KR100856112B1 - 마이크로일렉트로닉스의 박리 및 세정 조성물 - Google Patents

마이크로일렉트로닉스의 박리 및 세정 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100856112B1
KR100856112B1 KR1020030093993A KR20030093993A KR100856112B1 KR 100856112 B1 KR100856112 B1 KR 100856112B1 KR 1020030093993 A KR1020030093993 A KR 1020030093993A KR 20030093993 A KR20030093993 A KR 20030093993A KR 100856112 B1 KR100856112 B1 KR 100856112B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
iii
acid
substrate
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1020030093993A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050015950A (ko
Inventor
김상인
Original Assignee
말린크로트 베이커, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 filed Critical 말린크로트 베이커, 인코포레이티드
Publication of KR20050015950A publication Critical patent/KR20050015950A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100856112B1 publication Critical patent/KR100856112B1/ko
Assigned to 아반토 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨 reassignment 아반토 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨 권리의 전부이전등록 Assignors: 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기판, 특히 FPD마이크로일렉트로닉스 기판의 세정을 위한 염기 함유 세정 조성물과 그 사용방법에 관한 것이며, 본 발명의 조성물은 기본적으로 상기 기판을 완전히 세정할 수 있고 기본적으로 상기 기판의 금속 요소의 금속 부식을 발생시키지 않는다. 본 발명의 염기 함유 세정용 비수용성 조성물은 (a) 친핵성 아민, (b) 수용액에서 해리 상수 "pKa"가 1.2 ~ 8 의 범위인 약산, (c) 지방성 알콜, 디올, 폴리올, 또는 지방성 글리콜 에테르에서 선택된 화합물과, (d) 바람직하게 용해 계수가 8 ~ 15 의 범위인 유기 공동 용제를 함유한다. 본 발명의 세정 조성물은 아민그룹에 대한 산성 그룹의 등가 몰 비율이 0.75 보다 크고 1.6 보다 작은 범위를 갖도록 약산의 양을 함유한다. 본 발명의 염기 함유 세정 조성물의 pH는 4.5 ~ 9.5 의 범위이다.

