の無電解Ni―Ｂ浴、被めつき物２は前処理
を施したエポキシ板、金属センサ３には0.3mmφ
のニツケル線を用いた。
上記第２図より明らかなように、無電解めつき
の初期反応においては、被めつき物２の材質、処
理状態の差により析出速度が異なる。このため、
析出厚さを数千Åオーダで制御する場合は、金属
センサ３と被めつき物２の析出厚さが異なるた
め、正しくめつき厚さを測定することが困難であ
つた。
の初期反応においては、被めつき物２の材質、処
理状態の差により析出速度が異なる。このため、
析出厚さを数千Åオーダで制御する場合は、金属
センサ３と被めつき物２の析出厚さが異なるた
め、正しくめつき厚さを測定することが困難であ
つた。
この発明は、上記従来の欠点を除去するために
なされたもので、無電解めつき反応初期での析出
誤差を最小限にできる無電解めつき厚さ連続測定
方法を提供することを目的とする。
なされたもので、無電解めつき反応初期での析出
誤差を最小限にできる無電解めつき厚さ連続測定
方法を提供することを目的とする。
以下、この発明の無電解めつき厚さ連続測定方
法の実施例について図面に基づき説明する。第３
図はその一実施例に適用されるセンサの斜視図で
ある。この第３図における６は被めつき物と同じ
材質の非導電材料を示し、この非導電材料６の一
方の面の両端近傍には電極引出し用接続パツド７
が設けられている。８はこの電極引出し用接続パ
ツド７間の被めつき面を示す。
法の実施例について図面に基づき説明する。第３
図はその一実施例に適用されるセンサの斜視図で
ある。この第３図における６は被めつき物と同じ
材質の非導電材料を示し、この非導電材料６の一
方の面の両端近傍には電極引出し用接続パツド７
が設けられている。８はこの電極引出し用接続パ
ツド７間の被めつき面を示す。
被めつき面８は被めつき物と同じ前処理を行う
ようにして、電極引出し用接続パツド７間に第１
図で示した抵抗測定計５を接続することにより、
正確にめつき厚さを監視することができる。
ようにして、電極引出し用接続パツド７間に第１
図で示した抵抗測定計５を接続することにより、
正確にめつき厚さを監視することができる。
第４図は上記抵抗測定計５を電極引出し用接続
パツド７間に接続した場合の測定後のセンサ外観
斜視図であり、図中の９は無電解被膜、１０は無
電解被膜の亀裂を示す。
パツド７間に接続した場合の測定後のセンサ外観
斜視図であり、図中の９は無電解被膜、１０は無
電解被膜の亀裂を示す。
この第４図に示すように、電極引出し用接続パ
ツド７間に抵抗測定計を接続すると、抵抗測定計
では、内部の電源より電極引出し用接続パツド７
間に電流を流して、その電流より抵抗値を測定す
るものであるため、無電解めつき反応初期の極め
て薄い膜では、その電流により被膜が破壊し、亀
裂１０が生じるものと思われる。
ツド７間に抵抗測定計を接続すると、抵抗測定計
では、内部の電源より電極引出し用接続パツド７
間に電流を流して、その電流より抵抗値を測定す
るものであるため、無電解めつき反応初期の極め
て薄い膜では、その電流により被膜が破壊し、亀
裂１０が生じるものと思われる。
実際に、抵抗測定計５では、１〜4Vの測定電
位があることから、このようなセンサを用いた場
合には、測定最少限の電位を用いる必要がある。
第５図は抵抗測定計５を改造して測定電位を
0.3Vまで下げて被膜して亀裂を起こさせない条
件で測定したデータを示したものである。この第
５図における特性Ｃは被めつき物２のめつき時間
とめつき厚さの関係を示したものであり、特性Ｄ
はセンサの被めつき面８のめつき時間とめつき厚
さの関係を示したものである。この第５図の特性
は第２図に示したデータと同様に、センサに析出
する被膜は被めつき物より薄いことがわかつた。
位があることから、このようなセンサを用いた場
合には、測定最少限の電位を用いる必要がある。
第５図は抵抗測定計５を改造して測定電位を
0.3Vまで下げて被膜して亀裂を起こさせない条
件で測定したデータを示したものである。この第
５図における特性Ｃは被めつき物２のめつき時間
とめつき厚さの関係を示したものであり、特性Ｄ
はセンサの被めつき面８のめつき時間とめつき厚
