KR0139246B1 - 와이어 본딩용 금합금 세선 - Google Patents

Abstract

스칸듐 2-10중량 ppm, 베릴륨 3-20중량 ppm, 및 인듐 2-50중량 ppm으로 구성된 제일 군으로 구성되고; 잔량이 금과 불가피한 불순물로 구성된, 와이어 본딩용 금합금 세선. 세선은 200μm 또는 그 이상의 루프 높이 및 5% 이하의 수지 성형후 와이어 플로우를 가진다.

Description

와이어 본딩용 금합금 세선

본 발명은 반도체 소자상의 전극을 외부 리드(lead)에 접속하는데 사용하기에 적합한 와이어 본딩(wire bonding)용 금합금의 세선, 보다 구체적으로는 개선된 접합 강도를 제공하고 루프(loop) 높이의 감소를 방지하는 금합금의 세선에 관한 것이다.

종래에, 반도체 소자상의 전극을 외부 리드에 접속하기 위한 본딩 와이어는 양호한 전기 전도성, 내부식성, 또는 다른 신뢰성 때문에 금합금의 세선이다.

금합금 세선의 접합은 전형적으로 금합금 세선의 상단부를 전기토치로서 가열함으로서 용융시켜 용융금속의 표면 장력으로 인해 볼(ball)을 형성하고, 그후 150-300℃에서 가열된 반도체 소자상의 전극에 대해 볼을 거기에 적용된 초음파 진동으로서 압착하여 접합시킨다음, 동일한 방식으로 초음파 압착 접합법에 의해 외부 리드에 접합을 수행하는, 열압착 접합법에 의해 수행된다.

반도체 소자의 진보된 집적도는 반도체 소자상의 전극 수 증가를 포함한다. 반도체 소자의 소형화는 전극 면적의 감소 및 전극간의 피치 또는 거리 단축을 포함하며, 따라서 본딩 와이어는 볼 크기의 감소를 제공하고 감소된 직경을 가지고 있어야 한다. 볼 크기의 감소는 볼 형성시에 전극 토치로부터 본딩 와이어로 입열량(heat input)을 감소시키며, 따라서 볼 형성중에 재결정화가 일어나는 와이어의 영역 길이를 감소시킨다. 긴 재결정화 영역을 가진 본딩 와이어가 높은 루프를 가지도록, 그리고 서로 반대되도록, 와이어의 재결정화 영역 길이와 루프 높이 사이에 밀접한 관계가 있다고 알려져 있다. 즉, 볼 크기의 감소하에, 종래의 루프 높이는 재결정화 영역 길이가 재결정화를 조절하는 본딩 와이어 금합금에서 합금 원소의 함량 감소에 의해 증가되어야 비로서 얻어질 수 있다. 일반적으로 재결정화를 조절하는 합금 원소는 또한 와이어의 기계적 강도를 증가시키며, 그 결과 이러한 합금 원소의 함량 감소가 와이어의 기계적 강도의 감소를 야기시킨다.

루프 높이는 또한 본딩 와이어의 세선화에 의해 감소된다. 특히, 볼 크기는 통상적으로 와이어 직경의 2.5-3.0배의 범위 이내의 일정치로 조절되며, 그 결과 와이어 직경의 감소는 볼 크기를 감소시켜 얻어진 것과 동일한 효과를 발생시키며, 따라서 본딩 와이어의 세선화는 루프 높이의 감소를 야기시킨다.

따라서, 볼 크기의 감소 또는 본딩 와이어의 세선화는 루프 높이의 감소를 유발하며, 이로서, 본딩 와이어가 반도체 소자 또는 리드프레임의 다이 패드(die pad)와 바람직하지 못한 접촉으로, 장치불량 또는 결함을 야기시키기 때문에, 루프 높이의 감소에 의해 인장 접착강도(pull strength)가 감소되므로, 및 반도체 소자를 실링(sealing)하는데 사용된 수지에 대한 플로우(flow) 저항으로 인해 와이어 변형에 의해 유발된 와이어 플로우에 의해 본딩 와이어가 서로 접촉되기 때문에 반도체 장치의 신뢰성 및 생산 수율에 문제점을 발생시킨다.