Description

마이크로일렉트로닉스의 박리 및 세정 조성물{Stripping and cleaning compositions for microelectronics}
본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기판의 알카리 함유 포토레지스트의 박리 및 세정에 관한 것으로, 특별히 평판 디스플레이 (FPD) 시장에 쓰이는 금속 전극 스택에 호환되고 또 이에 유용한 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 상기의 마이크로일렉트로닉스 기판이 수용액에 세척될 때, 부식 방지와 같은 금속의 향상된 보호기능을 제공한다.
마이크로일렉트로닉스 분야에서 많은 포토레지스트 박리제와 잔여물 제거제들이 제조 라인 세정제의 하류 공정 또는 마지막 단계로서 쓰이도록 제시되고 있다. 제조 공정에서 포토레지스트 박막이 기판 물질에 입혀진 후 회로 디자인이 박막에 전상된다. 베이킹 후 노출된 레지스트는 포토레지스트 현상제로 제거된다. 남겨진 상은 플라즈마 에칭 기체 또는 화학 에칭 용액을 통하여, 일반적으로 유전체 또는 금속인, 기초 물질에 전사된다. 플라즈마 에칭 기체 또는 화학 에칭 용액은 기판의 포토레지스트로 덥히지 않은 영역에 선택적으로 작용을 한다. 플라즈마 에 칭 공정의 결과로 포토레지스트와 에칭 물질의 부산물이 기판과 포토레지스트 위에 에칭된 부위 주변 또는 경계면에 잔여물로 남겨진다.
부가적으로, 다음 공정을 원활히 하기 위하여, 에칭과정을 마친 후 보호된 기판으로 부터 레지스트의 흔적을 제거 하여야 한다. 이것을 위하여 적합한 플라즈마 애싱(ashing) 기체 또는 습식 화학 박리제를 사용한 플라즈마 애싱 과정을 이용한다. 이러한 레지스트 흔적 물질을 금속 회로의 부식, 에칭 또는 흐려짐과 같은 역효과가 없이 제거하는 적합한 세정 조성물을 찾는 것이 또한 문제점으로 밝혀지고 있다.
마이크로일렉트로닉스의 제작 집적도가 증가하고 고안된 마이크로일렉트로닉스 장치의 용적이 감소함에 따라 다른 해로운 효과가 없이 적합한 박리 및 세정 작용이 있는 적합한 박리 및 세정 조성물을 준비하는 것이 점점 더 어려워 지고 있다. 특히, 평판 디스플레이 (FPD) 응용 분야에서, 선택된 금속이나 합금의 사용에 있어서 포토레지스트의 박리 및 물 세척 과정에 수반되는 금속의 부식 문제는 심각한 결점이다.
대량 생산에서 전기적 성능 및 신뢰도에 관한 문제점 때문에, FPD 기술에 있어서 게이트 라인을 형성하는데 여러 금속 사용된다. 현재 FPD 제조 기술에서 Mo/AlNd/Mo와 같은 다중막 금속과, 특별히 Mo/AlNd, AlNd/Ti, 그리고 AlNd/Cr과 같은 이중막이 게이트 라인 금속 스택으로 흔히 사용된다. 하지만, 다른 금속 밑에 위치한 AlNd 합금이 놓인 스택에서 세척 과정 중의 알루미늄이 부식되어 전기적 성능에 치명적인 문제가 될 수 있다. 이런 부식은 흔히 오버행(overhang)으로 잘 알 려져 있으며 금속 구조를 약화시키는 공간들을 만들 수 있다. 화학적 세정 또는 물 세척 과정 중의 부식에 의한 알루미늄의 손실은 FPD 기술의 가장 흔한 결점인, 금속 선의 노칭(notching)을 발생시킨다. 세정 용액의 조성 및 이의 물에서의 작용이 부식 발생의 중요한 역할을 한다. FPD 응용의 전형적 포토레지스터 제거제는 유기 아민과 다른 용해제와 섞인 극성 유기 용제를 함유할 수도 있다. 아민은 혼합 용제에서 포토레지스트의 제거 효율을 증가시키는 것으로 알려져 있다. 하지만 이런 류의 제거제를 사용한 후 물 세척을 할 경우 강염기 수용액을 발생시켜 패턴화된 선들로부터 금속이 상당량 제거될 수 있다. 따라서 세정/박리 과정과 수용액 세척 중간에 즉각적인 세척이 필수적이다. 일반적으로 이소프로필 알콜을 사용한 이러한 즉각적 세척으로 인하여 부가적 시간, 안전 문제, 환경 파괴 문제, 그리고 제조공정의 비용 등의 바람직 하지 않은 문제점이 발생하게 된다.
이에 따라, 포토레지스트를 완전히 제거하고 마이크로일렉트로닉스 기판으로 부터 잔여물을 에치 또는 애시하면서 일련의 수용액 세척과정 동안, 특히 FPD 마이크로일렉트로닉스 요소들에 대해, 심각한 금속의 부식을 야기시키지 않는 염기를 함유한 포토레지스크의 박리 및 세정 조성물에 대한 필요성이 있다.
