JPS648727U - - Google Patents

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JPS648727U
JPS648727U JP10409187U JP10409187U JPS648727U JP S648727 U JPS648727 U JP S648727U JP 10409187 U JP10409187 U JP 10409187U JP 10409187 U JP10409187 U JP 10409187U JP S648727 U JPS648727 U JP S648727U
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JP
Japan
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nozzle
susceptor
gas
semiconductor substrate
flow rate
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JP10409187U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２
図は本考案の流量制御部を駆動制御する設定回路
の一例を示す図、第３図はガス流量と出力値との
相関図、第４図は従来の気相成長装置を示す断面
図、第５図はガス噴出ノズルの拡大断面図である
。 １……ＳＵＳ製ベルジヤ、２……石英製ベルジ
ヤ、３……ベースプレート、４……サセプタホル
ダ、５……回転用プーリー、６……ベルジヤＯリ
ング、７，１１……ベルジヤ止め具、８……コイ
ルカバー、９……サセプタ、１０……高周波加熱
コイル、１２……ガス排出口、１３……ガスパー
ジ、１４……サセプタ回転モータ、１５……ガス
導入口、１６……水平方向ガスの流量制御部、１
７……垂直方向ガスの流量制御部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板搭載用のサセプタと、該サセプタを
    加熱する高周波加熱コイルと、前記サセプタの中
    央部を貫いて上方に突き出し、該サセプタ上の半
    導体基板に反応ガスを吹き付けるガス吹出し用ノ
    ズルとを有する縦型気相成長装置において、ガス
    吹出口を前記サセプタと平行な方向に向けて設け
    た第１のノズルと、ガス吹出口を前記サセプタに
    対し直角方向に向けて設けた第２のノズルとを同
    軸上に組合せて前記ガス吹出し用ノズルを構成し
    、前記第１のノズル及び第２のノズルに、同期し
    てガスの吹出し量をコントロールする流量制御部
    をそれぞれ設けたことを特徴とする半導体製造装
    置。
JP10409187U 1987-07-07 1987-07-07 Pending JPS648727U (ja)

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JP10409187U JPS648727U (ja) 1987-07-07 1987-07-07

Applications Claiming Priority (1)

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JP10409187U JPS648727U (ja) 1987-07-07 1987-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS648727U true JPS648727U (ja) 1989-01-18

Family

ID=31335503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10409187U Pending JPS648727U (ja) 1987-07-07 1987-07-07

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS648727U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8878244B2 (en) 2002-05-31 2014-11-04 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device having strained silicon film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8878244B2 (en) 2002-05-31 2014-11-04 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device having strained silicon film

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