KR100856019B1 - 플라즈마 처리장치의 기판 홀더 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 관한 것으로서, 다수개의 기판이 장입되는 하판과, 상기 하판의 상부에 결합되어 장입된 기판을 고정시키는 상판을 포함하여, 플라즈마 공정 시 기판을 홀딩하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 있어서, 상기 상판은 테프론, 세라믹, 금속류 중 선택된 어느 하나로 구성되고, 상기 하판은 알루미늄 또는 세라믹으로 구성되며, 상기 하판에는 공정 시 기판의 온도가 균일하게 유지되도록 하는 가스가 공급되는 가스공급구가 천공되고, 상기 기판과 하판 사이에는 기판의 온도 균일성을 유지하기 위한 항온시트 또는 항온코팅층을 구성한 것을 특징으로 하여, 플라즈마 공정 시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 플라즈마 에칭 패턴의 균일도를 향상시킬 수 있게 된다.
플라즈마, 에칭, 기판, 웨이퍼, 홀더, 트레이, 웨이퍼 로드

Description

플라즈마 처리장치의 기판 홀더{Wafer Chucking Apparatus for Plasma Process}
본 발명은 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 공정 시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 플라즈마 에칭 패턴의 균일도를 향상시키도록 한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마에 의해서 기판(웨이퍼)의 표면에 원하는 처리를 실행하는 것은 사파이어 기판을 이용한 발광 다이오드를 제작하여 빛의 휘도를 높이기 위해 사파이어 기판의 표면을 반구형 렌즈모양의 엠보싱 패턴으로 에칭 처리하여 발광된 빛의 휘도를 증가시키고 있다. 예컨대 기판의 표면에 엠보싱 패턴을 형성하는 경우에는 포토레지스트를 사용하고, 마스크를 사용하여 현상한 기판을 플라즈마 에칭에 의해 에칭 공정을 실시하고 있다.
이러한 플라즈마 처리장치에서는 처리실 내에 플라즈마에 의해 처리되는 기판을 고정 및 유지시키는 기판 홀더가 필요하게 된다. 이러한 기판 홀더는 트레이(tray) 또는 웨이퍼 로더(wafer loader)라고도 한다.
이러한 종래의 기판 홀더는 본 출원인에 의해 등록된 등록번호 10-0707996호에 개시되어 있고, 이를 본 발명의 도 1을 부분적으로 참조하여 간략히 설명한다.
종래의 기판 홀더는 도 1에 도시된 바와 같이, 다수개의 기판(W)이 장입되는 하판(12)과, 상기 하판(12)의 상부에 볼트(13) 등과 같은 물리적이며 기구적 수단으로 결합되어 하판(12)에 장입된 다수개의 기판(W)을 고정시키는 상판(11)으로 이루어진다.
상기 기판 홀더의 하판(12)은 여러 개의 기판(W)을 한번에 장입할 수 있도록 형성됨과 아울러 기판(W)의 에칭 공정 시 플라즈마에 의해 기판 홀더에서 발생되는 열을 플라즈마 에칭용 하부전극 집합체(Plasma Etching Cathode)(미도시)에 안정적으로 전달하게 한다.
그러나, 이와 같은 종래의 기판 홀더는, 하판(12)에 장입된 다수의 기판(W)을 고정시키는 상판(11)의 재질이 세라믹 또는 금속류로 형성되어 있어, 이러한 상판(11)의 재질적인 특성과 기판을 누르고 있는 상판(11)의 형태 즉 기판(W)과의 많은 접촉면적으로 인해 기판(W)의 에칭 공정 시 플라즈마에 의해 발생된 열과 플라즈마 피일드(Plasma Field)에 의한 에칭의 균일도가 영향을 받게 되므로 각각의 개별 기판(W)들 가장자리 영역(Edge Zone)의 반구형 렌즈 패턴의 모양이 일그러져서 한쪽으로 치우쳐지게 형성되는 문제점이 있었다.
