KR100421237B1 - 열교환기용 센터핀가공툴 및 툴표면의 처리방법. - Google Patents

열교환기용 센터핀가공툴 및 툴표면의 처리방법. Download PDF

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Abstract

본발명은 열교환기용 센터핀가공툴 및 툴표면의 처리방법에 관한 것으로서,
박판스트립(S)을 일정한 절곡피치(P)로서 지그재그로 절곡형성하고 절곡된 평면부(D)에 수직한 다수개의 절단 절곡된 루버(L)를 가지는 센터핀(F)을 가공하기 위하여, 치형형상의 커팅투스(35)를 원주상에 배설한 다수매의 원형커터형상의 블레이드(30)를 그 중심적층공(31)을 따라 양단측에 가이드지그디스크(40,41)와 일체로 동축상에 적층 구비하는 전용툴(T)인 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에 있어서, 상기 전용툴(T)을 구성하는 개별적인 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 인선부(E) 만을 열처리하지 아니한 상태에서 20 - 60 ㎛의 질화깊이로서 질화하여 상기 인선부(E)에 경도 Hv 1200-1300 이상의 질화물층을 확산형성하는 등의 방법 및 툴을 제공하여;
본발명의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법은; 센터핀의 가공 및 그 표면처리방법을 개선함으로서 수명을 증대하고 재연삭에 의한 사용을 용이하게 할 뿐만 아니라 가공효율 또한 증대되는 유용성을 제공한다.

Description

열교환기용 센터핀가공툴 및 툴표면의 처리방법
본발명은 열교환기용 센터핀가공툴 및 툴표면의 처리방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히는 각종의 열교환기에서 열교환효율을 증대하기 위하여 선택적으로 적용되는 센터핀의 가공툴(tool) 및 그 가공툴의 표면처리의 개선방법의 제공에 관한 것이다.
자동차용등의 다양한 공조장치에서 열교환기는 외기와 공조장치의 열교환을 수행하는 인터페이스로서 사용되고 이러한 열교환수단으로서는 컨덴서, 라디에이터, 히터코어,증발기등의 다양한 열교환부재를 구성하고 있다.
상기하는 다양한 종류의 열교환기는 대부분의 구성이 거의 유사한 형태를 가지고 있으며 인입되는 열교환매체를 수용하는 한쌍의 헤더-탱크부 및 헤더-탱크부사이를 다수매 병설되어 세분화된 유로를 구성하는 튜브를 구비하게 된다.
센터핀과 튜브와이 접합을 위하여 센터핀의 양표면에는 저융점의 용착금속을 통상 피복한 클래드층을 가지는 박판체의 센터핀(Center-Fin)을 배설하고 있다.
센터핀은 지그재그형상으로 절곡되어 평행한 튜브사이에 고정배설하고 열효율을 극대화하기 의하여 지그재그형상의 평면부에는 다수개의 역시 평행한 수직의 절단,절곡된 루버( Louver )를 형성하여 외기와의 접촉시의 접촉면적을 극대화하고 있다.
따라서, 상기의 센터핀은 지그재그의 형상으로 절곡되고 각각의 절곡 평면부에 절단되어 돌출되는 다수개의 루버를 가지게 되는 박판체이므로 그 가공에 전용기와 전용의 툴이 요구된다.
종래로부터 안출되어 온 센터핀가공용의 전용툴은 지그재그절곡되는 피치만큼의 사면길이를 가지는 절곡투스를 가지는 블레이드를 형성하고 절단되는 루버의 수만큼의 블레이드를 평행하게 적층하여 구성하여,
한쌍의 전용의 툴사이에 알루미늄 또는 클래드피복의 알루미늄등의 열전도성이 높은 금속박판을 통과시킴으로서 지그재그형상의 절곡 및 루버의 형성을 동시에 수행하도록 구성되어 있다.