さの関係を示したものである。この第５図の特性
は第２図に示したデータと同様に、センサに析出
する被膜は被めつき物より薄いことがわかつた。
この第５図に示すように、センサの材料を被め
つき物と同一材質にしても、析出厚さが異なる原
因として、センサには外部より電位がかかるた
め、センサの表面での無電解めつき反応としての
酸化還元電位が被めつき物と異なるために起きる
ものと思われる。
つき物と同一材質にしても、析出厚さが異なる原
因として、センサには外部より電位がかかるた
め、センサの表面での無電解めつき反応としての
酸化還元電位が被めつき物と異なるために起きる
ものと思われる。
したがつて、第３図に示すセンサを用いて、析
出量を正しく監視するためには、センサに印加す
る電位をさらに極力小さくなるか、断続的に印加
する二つの方法がある。このうち、前者の電位を
極力小さくした場合には、増幅率の高いアンプを
必要とする。このため、ノイズなどより、安定動
作が困難である。
出量を正しく監視するためには、センサに印加す
る電位をさらに極力小さくなるか、断続的に印加
する二つの方法がある。このうち、前者の電位を
極力小さくした場合には、増幅率の高いアンプを
必要とする。このため、ノイズなどより、安定動
作が困難である。
第６図はこの発明の無電解めつき厚さ連続測定
方法に適用される無電解めつき厚さ測定装置を示
す回路図である。この第６図において、１１はセ
ンサに定電圧を印加するための定電圧回路であ
り、演算増幅器（以下、オペアンプと云う）１１
ａの反転入力端と出力端は直結されている。この
オペアンプ１１ａの非反転入力端は可変抵抗VR
―１の可動端子に接続されている。可変抵抗VR
―１は抵抗１１ｂとツエナーダイオードＤとの接
続点とアース間に接続されている。抵抗１１ｂと
ツエナーダイオードＤは直列に接続され、ツエナ
ーダイオードＤのアノードはアースされ、抵抗１
１ｂの一端よりパルス信号Ｐが加えられるように
なつている。
方法に適用される無電解めつき厚さ測定装置を示
す回路図である。この第６図において、１１はセ
ンサに定電圧を印加するための定電圧回路であ
り、演算増幅器（以下、オペアンプと云う）１１
ａの反転入力端と出力端は直結されている。この
オペアンプ１１ａの非反転入力端は可変抵抗VR
―１の可動端子に接続されている。可変抵抗VR
―１は抵抗１１ｂとツエナーダイオードＤとの接
続点とアース間に接続されている。抵抗１１ｂと
ツエナーダイオードＤは直列に接続され、ツエナ
ーダイオードＤのアノードはアースされ、抵抗１
１ｂの一端よりパルス信号Ｐが加えられるように
なつている。
オペアンプ１１ａの出力端は抵抗R1を介して
センサ端子S1に接続されている。センサ端子S1は
センサ端子S2とともに対をなし、センサ端子S2は
アースされている。抵抗R1の両端より抵抗R2a，
R2bを介してそれぞれオペアンプ１２ａの非反転
入力端、反転入力端に接続されている。オペアン
プ１２ａの反転入力端と出力端間には、抵抗R3
が接続されている。かくして、オペアンプ１２
ａ、抵抗R2a，R2b，R3とにより、増幅器１２が
構成されている。
センサ端子S1に接続されている。センサ端子S1は
センサ端子S2とともに対をなし、センサ端子S2は
アースされている。抵抗R1の両端より抵抗R2a，
R2bを介してそれぞれオペアンプ１２ａの非反転
入力端、反転入力端に接続されている。オペアン
プ１２ａの反転入力端と出力端間には、抵抗R3
が接続されている。かくして、オペアンプ１２
ａ、抵抗R2a，R2b，R3とにより、増幅器１２が
構成されている。
増幅器１２の出力はサンプルアンドホールド回
路１４のオペアンプ１４ａの入力端に加えられる
ようになつている。なお、C2はコンデンサ、５
は第１図で示した抵抗測定器、Ｖは出力電位を示
す。このサンプルアンドホールド回路１４のゲー
トＧと上記定電圧回路１１の抵抗１１ｂにパルス
発生回路１３からのパルス信号Ｐが加えられるよ
うになつている。サンプルアンドホールド回路１
４は測定結果を保持し、測定結果を安定に出力す
るために設けられる。
路１４のオペアンプ１４ａの入力端に加えられる
