KR100772460B1 - 집적 수동소자 칩 및 그 제조방법 - Google Patents
집적 수동소자 칩 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
상기 절연층(50)은 상기 수동소자(20)를 덮도록 상기 수동소자(20)가 형성된 면적보다 큰 면적으로 상기 기판(10) 위에 도포하여 형성한다.
Claims (10)
- 알루미나 세라믹으로 이루어지고 소정의 패턴으로 복수의 비어홀이 형성되는 기판과,상기 기판에 형성된 각각의 비어홀 내부와 상하면에 도포되는 도전성 물질로 이루어지는 도전층과,상기 도전층에 연결되어 상기 기판의 한쪽면에 형성되는 수동소자를 포함하는 집적 수동소자 칩.
- 청구항 1에 있어서,상기 기판과 수동소자 사이에 접착력과 평탄도의 향상을 위하여 유전체를 도포하여 이루어지는 박막층을 더 포함하는 집적 수동소자 칩.
- 삭제
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 비어홀 대신에 기판의 측면에 복수의 비어홈을 형성하고,상기 비어홈의 내부와 상하면에 도전층을 형성하는 집적 수동소자 칩.
- 청구항 4에 있어서,상기 기판의 내부쪽에 하나이상의 비어홀을 형성하고,상기 비어홀의 내부와 상하면에 도전층을 형성하는 집적 수동소자 칩.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 수동소자의 보호 및 절연을 위하여 유전율이 낮은 물질을 수동소자가 형성된 면적보다 큰 면적으로 상기 수동소자를 덮도록 상기 기판 위에 도포하여 절연층을 형성하는 집적 수동소자 칩.
- 청구항 2에 있어서,상기 기판이나 박막층의 위에 형성되고 상기 수동소자와 전기적으로 연결되고 외장형 능동소자 또는 외장형 수동소자를 장착하기 위한 연결단자를 더 포함하는 집적 수동소자 칩.
- 알루미나 세라믹을 이용하여 일정한 간격으로 절단홈이 가로와 세로로 형성되고 상기 절단홈에 의하여 구획되는 각 구역 안 또는 절단홈상에 각각 복수의 비어홀 또는 비어홈이 형성되는 기판원판을 형성하고,상기 기판원판의 각 비어홀 또는 비어홈의 내부와 상하면에 도전성 물질을 도포하여 도전층을 형성하고,상기 기판원판의 한쪽면에 수동소자의 접착력 및 평탄도를 향상시키기 위하여 유전체 물질을 도포하여 박막층을 형성하고,상기 기판원판의 절단홈에 의하여 구획된 각 구역에 소정의 패턴으로 상기 도전층에 연결되도록 수동소자를 형성하고,상기 기판원판을 절단홈을 따라 절단하여 각각 수동소자가 집적된 칩을 분리하는 공정을 포함하는 집적 수동소자 칩 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,상기 기판원판에는 각각의 칩의 분리를 보다 용이하게 하기 위하여 가로 및 세로의 각 절단홈이 서로 만나는 각 교점에 절단구멍을 함께 형성하는 집적 수동소자 칩 제조방법.
- 알루미나 세라믹을 이용하여 소정의 패턴으로 배열되어 복수의 비어홀이 형성되는 기판원판을 형성하고,상기 기판원판의 각 비어홀의 내부와 상하면에 도전성 물질을 도포하여 도전층을 형성하고,상기 기판원판의 한쪽면에 수동소자의 접착력 및 평탄도를 향상시키기 위하여 유전체 물질을 도포하여 박막층을 형성하고,상기 기판원판에 일정한 간격으로 배열하여 각 구역에 소정의 패턴으로 상기 도전층에 연결되도록 수동소자를 형성하고,기계적인 절단을 행하여 각각 수동소자가 집적된 칩을 분리하는 공정을 포함하는 집적 수동소자 칩 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050044376A KR100772460B1 (ko) | 2005-05-26 | 2005-05-26 | 집적 수동소자 칩 및 그 제조방법 |
| PCT/KR2005/002507 WO2006126756A1 (en) | 2005-05-26 | 2005-08-01 | Integrated passive device chip and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050044376A KR100772460B1 (ko) | 2005-05-26 | 2005-05-26 | 집적 수동소자 칩 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060124834A KR20060124834A (ko) | 2006-12-06 |
| KR100772460B1 true KR100772460B1 (ko) | 2007-11-01 |
Family
ID=37452161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050044376A Expired - Fee Related KR100772460B1 (ko) | 2005-05-26 | 2005-05-26 | 집적 수동소자 칩 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100772460B1 (ko) |
| WO (1) | WO2006126756A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009052683A1 (en) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Electronic circuit package |
| CN114220787A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-22 | 东莞市三体微电子技术有限公司 | 一种高集成dc-dc转换模组及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980014335A (ko) * | 1996-08-09 | 1998-05-25 | 윤덕용 | 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 초고주파 소자 |
| KR20010036731A (ko) * | 1999-10-11 | 2001-05-07 | 구자홍 | 마이크로 수동소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796165A (en) * | 1996-03-19 | 1998-08-18 | Matsushita Electronics Corporation | High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure |
-
2005
- 2005-05-26 KR KR1020050044376A patent/KR100772460B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-01 WO PCT/KR2005/002507 patent/WO2006126756A1/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980014335A (ko) * | 1996-08-09 | 1998-05-25 | 윤덕용 | 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 초고주파 소자 |
| KR20010036731A (ko) * | 1999-10-11 | 2001-05-07 | 구자홍 | 마이크로 수동소자의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006126756A1 (en) | 2006-11-30 |
| KR20060124834A (ko) | 2006-12-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20101027 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20101027 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |