JPS649747B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS649747B2 JPS649747B2 JP58026501A JP2650183A JPS649747B2 JP S649747 B2 JPS649747 B2 JP S649747B2 JP 58026501 A JP58026501 A JP 58026501A JP 2650183 A JP2650183 A JP 2650183A JP S649747 B2 JPS649747 B2 JP S649747B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cds photoconductive
- electrodes
- pair
- discharge
- cds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光電式自動点滅器などに使用される
CdS光導電セルの雷サージ電圧対策に関するもの
である。
CdS光導電セルの雷サージ電圧対策に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
光電式自動点滅器が受けるサージ電圧は、雷サ
ージ電圧が主で、その大きさは、数百ボルトから
数万ボルトである。一方光電式自動点滅器の耐サ
ージ電圧は最も弱いCdS光導電セルの特性により
決まるが一般に２千〜３千ボルトである。したが
つて雷の多発地帯では、その被害を受けやすく、
雷サージ電圧対策をする必要があつた。第１図は
その対策例で、１はCdS光導電セル、２は前記
CdS光導電セルに接続されたヒータ、３は前記
CdS光導電セル１とヒータ２の直列回路に並列に
電源に接続されたサージアブゾーバで、一般に半
導体素子または放電ギヤツプが使用される。４は
前記ヒータ２の通電による加熱量が一定値以上に
なると電灯などの負荷５をOFFにするスイツチ
である。この構成によつて雷サージ電圧を受ける
場合ほぼ完壁にCdS光導電セル１とヒータ２の直
列回路を保護することができる。しかし、サージ
アブゾーバ３を設けるためにコストが高くなり、
その設置スペースが必要となる不利な点があつ
た。そして第２図はこれらの問題を解決するため
CdS光導電セルの表面の一対の蒸着電極６の間の
CdS光導電層７を除く部分に放電ギヤツプ８を設
けたものを形成したが、その絶対面積が狭く、全
表面に樹脂モードルをするので放電電圧が上がり
前記樹脂モールドを溶解して前記一対の蒸着電極
６の間を短絡し保護効果を損う原因となり実用化
に至つていない。
ージ電圧が主で、その大きさは、数百ボルトから
数万ボルトである。一方光電式自動点滅器の耐サ
ージ電圧は最も弱いCdS光導電セルの特性により
決まるが一般に２千〜３千ボルトである。したが
つて雷の多発地帯では、その被害を受けやすく、
雷サージ電圧対策をする必要があつた。第１図は
その対策例で、１はCdS光導電セル、２は前記
CdS光導電セルに接続されたヒータ、３は前記
CdS光導電セル１とヒータ２の直列回路に並列に
電源に接続されたサージアブゾーバで、一般に半
導体素子または放電ギヤツプが使用される。４は
前記ヒータ２の通電による加熱量が一定値以上に
なると電灯などの負荷５をOFFにするスイツチ
である。この構成によつて雷サージ電圧を受ける
場合ほぼ完壁にCdS光導電セル１とヒータ２の直
列回路を保護することができる。しかし、サージ
アブゾーバ３を設けるためにコストが高くなり、
その設置スペースが必要となる不利な点があつ
た。そして第２図はこれらの問題を解決するため
CdS光導電セルの表面の一対の蒸着電極６の間の
CdS光導電層７を除く部分に放電ギヤツプ８を設
けたものを形成したが、その絶対面積が狭く、全
表面に樹脂モードルをするので放電電圧が上がり
前記樹脂モールドを溶解して前記一対の蒸着電極
６の間を短絡し保護効果を損う原因となり実用化
に至つていない。
発明の目的
本発明はこのような問題を解決するもので、最
も経済的でシンプルな構造のサージアブソーバ機
能を有するCdS光導電セルを提供することを目的
とするものである。
も経済的でシンプルな構造のサージアブソーバ機
能を有するCdS光導電セルを提供することを目的
とするものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明は、絶縁基板
の表面にCdS光導電層およびこのCdS光導電層に
通電する一対の電極を設け、前記絶縁基板の裏面
に前記電極に導通する一対の放電電極を設け、前
記一対の放電電極間に放電ギヤツプを設けたもの
である。この構成によつて、雷サージ電圧を受け
た場合、樹脂でコーテイングされた絶縁基板表面
の一対の電極よりも裏面の露出した一対の放電電
極の放電電圧が低く、必ず先に放電し、前記絶縁
基板の表面の光導電層を保護するものである。
の表面にCdS光導電層およびこのCdS光導電層に
通電する一対の電極を設け、前記絶縁基板の裏面
に前記電極に導通する一対の放電電極を設け、前
記一対の放電電極間に放電ギヤツプを設けたもの
である。この構成によつて、雷サージ電圧を受け
た場合、樹脂でコーテイングされた絶縁基板表面
の一対の電極よりも裏面の露出した一対の放電電
極の放電電圧が低く、必ず先に放電し、前記絶縁
基板の表面の光導電層を保護するものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例につき図面の第３図〜
第６図に沿つて詳細に説明する。２，４，５はそ
れぞれ従来と同様のヒータ、スイツチ、負荷であ
る。６，７はそれぞれ従来と同様の一対の電極お
よびCdS光導電層で、セラミツク等の絶縁体９の
表面に設けられている。１０は前記一対の電極６
およびCdS光導電層７を覆うコーテイング樹脂、
１１は前記絶縁体９の裏面に設けた一対の放電電
極で、前記一対の放電電極１１間に放電ギヤツプ
１２が設けられている。１３は前記一対の電極６
とCdS光導電層７と一対の放電電極１１とに導通
する端子、１４は前記電極６とCdS光導電層７に
より形成されるCdS光導電セル部、１５は前記放
電電極１１と放電ギヤツプ１２とにより形成され