ようになつている。なお、C2はコンデンサ、５
は第１図で示した抵抗測定器、Ｖは出力電位を示
す。このサンプルアンドホールド回路１４のゲー
トＧと上記定電圧回路１１の抵抗１１ｂにパルス
発生回路１３からのパルス信号Ｐが加えられるよ
うになつている。サンプルアンドホールド回路１
４は測定結果を保持し、測定結果を安定に出力す
るために設けられる。
パルス発生回路１３は発振器１３ａ、コンデン
サC1，C3、抵抗R4，R5とにより構成され、コン
デンサC1、抵抗R4，R5による時定数で決められ
た上述のパルス信号Ｐを発生するものである。
サC1，C3、抵抗R4，R5とにより構成され、コン
デンサC1、抵抗R4，R5による時定数で決められ
た上述のパルス信号Ｐを発生するものである。
次に、この第６図に示す無電解めつき厚さ測定
装置により、この発明の無電解めつき厚さ連続測
定方法について説明する。パルス発生回路１３か
ら発生したパルス信号Ｐは定電圧回路１１および
サンプルアンドホールド回路１４のゲートＧに加
えられる。このうち、定電圧回路１１では、パル
ス信号Ｐのオン信号は抵抗１１ｂを通してツエナ
ーダイオードＤに入り、約1Vの定電圧を作り、
可変抵抗VR―１により、0.3Vに分圧した電圧を
オペアンプ１１ａに入力する。
装置により、この発明の無電解めつき厚さ連続測
定方法について説明する。パルス発生回路１３か
ら発生したパルス信号Ｐは定電圧回路１１および
サンプルアンドホールド回路１４のゲートＧに加
えられる。このうち、定電圧回路１１では、パル
ス信号Ｐのオン信号は抵抗１１ｂを通してツエナ
ーダイオードＤに入り、約1Vの定電圧を作り、
可変抵抗VR―１により、0.3Vに分圧した電圧を
オペアンプ１１ａに入力する。
オペアンプ１１ａでは、ローインピーダンスの
0.3Vを出力端子に出力として出し、抵抗R1を通
して、センサ端子S1，S2間に加える。この抵抗
R1はセンサに流す電流を極力小さくする目的と、
センサの抵抗値に応じて変化する電流を抵抗R1
の両端に電圧降下として発生させる目的である。
この第６図の例では、抵抗R1として、10KΩ、セ
ンサに流れる最大電流を３×10-5Aにしている。
0.3Vを出力端子に出力として出し、抵抗R1を通
して、センサ端子S1，S2間に加える。この抵抗
R1はセンサに流す電流を極力小さくする目的と、
センサの抵抗値に応じて変化する電流を抵抗R1
の両端に電圧降下として発生させる目的である。
この第６図の例では、抵抗R1として、10KΩ、セ
ンサに流れる最大電流を３×10-5Aにしている。
次に、抵抗R1の両端に生じた電位を周知の増
幅器１２の主体をなすオペアンプ１２ａで抵抗
R3，R2aとR3の比、すなわちR3／（R2a＋R2b）
の割合で増幅し、サンプルアンドホールド回路１
４の入力端子に加える。このサンプルアンドホー
ルド用のオペアンプ１４ａとして、LF―398など
が適当である。
幅器１２の主体をなすオペアンプ１２ａで抵抗
R3，R2aとR3の比、すなわちR3／（R2a＋R2b）
の割合で増幅し、サンプルアンドホールド回路１
４の入力端子に加える。このサンプルアンドホー
ルド用のオペアンプ１４ａとして、LF―398など
が適当である。
このサンプルアンドホールド回路１４の入力は
ゲートＧをオン（「ハイ」）にすることにより、外
部信号（すなわち、増幅器１２の出力）を入力
し、ゲートＧをオフにすると、入力は遮断され、
入力時の信号をそのまま出力電圧として保持する
ものであり、その保持時間はコンデンサC2によ
り決定される。
ゲートＧをオン（「ハイ」）にすることにより、外
部信号（すなわち、増幅器１２の出力）を入力
し、ゲートＧをオフにすると、入力は遮断され、
入力時の信号をそのまま出力電圧として保持する
ものであり、その保持時間はコンデンサC2によ
り決定される。
第７図は第６図の無電解めつき厚さ測定装置の
タイムチヤートを示したものであり、Ｐはパルス
発生器１３から出力されるパルス信号であり、Ｖ
はオペアンプ１４ａの出力電圧である。そして、
１５はパルス信号Ｐのオンタイムを示し、１６は
パルス信号Ｐのオフタイムを示す。
タイムチヤートを示したものであり、Ｐはパルス
