KR101007717B1 - 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101007717B1
KR101007717B1 KR1020030085763A KR20030085763A KR101007717B1 KR 101007717 B1 KR101007717 B1 KR 101007717B1 KR 1020030085763 A KR1020030085763 A KR 1020030085763A KR 20030085763 A KR20030085763 A KR 20030085763A KR 101007717 B1 KR101007717 B1 KR 101007717B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
organic light
display device
isolation wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1020030085763A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050052595A (ko
Inventor
이동원
정진구
최준후
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030085763A priority Critical patent/KR101007717B1/ko
Priority to US10/995,477 priority patent/US7547920B2/en
Publication of KR20050052595A publication Critical patent/KR20050052595A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101007717B1 publication Critical patent/KR101007717B1/ko
Assigned to 삼성디스플레이 주식회사 reassignment 삼성디스플레이 주식회사 권리의 전부이전등록 Assignors: 삼성전자주식회사
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 표시장치는 기판에 배치된 주변 회로부 및 주변 회로부부터 제 1 구동신호가 인가되는 제 1 전극, 제 1 전극의 주변을 감싸는 벽 형상을 갖으며, 상면에 형성된 수납부를 갖는 격리벽, 제 1 전극에 형성된 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 배치되어 제 2 구동신호가 인가된 제 2 전극을 갖는 유기 발광소자를 포함한다. 이로써, 유기 발광층이 지정된 위치에 배치되지 못함으로써 발생하는 픽셀 불량을 방지하고, 유기 발광층이 형성되지 않은 곳에는 재작업에 의하여 유기 발광층을 형성함으로써 표시장치의 수율을 크게 향상시킨다.

Description

패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법{PATTERN MASK AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 패턴 마스크를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 변형 실시예에 의한 패턴 마스크를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 표시장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 유기 발광소자를 도시한 부분 절개 사시도이다.
도 5는 도 4의 A1-A2를 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 4의 B1-B2를 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 4의 C1-C2를 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 의하여 격리벽에 형성된 그루브 형상의 수납부를 도시한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 의하여 격리벽에 형성된 리세스 형상의 수납부를 도시한 평면도이다.
도 10a 내지 도 10h는 본 발명에 의한 표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
본 발명은 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 공정 불량을 감소시켜 수율(yield)을 향상시키고, 영상의 표시 품질을 보다 향상시키기 위한 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 정보처리장치의 역할은 갈수록 중요해지며, 성능이 개선된 정보처리장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다.
그러나, 정보처리장치에서 처리된 결과 데이터는 전기적 신호 형태를 갖거나 코드화되어 있기 때문에 사용자는 결과 데이터를 직접 확인할 수 없다. 따라서, 대부분의 정보처리장치는 데이터의 입력 또는 처리된 결과 데이터를 확인하기 위해 디스플레이 장치를 필요로 한다.
이러한 디스플레이 장치에 있어서, 정보를 발광 현상에 의해 표시하는 디스플레이 장치는 발광형 표시장치(emissive display device)로 불려진다. 발광형 표시 장치로는 음극선관(cathode ray tube; CRT), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel; PDP), 발광 다이오드(light emitting diode; LED) 및 유기 전계발광 디스플레이 장치(organic electroluminescent Display device; ELD) 등이다.
한편, 정보를 반사, 산란, 간섭 현상 등에 의해 표시하는 디스플레이 장치는 수광형 표시장치(non-emissive display device)로 불려진다. 수광형 표시 장치 는 액정표시장치(liquid crystal display; LCD), 전기화학 표시장치(electrochemical display; ECD) 및 전기 영동 표시장치(electrophoretic image display; EPID) 등이다.
최근에는 이들 디스플레이 장치들 중 유기 전계발광 디스플레이 장치가 주목받고 있다. 유기 전계발광 디스플레이 장치는 사용하는 재료에 따라 무기전계발광 디스플레이 장치와 유기전계발광 디스플레이 장치로 크게 나뉘어진다.
무기전계발광 디스플레이 장치는 일반적으로 발광부에 높은 전계를 인가하고 전자를 높은 전계 중에서 가속하여 발광 중심으로 충돌시켜 이에 의해 발광 중심을 여기 함으로써 발광하는 소자이다.