이들 문제점의 발생을 방지하기 위하여, 통상의 수단은 재결정화 영역 길이를 조절하는 원소의 함량을 감소시키는 것이다. 그러나, 이것은 기계적 강도 및 형성되는 볼 바로 위 부분에 와이어의 재결정화 입자의 조대화를 야기시키며, 그 결과 볼 바로 위 부분이 접착후 취급중에 진동에 의해 쉽게 파괴되어 반도체 장치의 열악한 신뢰성 및 생산 수율의 감소를 야기시킨다.

이 문제를 해결하기 위하여 많은 종류의 금합금 세선이 제안된바 있다:예를들어, 칼슘 5-100중량 ppm으로 이루어진 금 본딩 와이어(일본 미심사 특허공보(공개) 제53-105968호), 칼슘 3-5중량 ppm, 베릴륨 1-8중량 ppm, 및/또는 게르마늄 5-50중량 ppm으로 이루어진 금 본딩 와이어(일본 미심사 특허공보(공개) 제53-112060호), 및 베릴륨 1-8중량 ppm으로 이루어진 금 본딩 와이어(일본 미심사 특허공보(공개) 제53-112059호).

그러나, 이들 금 본딩 와이어는 접착후 루프 높이가 볼 바로 위 결정 입자의 조대화를 방지하기 위한 합금 원소의 함량 증가 때문에 감소된다는 문제점이 있다. 더구나, 금 베이스에 첨가제 합금 원소로서 베릴륨만을 함유한 합금 조성물은 높은 루프를 제공하나 와이어의 기계적 강도가 낮고 수지성형후 와이어 플로우가 다른 합금 조성물에 비해 보다 많다는 문제점이 있다.

루프 높이의 조절은 현재 필요한 루프 높이를 확보하기 위해 본더(bonder)의 루프 형상 조절 시스템에 의해 수행되나, 이것은 접합을 위해 긴 시간을 필요로 하며 생산성에서 약간 문제를 발생시킨다. 종래의 본딩 와이어는 큰 루프 높이를 제공하는데 성공적이지 못하며 반면에 볼 바로 위 와이어 부분에서 결정 입자의 조대화를 방지한다. 신뢰할 정도로 큰 루프 높이와 높은 접착 강도를 제공하는 와이어 본딩을 위한 금합금의 세선에 대해 강한 필요성이 존재한 바 있다.

본 발명자들은 종래에 제안된 많은 와이어 본딩용 금합금의 세선을 연구하였고 다음 사실을 발견하였다. 종래의 와이어 본딩용 금합금의 세선은 첨가제 원소를 함유하지 않은 순수한 금 와이어의 인장 접착강도 보다 크지만, 높은 루프가 형성되어야 할 때, 합금 성분의 함량이 감소되어야 하며, 그 결과 인장 접착강도가 열악해지며 재결정화 결정 입자가 볼 바로 위 와이어 부분에서 쉽게 조대화하며 이로서 접합 조작중에 볼 넥(neck)에 손상을 야기시킨다. 와이어 직경 감소는 감소된 와이어 단면적에 따라 인장 접착강도의 감소를 포함한다. 따라서, 양호한 인장 접착강도를 확보하기 위하여, 합금 원소의 함량이 증가되어야 하고, 그 결과 큰 루프 높이가 제공될 수 없다.

본 발명의 목적은 볼 크기가 동일한 와이어 직경에 대해 감소되며, 큰 루프 높이가 감소된 와이어 직경에 불구하고 제공되며, 높은 접합 강도가 유지되며, 와이어 플로우가 감소되는 와이어 본딩용 금합금의 세선을 제공하는 것이다.

상기에 언급된 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명자들은 내열성 또는 재결정화 온도에서 과도한 증가를 야기시키지 않고, 반면에 큰 루프 높이를 확보하는 인장 접착강도를 증가시킬 수 있는 합금 원소에 대해 다양한 연구를 수행하였다.

그 결과, 본 발명자들은 스칸듐, 베릴륨, 및 인듐의 합금 원소를 가진 금합금으로 구성된 본딩 와이어를 발견하였다. 그들은 또한 스칸듐, 베릴륨, 및 인듐에 더하여, 소량의 칼슘, 이트륨, 및 희토류 금속, 또는 소량의 게르마늄이 합금 원소로서 유용하게 사용되어 본 발명의 상기에 언급된 효과를 증가시키며 은, 구리 및 팔라듐이 추가로 합금 원소로서 사용되어 종래의 본딩 와이어로서 얻어진 것과 비교하여 반도체 소자상의 전극에 금합금의 세선의 접합성을 유용하게 증가시킨다는 것을 발견하였다.