이에, 본 발명은 전술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 플라즈마 공정 시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 열 흐름의 흔적을 최소화하고, 기판 표면의 가장자리 영역에서의 에칭 균일도를 최대한 확보하는 동시에 감광액의 두께 대비 에칭물의 깊이 선택비를 증대시켜 개별 기판에서 생산되는 발광다이오드의 양품 생산량을 향상시키도록 한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적은, 다수개의 기판이 장입되는 하판과, 상기 하판의 상부에 결합되어 장입된 기판을 고정시키는 상판을 포함하여, 플라즈마 공정 시 기판을 홀딩하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 있어서, 상기 상판은 테프론, 세라믹, 금속류 중 선택된 어느 하나로 구성되고, 상기 하판은 알루미늄 또는 세라믹으로 구성되며, 상기 하판에는 공정 시 기판의 온도가 균일하게 유지되도록 하는 가스가 공급되는 가스공급구가 천공된 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 의해 달성된다.
상술한 목적은, 다수개의 기판이 장입되는 하판과, 상기 하판의 상부에 결합되어 장입된 기판을 고정시키는 상판을 포함하여, 플라즈마 공정 시 기판을 홀딩하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 있어서, 상기 기판과 하판 사이에는 기판의 온도 균일성을 유지하기 위한 항온시트 또는 항온코팅층을 구성한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 의해 달성된다.
그리고, 상기 상판은 다수의 판으로 구성되고, 상기 다수의 상판 중 하부 상판은 다수의 기판이 장입된 하판의 상부에 결합되어 기판을 고정시키며, 상기 상부 상판은 그 내주연부가 기판과 안정거리를 유지하도록 이격되어 하부 상판의 상부에 결합 고정된다.
본 발명의 플라즈마 처리장치의 기판 홀더에 따르면, 플라즈마 공정 시 기판의 가장자리 영역에서 발생하는 플라즈마 에칭 패턴의 균일도를 향상시켜 생산 수율의 향상시키고, 플라즈마 에칭 공정의 조건을 제어함에 있어 선택할 수 있는 범위를 다양하게 넓힐 수 있는 효과가 있다.
또한, 발광다이오드의 생산을 위해 투입되는 투입 기판에 대비하여 최대의 생산 수율을 이룰 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 플라즈마 처리장치의 기판 홀더(10)는, 다수개의 기판(W)이 장입되는 하판(12)과, 상기 하판(12)의 상부에 볼트(13) 등의 물리적이면서도 기구적인 수단으로 결합되어 장입된 기판(W)을 고정시키는 상판(11)을 포함하여, 플라즈마 공정 시 기판(W)을 고정시키도록 구성된다.
그리고, 상기 상판(11)은 하나 또는 두 개 이상의 금속 또는 비금속 재질로 이루어진 판으로 구성된다.
상기 하판(12)에는 항온성질이 있는 수지계열의 시트가 부착되거나 또는 수 지계열 물질을 코팅 처리함으로써, 플라즈마 에칭 공정 시 기판(W)에서 발생되는 열이 균일하게 플라즈마 에칭용 하부전극 집합체(Plasma Etching Cathode)(미도시)로 안정적으로 빠져 나가도록 하여 기판(W)의 공정온도를 유지하게 된다.
특히, 상기 상판(11)은, 스테인리스 스틸(stainless steel), 모넬(monel : alloy400), 인코넬(inconel 600), 하스트얼로이(hastalloy), 니켈 합금(Ni alloy), 구리 합금(Cu alloy), 코발트 합금(Co alloy), 텅스텐 합금(W alloy), 알루미늄 합금(Al 6xxx, Al 7xxx계열), 세라믹(Al 2O3 결정질 및 비정질 소재) 중 선택된 어느 하나의 재질로 구성되며, 그 두께는 0.02㎜∼5㎜로서 공정 처리를 위한 기판(W)의 크기와 두께, 형태에 따라 제작하여 사용한다.