이러한 종래로부터의 구성의 전용툴을 형성하는 다수매의 블레이드는 반복적인 절곡 및 절단이 연속적으로 이루어지므로 그 수명의 관리가 대단히 중요한 관리요소가 될 수밖에 없고,
종래로부터 담금질처리된 고속도강의 박판을 가공하여 비커스 경도 700 - 750 정도의 박판을 가공하여 가스연질화 또는 가스질화로 표면처리를 행하여 구성하였다.
그러나, 상기하는 종래로부터의 표면처리에 의한 열교환기용 센터핀가공툴은 하기와 같은 문제점을 가지고 있었다.
(1) 센터핀의 가공시 고속도로 회전하게 되는 전용툴의 마모가 극심하여 주기적인 연마를 수행하여야 하고,
(2) 가공대상이 대부분 알루미늄등의 점성이 높은 금속이므로 버어(burr)가 가공투스 인선에 유발되어 구성인선(構成刃先)을 형성하여 가공성을 대폭 저하하고,
(2) 특히 클래드금속이 Si을 포함하는 합금재, 예를들면 Al-Si 계 또는 Al-Mn-Si 계의 복합소재인 경우, 그 경도가 대단히 높은 Si 로 인하여 마모가 조기에 이루어지며,
(3) 다수매의 블레이드를 개별가공하여 적층구성하는 전용툴의 가격이 대단히 고가인 관계로 지속적인 교환은 경제성이 저하되고,
(4) 잦은 교환 및 연마로 인하여 생산라인의 일시적인 중지가 우려되며 반복적인 연마는 초기 설계치를 변경시켜 최적의 열교환효율을 실현하지 못하게 되는 등의 많은 문제점을 가지고 있었다.
도 1 은 본발명이 적용되는 열교환기의 일실시예인 컨덴서의 예시적인 구성사시도.
도 2 는 본발명이 적용되는 열교환기의 다른 일실시예인 히터코어의 예시적인 구성사시도.
도 3 은 본발명이 적용되는 열교환기의 또 다른 일실시예인 라디에이터의 예시적인 구성사시도.
도 4 는 일반적인 구성의 열교환기용 센터핀가공을 위한 툴과 가공방법을 도시하는 가공설명도.
도 5 는 도 4 의 가공방법으로 가공된 일반적인 열교환기용 센터핀의 확대도 및 F'-F' 선을 따라 취한 단면도.
도 6 은 도 4 의 일반적인 열교환기용 센터핀의 가공툴의 구성 및 블레이드의 사시도.
도 7 은 종래의 센터핀의 가공툴의 개별블레이드의 커터부를 도시하는 확대도.
도 8 은 본발명의 센터핀의 가공툴의 개별블레이드의 커터부를 도시하는 모식적인 확대도.
도 9 는 종래의 센터핀의 가공툴의 열처리를 위한 적층용의 지그구성을 도시하는 측면도.
도 10 은 본발명의 열교환기용 센터핀의 가공툴의 열처리를 위한 적층용의 지그구성을 도시하는 측면도.
도 11 은 본발명의 열교환기용 센터핀의 가공툴의 작용효과를 설명하는 것으로서 A 는 초기 제작된 블레이드의 인선부, B 는 사용이후 열환된 상태에서의 블레이드의 인선부, C 는 본발명에 따라 재연마한 후의 블레이드의 인선부를 도시하는 부분확대도.