특히, 본 발명은 다음 (1) 내지 (3)을 제공한다.

(1) 스칸듐 2-10중량 ppm, 베릴륨 3-20중량 ppm, 및 인듐 2-50중량 ppm으로 구성된 제일 군으로 구성되고, 잔량이 금과 불가피한 불순물로 구성된, 와이어 본딩용 금합금 세선.

(2) 제1항에서 정의된 제일 군; 칼슘 1-5중량 ppm, 이트륨 1-5중량 ppm, 적어도 한가지의 희토류 금속 1-5중량 ppm, 및 게르마늄 10-50중량 ppm으로 구성된 제이 군중에서 선택된 적어도 한가지 성분으로 구성되고; 잔량이 금 및 불가피한 불순물로 구성된, 와이어 본딩용 금합금 세선.

(3) 제1항에서 정의된 제일 군 및 제2항에서 정의된 제이 군중 적어도 한가지 군; 은 5-50중량 ppm; 팔라듐 5-30중량 ppm; 구리 5-40중량 ppm으로 구성되고; 잔량이 금과 불가피한 불순물로 구성된, 와이어 본딩용 금합금의 세선.

본 발명의 구성은 다음에 보다 상세히 기재될 것이다.

본 발명에서 적합하게 사용된 금은 금의 순도가 99.995중량% 또는 그 이상이며, 잔량이 불가피한 불순물이다. 순도가 99.995중량% 이하일 때, 불순물은 중요한 효과를 나타내며 특히 합금 원소의 총량이 적을 때, 합금 원소의 의도된 효과를 방해한다.

스칸듐은 금에서 비교적 큰 용해도 한계를 가지며 재결정화 온도를 효과적으로 상승시키나, 이들 효과는 스칸듐 보다 약하고 스칸듐 만이 합금 원소로서 사용될 때 충분하지 못하다. 다양한 연구를 통해, 고순도의 금에 스칸듐과 다같이 베릴륨과 인듐의 복합 첨가에 의해 볼 넥 강도가 증가되어, 인장 접착강도의 증가 및 높은 루프를 제공한다고 발견되었다. 이것은 스칸듐, 베릴륨 및 인듐의 세가지 원소의 동시 존재가 종래의 금합금의 세선에서 발생된 변동(fluction)과 비교하여 볼 형성중에 열적 영향으로 인해 재결정화 입자 크기의 변동을 감소시키기 때문이다. 이러한 현상은 고순도의 금에서 세가지 원소 사이에 상호 작용이 접착중에 입열량으로 인해 재결정화 결정 입자의 성장을 억제하는 균일한 고용체를 제공한다는 사실에 기초한다고 믿어진다.

또한 금에 스칸듐의 첨가는 수지 성형중에 와이어 플로우를 억제하는 영 모듀율을 증가시킨다고 발견된 바 있다. 또한 영 모듀율이 스칸듐과 다같이 인듐과 베릴륨의 복합 첨가에 의해 더욱 증가된다고 알려지고 있다. 그러나, 효과는 이들 세가지 원소의 비율에 의해 변동된다. 이것은 세부 내용이 규명되지는 않았지만, 이들 세가지 원소 사이에 상호 작용의 서로 다른 세기에 의해 물질 조직(texture)이 변화되기 때문인 것으로 믿어진다. 영 모듀율의 약간의 개선이 또한 후에 기재된 희토류 금속의 존재에 의해 발생된다. 이러한 효과는 또한 와이어 플로우를 상당히 감소시키는 이전에 언급된 세가지 원소의 동시 존재에 의해 증가된다.

스칸듐 함량이 2중량 ppm 이하일 때, 볼 형성중에 입열량에 의해 발생된, 재결정화 입자가 서로 다른 입자 크기, 즉 인장 접착 강도의 상당한 변동을 야기시키는 미세하고 조대한 입자를 포함한다. 다른 한편, 스칸듐 함량이 10중량 ppm 이상이라면, 루프 높이가 후에 기재된 베릴륨 및 인듐의 동시-존재로서조차 적게 되며, 더구나, 볼 선단부에 수축 홀의 형성을 쉽게 하는 볼 표면상에 견고한 산화물이 형성되어, 전단 강도가 감소되고 장기간 신뢰성이 또한 감소된다. 본 발명에 따른 합금 조성으로서 높은 루프를 확보하기 위하여, 스칸듐 함량이 바람직하게는 10중량 ppm 이하이며, 2-10중량 ppm 이내이어야 한다.

