KR100683071B1 - Deposition apparatus for the manufacture of semiconductor devices - Google Patents

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Abstract

정비 주기를 증가시킬 수 있는 증착 장치가 개시되고 있다. 웨이퍼 상에 막을 증착하기 위한 챔버가 구비되고, 상기 챔버의 상부에 설치되고, 상기 웨이퍼가 놓이는 서셉터가 설치된다. 상기 서셉터와 대향하도록 상기 챔버의 저부에 설치되고, 상기 챔버 내에 증착 가스를 공급하기 위한 분산 헤드가 구비된다. 상기 분산 헤드 측면과 동일한 간격을 유지하고, 상기 분산 헤드를 둘러싸도록 헤드 커버가 설치되고, 상기 증착 가스를 사용하여 공정을 수행하는 도중에 발생하는 미반응 가스의 배기를 유도하는 헤드 커버를 구비한다. 상기 헤드 커버와 상기 분산 헤드 사이 공간과 연결되고, 상기 미반응 가스가 배기하기 위한 배기 라인을 구비하는 증착 장치를 제공한다. 상기 증착 장치를 사용하여 웨이퍼 상에 막을 증착시키면 상기 헤드 커버의 내벽에 파우더가 성장하는 속도가 균일해지므로 상기 증착 장치의 정비 주기를 증가시킬 수 있다.Deposition apparatus that can increase the maintenance interval is disclosed. A chamber for depositing a film on a wafer is provided, and is installed on top of the chamber, and a susceptor on which the wafer is placed is installed. It is provided at the bottom of the chamber to face the susceptor, and is provided with a dispersion head for supplying deposition gas into the chamber. A head cover is provided to maintain the same distance from the side of the dispersion head and surround the dispersion head, and has a head cover for inducing the exhaust of unreacted gas generated during the process using the deposition gas. A vapor deposition apparatus is connected to a space between the head cover and the dispersion head and includes an exhaust line for exhausting the unreacted gas. Deposition of a film on the wafer using the deposition apparatus can increase the maintenance period of the deposition apparatus since the rate at which the powder grows on the inner wall of the head cover is uniform.

Description

반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치{Apparatus for depositing in semiconductor process} Apparatus for depositing in semiconductor process

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 설명하기 위한 구성도이다. 1 is a configuration diagram illustrating a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 증착 장치에서 분산 헤드와 헤드 커버의 배치를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining an arrangement of a dispersion head and a head cover in the deposition apparatus shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시한 증착 장치에서 헤드 커버의 체결부를 설명하기 위한 도면이다3 is a view for explaining the fastening portion of the head cover in the deposition apparatus shown in FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 챔버 12 : 서셉터10 chamber 12 susceptor

14 : 히터 16 : 분산 헤드 14 heater 16 dispersion head

18 : 헤드 커버 20 : 배기 라인18: head cover 20: exhaust line

본 발명은 반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 정비 주기를 증가시킬 수 있는 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device. More particularly, it relates to a deposition apparatus that can increase the maintenance interval.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약 적으로 발전하고 있다. 그 기능면에 있어서, 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 상기 반도체 장치의 주요한 제조 기술 중에서 막을 형성하기 위한 증착 공정과 같은 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다. In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to such demands, manufacturing techniques have been developed for semiconductor devices to improve the degree of integration, reliability, and response speed. Among the major manufacturing techniques of the semiconductor device, the demand for processing techniques such as deposition processes for forming films is also becoming more stringent.

상기 막을 형성하기 위한 증착 공정을 수행하기 위한 증착 장치는, 웨이퍼 상에 균일하게 막이 형성되고, 파티클이 발생되지 않고, 생산성을 위해 상기 반도체 설비의 점검 주기를 연장시킬 수 있도록 발전되고 있다. BACKGROUND ART A deposition apparatus for performing a deposition process for forming the film has been developed such that a film is uniformly formed on a wafer, particles are not generated, and an inspection cycle of the semiconductor device can be extended for productivity.