본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기판, 특별히 FPD 마이크로일렉트로닉스 기판의 세정을 위한 염기 함유 세정 조성물들을 제공하며, 이 조성물들은 근본적으로 상기의 기판들의 금속 요소의 부식이 없이 상기의 기판들을 근본적으로 완전히 세정할 수 있다. 본 발명은 또한 마이크로일렉트로닉스 기판의 금속 요소들의 심각한 금속 부식이 없이 마이크로일렉트로닉스 기판, 특별히 FPD 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하기 위한 염기 함유 세정 조성물들을 사용하는 방법을 제공한다.
본 발명의 염기 함유 세정용 비수용성 조성물들은 (a) 친핵성 아민; (b) 해리상수, pKa가 수용액에서 1.2 ~ 8, 바람직하게는 1.3 ~ 6, 더 바람직하게는 2.0 ~ 6, 가장 바람직하게는 2 ~ 5 의 범위에 있는 약산(a moderate to weak acid); (c) 지방성 알콜, 디올, 폴리올 또는 지방성 글리콜 에테르에서 선택된 화합물 ; 그리고, (d)유기 공동용제, 바람직하게는 세 개의 Hansen 계수 (분산, 극성 그리고 수소결합)의 제곱근으로 부터 얻어지는 용해 계수가 8 ~ 15 의 범위인 유기 공동용제로 이루어져 있다. 본 발명의 세정 혼합물은 아민그룹에 대한 산성 그룹 (즉, 산성 그룹/아민 그룹)의 등가 몰 비율이 0.75보다 크도록, 그리고 비율이 1.02 나 이보다 큰 값을 갖는 것과 같이, 이 비율이 1에 가깝거나 더 클 수 있도록 약산의 양을 함유한다. 본 발명의 염기를 함유한 세정제의 pH는 4.5 ~ 9.5, 바람직하게는 pH 6.5 ~ 9.5, 가장 바람직하게는 pH 8.5 ~ 9.5 의 범위이다.
본 발명의 세정 조성물은 모든 적합한 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하는데 쓰일 수 있고, 특히 모든 적합한 마이크로일렉트로닉스 기판 요소를 세정하는데 쓰일 수 있으며, 마이크로일렉트로닉스 기판의 수용액을 이용한 세정 과정중에 어떠한 심각한 금속 부식도 야기되지 않도록 한다. 본 발명의 세정 조성물은, 마이크로일렉트로닉스 기판의 수용액을 이용한 세정 과정중에 어떠한 심각한 금속 부식도 야기하지 않고, 알루미늄을 함유한, 특별히 알루미늄/네오디뮴을 함유한, FPD 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하는데 특히 적합하다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 친핵성 아민을 함유한다. 적합한 친핵성 아민은 1-아미노-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 및 유사 화합물을 포함한다. 아민 성분의 친핵성은 높아야 한다. 본 발명의 세정제에 함유된 친핵성 아민 성분의 양은 세정 조성물의 총 중량에 대해서 일반적으로 1% ~ 50% 의 범위, 바람직하게는 10% ~ 45%, 그리고 특히 12% ~ 25% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정 조성물은 지방성 알콜, 디올,폴리올, 또는 지방성 글리콜 에테르 성분을 함유한다. 지방성 성분은 2개에서 20개의 탄소 원자를 포함한 알킬 또는 알킬렌 군이고, 바람직하게는 2개에서 10개의 탄소 원자를 포함하며, 가장 바람직하게는 2개에서 6개의 탄소 원자를 포함한다. 그러한 적합한 화합물의 예로는 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3,-프로판디올, 부탄디올과 2-부텐-1,4-디올과 같은 부텐디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올과 같은 펜탄디올, 헥산디올, 글리세롤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르와 그 유사 화합물을 포함한다. 특별히 바람직한 것들은 2개에서 6개의 탄소 원자를 함유한 알칸 디올 및, 특히, 에틸렌 글리콜과 프로필렌 글리콜이다.