베릴륨은 와이어 연신시 가공 경화로 인해 금 세선의 상온 강도를 증가시킨다고 알려져 있다. 이러한 효과는 스칸듐의 동시 존재하에 3중량 ppm 이하의 베릴륨 함량으로서 불충분하며 변동된다. 베릴륨 함량이 20중량 ppm 이상일 때, 볼 형성중에 산화 때문에 볼 표면에 견고한 산화물이 형성되며, 이로서 볼과 반도체 소자상의 전극 사이에 접합 면적을 감소시키고 접합 강도(전단 강도)를 저하시킨다. 또한 볼 경도는 베릴륨 함량의 증가에 따라 상승되어 볼과 전극 사이의 양호한 접합을 확보하기 위한 하중을 증가시키고, 전극 하부의 반도체 장치의 균열을 야기시킨다고 알려져 있다. 따라서, 베릴륨 함량은 3-20중량 ppm 이어야 한다.

인듐은 볼 형성시 재결정화 영역을 효과적으로 확대한다고 알려져 있으며 이로서 루프 높이를 증가시킨다. 이러한 효과는 스칸듐의 동시 존재하에 2중량 ppm 이하의 인듐 함량으로서 불충분하며 변동된다. 인듐 함량이 50중량 ppm 이상일때, 재결정화 입자의 가속 조대화가 볼 바로 위 와이어 부분에서 발생되며, 접합중에 루프 형상의 조절시 볼 바로 위 와이어 부분에서 크랙을 야기시킨다. 따라서, 인듐 함량은 2-50중량 ppm이어야 한다.

제이 군의 칼슘과 다른 첨가제 원소는 세선화(와이어 연신에 의해)중에 금합금의 세선의 기계적 강도의 감소를 방지하고, 볼 넥에서 재결정화 입자의 조대화를 방지하며, 동일한 와이어 직경에 대해 금합금의 세선의 기계적 강도를 증가시키기 위하여 사용된다. 그러나, 제이 군 원소는 많은 양으로 사용될 때, 금합금 세선의 내열성을 상승시켜 볼 형성중에 재결정화가 발생되는 와이어 영역의 길이를 축소한다. 따라서, 높은 루프를 확보하기 위해 제이 군 원소의 함량의 상한선이 존재한다. 칼슘, 이트륨 및 희토류 금속이 비교적 소량으로 존재할 때조차 내열성을 증가시킨다고 알려져 있다. 이들 원소의 함량이 1중량 ppm 이하일 때, 와이어는 기계적 강도가 부위마다 상당히 변동되는 품질 문제점이 있다. 다른 한편, 함량이 5중량 ppm 이상일 때, 증가된 내열성이 재결정화 영역을 좁히며 높은 루프를 제공하지 못한다. 따라서, 제이 군 원소의 함량은 높은 루프 및 양호한 기계적 강도 모두를 확보하기 위하여, 1-5중량 ppm이어야 한다.

칼슘, 이트륨 및 희토류 금속의 첨가는 또한 이들 원소를 소량으로 함유한 금합금의 세선이 순수한 금의 것보다 큰 약 1000-2000kg/mm²의 영 모듀율을 가진다는 효과를 제공한다. 이와 같이 증가된 영 모듀율은 합금 원소의 비교적 한정된 양으로 인해 영 모듀율이 개선될 수 없기 때문에 실링후 큰 와이어 플로우를 나타내는 높은 루프를 제공하는 종래의 세선에 비해, 수지 성형후 와이어 플로우를 억제한다.

게르마늄은 상온 강도를 증가시킨다고 알려져 있으며 와이어의 세선화로 인해 강도의 감소를 방지하는데 사용된다. 게르마늄 함량은 10중량 ppm 이하의 양이 강도의 상당한 개선을 제공하지 않으며 50중량 ppm 이상의 양은 내열성을 감소시키므로, 10-50중량 ppm이어야 한다. 게르마늄은 유용하게도 칼슘, 이트륨 및 희토류 금속과 다같이 사용될 수 있다.