発生器１３から出力されるパルス信号であり、Ｖ
はオペアンプ１４ａの出力電圧である。そして、
１５はパルス信号Ｐのオンタイムを示し、１６は
パルス信号Ｐのオフタイムを示す。
この実施例では、オンタイム１５を1msec、オ
フタイム１６を9msecとして実測すると、出力電
圧Ｖはセンサのめつき面８の析出厚さに応じてス
テツプ状に上昇して行く。このステツプの長さは
１／100秒と短いため、リニアに上昇しているの
と同じである。したがつて、第６図により、セン
サ端子S1，S2間に接続されたセンサに印加する電
圧は通常測定の１／10の時間で済むことになる。
フタイム１６を9msecとして実測すると、出力電
圧Ｖはセンサのめつき面８の析出厚さに応じてス
テツプ状に上昇して行く。このステツプの長さは
１／100秒と短いため、リニアに上昇しているの
と同じである。したがつて、第６図により、セン
サ端子S1，S2間に接続されたセンサに印加する電
圧は通常測定の１／10の時間で済むことになる。
第８図はこの発明に適用されるセンサをセンサ
取付治具に取り付けた状態を示す断面図であり、
第９図はその斜視図である。この第８図および第
９図の両図において、６〜８は第３図および第４
図で示したのと同様であり、６は非導電材料、７
は電極引出し用接続パツド、８は被めつき面であ
る。
取付治具に取り付けた状態を示す断面図であり、
第９図はその斜視図である。この第８図および第
９図の両図において、６〜８は第３図および第４
図で示したのと同様であり、６は非導電材料、７
は電極引出し用接続パツド、８は被めつき面であ
る。
また、１７は銅張積層板の絶縁板部、１８は銅
箔を使用する無電解めつきでめつきした金属箔、
１９はセンサを取付治具に取り付けるための無電
解反応に影響を与えないようにするためのプラス
チツクねじを示す。さらに、２０は金属箔をマス
クするためのマスク板、２１はセンサの被めつき
面８をめつき液に接触させるための窓、２２は外
部接続端子を示している。
箔を使用する無電解めつきでめつきした金属箔、
１９はセンサを取付治具に取り付けるための無電
解反応に影響を与えないようにするためのプラス
チツクねじを示す。さらに、２０は金属箔をマス
クするためのマスク板、２１はセンサの被めつき
面８をめつき液に接触させるための窓、２２は外
部接続端子を示している。
第８図より明らかなように、センサの電極引出
し用接続パツド７と同形のパツドが金属箔１８に
より絶縁板部１７上に形成されており、プラスチ
ツクねじ１９により、電極引出し用接続パツド７
と金属箔１８で形成されたパツド面とを接触固定
している。第９図では、金属箔１８で形成された
外部接触端子２１でセンサの抵抗値の変化を出力
するものである。
し用接続パツド７と同形のパツドが金属箔１８に
より絶縁板部１７上に形成されており、プラスチ
ツクねじ１９により、電極引出し用接続パツド７
と金属箔１８で形成されたパツド面とを接触固定
している。第９図では、金属箔１８で形成された
外部接触端子２１でセンサの抵抗値の変化を出力
するものである。
第１０図は第６図の無電解めつき厚さ連続測定
装置と第８図、第９図で示したセンサを用いて、
めつき厚さを時間とともに監視したときのセンサ
の被めつき面８と被めつき物２の析出厚さを比較
したものである。この第１０図における特性Ｅは
被めつき物のめつき時間とめつき厚さの関係を示
したものである。また、特性Ｆはセンサの被めつ
き面８のめつき時間とめつき厚さの関係を示した
ものである。この特性ＥとＦはほとんど一致し、
測定のための電位の影響を受けていないことがわ
かる。
装置と第８図、第９図で示したセンサを用いて、
めつき厚さを時間とともに監視したときのセンサ
の被めつき面８と被めつき物２の析出厚さを比較
したものである。この第１０図における特性Ｅは
被めつき物のめつき時間とめつき厚さの関係を示
したものである。また、特性Ｆはセンサの被めつ
き面８のめつき時間とめつき厚さの関係を示した
ものである。この特性ＥとＦはほとんど一致し、
測定のための電位の影響を受けていないことがわ
かる。
以上説明したように、上記実施例では、被めつ
きセンサとして、被めつき物と同じ材質を用いて