증착 장치를 사용하여 상기 웨이퍼 상에 막을 증착하는 방법은, 웨이퍼 상에 막을 증착하기 위한 챔버가 구비되고, 상기 챔버의 상부에 설치되는 서셉터에 웨이퍼를 놓는다. 상기 서셉터와 대향하도록 상기 챔버의 저부에 구비된 상기 분산 헤드로부터 증착 가스가 공급된다. 상기 증착 가스가 상기 서셉터에 놓여진 웨이퍼와 반응하여 막을 증착한다. 상기 증착 가스를 사용하여 공정을 수행하는 도중에 발생되는 미반응 가스는 상기 분산 헤드를 둘러 싸고 있는 헤드 커버로 유도되고, 상기 분산 헤드와 상기 헤드 커버 사이의 공간과 연결된 배기 라인으로 배기된다. In the method of depositing a film on the wafer using a deposition apparatus, a chamber is provided for depositing a film on the wafer, and the wafer is placed in a susceptor provided on top of the chamber. Deposition gas is supplied from the dispersion head provided at the bottom of the chamber to face the susceptor. The deposition gas reacts with the wafer placed on the susceptor to deposit a film. Unreacted gas generated during the process using the deposition gas is led to a head cover surrounding the dispersion head, and exhausted to an exhaust line connected to a space between the dispersion head and the head cover.

상기 미반응 가스는 상기 분산 헤드와 상기 헤드 커버 사이의 공간과 연결된 상기 배기 라인으로 배기되기 때문에, 상기 헤드 커버의 내벽에는 상기 미반응 가스가 침적된 파우더가 형성된다. 상기 웨이퍼 상에 막을 증착시키는 증착 공정을 반복적으로 수행함에 따라 상기 파우더는 상기 헤드 커버의 내벽에서 점차 성장한다. Since the unreacted gas is exhausted to the exhaust line connected to the space between the dispersion head and the head cover, powder on which the unreacted gas is deposited is formed on the inner wall of the head cover. The powder gradually grows on the inner wall of the head cover as the deposition process of depositing a film on the wafer is repeatedly performed.                         

상기 헤드 커버의 내벽에 상기 파우더가 소정의 높이로 성장되면, 상기 헤드 커버를 상기 증착 장치에서 탈착하여 상기 헤드 커버의 내벽에 침적된 파우더를 제거하는 등의 정비를 수행하여야 한다. 그러나 상기 헤드 커버의 내벽의 각 면에서 상기 파우더가 성장하는 속도가 달라서, 상기 헤드 커버의 내벽의 어느 한 면에서 파우더가 더 높게 성장하게 되므로 상기 헤드 커버의 정비를 수행하여야 하는 주기가 짧아진다. 따라서 상기 헤드 커버의 정비를 자주 수행하게 됨에 따라 반도체 장치의 생산성이 감소하는 문제점이 있다. When the powder is grown to a predetermined height on the inner wall of the head cover, the head cover must be removed from the deposition apparatus to perform maintenance such as removing powder deposited on the inner wall of the head cover. However, the rate at which the powder grows on each side of the inner wall of the head cover is different, so that the powder grows higher on either side of the inner wall of the head cover, thereby shortening the period of maintenance of the head cover. Therefore, as the maintenance of the head cover is frequently performed, there is a problem in that the productivity of the semiconductor device is reduced.

또한 상기 헤드 커버의 정비를 수행하고 난 후 상기 증착 장치에서 탈착한 헤드 커버를 다시 상기 증착 장치에 장착시킬 때 나사를 사용하여 상기 헤드 커버의 각 면을 체결하기 때문에 시간이 많이 소요된다. 또한 상기 배기 라인에서 상기 미반응 가스를 배기시키는 배기 압력의 차이가 발생될 경우, 상기 헤드 커버의 내벽에 성장된 파우더가 탈착될 수 있으며 상기 탈착된 파우더는 상기 서셉터를 오염시켜 상기 웨이퍼에 파티클을 발생시키는 문제점이 있었다. In addition, since the head cover detached from the deposition apparatus after the maintenance of the head cover is mounted on the deposition apparatus, a screw is used to fasten each side of the head cover, which is time consuming. In addition, when a difference in the exhaust pressure for exhausting the unreacted gas from the exhaust line occurs, the powder grown on the inner wall of the head cover may be desorbed, and the desorbed powder contaminates the susceptor to particles on the wafer. There was a problem causing it.