그리고, 상기 하판(12)은, 알루미늄 합금(Al 6xxx, Al 7xxx계열)이나 세라믹 재질로 구성되며, 기판(W)이 장입되는 표면을 항온코팅 처리하거나 또는 일면에 점착제가 형성되어 있는 얇은 항온시트(sheet)(15)를 부착한다. 이때 상기 항온시트(15)를 부착하기 위한 점착제의 구성성분은 80％ 이상이 실리콘과 첨가물질로서 이루어진다.
또한, 상기 항온코팅(16)은 아크릴계열 또는 테프론계열 또는 폴리이미드계열 중 택일된 것이며, 상기 테프론은 폴리클로트리플루오로에틸렌(PolyChloroTri-Fluoroethylene : PCTFE) 또는 폴리오로에틸렌(Polytetrafluoroethlene : PTFE) 또는 페이프로오옥시(Perfluoroalkoxy : PFA) 중 선택된 어느 하나로 구성된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.
첨부도면 도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 단면도이다.
본 발명의 플라즈마 처리장치의 기판 홀더(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 다수개의 기판(W)이 장입되는 하판(12)과, 상기 하판(12)의 상부에 볼트(13)로 결합되어 장입된 기판(W)을 고정시키는 상판(11)을 포함하여, 플라즈마 공정 시 기판(W)을 고정시키도록 구성된다.
상기와 같이 구성된 기판 홀더(10)는 기판(W)에 플라즈마 에칭 공정을 실시하기 위해 공정처리실(미도시) 내부에 설치되어 있다.
그리고, 상기 상판(11)은 테프론, 세라믹, 금속류 중 선택된 어느 하나로 구성되고, 상기 하판(12)은 알루미늄 또는 세라믹으로 구성되는 한편 처리실 내에서 플라즈마를 발생시켜 기판(W)에 에칭 공정을 처리하기 위해 전극으로 형성하게 된다.
상기 상판(11)은 플라즈마 에칭 공정 시 발생된 열이 기판(W)으로 전달되는 것을 방지하고, 에칭 시간 동안 저전력의 인가량에서도 감광액과 두께 대비 에칭 깊이 선택비를 증가시킬 수 있는 테프론(Teflon), 세라믹, 금속류 중 선택된 어느 하나로 구성되어 기판(W)을 고정시킨다.
특히, 이때 상기 상판(11)의 재질 중 테프론은 폴리클로트리플루오로에틸렌(PolyChloroTri-Fluoroethylene : PCTFE) 또는 폴리오로에틸렌(Polytetrafluoroethlene : PTFE) 또는 페이프로오옥시(Perfluoroalkoxy : PFA) 중 선택된 어느 하나로 구성되는데, 이는 테프론의 경우 비점착성, 비유성, 내열 성, 저온 안정성 및 내화학성의 성질이 있어서 공정 중 하판(12)에서 전달된 열이 상판(11)을 통해 기판(W)으로 전달되어 기판(W)의 가장자리 영역에서 열 흐름 흔적이 생기는 것을 최소화할 수 있기 때문이다. 또한 동일 조간하에서의 열전달이 적어 저전력을 실현할 수 있게 된다.
또한, 상기와 같은 재질로 형성된 상판(11)은 동일 조건하에서의 열 전달이 적고 기판(W) 가장자리 영역까지 플라즈마 균일도를 유지할 수 있도록 적절한 형태로 가공 형성되어 기판(W)을 고정함으로써, 기판(W)의 에칭 후 패턴 균일도를 최대한 확보할 수 있게 된다.
즉, 상기 상판(11)은 대략 직사각형 형상으로서, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 모서리 상부가 경사지게 모따기 되어 경사면이 형성된다.