은은 많은 양으로 존재할 때 기계적 특성을 효과적으로 증가시키나, 이러한 효과는 소량으로 충분하지 못하다. 많은 연구를 통해, 본 발명자들은 은과 구리를 일정량으로 함유한 금합금의 세선이 수중량 ppm만큼 적은 양으로 이들 원소를 함유한 금에 의해 나타낸 것보다 큰 접합 강도(전단 강도)를 가지고 있다는 것을 발견하였다. 추가 연구는 이러한 효과가 은 및 구리와 다같이, 팔라듐을 금에 다같이 첨가할 때 안정하게 얻어진다고 입증되었다. 이들 원소는 금과 완전한 고용체를 형성한다. 따라서, 상기에 언급된 현상은 이들 원소가 금에 균일하게 분산되어 입자 경계에 침전을 감소시킨다는 사실에 의해 야기된다고 믿어진다. 다양한 실험은 전단 강도에서 상당한 개선을 제공하기 위하여, 음 함량이 5-50중량 ppm이어야 하고, 구리 함량이 5-40중량 ppm이어야 하며, 팔라듐 함량이 4-30중량 ppm이어야 한다는 것을 보여주었다.

금 순도가 99.995중량% 또는 그 이상인 전해금 및 첨가제로서 고순도(99.9중량% 또는 그 이상의 순도)의 금속을 소정량으로 고주파 진공 용해로(vacuum induction melting furnace)에서 용융시키고 주조하여 각 첨가제 원소에 대한 모합금을 제조하였다.

이와 같이 제조된 소정량의 모합금과 금 순도 99.995중량% 또는 그 이상인 전해금을 고주파 진공 용애로에서 용융시키고 주조하여 표 1에 제시된 화학 조성을 가진 금합금의 인고트(ingot)를 제조하였다. 주조된 인고트를 캘리버(caliber)-또는 그루브(groove)-압연하고 상온에서 연신하여 최종 직경이 25μm인 금합금 세선을 형성하였다. 금합금 세선을 제품 와이어가 약 4%의 신장율을 가지도록 공기중에서 연속적으로 아닐링하였다.

이와 같이 얻어진 금합금 세선을 상온에서 기계적 시험에 수행하고 100핀을 가지고, 전극과 내부 리드면 사이의 단차(step)가 200μm이고, 평균 접착 스팬(span)이 2.6mm인 42-니켈 GFP 리드프레임을 와이어-본딩하는데 고속 자동 본더에서 사용하였다. 접착후에, 루프 높이, 접착 강도, 수지 성형후 와이어 플로우, 및 볼 형상을 연구하였고 그 결과를 표 1에 요약한다.

루프 높이를 반도체 소자상의 전극과 전극이 금합금 세선으로 외부 리드에 접속될 때 형성된 루프 상단 사이의 거리에 대한 광학 현미경 측정에 의해 측정하고, 이 측정을 100개의 와이어에 대해 반복하고, 100회 결과를 평균하였다.

리드프레임 고속 자동 본더와 반도체 소자를 지그(jig)로서 고정하고, 금합금 세선의 중앙부를 인장하고, 와이어 파단시 강도를 측정함으로서 측정된 100개의 와이어에 대해 인장 접합 강도 및 그의 변동의 데이타로부터 접합 강도를 평가하였다. 접합 강도를 또한 전극에 접합된 금 볼이 전단에 의해 파괴될 때까지, 반도체 소자와 평행 방향으로, 전극에서 3μm 떨어진 위치에서, 지그를 이동시키고, 파단시 최대 하중을 측정함으로서 측정된 100개의 와이어에 대해 전단 강도 및 그의 변동의 데이타로부터 평가하였다.

175℃에 가열된 금형에 와이어-접합된 리드프레임을 장착하고, 한가지 및 동일한 롯트로부터 상용 실링 수지를 이용하여 이 어셈블리를 실링하고, 연 X-선 투과장치를 이용하여 와이어의 최대 곡률(flexure)를 측정하고, 이 측정을 100와이어에 대해 반복하고, 각 와이어에 대해 접합 스팬에 대한 곡률의 비율을 계산하고, 100와이어에 대해 데이타를 평균함으로서 수지 성형후 와이어 플로우를 평가하였다.

고속 자동 본더의 전기 토치에 의해 발생된 아크 전기 방전에 의해 얻어진 금 볼의 주사 전자 현미경 관찰에 의해 볼 형상을 평가하였다. 볼의 비정상 형태 또는 그위에 형성된 산화물 때문에 반도체 소자상의 전극에 양호한 접합을 제공하지 못할 듯하는 볼을 결함으로 표시하고 양호한 접합을 제공하는 볼을 양호로 표시한다.