따라서, 본 발명의 목적은 정비 주기를 증가시킬 수 있는 증착 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a deposition apparatus that can increase the maintenance period.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 웨이퍼 상에 막을 증착하기 위한 챔버가 구비된다. 상기 챔버의 상부에 설치되고, 상기 웨이퍼가 놓이는 서셉터와, 상기 서셉터와 대향되도록 상기 챔버의 저부에 설치되고, 상기 챔버 내에 증착 가스 를 공급하기 위한 분산 헤드가 구비된다. 상기 분산 헤드의 측면과 동일한 간격을 유지하고, 상기 분산 헤드를 둘러싸도록 설치되고, 상기 증착 가스를 사용하여 공정을 수행하는 도중에 발생하는 미반응 가스의 배기를 유도하기 위한 헤드 커버가 구비된다. 상기 헤드 커버와 상기 분산 헤드 사이의 공간과 연결되고, 상기 미반응 가스를 배기하기 위한 배기 라인을 구비하는 반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention is provided with a chamber for depositing a film on a wafer. It is provided at the top of the chamber, the susceptor on which the wafer is placed, and is installed at the bottom of the chamber so as to face the susceptor, the dispersion head for supplying the deposition gas into the chamber. A head cover is provided to maintain the same distance from the side of the dispersion head, to surround the dispersion head, and to induce the exhaust of unreacted gas generated during the process using the deposition gas. A deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device connected to a space between the head cover and the dispersion head and having an exhaust line for exhausting the unreacted gas is provided.

상기 증착 장치를 사용하여 상기 증착 가스를 사용하여 공정을 수행하는 도중에 발생되는 미반응 가스는 상기 분산 헤드와 상기 헤드 커버의 사이 공간으로 유도되어 상기 배기 라인을 통해 배기한다. 이 때 상기 분산 헤드를 둘러싸는 헤드 커버는 상기 분산 헤드의 측면과의 간격이 동일하게 때문에 상기 미반응 가스가 상기 헤드 커버의 각 내벽에 침적되어 형성되는 파우더의 성장 속도의 차이가 최소화된다. 따라서 상기 헤드 커버를 정비하는 주기를 증가시킬 수 있다. The unreacted gas generated during the process using the deposition gas using the deposition apparatus is introduced into the space between the dispersion head and the head cover and exhausted through the exhaust line. At this time, since the head cover surrounding the dispersion head has the same distance from the side surface of the dispersion head, the difference in growth rate of the powder formed by depositing the unreacted gas on each inner wall of the head cover is minimized. Therefore, the interval for servicing the head cover can be increased.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1를 참조하면, 웨이퍼(W)상에 막을 증착하기 위한 챔버(10)가 구비된다. 상기 챔버(10)내의 상부에 상기 막을 증착하기 위한 웨이퍼(W)가 놓이는 서셉터(12)가 구비된다. 상기 웨이퍼(W)의 이면이 상기 서셉터(12)에 흡착되며, 상기 막이 증착되는 웨이퍼(W)의 상부면은 챔버의 저부를 향한다. 그리고 상기 서셉터(12)의 이면에는 상기 서셉터(12)의 온도를 상승시키기 위한 히터(14)가 구비된 다. Referring to FIG. 1, a chamber 10 for depositing a film on a wafer W is provided. A susceptor 12 is provided on top of the chamber 10 in which a wafer W for depositing the film is placed. The back surface of the wafer W is adsorbed onto the susceptor 12, and the top surface of the wafer W on which the film is deposited is directed to the bottom of the chamber. And the rear surface of the susceptor 12 is provided with a heater 14 for raising the temperature of the susceptor 12.

상기 서셉터(12)와 대향되도록 상기 챔버(10)의 저부에 설치되고, 상기 웨이퍼(W)로 증착 가스를 공급하기 위한 분산 헤드(dispersion head, 16)가 구비된다. 상기 분산 헤드(16)는 상기 웨이퍼(W)와 대향하는 면에 동공(미도시)이 구비된 다수매의 플레이트가 구비되고, 내부에는 소정의 공간이 형성되어 있다. 따라서 상기 분산 헤드(16)의 내부로 상기 증착 가스가 공급되고, 상기 증착 가스는 상기 플레이트에 구비된 동공을 통해 상기 웨이퍼(W)로 공급된다.  A dispersion head 16 is installed at the bottom of the chamber 10 so as to face the susceptor 12 and supplies a deposition gas to the wafer W. The dispersion head 16 is provided with a plurality of plates provided with pupils (not shown) on a surface facing the wafer W, and a predetermined space is formed therein. Therefore, the deposition gas is supplied into the dispersion head 16, and the deposition gas is supplied to the wafer W through the pupil provided in the plate.