いることおよび外部電位の影響を最少限にするた
めに、パルス状の電圧を印加し、積算電圧印加時
間を極力短くして測定するために、無電解めつき
反応の初期での不安定な析出時においても、誤差
の少ないめつき厚さを測定できる利点がある。
きセンサとして、被めつき物と同じ材質を用いて
いることおよび外部電位の影響を最少限にするた
めに、パルス状の電圧を印加し、積算電圧印加時
間を極力短くして測定するために、無電解めつき
反応の初期での不安定な析出時においても、誤差
の少ないめつき厚さを測定できる利点がある。
以上詳述したように、この発明の無電解めつき
厚さ連続測定方法によれば、被めつき物と同一材
料の非導電材料の両端に電極引出し用接続パツド
を付けてセンサを構成し、このセンサにパルス状
の電圧を印加するとともに、パルス状の電圧を印
加することにより流れた電流に対応する電圧を上
記パルスと同期してサンプルアンドホールドする
ことにより、無電解めつき反応によりセンサに析
出した金属の抵抗値より被膜厚さを換算してめつ
き厚さを連続的に測定するようにしたので、セン
サに加える電圧の積算量を最少限にできる。これ
にともない、無電解めつき反応初期での析出誤差
を最少限にできる利点を有するものである。ま
た、この方法は非常に簡単な方法で特殊な計算を
必要としないでめつき厚さを連続的に測定できる
ものである。
厚さ連続測定方法によれば、被めつき物と同一材
料の非導電材料の両端に電極引出し用接続パツド
を付けてセンサを構成し、このセンサにパルス状
の電圧を印加するとともに、パルス状の電圧を印
加することにより流れた電流に対応する電圧を上
記パルスと同期してサンプルアンドホールドする
ことにより、無電解めつき反応によりセンサに析
出した金属の抵抗値より被膜厚さを換算してめつ
き厚さを連続的に測定するようにしたので、セン
サに加える電圧の積算量を最少限にできる。これ
にともない、無電解めつき反応初期での析出誤差
を最少限にできる利点を有するものである。ま
た、この方法は非常に簡単な方法で特殊な計算を
必要としないでめつき厚さを連続的に測定できる
ものである。
第１図は従来の無電解めつき厚さ連続測定方法
に適用される無電解めつき厚さ測定装置の構成を
示す図、第２図は従来の無電解めつき厚さ連続測
定方法によるめつき時間対被めつき物およびセン
サの析出厚さの関係を示す特性図、第３図はこの
発明の無電解めつき厚さ連続測定方法に適用され
るセンサの構成を示す斜視図、第４図は第３図の
センサに過電圧を加えたことにより亀裂を生じた
状態を示す斜視図、第５図は第３図のセンサを用
いてめつき時間対被めつき物およびセンサに析出
しためつき厚さの関係を示す特性図、第６図はこ
の発明の無電解めつき厚さ連続測定方法に適用さ
れる無電解めつき厚さ連続測定装置の回路図、第
７図は第６図の無電解めつき厚さ連続測定装置の
タイムチヤート、第８図はこの発明の無電解めつ
き厚さ連続測定方法に適用されるセンサを取付治
具に取り付けた状態を示す断面図、第９図は同上
センサを取付治具に取り付けた状態を示す斜視
図、第１０図は第６図の無電解めつき厚さ連続測
定装置に第８図および第９図に示したセンサを用
いた場合のめつき時間対被めつき物およびセンサ
の析出厚さの関係を示す特性図である。 １…めつき液、２…被めつき物、５…抵抗測定
計、６…非導電材料、７…電極引出し用接続パツ
ド、８…被めつき面、１１…定電圧回路、１２…
増幅器、１３…パルス発生器、１４…サンプルア
ンドホールド回路。
に適用される無電解めつき厚さ測定装置の構成を
示す図、第２図は従来の無電解めつき厚さ連続測
定方法によるめつき時間対被めつき物およびセン
サの析出厚さの関係を示す特性図、第３図はこの
発明の無電解めつき厚さ連続測定方法に適用され
るセンサの構成を示す斜視図、第４図は第３図の
センサに過電圧を加えたことにより亀裂を生じた
状態を示す斜視図、第５図は第３図のセンサを用
いてめつき時間対被めつき物およびセンサに析出
しためつき厚さの関係を示す特性図、第６図はこ
の発明の無電解めつき厚さ連続測定方法に適用さ
れる無電解めつき厚さ連続測定装置の回路図、第