도 12 는 종래의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에서의 문제점을 설명하는 블레이드의 표면처리단면도 및 경도곡선이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
S: 박판스트립
P: 절곡피치
L: 루버
F: 센터핀
30: 블레이드
40,41: 가이드지그디스크
상기하는 종래로부터의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법의 문제점을 감안하여, 본발명의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에서는 새로운 방법의 전용툴의 표면처리방법과 그로서 구성되는 전용툴을 제공함으로서 전용툴의 수명을 극대화하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본발명의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법은;
박판스트립을 일정한 절곡피치로서 지그재그로 절곡형성하고 절곡된 평면부에 수직한 다수개의 절단 절곡된 루버를 가지는 센터핀을 가공하기위하여, 치형형상의 커팅투스를 원주상에 배설한 다수매의 원형커터형상의 블레이드를 그 중심 적층공을 따라 양단측에 가이드지그디스크와 일체로 동축상에 적층 구비하는 전용툴인 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에 있어서,
상기 전용툴을 구성하는 개별적인 블레이드의 커팅투스의 인선부만을 20 -60 ㎛의 깊이로서 플라즈마질화를 수행하고,
상기 플라즈마질화로 형성된 질화층상에 플라즈마 C.V.D.(Chemical Vapor Depositon) 또는 P.V.D. (Physical Vapor Depositon)으로서 TiC, TiN, TiCN 을 피복두께 2㎛ 이하로서 더 증착하여 피복처리한 것을 특징으로 한다.
이하의 부수된 도면과 함께 본발명의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법의 구성 및 작용효과를 종래로부터의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법과 비교하여 상세하게 설명한다.
도 1 은 본발명이 적용되는 열교환기의 일실시예인 컨덴서의 예시적인 구성사시도, 도 2 는 다른 일실시예인 히터코어의 예시적인 구성사시도, 도 3 은 또 다른 일실시예인 라디에이터의 예시적인 구성사시도, 도 4 는 일반적인 구성의 열교환기용 센터핀가공을 위한 툴과 가공방법을 도시하는 가공설명도, 도 5 는 도 4 의 가공방법으로 가공된 일반적인 열교환기용 센터핀의 확대도 및 F'-F' 선을 따라 취한 단면도, 도 6 은 도 4 의 일반적인 열교환기용 센터핀의 가공툴의 구성 및 블레이드의 사시도, 도 7 은 종래의 센터핀의 가공툴의 개별블레이드의 커터부를 도시하는 확대도, 도 8 은 본발명의 센터핀의 가공툴의 개별블레이드의 커터부를 도시하는 모식적인 확대도, 도 9 는 종래의 센터핀의 가공툴의 열처리를 위한 적층용의 지그구성을 도시하는 측면도, 도 10 은 본발명의 열교환기용 센터핀의 가공툴의 열처리를 위한 적층용의 지그구성을 도시하는 측면도, 도 11 은 본발명의 열교환기용 센터핀의 가공툴의 작용효과를 설명하는 것으로서 A 는 초기 제작된 블레이드의 인선부, B 는 사용이후 열환된 상태에서의 블레이드의 인선부, C 는 본발명에 따라재연마한 후의 블레이드의 인선부를 도시하는 부분확대도, 도 12 는 종래의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에서의 문제점을 설명하는 블레이드의 표면처리단면도 및 경도곡선이다.
본 발명이 적용되는 열교환기용 센터핀의 예시적인 구성이 도 1 내지 3 에 걸쳐서 도시되어 있다.
통상적인 컨덴서(1)의 튜브(2) 사이에 배설된 센터핀(F), 히터코어(10)의 튜브(12) 사이의 배설된 센터핀(F), 라디에이터(20)의 튜브(22) 사이에 배설되는 센터핀(F)을 도시하고 있으며 구체적인 센터핀(F)의 형상이 도 5 에 상세히 도시된다.
센터핀(F)은 도시하는 바와 같이 박판의 금속판재가 지그재그 형상으로 절곡되어 구성되고 더욱 상세한 형상은 도 5 에 도시되는 바와 같이,
박판스트립(S)이 절곡피치(P)로서 지그재그로 절곡형성되고 각각의 절곡된 평면부(D)에는 역시 평행한 다수개의 절단되어 양단(L1.L2)이 연결된 채로 측방으로 절곡된 루버(L)가 형성되어 전체 센터핀(F)을 구성하게 된다.