상기 분산 헤드(16)는 일반적으로 상기 챔버(10)의 저부에 다수개가 구비되고, 상기 웨이퍼(W)가 흡착된 서셉터(12)를 상기 각각의 분산 헤드(16)와 대향하도록 이동시켜 증착 공정을 수행한다. 따라서 상기 서셉터(12)에 흡착된 하나의 웨이퍼(W)는 상기 다수개의 분산 헤드(16)에서 공급되는 증착 가스에 의해 막을 증착하므로, 상기 웨이퍼(W)상에 균일하게 막이 형성된다 A plurality of dispersion heads 16 are generally provided at the bottom of the chamber 10, and the susceptor 12 on which the wafer W is adsorbed is moved to face each of the dispersion heads 16. Perform the process. Accordingly, since one wafer W adsorbed on the susceptor 12 deposits a film by deposition gases supplied from the plurality of dispersion heads 16, a film is uniformly formed on the wafer W.

상기 분산 헤드(16)의 측면을 둘러싸도록 설치되는 헤드 커버(18)가 구비된다. A head cover 18 is provided to surround the side of the dispersion head 16.

도 2는 도 1에 도시한 증착 장치에서 분산 헤드와 헤드 커버의 배치를 설명하기 위한 도면이다. FIG. 2 is a view for explaining an arrangement of a dispersion head and a head cover in the deposition apparatus shown in FIG. 1.

도 2에 도시한 바와 같이, 상기 분산 헤드(16)의 측면과 동일한 간격을 유지하고, 상기 분산 헤드(16)를 둘러싸도록 헤드 커버(18)가 설치된다. 즉, 상기 헤드 커버(18)의 각 면과 상기 분산 헤드(16)의 각 측면과의 간격(30a, 30b, 30c, 30d)이 같아지도록 상기 헤드 커버(18)를 배치한다. 상기 헤드 커버(18)의 각 면과 상 기 분산 헤드(16)의 측면이 동일한 간격을 유지하기 때문에, 상기 헤드 커버(18)와 상기 분산 헤드(16)사이의 공간이 동일한 용적을 가진다. As shown in FIG. 2, the head cover 18 is provided to maintain the same distance as the side surface of the dispersion head 16 and surround the dispersion head 16. That is, the head cover 18 is disposed so that the distances 30a, 30b, 30c, and 30d between each side of the head cover 18 and each side of the dispersion head 16 are equal. Since each side of the head cover 18 and the side of the dispersion head 16 maintain the same distance, the space between the head cover 18 and the dispersion head 16 has the same volume.

상기 분산 헤드(16)를 둘러싸기 위한 상기 헤드 커버(18)의 각 면의 모서리부에는, 상기 헤드 커버(18)의 각 면을 체결 및 분리할 수 있도록 체결부(도시안됨)가 구비되어 있다. At the corners of each side of the head cover 18 for enclosing the dispersion head 16, a fastening portion (not shown) is provided to fasten and detach each side of the head cover 18. .

상기 분산 헤드(16)와 상기 헤드 커버(18) 사이의 공간과 연결되고, 상기 증착 가스를 사용하여 공정을 수행하는 도중에 발생되는 미반응 가스를 배기하는 배기 라인(20)이 설치된다. An exhaust line 20 is connected to the space between the dispersion head 16 and the head cover 18 and exhausts unreacted gas generated during the process using the deposition gas.

상기 헤드 커버(18)는 상기 분산 헤드(16)를 둘러싸도록 설치되어, 상기 분산 헤드(16)에서 상기 웨이퍼(W)상에 막을 증착시키기 위해 공급한 증착 가스가 상기 웨이퍼(W)와 반응하지 못하여 발생된 미반응 가스를 배기 라인으로 유도하는 역할을 한다. 따라서 상기 미반응 가스는 상기 분산 헤드(16)와 상기 헤드 커버(18)사이의 공간으로 유도되어 상기 헤드 커버(18)와 연결된 배기 라인(20)으로 배기된다. The head cover 18 is provided to surround the dispersion head 16 so that the deposition gas supplied from the dispersion head 16 to deposit a film on the wafer W does not react with the wafer W. It serves to guide unreacted gas generated to the exhaust line. Thus, the unreacted gas is led to the space between the dispersion head 16 and the head cover 18 and is exhausted to the exhaust line 20 connected to the head cover 18.