유기전계발광 디스플레이 장치는 애노드 전극(anode electrode) 및 캐소드 전극(cathode electrode)의 사이에 유기 발광층이 형성된다. 유기 발광층으로는 애노드 전극 및 캐소드 전극으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)이 공급되고, 유기 발광층에서는 전자와 정공이 결합에 따른 여기자(exciton)가 생성된다. 이 여기자는 여기상태로부터 기저상태로 떨어지면서 광이 발생된다.
이와 같은 유기전계발광 디스플레이 장치의 유기 발광층은 마스크에 형성된 개구에 유기 발광물질을 공급하여 수행하는 스크린 프린팅 방법 또는 유기 발광물질을 지정된 위치에 분사하여 적하(drop filing)하는 분사식 프린팅 방법이 널리 사용되고 있다.
분사식 프린팅 방법의 경우, 애노드 전극의 주변에 격리벽을 형성하고, 격리벽에 의하여 형성된 캐비티(cavity)에 유기 발광물질을 포함하는 액적(droplet) 형 태로 적하 하여 채운 후 유기 발광물질을 건조시켜 형성한다.
그러나, 최근 들어 표시장치의 해상도가 증가되면서 단위 면적 당 애노드 전극의 개수가 크게 증가되고, 이로 인해 애노드 전극들 사이의 간격이 점차 감소되고, 이로 인해 액적을 지정된 캐비티에 적하 하기가 점차 어려워지고 있다.
액적이 지정된 캐비티에 적하 되지 못하고, 인접한 캐비티에 적하 될 경우 치명적인 픽셀 불량이 발생되고, 액적이 지정되지 않은 캐비티 내로 적하 된 후에는 재작업(rework)이 불가능하여 표시장치의 수율이 크게 저하되는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 제 1 목적은 표시장치의 격리벽을 패터닝하는 마스크의 형상 및 구조를 변경하여 표시장치의 수율을 크게 향상시킨 패턴 마스크를 제공한다.
본 발명의 제 2 목적은 표시장치의 격리벽을 형성할 때 유기 발광물질을 포함한 액적이 지정된 캐비티에 정확하게 드롭 되지 못하더라도 인접한 캐비티로 액적이 유입되는 것을 감소시켜 재작업이 가능토록 하여 수율 및 영상의 표시품질을 크게 향상시킨 표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 3 목적은 상기 표시장치를 제조하기 위한 표시장치의 제조 방법을 제공한다.
이와 같은 본 발명의 제 1 목적을 구현하기 위하여, 본 발명은 격자 형상에 의해 광을 투과시키는 복수개의 투과 영역들을 제공하는 광차단 패턴 및 광차단 패턴 중 투과 영역의 사이에 형성된 광투과 패턴을 갖는 패턴 마스크를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 2 목적을 구현하기 위하여, 본 발명은 기판에 배치된 주변 회로부 및 주변 회로부부터 제 1 구동신호가 인가되는 제 1 전극, 제 1 전극의 주변을 감싸는 벽 형상을 갖으며, 상면에 형성된 수납부를 갖는 격리벽, 제 1 전극에 형성된 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 배치되어 제 2 구동신호가 인가된 제 2 전극을 갖는 유기 발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 3 목적을 구현하기 위하여, 본 발명은 주변 회로부로부터 인가된 제 1 구동신호를 인가 받는 제 1 전극을 베이스 기판에 형성하는 단계, 베이스 기판에 제 1 전극의 주변을 감싸며, 상면에 수납부가 형성되고, 제 1 전극의 상부에 캐비티를 형성하는 격리벽을 형성하는 단계, 캐비티에 유기 발광물질을 포함하는 액적을 드롭 하여 유기발광층을 형성하는 단계 및 유기발광층을 덮는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 전자와 정공의 결합에 의하여 광을 발생시키는 유기 발광물질이 지정된 위치 이외의 부분에 적하 되는 것을 방지하여 표시장치의 수율을 크게 향상시키는 효과를 갖는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
패턴 마스크
제 1 실시예
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 패턴 마스크를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 변형 실시예에 의한 패턴 마스크를 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 패턴 마스크(20)는 광차단 패턴(30) 및 광투과 패턴(40)을 포함한다.