따라서, 센터핀(F)을 제작하기 위하여서는 박판스트립(S)을 절곡피치(P)로서 지그재그로 절곡하고, 동시에 각각의 절곡된 평면부(D)에 다수개의 루버(L)가 가공형성할 전용의 공구가 요구되고 이러한 공구의 예시적인 형상이 도 4 와 도 6 에 도시되어 있다.
가장 바람직한 구성의 전용툴로서 생각되는 도시한 열교환기용 센터핀가공툴인 전용툴(T)은 도 6 에 상세히 설명되는 바와 같이,
다수매의 원형커터형상의 블레이드(30)를 그 중심적층공(31)에 고정축핀을 삽입하여 적층한 적층체로 하고 양단에는 삽입되는 센터핀(F)의 가공용의 모재인 박판스트립(S)이 가이드인입되는 가이드지그디스크(40,41)을 역시 일체로 동축상에 적층하여 볼트등의 다양한 고정수단으로 고정함으로서 단일의 전용툴(T)이 구성된다.
도 4 에서와 같이,
대응하여 인접한 한쌍의 전용툴(T)사이에 센터핀(F)의 박판스트립(S)을 인입하여 피드하면서 동시에 전용툴(T)이 도시하지 아니하는 고속회전기구에 의하여 회전함으로서 센터핀(F)의 지그재그절곡형상과 루버(L)가 동시에 가공되는 것이다.
이것은 센터핀(F)의 절곡피치(P)만큼 전용툴(T)의 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 투스사면길이(TP)만큼 절곡되고 인접한 다른 블레이드(30')의 간극이 루버(L)의 배설간극이 되면서 동시에 가공되기 때문이다.
종래로부터도 상술한 문제점을 감안하여 가스질화 또는 가스연질화를 통하여 표면경도를 증대시키고자 하였지만,
이러한 질화방법은 질화로내에서의 위치별, 제품부위별에 따른 질화가 불균일하게 일어나 질화깊이 및 표면경도의 편차가 유발되고, 표면경도를 도시하는 도 12 에서와 같이,
블레이드(30)를 구성하는 모재인 고속도강에 가스질화를 수행하게 되면 질화로 인하여 목적으로 하는 질소확산층외에 불건전 취약상인 ε상(phase) Fe2-3C 이표면에 일정한 두께로 형성되거나 질화층내에 침상물을 형성하게 되어 취약화됨으로서 가공시의 치핑이 유발되거나 깨어져 나감으로서 바람직하지 못한 것으로서 알려져 있다.
이러한 가스질화로 인한 경도상의 증대는 도 1 2 의 우도에서와 같이,
경도 Hv 1200 까지는 증대가 가능하지만 상술한 취약화의 문제점을 가지며 재연삭을 위하여 블레이드(30)의 측면부의 연삭가공시에 치핑이 유발되어 재사용을 어렵게 된다.
상술하는 종래 표면처리방법의 문제점을 해결하기 위한 본발명의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명한다.
(실시예1)
상기의 전용툴(T)을 구성하는 개별적인 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 인선부(E) 부만을 열처리하지 아니한 상태에서 20 - 60 ㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 30 - 50 ㎛ 정도의 깊이의 플라즈마질화를 수행하여 구성한다.
플라즈마질화는 통상적인 방법과 같이 진공화된 고온의 챔버내에서 Ar N2, H2,CH4등을 충진하여 방전하면 Ar이 모재표면을 가격하게 되어 모재표면의 Fe 을 여기시켜 N 의 모재내로의 확산이 촉진되고 일부는 여기된 Fe2+와 반응하여 Fe2-3N( ε상) 및 Fe4N( γ'상 )을 형성한다. 이때에 유해한 ε상과 γ'을 배제하기 위하여 N2와 H2의 비율을 변화시키면( 대략, N2: H2= 3-4 : 7-6 ) 모재표면에 질소확산층으로만 구성된 질화층이 형성된다.