본 발명의 세정 조성물의 지방성 알콜, 디올, 폴리올 또는 친핵 글리콜 에테르 성분의 양은 일반적으로 세정 조성물의 총 중량에 대해 10% ~ 80% 의 범위, 바람직하게는 20% ~ 60%, 특히 25% ~ 40% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 모든 적합한 유기 공동 용제를 포함하고 있다. 상기의 유기 공동 용제는 바람직하게는 용해 계수가 8 ~ 15 의 범위를 갖는다. 상기의 유기 공동 용제는 한가지 또는 그 이상의 적합한 공동 용제들일 수 있다. 그러한 적합한 공동 용제는 2-피롤리디논, 1-메틸-2-피롤리디논, 1-에틸-2-피롤리디논, 1-프로필-2-피롤리디논, 1-히드록시에틸-2-피롤리디논과, 디알킬 술폰, 디메틸 술폭사이드와 같은 술폭시화물, 술포란, 메틸 술포란, 에틸 술포란, 디메틸아세타민과 같은 테트라히드로티오펜-1-,1-디옥사이드 화합물 및 디메틸포름아미드 또는 그 유사 화합물을 포함한다.
본 발명의 세정 조성물의 공동 용제의 양은 일반적으로 세정 조성물의 총 중량에 대해 20% ~ 80% 의 범위, 바람직하게는 25% ~ 70%, 특히 30% ~ 45% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 그 산성의 세기가 수용액에서 해리상수인 pKa 로 표현되고 그 값이 1.2 ~ 8 의 범위, 바람직하게는 1.3 ~ 6, 더 바람직하게는 2.0 ~ 5 의 범위인 약산을 포함하고 있다. 그러한 약산들은 유기 또는 무기 산 일수 있다. 그러한 적합한 약산의 예로는 아세트산, 프로판산, 말론산, 프탈산, 페녹시아세트산, 머캅토벤조익산, 2-머캅토에탄올 및 그 유사체와 같은 카르복실산과, 카보닉산, 플루오르화수소산, 하이포아인산 및 그 유사체와 같은 무기산을 포함한다.
본 발명의 세정 조성물의 약산의 양은 아민그룹에 대한 산성 그룹 (산성 그룹/아민 그룹)의 등가 몰 비율이 0.75 보다 크도록, 바람직하게는 0.75 ~ 1.6 의 범위, 가장 바람직하게는 0.76 ~ 1.0 의 범위를 갖도록 한다. 상기한 양이 존재할 때, 산 성분의 양은 일반적으로 조성물의 총 중량에 대해 1% ~ 50% 의 범위, 바람직하게는 10% ~ 35%, 가장 바람직하게는 12% ~ 25% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 염기 함유 마이크로일렉트로닉스 세정 조성물에 쓰이는 부식 방지제, 무부식성 계면활성제와 유사한 무부식성 성분을 포함하지만 이에 제한 된 것은 아니다.
본 발명의 조성물과 이를 이용한 마이크로일렉트로닉스 기판, 특히 FPD 마이크로일렉트로닉스 기판의 세정 및 그들의 금속 무부식 성질은 다음의 실시예에 기술되어 있지만 이에 제한 된 것은 아니다.
다음의 시험 과정은 하기의 실시예에 사용되었다. 시험 시료는 유리 기판과 알루미늄/네오디뮴(Al/Nd)(-97%Al) 막위의 몰리브데늄 막으로 조성된 금속 전극으로 이루어져 있다. 두 막 모두 스퍼터링으로 입혀졌으며 다음과 같은 과정으로 포토리소그래피에 의해 고안되었다.: 1) 1.5㎛의 양성 포토레지스트는 스핀 코팅으로 입혀졌다. 2) 코팅된 레지스트는 약 80℃에서 소프트 베이킹 처리를 하였다. 3) 패터닝을 위하여 포토레지스트가 코팅된 기판을 노출 시킨다. 4) 노출되고 패터닝이 된 기판은 60 초 동안 현상시키고 5) 3분 동안 140℃에서 하드 베이킹을 하였다. 그 후, 금속은 몰리브데늄 막의 오버행잉이 없도록 다중 과정 공정에서 에칭된다.
유리 기판 쉬트를 약 1-2cm2의 조각으로 쪼개어 시료를 준비하여 작은 교반 비이커에서 후술되는 조건하에 시험 용액의 현탁액으로 세정하였다. 세정 효과 시험에서는 시료를 탈이온수에서 1 분 동안 세척하였다. 세척수에서의 부식을 더 효과적으로 모사하기 위하여 70℃에서 3분 동안 세정된 시료를 30℃의 탈이온수에 함유된 같은 세정 물질의 조성의 5% 용액에 바로 담근 후 5분 동안 방치 하였다. 시험한 조성물에서는 몰리브데늄 막의 부식이 없었으며, 단지 Al/Nd의 부식이 나타났다. 세정 조성물의 5% 농도 용액으로 부터 물 세척 pH가 측정되었다. 각각의 세척 과정 후 즉시 N2로 건조하였다. 주사 전자 미세 현미경으로 시료의 세정도와 부식을 결정하였다.