본 실시예에서, 패턴 마스크(20)를 이루는 광차단 패턴(30) 및 광투과 패턴(40)은 광의 투과율이 높은 기판, 예를 들면, 유리 기판 등에 형성되거나, 광의 투과율이 매우 낮은 기판, 예를 들면, 크롬을 이용하여 형성할 수 있다.
광차단 패턴(30)은 격자 형상으로 형성된다. 따라서, 광차단 패턴(30)은 격자 형태로 광을 차단한다. 반면, 광차단 패턴(30)은 격자 형상을 갖기 때문에, 복수개의 투과 영역(35)을 제공하고, 광은 각 투과영역(35)을 통과한다.
광차단 패턴(30)에 의하여 형성된 투과영역(35)을 통과한 광은 감광물질(photosensitive material) 또는 포토레지스트 물질(photoresist material)을 포함하는 감광박막과 반응하여 감광박막에 패턴을 형성한다.
광투과 패턴(40)은 광차단 패턴(30) 상에 형성된다. 구체적으로, 광투과 패턴(40)은 광차단 패턴(30) 중 투과영역(35)의 사이에 형성된다. 바람직하게, 광투과 패턴(40)은 투과영역(35)을 감싸는 형태로 배치된다. 광투과 패턴(40)은 광을 통과시키며, 감광물질 또는 포토레지스트 물질을 포함하는 감광 박막 반응하여 패턴을 형성한다.
광투과 패턴(40)은 다양한 형태로 형성할 수 있다. 도 1을 참조하면, 광투과 패턴(40)은 투과영역(35)의 사이에서 제 1 방향 및 제 2 방향으로 연장된다. 이와 다르게, 광투과 패턴(40)은 투과영역(35)의 사이에서 제 1 방향으로 연장되고, 제 2 방향으로 적어도 2 개가 병렬 배치될 수 있다. 또한, 광투과 패턴(40)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 연장되며, 적어도 2 개가 단속적으로 직렬 배치될 수 있다. 광투과 패턴(40)은 이외에도 다양한 형태로 형성할 수 있다.
이와 같은 구성을 갖는 패턴 마스크(20)에 의하여 형성된 감광물질로 이루어진 감광박막은 투과영역(35)으로 통과한 광에 의하여 메인 패턴을 형성하고, 감광박막 중 메인 패턴들의 사이에는 광투과 패턴(40)으로 통과한 광에 의하여 서브 패턴들을 형성한다. 이때, 메인 패턴들 및 서브 패턴들은 감광박막에 홈 형태로 구현된다.
본 실시예에 의한 패턴 마스크(20)는 메인 패턴들에 액체 등을 적하 하여 채우는 공정에서 적하 된 액체가 메인 패턴들의 사이에 적하 되었을 때, 서브 패턴이 미스 얼라인 된 액체를 수납하여 인접한 메인 패턴으로 액체가 흘러 들어가는 것을 방지한다.
표시장치
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 표시장치의 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시장치(300)는 주변 회로부(100) 및 유기 발광소자(200)를 포함한다. 참조부호 10은 주변 회로부(100) 및 유기 발광소자(200)가 실장되는 기판이다.
주변 회로부(100)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor, TFT1), 구동 트랜지스터(driving transistor, TFT2), 스토리지 커패시터(storage capacitance, Cst), 게이트 버스 라인(Gate Bus Line, GBL), 데이터 버스 라인(Data Bus Line, DBL), 전력 공급 라인(Power Supplying Line, PSL)을 포함한다.
게이트 버스 라인(GBL)은 도 3에 도시된 좌표계의 제 1 방향으로 연장된다. 게이트 버스 라인(GBL)은 전기적 저항이 매우 낮은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등으로 형성된다.