따라서, 상판(11)의 상부 경사진 모서리 부분이 기판(W)을 최소 면적으로 누름으로서 프라즈마 에칭시 발생된 피일드와 열흐름에 의한 영향을 최소화 하며, 프라즈마 에칭시 발생한 열은 하판을 통해 냉각기능이 있는 전극에 방열 되어 지므로, 이 기구적인 기판(W) 눌림에 의해 패턴이 기판(W)의 가장자리 부분까지 균일하게 형성될 수 있다.
따라서, 패턴의 균일도를 최대한 확보할 수 있게 된다.
또한, 상기 하판(12)에는 기판(W)을 안착시키는 안착부(120)가 형성되고, 공정 시 기판(W)에서 열 즉 온도가 균일하게 유지될 수 있도록 하기 위해 상기 안착부(120)에 가스가 공급시키기 위한 가스공급구(14)가 중심부에 수직으로 천공되어 형성된다.
상기 가스공급구(14)로 공급되는 가스는 불활성가스(주로 헬륨가스) 또는 질소가스가 사용된다.
도 2는 본 발명에 따라 기판의 열 균일을 위한 항온시트를 구성한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따라 기판의 열 균일을 위한 항온시트와 가스공급구를 구성한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 단면도이다.
상기 기판(W)이 장입되는 하판(12)의 안착부(120)에는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 온도 균일성을 유지하고 에칭 선택비를 향상시키기 위한 항온시트(15)가 형성되어, 고온의 기판(W)의 열이 하판(12)으로 전달되어 냉각되면 패턴 작업이 실패하게 되므로 이 열의 전달을 차단하게 된다.
이러한 항온시트(15)는 0.05㎜∼3㎜ 두께의 테프론이나 아크릴계열 또는 폴리이미드계열 중 택일된 것이며, 그 일면에는 실리콘 재질로 이루어진 점착제가 형성되어 있어, 하판(12)의 상면에 부착 고정된다.
한편, 상기와 같은 두께를 갖는 항온시트(15)는 기판(W)에 따라서 그 두께를 선정하여 사용함이 바람직하고, 상기 항온시트(15)는 후술될 항온코팅층으로 대체할 수도 있다.
또한, 상기 하판(12)에는 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 시 기판(W)과 안착부(120) 사이에 가스를 공급하여 온도전달을 차단함으로써 온도를 유지하기 위한 가스공급구(14)가 천공되고, 상기 가스공급구(14)는 하판(12)은 물론 항온시트(15) 까지 관통하여 형성된다.
그리고, 상기 가스공급구(14)로 공급되는 가스는 불활성가스(주로 헬륨가스) 또는 질소가스로 구성된다.
도 4는 본 발명에 따른 복층 상판과 항온코팅을 구성한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 일실시예의 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 복층 상판과 항온코팅을 이용한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 다른 실시예의 단면도이며, 도 6은 본 발명에 따른 복층 상판과 항온코팅을 이용한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 또 다른 실시예의 단면도이다.
상기 상판은 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상부 상판(11a)과 하부 상판(11b)으로 이루어진 복수개의 판으로 구성된다.
상기와 같이 구성된 상판(11a,11b) 중 하부 상판(11b)은 다수의 기판(W)이 장입된 하판(12)의 상부에 결합되어 기판(W)을 고정시키고, 상기 상부 상판(11a)은 하부 상판(11b)의 상부에 결합되어 고정된다.
이때, 상기 하부 상판(11b)은 전술한 실시예의 상판(11)과 마찬가지로 상부 경사진 모서리 부분이거나 또는 수직 형상으로 처리하여 이 기판(W)을 누름으로서 프라즈마 에칭시 발생된 피일드와 열흐름에 의한 영향을 최소화 하며 프라즈마 에칭시 발생한 열은 하판을 통해 냉각기능이 있는 전극에 방열 되어 지므로, 이 기구적인 기판(W) 눌림에 의해 패턴이 기판(W)의 가장자리 부분까지 균일하게 형성될 수 있어 패턴의 균일도를 최대한 확보할 수 있게 된다.