아래의 실시예에서 다음의 용어들이 사용되었다.
세정: "세정"은 모든 레지스트의 제거를 의미하며 "불완전"은 금속으로 부터 제거되지 않은 다량의 레지스트가 존재함을 의미한다.
부식: "무"는 Al/Nd 선 물질의 손실이 없음을 나타내고, "미세"는 기판 계면의 Al/Nd 선의 말끔한 가장자리가 손실되었음을 나타내며, "약간"은 다량의 Al/Nd 선의 부식을 표시한다.
"분자량비"는 아민 성분에 대한 산의 분자량의 비에 아민 성분에 있는 아민 그룹의 수에 대한 산 성분의 산 그룹의 수의 비를 곱한 값을 의미한다.
실시예
실시예 1: N-메틸피롤리디논 (44%), 에틸렌 글리콜 (33%), 및 2-아미노에탄올 (23%)로 이루어진 초기용액을 준비한다. 이 용액에 빙초산을 가하여 아래에 표시된 시험 용액을 만든다.
혼합물 (산의 양) 등가 몰비 산/아민 pH 5% 용액 세정 (3 분,70℃) Al/Nd 부식 (5% 용액,30℃)
14.3% 초산 0.765 9.4 세정 무
15.1% 초산 0.82 9.29 세정 무
16.1% 초산 0.88 9.06 세정 무
17.1% 초산 0.94 8.65 세정 무
17.9% 초산 1 6.63 세정 무
18.1% 초산 1.02 6.34 세정 무
실시예 2: N-메틸피롤리디논 (44%), 에틸렌 글리콜 (33%), 및 2-아미노에탄올 (23%)로 이루어진 초기용액을 준비한다. 이 용액에 아래의 산을 가하여 아래에 표시된 시험 용액을 만든다.
혼합물 (부가된 산) 등가 몰비 산/아민 pH 5% 용액 세정 (3 분, 70℃) Al/Nd 부식 (5% 용액, 30℃)
13.8% 하이포아인산 0.8 9.21 세정 무
22.5% 말론산 0.8 4.77 세정 약간
실시예 3: N-메틸피롤리디논 (37%), 2-아미노에탄올 (19%), 빙초산 (15%), 및 잔여 성분 (29%)로 이루어진 용액을 아래와 같이 준비한다.
부가된 산 등가 몰비 산/아민 pH 5% 용액 세정 (3 분,70℃) Al/Nd 부식 (5% 용액,30℃)
프로필렌 글리콜 0.8 9.39 세정 약간
2-메틸-2,4-펜탄디올 0.8 9.37 세정 무
글리세롤 0.8 9.38 세정 무
2-부틴-1,4-디올 0.8 9.37 세정 미세
이소프로판올 0.8 6.9 세정 무
2-(2-부톡시에톡시)-에탄올 0.8 9.12 세정 무
실시예 4: 2-아미노에탄올 (19%), 빙초산 (14.3%), 및 N-메틸피롤리디논(NMP)와 에틸렌 글리콜(EG)(NMP와 EG의 합 66.7%)로 이루어진 잔여 성분으로 조성된 용액을 아래와 같이 준비한다.
혼합물 (%NMP/%EG) 등가 몰비 산/아민 pH 5% 용액 세정 (3 분, 70℃) 세정 (3 분, 70℃) Al/Nd 부식 (5% 용액, 30℃)
100%/0% 0.765 9.24 세정 재침전 무
57%/43% 0.765 9.4 세정 세정 무
43%/53% 0.765 9.41 세정 세정 미세
0%/100% 0.765 9.43 세정 재침전 약간
비교 실시예 A: N-메틸피롤리디논 (47%), 에틸렌 글리콜 (35.3%), 및 빙초산 (17.7%)로 이루어진 용액을 준비한다.
혼합물 (부가된 산) 등가 몰비 산/아민 pH 5% 용액 세정 (3 분,70℃) Al/Nd 부식 (5% 용액,30℃)
아민 없음 해당 없음 2.48 불완전 무
비교 실시예 B: 본 실시예는 용액을 N-메틸피롤리디논 (30g),모노에탄올아민 (10g), 및 2-(2-부톡시에톡시)에탄올 (17g)로 조성하여 준비된 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 수행되었다.
노출 온도 70℃, 노출 시간 3분의 조건 하에서 완벽한 세정이 이루어 졌다. 5분, 5% 용액 세척을 통하여 몰리브네늄 상층막의 아래 부분이 상당히 잘려 나가도록 가시 Al/Nd막의 완벽한 부식을 관찰하였다.
본 발명에 대하여 상세한 구체화를 참조하여 본문에 기술이 되어 있지만 변화, 수정 및 변동이 여기에 기술된 발명의 개념에 대한 의도와 범위로부터 벗어나 지 않는 범위에서 이루어 질 수 있음을 인지하여야 한다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항의 의도와 범위에 부합하는 변화, 수정 및 변위를 모두 포함하고자 한다.