이 때 상기 배기 라인(20)으로 배기되지 못한 일부 미반응 가스는 상기 헤드 커버(18)의 내벽에 침적되고, 상기 미반응 가스의 침적물인 파우더를 형성한다. 상기 파우더는 상기 웨이퍼 상에 막을 증착하는 공정을 계속적으로 수행함에 따라 상기 헤드 커버(18)의 내벽에서 점차 성장하게 된다. At this time, some unreacted gas which is not exhausted to the exhaust line 20 is deposited on the inner wall of the head cover 18, and forms a powder which is a deposit of the unreacted gas. The powder gradually grows on the inner wall of the head cover 18 as the process of depositing a film on the wafer continues.

상기 헤드 커버(18)의 내벽에 소정의 높이 이상으로 상기 파우더가 성장하면, 상기 파우더에 의해 상기 웨이퍼(W)상에 파티클이 발생할 수 있으므로 상기 헤드 커버(18)에 침적된 파우더를 제거하는 등의 정비를 수행하여야 한다. 상기 정비는 상기 헤드 커버(18)의 각 면을 분리하여 상기 증착 장치에서 상기 헤드 커버(18)를 탈착하여 수행한다. When the powder grows on the inner wall of the head cover 18 by a predetermined height or more, particles may be generated on the wafer W by the powder, thereby removing powder deposited on the head cover 18. Maintenance of the equipment should be performed. The maintenance is performed by detaching each side of the head cover 18 and detaching the head cover 18 from the deposition apparatus.

상기에서 설명한 증착 장치는 상기 분산 헤드(16)와 상기 헤드 커버(18)의 각 면과의 간격(30a, 30b, 30c, 30d)이 동일하기 때문에 상기 분산 헤드(16)와 상기 헤드 커버(18)사이의 공간이 동일한 용적을 가진다. 그러므로 상기 분산 헤드(16)의 각 측면과 상기 헤드 커버(18) 각 면 사이의 공간으로 유도되는 미반응 가스의 양은 동일하다. 따라서 상기 헤드 커버(18)의 내벽에 침적되어 형성되는 파우더의 성장 속도는 상기 헤드 커버(18)의 각 면에서 거의 동일하게 된다. 즉 상기 헤드 커버(18)의 각 면의 내벽에 형성되는 파우더가 균일한 속도로 성장하게 되고, 상기 파우더의 성장 속도의 차이가 최소화된다. The deposition apparatus described above has the same dispersion distances (16a, 30b, 30c, 30d) between the dispersing head 16 and each surface of the head cover 18, so that the dispersing head 16 and the head cover 18 are equal. The space between) has the same volume. Therefore, the amount of unreacted gas induced into the space between each side of the dispersing head 16 and each side of the head cover 18 is the same. Therefore, the growth rate of the powder formed by depositing on the inner wall of the head cover 18 is almost the same on each side of the head cover 18. That is, the powder formed on the inner wall of each side of the head cover 18 is grown at a uniform rate, the difference in the growth rate of the powder is minimized.

따라서 상기 파우더의 성장 속도의 차이에 의해, 상기 파우더가 상기 헤드 커버(18)의 내벽의 어느 한면에서 높게 성장되지 않기 때문에, 상기 헤드 커버(18)에 침적된 파우더를 제거하는 등의 정비를 수행하는 주기를 증가시킬 수 있다. 또한 상기 헤드 커버(18)의 어느 한 면의 내벽에서 높게 성장된 파우더에 의해 상기 웨이퍼(W)에 파티클을 발생시키는 것을 최소화한다.Therefore, due to the difference in the growth rate of the powder, since the powder does not grow high on either side of the inner wall of the head cover 18, maintenance such as removing the powder deposited on the head cover 18 is performed. You can increase the frequency. It also minimizes the generation of particles in the wafer (W) by the powder grown high on the inner wall of either side of the head cover 18.