る放電器部である。
第６図に沿つて詳細に説明する。２，４，５はそ
れぞれ従来と同様のヒータ、スイツチ、負荷であ
る。６，７はそれぞれ従来と同様の一対の電極お
よびCdS光導電層で、セラミツク等の絶縁体９の
表面に設けられている。１０は前記一対の電極６
およびCdS光導電層７を覆うコーテイング樹脂、
１１は前記絶縁体９の裏面に設けた一対の放電電
極で、前記一対の放電電極１１間に放電ギヤツプ
１２が設けられている。１３は前記一対の電極６
とCdS光導電層７と一対の放電電極１１とに導通
する端子、１４は前記電極６とCdS光導電層７に
より形成されるCdS光導電セル部、１５は前記放
電電極１１と放電ギヤツプ１２とにより形成され
る放電器部である。
そしてヒータ２とCdS光導電セル部分１４とは
直列に電源に接続し、前記ヒータ２が通電により
加熱量が一定値以上になるとOFFとなるスイツ
チ４と負荷５とを直列に電源に接続している。
直列に電源に接続し、前記ヒータ２が通電により
加熱量が一定値以上になるとOFFとなるスイツ
チ４と負荷５とを直列に電源に接続している。
したがつて雷サージ電圧がCdS光導電セルに加
わると放電器部１５にてCdS光導電セル部１４よ
りも先に放電し、CdS光導電セル部１４を保護す
るものである。
わると放電器部１５にてCdS光導電セル部１４よ
りも先に放電し、CdS光導電セル部１４を保護す
るものである。
発明の効果
以上のように本発明のCdS光導電セルは、光電
式自動点滅器などに使用した場合、雷サージ対策
を別途施工しなくても、確実なサージアブゾーバ
機能を有するもので、コスト低減をはかるととも
に雷サージ電圧からCdS光導電セルを保護する優
れた効果を奏するものである。
式自動点滅器などに使用した場合、雷サージ対策
を別途施工しなくても、確実なサージアブゾーバ
機能を有するもので、コスト低減をはかるととも
に雷サージ電圧からCdS光導電セルを保護する優
れた効果を奏するものである。
第１図は従来のCdS光導電セルを用いた光電式
自動点滅器の回路図、第２図は他の従来例を示す
CdS光導電セルの平面図、第３図、第４図はそれ
ぞれ本発明の一実施例におけるCdS光導電セルの
側面図および底面図、第５図は同光導電セルを用
いた光電式自動点滅器の回路図である。 ６……電極、７……CdS光導電層、９……絶縁
基板、１０……コーテイング樹脂、１１……放電
電極、１２……放電ギヤツプ、１３……端子、１
４……CdS光導電セル部、１５……放電器部。
自動点滅器の回路図、第２図は他の従来例を示す
CdS光導電セルの平面図、第３図、第４図はそれ
ぞれ本発明の一実施例におけるCdS光導電セルの
側面図および底面図、第５図は同光導電セルを用
いた光電式自動点滅器の回路図である。 ６……電極、７……CdS光導電層、９……絶縁
基板、１０……コーテイング樹脂、１１……放電
電極、１２……放電ギヤツプ、１３……端子、１
４……CdS光導電セル部、１５……放電器部。
Claims (1)
- １ セラミツク等の絶縁基板の表面にCdS光導電
層およびこのCdS光導電層に通電する一対の電極
を設け、前記絶縁基板の裏面に前記電極に導通す
る一対の放電電極を設け、前記一対の放電電極間
に放電ギヤツプを設けたCdS光導電セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026501A JPS59152677A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | ＣｄＳ光導電セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026501A JPS59152677A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | ＣｄＳ光導電セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152677A JPS59152677A (ja) | 1984-08-31 |
| JPS649747B2 true JPS649747B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=12195231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58026501A Granted JPS59152677A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | ＣｄＳ光導電セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152677A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2430797A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Macron Internat Group Ltd | A method of making a photoresistor |
| CN110168745B (zh) * | 2017-01-05 | 2023-02-17 | 松下控股株式会社 | 半导体继电器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5563571A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | Protective device for semiconductor device with control electrode |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP58026501A patent/JPS59152677A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59152677A (ja) | 1984-08-31 |
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