한편, 상기 상부 상판(11a)은 그 중앙부의 구멍이 하부 상판(11b)의 구멍보다 큰 직경으로 형성되고, 그 구멍의 내주연은 에칭용 플라즈마의 균일성을 유지하기 위해, 기판(W)의 외측 끝단부로부터 1∼12㎜의 거리로 이격된 안정거리(L)를 유지한 채로 설치되고, 이 안정거리(L)는 기판(W)에 따라 선택하여 적용한다.
또한, 상기와 같이 구성된 상부 및 하부 상판(11a,11b)은 0.02mm ∼ 5㎜의 두께 범위 내에서 기판(W)에 따라 선정되며, 금속합금 또는 세라믹계열로 형성된다.
상기 상부 및 하부 상판(11a,11b)의 재질은 스테인리스 스틸(stainless steel), 모넬(monel : alloy400), 인코넬(inconel 600), 하스트얼로이(hastalloy), 니켈 합금(Ni alloy), 구리 합금(Cu alloy), 코발트 합금(Co alloy), 텅스텐 합금(W alloy), 알루미늄 합금(Al 6xxx, Al 7xxx계열), 세라믹(Al 2O3 결정질 및 비정질 소재) 중 선택된 어느 하나로 구성된다.
그리고, 상기 하판(12)의 안착부(120)의 상부에는 기판(W)의 온도 균일성을 유지하고 에칭 선택비를 향상시키기 위한 항온코팅층(16)이 구성되고, 상기 항온코팅층(16)은 전술한 항온시트(15)와 동일한 기능을 한다.
즉, 프라즈마 에칭에 의해 발생된 고온의 기판(W)의 열이 하판(12)으로 불균일하게 전달되어 냉각되면 패턴 형성이 정확하게 수행되지 않을 우려가 있으므로, 이 열의 전달을 느리게 하여 기판(W)이 항온 유지가 되도록 한다.
물론, 상기 항온코팅층(16)은 항온시트(15)로 대체 구성될 수도 있으며, 항온코팅층(16)과 항온시트(15)를 복합하여 사용 할 수 있다.
한편, 이러한 항온코팅층(16)은 0.02㎜∼5㎜의 두께의 아크릴계열 또는 테프론계열로 형성되고, 상기 테프론은 폴리클로트리플루오로에틸렌(PolyChloroTri-Fluoroethylene : PCTFE) 또는 폴리오로에틸렌(Polytetrafluoroethlene : PTFE) 또는 페이프로오옥시(Perfluoroalkoxy : PFA) 중 선택된 어느 하나로 구성된다.
상기 항온코팅층(16) 역시도 전술한 항온시트(15)와 동일하게 기판(W)에 따라서 그 두께를 선정하여 사용함이 바람직하다.
또한, 상기 항온코팅층(16)은 도 5에서와 같이 안착부(120)의 상면은 물론 내측면까지 형성됨으로써 기판(W)의 밑면 뿐만 아니라 측면까지 감싸도록 한다.
도 6에서와 같이, 안착부(120)의 상면과 내측면과 하판(12)의 상면까지 형성된다. 이는, 플라즈마 에칭 공정 시 다수개의 기판(W)을 장입한 기판 홀더(10) 전면의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 하판(12)의 중심부에는 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 공정 시 기판(W)과 안착부(120) 사이에 가스를 공급하여 기판(W)과 하판(12)의 물리적인 표면 밀착성에 의한 온도 전달의 불균일성을 보완하기 위해 온도전달의 매개체로서 가스를 인가하기 위한 가스공급구(14)가 수직되게 천공된다.
상기 가스공급구(14)는 하판(12)은 물론 항온코팅층(16)까지 관통하여 형성됨이 바람직하다.
그리고, 상기 가스공급구(14)로 공급되는 가스는 불활성가스(주로 헬륨가스) 또는 질소가스가 사용된다.