상기 헤드 커버(18)는 상기 정비를 수행하기 위해 상기 분산 헤드(16)를 둘러싸고 있는 헤드 커버(18)의 각 면이 분리 및 체결이 가능하도록 설치된다. 이를 위하여 상기 헤드 커버(18)의 각 외부면의 모서리에 상기 헤드 커버(18)를 체결하기 위한 체결부가 구비된다. 상기 체결부는 상기 헤드 커버(18)의 분리 및 체결이 용이하게 수행될 수 있도록 고리형으로 형성할 수 있다.The head cover 18 is installed such that each side of the head cover 18 surrounding the dispersion head 16 can be separated and fastened to perform the maintenance. To this end, fastening parts for fastening the head cover 18 are provided at corners of each outer surface of the head cover 18. The fastening part may be formed in an annular shape so that the separation and fastening of the head cover 18 can be easily performed.

도 3은 도 1에 도시한 증착 장치에서 헤드 커버의 체결부를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining the fastening portion of the head cover in the deposition apparatus shown in FIG.

도 3을 참조하면, 헤드 커버(18)를 체결하기 위해 상기 헤드 커버(18)의 각 외부면의 모서리에는 고리형의 체결부(34)가 부착된다. 즉, 상기 헤드 커버(18)의 한 외부면의 모서리에는 소정의 고리(34a)를 설치한다. 상기 헤드 커버(18)의 다른 외부면의 모서리에서 상기 고리(34a)가 형성되어 있는 높이에 상기 고리(34a)에 결착되도록 소정의 걸게(34b)가 구비된다. 상기 고리(34a)는 상기 걸게(34b)를 결착시키기 위해 단부가 돌출되도록 형성되며, 상기 걸게(34b)는 상기 고리(34a)에 형성된 돌출부에 결착되도록 단부가 절곡되어 형성된다. 상기 걸게(34b)와 연결되고 상기 걸게(34b)를 고정시키기 위한 고정부(34c)가 구비된다. Referring to FIG. 3, an annular fastening portion 34 is attached to an edge of each outer surface of the head cover 18 to fasten the head cover 18. That is, a predetermined ring 34a is provided at the corner of one outer surface of the head cover 18. A predetermined hook 34b is provided at the height of the ring 34a at the corner of the other outer surface of the head cover 18 so as to be engaged with the ring 34a. The hook 34a is formed such that an end protrudes to engage the hook 34b, and the hook 34b is formed by bending an end of the hook 34b to bind to a protrusion formed on the hook 34a. It is connected to the hook 34b and provided with a fixing part 34c for fixing the hook 34b.

상기와 같은 구성을 가지는 고리형의 체결부(34)는 상기 헤드 커버(18)의 각 면의 모서리에 구비하여 상기 헤드 커버(18)를 체결한다. 그리고 안정적으로 상기 헤드 커버(18)를 체결하기 위해 상기 헤드 커버(18)의 각 모서리에 고리형의 체결부(34)를 다수개 구비할 수도 있다. An annular fastening portion 34 having the above configuration is provided at an edge of each surface of the head cover 18 to fasten the head cover 18. In addition, a plurality of annular fastening portions 34 may be provided at each corner of the head cover 18 to stably fasten the head cover 18.

상기 헤드 커버(18)를 체결할 때, 상기 헤드 커버(18)의 한 면의 모서리에 구비된 걸게(34a)를 상기 헤드 커버(18)의 다른 한면의 모서리에 구비된 고리(34b)에 걸고, 상기 고정부(34c)를 상기 헤드 커버(18)방향으로 밀착시켜 수행한다. 상기 헤드 커버(18)의 각 면을 분리 할 때도 동일한 방법으로 상기 고정부(34c)를 풀고 상기 걸게(34b)를 상기 고리(34a)와 분리시켜 수행한다. When fastening the head cover 18, the hook 34a provided at the corner of one side of the head cover 18 is hooked to the hook 34b provided at the corner of the other side of the head cover 18. In addition, the fixing part 34c is adhered in the head cover 18 direction. When removing each side of the head cover 18, the fixing portion 34c is released in the same manner and the hook 34b is performed by separating the ring 34a.                     