표 1은 본 발명에 따른 화학 조성을 가진 금합금 세선의 평가를 보여주며 반면에 표 2는 본 발명의 범위 외의 화학 조성을 가진 금합금 세선의 평가를 보여준다. 표 1과 2는 루프 높이의 감소가 인장 접착강도의 감소에 상응한다는 공지 현상을 보여준다.

일반적으로 5gf 또는 그 이상의 인장 접착강도가 반도체 장치의 신뢰성을 확보하는데 충분하다고 인식되고 있다. 실제로 동일한 루프높이를 가진 와이어간의 인장 접착 강도의 비교는 표 1의 와이어가 표 2의 와이어의 인장 접착강도 보다 큰, 5gf 이상인 인장 접착 강도를 가지며, 변동이 적다는 것을 보여준다.

일반적으로 50g 또는 그 이상의 전단 가도를 가진 25μm 금합금 세선은 문제를 야기시키지 않는다고 인식되고 있다. 표 1에서 모든 와이어는 50g 또는 그 이상의 전단 강도를 가지고 있으며, 반면에 표 2에서 몇가지 와이어는 50g 이하의 전단 강도를 가지고 와이어 본딩에 사용하는데 부적합하다. 합금 원소가 표 2에 제시된 바와 같이 청구 범위를 벗어난 과량으로 존재할 때, 전단 강도가 저하되고 상당히 변동된다.

일반적으로 5% 이하의 수지 성형후 와이어 플로우는 문제를 야기시키지 않는다고 인식되고 있다. 표 1에 제시된 모든 데이타는 이 범위에 속한다.

본 발명에 따라 표 1에 제시된 화학 조성물은 항상 정상적인 볼 형상을 제공하며, 반면에 표 2에 제시된 화학 조성물은 볼 선단부에서 수축, 볼 표면상의 과량의 산화물, 구형이 아닌 볼, 등을 비롯한 비정상적인 볼 형상을 야기시킨다.

본 발명에 따른 많은 샘플은 4%의 신장과 함께 11gf 이상의 상온 파괴 강도를 가지고 있다. 이것은 25에서 23μm로 추가의 세선화가 양호한 강도를 제공한다는 것을 보여준다. 또한 본 발명에 따른 샘플은 대개 200μm 이상의 루프 높이를 가지며, 따라서 높은 루프, 고 강도, 및 작은 와이어 플로우를 유용하게도 확보한다고 주목되어야 한다.

금합금의 세선은 그것이 루프 높이의 적은 변동, 적은 변동으로 고 접착 강도, 수지 성형후 적은 와이어 플로우, 및 정상적인 볼 형상을 가지므로 산업상 유용하며, 이들 모두는 와이어 직경이 20-30μm만큼 적을 때조차 와이어 본딩이 안정하게 수행되게 한다.

Claims (3)

1. 스칸듐:2-10중량 ppm, 베릴륨:3-20중량 ppm 및 인듐:2-50중량 ppm으로 구성되는 제1군; 및 금과 불가피한 불순물로 구성되는 나머지; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 금합금 세선.
2. 스칸듐:2-10중량 ppm, 베릴륨:3-20중량 ppm 및 인듐:2-50중량 ppm으로 구성되는 제1군; 칼슘:1-5중량 ppm, 이트륨:1-5중량 ppm, 희토류 금속 중 적어도 한가지:1-5중량 ppm 및 게르마늄:10-50중량 ppm으로 구성되는 제2군 중 선택되는 적어도 한 가지 성분; 및 금과 불가피한 불순물로 구성되는 나머지; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 금합금 세선.
3. 스칸듐:2-10중량 ppm, 베릴륨:3-20중량 ppm 및 인듐:2-50중량 ppm으로 구성되는 제1군과 칼슘:1-5중량 ppm, 이트륨:1-5중량 ppm, 희토류 금속 중 적어도 한가지:1-5중량 ppm 및 게르마늄:10-50중량 ppm으로 구성되는 제2군 중 적어도 한 가지 군; 은:5-50중량 ppm; 팔라듐:5-30중량 ppm; 구리:5-40중량 ppm; 및 금과 불가피한 불순물로 구성되는 나머지; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 금합금 세선.