Claims (26)

  1. 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 조성물에 있어서,
    a). 조성물의 성분이 아래와 같이
    ⅰ). 친핵성 아민과;
    ⅱ). 산성도의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위 를 가진 약산과;
    ⅲ). 지방성 알콜, 디올, 폴리올, 및 글리콜에테르를 포함한 그룹 중에 서 선택된 화합물과;
    ⅳ). 유기 공동 용제; 를 포함하여 구성되어 있고,
    b). 이때, 상기 ⅱ)의 약산은 산성 그룹/아민 그룹의 등가 몰비율이 0.75 ~ 1.6 의 범위에 있는 혼합물 중에 존재하고, 상기의 혼합물에서 그의 pH = 4.5 ~ 9.5 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는,
    마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 10 ~ 25 중량%;
    상기 ⅱ). 약산은 10 ~ 25 중량%;
    상기 ⅲ). 화합물은 20 ~ 40 중량%; 그리고,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 10 ~ 60 중량%; 으로 구성된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⅰ) 친핵성 아민 성분은 1-아미노-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 아민인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⅲ). 화합물은 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3,-프로판디올, 2-부틴-1,4-디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 헥산디올, 글리세롤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 용해계수가 8 ~ 15 의 범위인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 2-피롤리디논, 1-메틸-2-피롤리디논, 1-에틸-2-피롤리디논, 1-프로필-2-피롤리디논, 1-히드록시에틸-2-피롤리디논과, 디알킬 술폰, 디메틸 술폭사이드, 술포란, 메틸 술포란, 에틸 술포란, 테트라히드로티오펜-1-,1-디옥사이드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 술포란과 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 그룹 중에서 선택되고,
    ⅰ) 친핵성 아민은 2-아미노에탄올과 1-아미노-2-프로판올으로 이루어진 그룹 중에서 선택되며,
    ⅱ) 약산은 그의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위를 가지고 있으며;
    ⅲ) 화합물은 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 글리세롤, 2-부틴-1,디올, 이소프로판올로 이루어진 그룹 중에서 선택된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 2-아미노에탄올이고;
    상기 ⅱ). 약산은 아세트산이고;
    상기 ⅲ). 화합물은 에틸렌 글리콜이며; 그리고,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 1-메틸-2-피롤리디논인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
  13. 마이크로일렉트로닉스 기판에 어떠한 심각한 금속 부식도 발생시키지 않고 금속과 포토레지스트 고분자 물질을 함유하여 기판을 세정하는 방법에 있어서,
    상기 기판을 세정하는데 충분한 시간동안 세정화합물로 이루어진 세정용 비수용성 조성물을 상기 기판과 접촉시키는 공정을 포함한 것으로서,
    상기의 공정에서 사용되는 세정용 비수용성 조성물은
    a). 아래와 같이
    ⅰ). 친핵성 아민과;
    ⅱ). 산성도의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위 를 가진 약산과;
    ⅲ). 지방성 알콜, 디올, 폴리올, 및 글리콜에테르를 포함한 그룹 중에서 선택된 화합물과; 그리고,
    ⅳ). 유기 공동 용제; 를 포함하여 구성되어 있고,
    b). 이때, 상기 ⅱ)의 약산은 산성 그룹/아민 그룹의 등가 몰비율이 0.75 ~ 1.6의 범위에 있는 혼합물 중에 존재하고, 상기의 혼합물에서 그의 pH = 4.5 ~ 9.5 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는,
    마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 10 ~ 25 중량%;
    상기 ⅱ). 약산은 10 ~ 25 중량%;
    상기 ⅲ). 화합물은 20 ~ 40 중량%; 그리고,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 10 ~ 60 중량%; 으로 구성된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 ⅰ) 친핵성 아민 성분은 1-아미노-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 아민인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 ⅲ). 화합물은 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3,-프로판디올, 2-부틴-1,4-디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 헥산디올, 글리세롤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 용해계수가 8 ~ 15 의 범위인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 2-피롤리디논, 1-메틸-2-피롤리디논, 1-에틸-2-피롤리디논, 1-프로필-2-피롤리디논, 1-히드록시에틸-2-피롤리디논과, 디알킬 술폰, 디메틸 술폭사이드, 술포란, 메틸 술포란, 에틸 술포란, 테트라히드로티오펜-1-,1-디옥사이드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 술포란과 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 그룹 중에서 선택되고,
    ⅰ) 친핵성 아민은 2-아미노에탄올과 1-아미노-2-프로판올으로 이루어진 그룹 중에서 선택되며,
    ⅱ) 약산은 그의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위를 가지고 있으며;
    ⅲ) 화합물은 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 글리세롤, 2-부틴-1,디올, 이소프로판올로 이루어진 그룹 중에서 선택된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  22. 제 13 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  24. 제 13 항에 있어서,
    상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 2-아미노에탄올이고;
    상기 ⅱ). 약산은 아세트산이고;
    상기 ⅲ). 화합물은 에틸렌 글리콜이며; 그리고,
    상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 1-메틸-2-피롤리디논인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  25. 제 13 항에 있어서,
    상기 마이크로일렉트로닉스 기판은 평판 디스플레이를 위한 기판인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 기판은 알루미늄/네오디늄 막을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
KR1020030093993A 2003-08-06 2003-12-19 마이크로일렉트로닉스의 박리 및 세정 조성물 Expired - Lifetime KR100856112B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US49308903P 2003-08-06 2003-08-06
US60,493,089 2003-08-06
US10/670,141 2003-09-24
US10/670,141 US20050032657A1 (en) 2003-08-06 2003-09-24 Stripping and cleaning compositions for microelectronics