본 실시예에서는 1 개의 게이트 버스 라인(GBL)이 도시되어 있으나, 실제로 기판(10)에는 복수개의 게이트 버스 라인(GBL)이 형성된다. 예를 들어, 풀-컬러 디스플레이를 수행하고, 해상도가 1024 ×768인 표시장치(300)는 768개의 게이트 버스 라인(GBL)을 갖는다.
각 게이트 버스 라인(GBL)은 제 1 방향으로 연장되고, 복수개가 제 2 방향으로 상호 평행하게 배치된다. 제 2 방향은 제 1 방향에 대하여 실질적으로 수직하다.
한편, 게이트 버스 라인(GBL)은 게이트 전극부(GE)를 더 포함한다. 게이트 전극부(GE)는 게이트 버스 라인(GBL)으로부터는 제 2 방향으로 연장된다. 게이트 전극부(GE)는 풀-컬러 디스플레이를 수행하고 해상도가 1024 ×768인 전계발광 디바이스(200)에서 게이트 버스 라인(GBL)으로부터 1024 ×3 개가 동일한 간격으로 형성된다.
데이터 버스 라인(DBL)은 도 3에 도시된 제 2 방향으로 형성된다. 데이터 버스 라인(GBL)은 전기적 저항이 매우 낮은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등으로 형성된다.
본 실시예에서는 1 개의 데이터 버스 라인(DBL)이 도시되어 있으나, 기판(10)에는 복수개의 데이터 버스 라인(GBL)이 형성된다. 예를 들어, 풀-컬러 디스플레이를 수행하고, 해상도가 1024 ×768인 표시장치(300)는 1023 ×3개의 데이터 버스 라인(DBL)을 갖는다. 각 데이터 버스 라인(DBL)은 제 2 방향으로 뻗고, 복수개가 제 1 방향으로 평행하게 배치된다.
한편, 데이터 버스 라인(DBL)은 소오스 전극부(SE)를 더 포함한다. 소오스 전극부(SE)는 데이터 버스 라인(DBL)으로부터는 제 1 방향으로 연장된다. 소오스 전극부(SE)는 풀-컬러 디스플레이를 수행하고 해상도가 1024 ×768인 표시장치(300)에서 데이터 버스 라인(DBL)으로부터 768 개가 동일한 간격으로 형성된다.
전력 공급 라인(PSL)은 각 데이터 버스 라인(DBL)과 소정 간격 이격된 곳에 형성된다. 전력 공급 라인(PSL)은 데이터 버스 라인(DBL)과 동일하게 제 2 방향으로 연장된다. 전력 공급 라인(PSL)으로는 직류 신호(VDD)가 인가된다.
스위칭 트랜지스터(TFT1)와 구동 트랜지스터(TFT2)는 게이트 버스 라인(GBL), 데이터 버스 라인(DBL) 및 전력 공급 라인(PSL)에 의하여 둘러싸인 화소 영역(110)마다 형성된다.
스위칭 트랜지스터(TFT1)는 제 1 게이트 전극(G1), 제 1 반도체 패턴(C1), 제 1 소오스 전극(S1) 및 제 1 드레인 전극(D1)으로 이루어진다.
제 1 게이트 전극(G1)은 게이트 버스 라인(GBL)으로부터 연장된 각 게이트 전극부(GE)와 전기적으로 연결된다.
제 1 반도체 패턴(C1)은 제 1 게이트 전극(G1)과 절연되며, 제 1 게이트 전극(G1)의 상면에 배치된다. 바람직하게, 제 1 반도체 패턴(C1)은 절연물질로 이루어진 절연층(미도시)에 의하여 제 1 게이트 전극(G1)과 절연된다.
제 1 소오스 전극(S1)은 제 1 반도체 패턴(C1)의 상면에 배치되며, 데이터 버스 라인(DBL)으로부터 연장된 소오스 전극부(SE)에 전기적으로 연결된다.
제 1 드레인 전극(D1)은 소오스 전극(S1)과 이격된 제 1 반도체 패턴(C1)에 전기적으로 연결된다.
구동 트랜지스터(TFT2)는 화소영역(110)에 배치된다. 구동 트랜지스터(TFT2)는 제 2 게이트 전극(G2), 제 2 반도체 패턴(C2), 제 2 소오스 전극(S2) 및 제 2 드레인 전극(D2)으로 이루어진다.