이러한 플라즈마질화는 모재의 깊이를 따라서 거의 균일한 구배의 질화층을 형성하여 내마모성과 인성을 같이 가지게 되고, 비교적 저온( 섭씨 500도이하)에서 방전질화가 이루어 지므로 모재의 물성적인 변화 및 변형이 방지된다.
상기에서 플라즈마 질화의 깊이를 제한적으로 수행하는 이유는 재사용을 위하여 블레이드(30)의 측면을 도 11 에서와 같이 연마 인선부(E)를 예각화하여 사용하는 경우 블레이드(30)의 측면연삭의 용이화를 위한 것이며 또한 질화처리비용을 대폭 저감하는 방법인 것이다.
이러한 플라즈마질화를 인선부(E)에 행함으로서 경도는 Hv 1200-1300 정도로 까지 상승하게 되고 대부분의 질화층이 질소확산층과 Fe4N 의 미세 석출상으로만 구성되며 표면화합물층인 ε상이나 침상화합물인 ε상 또는 γ' 상의 생성이 거의 억제됨으로서 경도가 높으나 물성적으로 취약성이 제거된 인선부(E)를 얻게 되는 것이다.
상기의 인선부(E) 만의 플라즈마질화의 방법은 도 10 에 도시되는 바와 같이, 질화로내로 투입하는 질화용의 지그(50)상의 축(51)에 블레이드(30)를 적층하여 장입하기만 하면 표면인 인선부(E)가 노출되므로 인선부(E)만의 질화가 용이하게 이루어진다.
이에 대하여 종래의 가스질화의 경우에는 블레이드(30)전체에 충분한 질화가 가능하도록 지그(50)의 축(51) 상에 블레이드(30)를 적층하는 경우 소정의 블레이드(30)간의 개방간극을 보장하기 위한 스페이서(52)가 요구되었던 점에 비하여 그 생산성이나 작업성이 더욱 증대되는 효과도 가진다.
(실시예2)
실시예 1 에 대하여 전용툴(T)을 구성하는 개별적인 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 인선부(E) 부만을 열처리한 상태에서 역시 20 - 60 ㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 30 - 50 ㎛ 정도의 깊이의 플라즈마질화를 수행하여 구성함으로서 전체 블레이드(30)의 기계적인 강도를 대폭 증대한다.
이 경우는 커팅투스(35)의 모재 자체의 경도가 낮은 경우에도 행할 수있다.
(실시예3)
상기의 전용툴(T)을 구성하는 개별적인 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 인선부(E) 부만을 모재를 열처리하지 아니한 상태에서 20 - 60 ㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 30 - 50 ㎛ 정도의 깊이의 플라즈마질화를 수행하여 구성하고,
플라즈마질화층상에 다시 플라즈마 C.V.D.(Chemical Vapor Depositon) 또는 P.V.D. (Physical Vapor Depositon)의 방법으로서 대단히 경도가 높은 소재인 TiC, TiN 또는 TiCN 을 피복두께 2㎛ 이하로서 증착하여 피복처리하는 것을 특징으로한다.
이렇게 플라즈마질화층상에 다시 TiC 나 TiN 또는 TiCN 을 증착하여 피복처리함으로서 표면경도는 Hv 2000 이상으로 증대되는 것으로서 밝혀졌고,
TiC, TiN, TiCN을 2㎛ 이하로 하는 것은 그 이상의 두께로서 피복되면 인선부(E)에서 구상(球狀)으로 증착되어 절단성이 저하되어 바람직하지 않기 때문이다.
물성적으로는 상기의 플라즈마질화처리를 행하지 않고 경도가 높은 TiC 나 TiN 또는 TiCN을 증착하게 되면 층간의 심한 경도의 차이로 인하여 경계면에 전리층이 형성되어 쉽게 벗겨져 버리기 때문에 비교적 두꺼운 층이며 경도가 모재와 TiC, TiN, TiCN 사이에 존재하는 플라즈마질화층이 요구되기 때문이다.