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050015950A KR20050015950A (ko) 2005-02-21
KR100856112B1 true KR100856112B1 (ko) 2008-09-03

Family

ID=34062161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030093993A Expired - Lifetime KR100856112B1 (ko) 2003-08-06 2003-12-19 마이크로일렉트로닉스의 박리 및 세정 조성물

Country Status (13)

Country Link
US (1) US20050032657A1 (ko)
EP (1) EP1519234B1 (ko)
JP (1) JP3892848B2 (ko)
KR (1) KR100856112B1 (ko)
CN (1) CN1580221B (ko)
BR (1) BR0305409A (ko)
CA (1) CA2452053C (ko)
IL (1) IL158973A (ko)
MY (1) MY145450A (ko)
NO (1) NO20035186L (ko)
SG (1) SG118216A1 (ko)
YU (1) YU93703A (ko)
ZA (1) ZA200309116B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060064441A (ko) 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
DE102005041533B3 (de) * 2005-08-31 2007-02-08 Atotech Deutschland Gmbh Lösung und Verfahren zum Entfernen von ionischen Verunreinigungen von einem Werkstück
CN100350030C (zh) * 2005-09-15 2007-11-21 山东大学 半水基液晶专用清洗剂及其制备工艺
KR20070052943A (ko) * 2005-11-18 2007-05-23 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
KR101152139B1 (ko) 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
US20070232511A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Matthew Fisher Cleaning solutions including preservative compounds for post CMP cleaning processes
US20080125342A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
CN101177657B (zh) * 2007-10-18 2010-05-26 珠海顺泽电子实业有限公司 印刷线路板的去膜液添加剂及其生产方法
KR101359919B1 (ko) * 2007-11-01 2014-02-11 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리 조성물, 이를 사용한 포토레지스트 박리방법 및 표시 장치의 제조 방법
JP4903242B2 (ja) * 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
CN101735903B (zh) * 2008-11-04 2012-02-01 江阴市润玛电子材料有限公司 一种太阳能光伏专用电子清洗剂
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics
KR101579846B1 (ko) * 2008-12-24 2015-12-24 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법
KR101089211B1 (ko) * 2010-12-02 2011-12-02 엘티씨 (주) 1차 알칸올 아민을 포함하는 ｌｃｄ 제조용 포토레지스트 박리액 조성물
SG11201400840UA (en) 2011-10-05 2014-04-28 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition
CN103045388A (zh) * 2012-12-06 2013-04-17 青岛海芬海洋生物科技有限公司 一种水晶灯清洗剂
CN105785725A (zh) * 2014-12-23 2016-07-20 安集微电子（上海）有限公司 一种光阻残留物清洗液
CN105087187A (zh) * 2015-08-30 2015-11-25 烟台顺隆化工科技有限公司 一种硒污染建筑废物用洗涤剂
KR20170111411A (ko) * 2016-03-28 2017-10-12 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물, 및 디스플레이 장치용 플랫 패널의 제조방법 및 그에 의해 제조된 디스플레이 장치용 플랫 패널, 및 디스플레이 장치
CN107526255A (zh) * 2016-06-15 2017-12-29 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物
KR102781663B1 (ko) * 2021-03-04 2025-03-17 케이피엑스케미칼 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
CN115961287A (zh) * 2022-12-28 2023-04-14 广东红日星实业有限公司 一种退膜剂及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11282176A (ja) 1998-03-26 1999-10-15 Toray Fine Chemical Kk フォトレジスト剥離用組成物
KR20030069266A (ko) * 2002-02-19 2003-08-27 주식회사 덕성 레지스트 박리액 조성물
KR20040040513A (ko) * 2002-11-07 2004-05-13 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 및 폴리머 박리액 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 박리, 세정방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7205265B2 (en) * 1990-11-05 2007-04-17 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions and methods of use thereof
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5698503A (en) * 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US6268323B1 (en) * 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US6465403B1 (en) * 1998-05-18 2002-10-15 David C. Skee Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US6319884B2 (en) * 1998-06-16 2001-11-20 International Business Machines Corporation Method for removal of cured polyimide and other polymers
US6413923B2 (en) * 1999-11-15 2002-07-02 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US6531436B1 (en) * 2000-02-25 2003-03-11 Shipley Company, L.L.C. Polymer removal
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition
TW554258B (en) * 2000-11-30 2003-09-21 Tosoh Corp Resist stripper
TWI297102B (en) * 2001-08-03 2008-05-21 Nec Electronics Corp Removing composition
JP3797541B2 (ja) * 2001-08-31 2006-07-19 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US6677286B1 (en) * 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof
KR100862988B1 (ko) * 2002-09-30 2008-10-13 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
GB2401604A (en) * 2003-05-10 2004-11-17 Reckitt Benckiser Nv Water-softening product