이상과 같이 설명한 본 발명은 전술한 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 하기의 청구범위에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따라 기판의 열 균일을 위한 항온시트를 구성한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따라 기판의 열 균일을 위한 항온시트와 가스공급구를 구성한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 복층 상판과 항온코팅을 구성한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 일실시예의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 복층 상판과 항온코팅을 이용한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 다른 실시예의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 복층 상판과 항온코팅을 이용한 플라즈마 처리장치의 기판 홀더를 도시한 또 다른 실시예의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
W : 기판 10 : 홀더
11,11a,11b : 상판 12 : 하판
13 : 볼트 14 : 가스공급구
15 : 항온시트 16 : 항온코팅
L : 안정거리 120 : 안착부

Claims (14)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 다수개의 기판이 장입되는 하판과, 상기 하판의 상부에 결합되어 장입된 기판을 고정시키는 상판으로 구성된 것이며,
    상기 상판의 기판을 누르는 부분은 직사각형이며, 모서리 상부가 경사지게 모따기되어 경사면이 형성된 것이고,
    상기 하판은 기판을 안착시키는 안착부가 형성되고, 중심부에는 상기 안착부에 가스를 공급하는 가스공급구가 형성되며
    상기 하판의 안착부에는 항온시트 또는 항온코팅층이 더 형성되고,
    상기 항온시트는, 두께가 0.05 mm ∼ 3 ㎜의 테프론수지 또는 아크릴계열 또는 폴리이미드계열 중 택일된 것이며, 하부면에는 점착제가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 항온코팅층은, 0.02mm ∼ 5㎜의 두께의 아크릴계열 또는 테프론계열 또는 폴리이미드계열 중 택일된 것이며, 상기 테프론은 폴리클로트리플루오로에틸렌(PolyChloroTri-Fluoroethylene : PCTFE) 또는 폴리오로에틸렌(Polytetrafluoroethlene : PTFE) 또는 페이프로오옥시(Perfluoroalkoxy : PFA) 중 선택된 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 상판은 테프론, 세라믹, 금속류 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 금속류는, 스테인리스 스틸(stainless steel), 모넬(monel : alloy400), 인코넬(inconel 600), 하스트얼로이(hastalloy), 니켈 합금(Ni alloy), 구리 합금(Cu alloy), 코발트 합금(Co alloy), 텅스텐 합금(W alloy), 알루미늄 합금(Al 6xxx, Al 7xxx계열) 중 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 하판은 알루미늄 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 항온시트 또는 항온코팅층은 안착부의 상면 및 내측면까지 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 항온코팅층은 안착부의 상면과 내측면까지 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 항온코팅층은 안착부의 상면과 내측면과 상기 하판의 상면까지 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  11. 다수개의 기판이 장입되는 하판과, 상기 하판의 상부에 결합되어 장입된 기판을 고정시키는 상판으로 구성된 것이며,
    상기 상판은 상부 상판과 하부 상판으로 구성되고, 상기 하부 상판은 하판의 상부에 결합되어 기판을 고정시키며, 상기 상부 상판은 기판과 안정거리를 유지하도록 이격되어 하부 상판의 상부에 결합되어 고정된 것이며,
    상기 하판은 기판을 안착시키는 안착부가 형성되고, 중심부에는 상기 안착부 에 가스를 공급하는 가스공급구가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 안정거리는 기판의 외측단부로부터 1∼12㎜의 간격으로 이격된 거리인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 상판 및 하부 상판은, 0.02mm ∼ 5㎜의 두께 범위 내에서 선정되고, 금속합금 또는 세라믹계열로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속합금은, 스테인리스 스틸(stainless steel), 모넬(monel : alloy400), 인코넬(inconel 600), 하스트얼로이(hastalloy), 니켈 합금(Ni alloy), 구리 합금(Cu alloy), 코발트 합금(Co alloy), 텅스텐 합금(W alloy), 알루미늄 합금(Al 6xxx, Al 7xxx계열) 중 선택된 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 홀더.
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