따라서 상기 헤드 커버(18)의 체결 또는 분리시에 작업이 간소화된다. 그러므로 이를 수행하는데 소요되는 시간이 감소되어 반도체 장치의 생산성이 증대된다. 또한 상기 헤드 커버의 체결 또는 분리시에 발생할 수 있는 안전 사고도 최소화 할 수 있다. Therefore, the work is simplified when the head cover 18 is fastened or detached. Therefore, the time required to perform this is reduced, thereby increasing the productivity of the semiconductor device. In addition, safety accidents that may occur when the head cover is fastened or removed may be minimized.

본 발명에 의하면, 상기 분산 헤드와 상기 헤드 커버와의 간격이 동일하도록 배치시키고, 상기 헤드 커버의 각 면을 체결하기 위한 체결부를 고리형으로 구비한다. 따라서 상기 헤드 커버의 내벽에서 미반응 가스가 침적된 파우더가 균일하게 성장하게 되어 상기 헤드 커버를 정비하는 주기가 증가된다. 또한 상기 헤드 커버를 체결하는 체결부가 고리형으로 구비됨에 따라 증착 장치에 상기 헤드 커버를 장착시키는 시간이 감소된다. 따라서 반도체 장치의 생산성이 향상되는 효과가 있다. According to the present invention, the dispersing head and the head cover are disposed to have the same distance, and a fastening part for fastening each surface of the head cover is provided in an annular shape. Therefore, the powder on which the unreacted gas is deposited grows uniformly on the inner wall of the head cover, thereby increasing the period for maintaining the head cover. In addition, since the fastening part for fastening the head cover is provided in a ring shape, the time for mounting the head cover to the deposition apparatus is reduced. Therefore, there is an effect that the productivity of the semiconductor device is improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.

Claims (5)

웨이퍼 상에 막을 증착하기 위한 챔버;A chamber for depositing a film on a wafer; 상기 챔버의 상부에 설치되고, 상기 웨이퍼가 놓이는 서셉터;A susceptor installed on an upper portion of the chamber and on which the wafer is placed; 상기 서셉터와 대향하도록 상기 챔버의 저부에 설치되고, 상기 챔버 내에 증착 가스를 공급하기 위한 분산 헤드;A dispersion head installed at a bottom of the chamber to face the susceptor and for supplying a deposition gas into the chamber; 상기 분산 헤드 측면과 동일한 간격을 유지하고, 상기 분산 헤드를 둘러싸도록 설치되고, 상기 가스를 사용하여 공정을 수행하는 도중에 발생되는 미반응 가스의 배기를 유도하기 위한 헤드 커버;A head cover spaced apart from the side of the dispersing head and installed to surround the dispersing head, for inducing exhaust of unreacted gas generated during a process using the gas; 상기 헤드 커버의 각 외부면의 모서리에 부착되고, 상기 헤드 커버의 각 면을 분리 및 체결시키기 위한 체결 수단; 및Fastening means attached to corners of each outer surface of said head cover, said fastening means for separating and fastening each side of said head cover; And 상기 헤드 커버와 상기 분산 헤드 사이 공간과 연결되고, 상기 미반응 가스가 배기하기 위한 배기 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치.And an exhaust line connected to a space between the head cover and the dispersion head and for exhausting the unreacted gas. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 체결 수단은 고리형으로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치.The deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the fastening means is configured in a ring shape. 제 3항에 있어서, 상기 고리형의 체결 수단은, 상기 헤드 커버의 각 모서리에 다수개를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치.The vapor deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein a plurality of annular fastening means are provided at each corner of the head cover. 제 4항에 있어서, 상기 고리형의 체결 수단은, The method of claim 4, wherein the annular fastening means, 상기 헤드 커버의 한 외부면의 모서리에 부착되고, 단부에 돌출부가 형성된 고리;A ring attached to an edge of one outer surface of the head cover and having a protrusion formed at an end thereof; 상기 헤드 커버의 다른 외부면의 모서리에 상기 고리가 부착된 높이와 같도록 부착되고, 상기 고리에 형성된 돌출부와 결착하도록 단부가 절곡된 형태의 걸게;Hooks attached to the edges of the other outer surface of the head cover to have the same height as the hook is attached, and bent at the ends to engage the protrusions formed in the hook; 상기 걸게와 연결되고, 상기 헤드 커버의 외부면과 말착하여 상기 걸게를 고정시키는 고정부로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치.And a fixing part connected to the hook and fixed to the hook in contact with an outer surface of the head cover.
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