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11282176A (ja) 1998-03-26 1999-10-15 Toray Fine Chemical Kk フォトレジスト剥離用組成物
KR20030069266A (ko) * 2002-02-19 2003-08-27 주식회사 덕성 레지스트 박리액 조성물
KR20040040513A (ko) * 2002-11-07 2004-05-13 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 및 폴리머 박리액 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 박리, 세정방법

Also Published As

Publication number Publication date
YU93703A (sh) 2006-08-17
KR20050015950A (ko) 2005-02-21
PL363900A1 (en) 2005-02-07
JP2005055859A (ja) 2005-03-03
CA2452053A1 (en) 2005-02-06
NO20035186L (no) 2005-02-07
MY145450A (en) 2012-02-15
JP3892848B2 (ja) 2007-03-14
EP1519234B1 (en) 2015-04-01
EP1519234A3 (en) 2005-11-30
CN1580221A (zh) 2005-02-16
IL158973A0 (en) 2004-05-12
SG118216A1 (en) 2006-01-27
EP1519234A2 (en) 2005-03-30
CN1580221B (zh) 2013-09-11
BR0305409A (pt) 2005-05-17
ZA200309116B (en) 2004-08-27
CA2452053C (en) 2010-02-16
IL158973A (en) 2006-08-01
NO20035186D0 (no) 2003-11-21
US20050032657A1 (en) 2005-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100856112B1 (ko) 마이크로일렉트로닉스의 박리 및 세정 조성물
KR100913048B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100647516B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
KR20020012141A (ko) 스트리핑 조성물
US20110207645A1 (en) Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions containing polymeric corrosion inhibitors
KR102952187B1 (ko) 반도체 기판용 세정 조성물
KR101999641B1 (ko) 구리/아졸 중합체 억제를 갖는 마이크로일렉트로닉 기판 세정 조성물
US7951764B2 (en) Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions
KR101691850B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물
JP2007044660A (ja) ポリマー除去組成物
KR100846057B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
EP1787168B1 (en) Non-aqueous microelectronic cleaning compositions containing fructose
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100440484B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
WO2007037628A1 (en) Photoresist stripper composition and method for manufacturing a semiconductor device using the same
KR100794465B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100862988B1 (ko) 포토레지스트 리무버 조성물
KR102572751B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR100842072B1 (ko) 포토레지스트 제거액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거 방법
JP4415228B2 (ja) レジスト剥離液用組成物
KR100348434B1 (ko) 레지스트 리무버 조성물
KR20070019604A (ko) 중합체-스트리핑 조성물
PL203571B1 (pl) Kompozycja do czyszczenia podzespo lów mikroelektronicznych i sposób czyszczenia podzespo lu mikroelektronicznego
KR20110135738A (ko) 레지스트 박리액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20031219

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20040130

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20031219

Comment text: Patent Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20051125

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20060721

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20080806

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20080827

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20080828

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110810

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120808

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120808

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130812

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130812

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140807

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140807

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150807

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150807

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160811

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160811

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170811

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170811

Start annual number: 10

End annual number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180810

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180810

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210812

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230810

Start annual number: 16

End annual number: 16

PC1801 Expiration of term

Termination date: 20240619

Termination category: Expiration of duration