KR100204792B1 - 워드라인 구동회로 - Google Patents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
Claims (5)
- 워드라인 구동회로에 있어서, 메모리 소자의 외부로부터 입력되는 제1어드레스를 디코딩하여 위상이 서로 반대인 디코딩 신호를 출력하는 제1디코더와; 상기 제1어드레스에 동기되어 제2어드레스가 입력되고, 상기 제2어드레스가 인에이블될 때 전원전압 레벨로 천이되고 상기 제2어드레스가 디스에이블되면 지연수단에 의해 소정시간이 경과한 이후 접지 레벨로 천이되는 프리-워드라인 지연신호를 발생시키며, 상기 제2어드레스가 인에이블되면 상기 지연수단에 의해 소정시간이 경과한 이후 상기 전원전압 레벨로 천이되고 상기 제2어드레스가 디스에이블될 때 상기 접지 레벨로 천이되는 프리-워드라인 신호를 발생시키는 제2디코더와; 상기 프리-워드라인 신호(PWL)의 논리레벨에 따라 승압전압 또는 상기 전원전압 레벨을 갖는 프리-워드라인 구동신호를 발생시키는 레벨 쉬프터; 상기 디코딩 신호의 논리레벨에 따라 상기 프리-워드라인 지연신호의 레벨 또는 상기 접지 레벨로 워드라인을 구동하는 구동부와; 상기 워드라인이 상기 전원전압 레벨로 프리차지된 상태에서 상기 제2어드레스가 인에이블되면 상기 워드라인을 상기 승압전압 레벨로 승압시키고 상기 제2어드레스가 디스에이블되면 상기 워드라인을 상기 접지 레벨로 감압시키는 레벨 조절부를 포함하는 워드라인 구동회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제2디코더는, 제1입력단에 상기 제2어드레스가 직접 입력되고, 제2입력단에 상기 제2어드레스가 지연수단을 통하여 입력되는 노어 게이트와; 제1입력단에 상기 제2어드레스가 직접 입력되고, 제2입력단에 상기 제2어드레스가 지연수단을 통하여 입력되는 낸드 게이트를 포함하여 이루어지는 워드라인 구동회로.
- 제2항에 있어서, 상기 노어 게이트의 출력신호가 반전되어 상기 프리-워드라인 지연신호로서 출력되는 워드라인 구동회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제2디코더는 낸드 게이트의 출력신호를 반전시켜 프리-워드라인 신호(PWL)를 출력하도록 이루어지는 워드라인 구동회로.
- 제1항에 있어서, 상기 레벨 쉬프터는 상기 프리-워드라인 신호에 의해 선택적으로 턴 온되어 상기 프리-워드라인 구동신호(PWLD)가 상기 승압전압 레벨 또는 상기 전원전압 레벨로 승압되도록 하는 피모스 트랜지스터 및 엔모스 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 워드라인 구동회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960007172A KR100204792B1 (ko) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 워드라인 구동회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960007172A KR100204792B1 (ko) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 워드라인 구동회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970068440A KR970068440A (ko) | 1997-10-13 |
| KR100204792B1 true KR100204792B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19453284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960007172A Expired - Fee Related KR100204792B1 (ko) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 워드라인 구동회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906647B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2009-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전력 소비를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치 |
| US7920429B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-04-05 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device for reducing power consumption |
-
1996
- 1996-03-18 KR KR1019960007172A patent/KR100204792B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906647B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2009-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전력 소비를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치 |
| US7920429B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-04-05 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device for reducing power consumption |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970068440A (ko) | 1997-10-13 |
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