이러한 상태의 커팅투스(35)가 도 7 의 표면처리이전에 비하여,
경도 Hv 1200 이상의 플라즈마질화층(PL), 경도 Hv 2300 이상의 코팅층(CL)을 형성하게 되는 것이 도 8 에 도시되어 있다.
이상과 같은 본발명의 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법은;
센터핀의 가공 및 그 표면처리방법을 개선함으로서 수명을 증대하고 재연삭에 의한 사용을 용이하게 할 뿐만 아니라 가공효율 또한 증대되는 유용성을 제공한다.

Claims (5)

  1. 박판스트립(S)을 일정한 절곡피치(P)로서 지그재그로 절곡형성하고 절곡된 평면부(D)에 수직한 다수개의 절단 절곡된 루버(L)를 가지는 센터핀(F)을 가공하기 위하여, 치형형상의 커팅투스(35)를 원주상에 배설한 다수매의 원형커터형상의 블레이드(30)를 그 중심적층공(31)을 따라 양단측에 가이드지그디스크(40,41)와 일체로 동축상에 적층 구비하는 전용툴(T)인 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에 있어서,
    상기 전용툴(T)을 구성하는 개별적인 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 인선부(E)만을 모재를 열처리하지 아니한 상태에서 20 - 60 ㎛ 의 질화깊이로서 질화하여
    상기 인선부(E)에 경도 Hv 1200-1300 이상의 질화물층을 확산형성하는 방법으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법.
  2. 박판스트립(S)을 일정한 절곡피치(P)로서 지그재그로 절곡형성하고 절곡된 평면부(D)에 평행한 다수개의 절단 절곡된 루버(L)를 가지는 센터핀(F)을 가공하기 위하여, 치형형상의 커팅투스(35)를 원주상에 배설한 다수매의 원형커터형상의 블레이드(30)를 그 중심적층공(31)을 따라 양단측에 가이드지그디스크(40,41)와 일체로 동축상에 적층 구비하는 전용툴(T)인 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에 있어서,
    상기 전용툴(T)을 구성하는 개별적인 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 인선부(E) 만을 경화용의 열처리를 행하고,
    20 - 60 ㎛ 의 질화깊이로서 플라즈마질화하여 상기 인선부(E)에 경도 Hv 1200-1300 이상의 질화층을 확산형성하는 방법으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법.
  3. 박판스트립(S)을 일정한 절곡피치(P)로서 지그재그로 절곡형성하고 절곡된 평면부(D)에 수직한 다수개의 절단 절곡된 루버(L)를 가지는 센터핀(F)을 가공하기 위하여, 치형형상의 커팅투스(35)를 원주상에 배설한 다수매의 원형커터형상의 블레이드(30)를 그 중심적층공(31)을 따라 양단측에 가이드지그디스크(40,41)와 일체로 동축상에 적층 구비하는 전용툴(T)인 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법에 있어서,
    상기 전용툴(T)을 구성하는 개별적인 블레이드(30)의 커팅투스(35)의 인선부(E) 만을 20 - 60 ㎛ 의 깊이로서 플라즈마질화를 수행하고,
    상기 플라즈마질화로 형성된 질화층상에 플라즈마 C.V.D.(Chemical Vapor Depositon) 또는 P.V.D. (Physical Vapor Depositon)으로서 TiC 나 TiN 또는 TiCN 을 피복두께 2㎛ 이하로서 더 증착하여 피복처리하는 방법으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법.
  4. 제 1 항 내지 3 항에 있어서, 상기 인선부(E) 만의 플라즈마질화의 방법은질화로내로 투입하는 지그(50)상의 축(51)에 블레이드(30)를 간극없이 적층하여 장입함으로서 수행하는 방법으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법.
  5. 제 1 항 내지 3 항에 있어서, 상기 플라즈마질화의 깊이는 더욱 바람직하게 30 - 50 ㎛ 으로서 구성되는 방법에 의한 것을 특징으로 하는 열교환기용 센터핀가공툴및 툴표면의 처리방법.
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