７図は第６図の無電解めつき厚さ連続測定装置の
タイムチヤート、第８図はこの発明の無電解めつ
き厚さ連続測定方法に適用されるセンサを取付治
具に取り付けた状態を示す断面図、第９図は同上
センサを取付治具に取り付けた状態を示す斜視
図、第１０図は第６図の無電解めつき厚さ連続測
定装置に第８図および第９図に示したセンサを用
いた場合のめつき時間対被めつき物およびセンサ
の析出厚さの関係を示す特性図である。 １…めつき液、２…被めつき物、５…抵抗測定
計、６…非導電材料、７…電極引出し用接続パツ
ド、８…被めつき面、１１…定電圧回路、１２…
増幅器、１３…パルス発生器、１４…サンプルア
ンドホールド回路。
Claims (1)
- １ 被めつき物と当該被めつき物と同一材料の非
導電材料の両端に電極引出し用接続パツドを設け
てなるセンサとを無電解めつき液に浸漬し、前記
センサに順次所定の周期でパルス状の第１の電圧
を印加して前記センサの抵抗値に応じて流れる電
流に対応する第２の電圧をサンプルアンドホール
ド回路に印加し、当該サンプルアンドホールド回
路では前記パルス状の第１の電圧の印加と同期し
て前記第２の電圧をサンプルアンドホールドし、
そのサンプルアンドホールド回路に保持された電
圧を測定することにより前記被めつき物のめつき
厚さを連続的に測定することを特徴とする無電解
めつき厚さ連続測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000381A JPS58104167A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 無電解めつき厚さ連続測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000381A JPS58104167A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 無電解めつき厚さ連続測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104167A JPS58104167A (ja) | 1983-06-21 |
| JPS648711B2 true JPS648711B2 (ja) | 1989-02-15 |
Family
ID=16417172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20000381A Granted JPS58104167A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 無電解めつき厚さ連続測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58104167A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147304A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Ibiden Co Ltd | 無電解メッキ方法 |
| JP2638283B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1997-08-06 | 日立化成工業株式会社 | 無電解めっき析出速度測定装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5926663B2 (ja) * | 1979-11-08 | 1984-06-29 | 株式会社東芝 | 無電解メツキ反応の測定装置 |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20000381A patent/JPS58104167A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58104167A (ja) | 1983-06-21 |
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