JPS649897U - - Google Patents

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JPS649897U
JPS649897U JP10443087U JP10443087U JPS649897U JP S649897 U JPS649897 U JP S649897U JP 10443087 U JP10443087 U JP 10443087U JP 10443087 U JP10443087 U JP 10443087U JP S649897 U JPS649897 U JP S649897U
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JP
Japan
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ladder
boom
backstay
post
fixed
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Pending
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JP10443087U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の側面図、第２図は
本考案の他の実施例であり、第２図ａは側面図、
第２図ｂは平面図、第３図は本考案の更に他の実
施例の側面図、第４図は第３図の実施例を適用実
施した場合の説明図であり、第４図ａは側面図、
第４図ｂは一部平面図、第５図は従来例の説明図
である。 １……ポスト受台、２……旋回ポスト、３……
固定昇降ラダー、４……手摺、５……バツクステ
イ、６……ブームラダー、７……ヒンジ部、８…
…ステイワイヤ、９……ガイロープ、１０……第
２の昇降ラダー、１１……ヒンジ部、１２……ス
トツパ、１３……ウインチ、１４……シーブ、１
５……防舷材、Ａ，Ｂ……船。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 舷側に固設されたポスト受台と、該ポスト受
    台に旋回自在に支承された旋回ポストと、該旋回
    ポストに片端側を固着されたブームラダーと、該
    ブームラダーに昇降する母船側固定昇降ラダーと
    、該ブームラダーの他端部にピン結合され一定傾
    斜角度範囲内で揺動自在な移乗先着床用第２の昇
    降ラダーとを備えたことを特徴とする海上移乗装
    置。 ２ 前記旋回ポスト上部の前記ブームラダー上に
    バツクステイを設けると共に、該ブームラダーの
    該バツクステイ基部に揺動自在なヒンジ部を設け
    、前記バツクステイと該ブームラダーの揺動部を
    ステイワイヤで接続したことを特徴とする実用新
    案登録請求の範囲第１項記載の海上移乗装置。 ３ 前記ステイワイヤを前記バツクステイ頂上に
    設けたシーブを介して巻取り、繰出すウインチを
    設けたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
    第２項記載の海上移乗装置。
JP10443087U 1987-07-09 1987-07-09 Pending JPS649897U (ja)

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JP10443087U JPS649897U (ja) 1987-07-09 1987-07-09

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10443087U JPS649897U (ja) 1987-07-09 1987-07-09

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JPS649897U true JPS649897U (ja) 1989-01-19

Family

ID=31336135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10443087U Pending JPS649897U (ja) 1987-07-09 1987-07-09

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JP (1) JPS649897U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781326B2 (en) 2001-02-02 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US7846840B2 (en) 2000-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes
US9587310B2 (en) 2001-03-02 2017-03-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques

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US7846840B2 (en) 2000-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes
US7781326B2 (en) 2001-02-02 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US9012334B2 (en) 2001-02-02 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US9587310B2 (en) 2001-03-02 2017-03-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US10280509B2 (en) 2001-07-16 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques

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