제 2 게이트 전극(G2)은 스위칭 트랜지스터(TFT1)의 제 1 드레인 전극(D1)과 전기적으로 연결된다.
제 2 반도체 패턴(C2)은 제 2 게이트 전극(G2)의 상면에 배치되며, 제 2 반도체 패턴(C2) 및 제 2 게이트 전극(G2)은 상호 절연된다. 바람직하게 제 2 반도체 패턴(C2)은 절연물질로 이루어진 절연층(미도시)에 의하여 제 2 게이트 전극(G2)과 절연된다.
제 2 소오스 전극(S2)은 제 2 반도체 패턴(C2)의 상면에 배치되며, 전력 공급 라인(PSL)에 전기적으로 연결된다.
제 2 드레인 전극(D2)은 제 2 반도체 패턴(C2)의 상면에 상기 제 2 소오스 전극(S2)과 이격되어 배치되며, 유기 발광 소자(200)에 연결된다.
스토리지 커패시턴스(storage capacitance, Cst)는 제 2 게이트 전극(G2)의 일부인 제 1 커패시터 전극부(Cst1), 전력 공급 라인(PSL)의 일부인 제 2 커패시터 전극부(Cst2) 및 제 1 커패시터 전극부(Cst1)와 제 2 커패시터 전극부(Cst2)의 사이에 배치된 유전층으로 이루어진다. 유전층은 절연층으로 이루어진다. 스토리지 커패시턴스(Cst)는 한 프레임의 시간 동안 제 2 게이트 전극부(G2)가 턴-온 상태를 유지할 수 있도록 한다.
작동 측면에서, 데이터 버스 라인(DBL)에 영상 신호가 인가된 상태에서 게이트 버스 라인(GBL)에 턴-온 전압이 인가되면, 영상 신호는 스위칭 트랜지스터(TFT1)의 제 1 소오스 전극(S1) 및 제 1 반도체 패턴(C1)을 통해 제 1 드레인 전극(D1)으로 출력된다.
제 1 드레인 전극(D1)으로 출력된 영상 신호는 구동 트랜지스터(TFT2)의 제 2 게이트 전극(G2)으로 인가되어 제 2 반도체 패턴(C2)을 턴-온 시킨다. 이때, 제 2 반도체 패턴(C2)의 전기적 저항은 제 2 게이트 전극(G2)으로 인가된 영상 신호의 레벨에 따라서 변경된다. 제 2 반도체 패턴(C2)이 턴-온 됨에 따라 전력 공급 라인(PSL)으로부터는 직류 전압이 제 2 소오스 전극(S2) 및 제 2 반도체 패턴(C2)을 통해 제 2 드레인 전극(D2)으로 인가된다. 이때, 전력 공급 라인(PSL)으로부터 인가된 직류 전압은 제 2 반도체 패턴(C2)의 전기적 저항에 따라서 전압 강하된다. 이로 인해 제 2 드레인 전극(D2)으로는 영상 신호의 레벨에 대응하는 제 1 구동신호가 출력된다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 유기 발광소자를 도시한 부분 절개 사시도이다.
도 4를 참조하면, 유기 발광소자(200)는 제 1 전극(210), 격리벽(220), 유기 발광층(240) 및 제 2 전극(250)을 포함한다. 참조부호 10은 기판이다.
제 1 전극(210)은 앞서 설명한 구동 트랜지스터(TFT2)의 제 2 드레인 전극(D2)으로 출력된 제 1 구동신호를 인가 받는다. 제 1 전극(210)은 투명하면서 도전성인 물질, 예를 들면, 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO) 등을 포함한다. 제 1 전극(210) 및 제 2 드레인 전극(D2)은 콘택홀을 매개로 전기적으로 연결된다.
제 1 전극(210)은 기판(10)상에 복수개가 매트릭스 형태로 배치된다. 예를 들면, 해상도가 1024 ×768인 표시장치는 해상도가 1024 ×768 ×3 개의 제 1 전극(210)을 포함한다.
격리벽(220)은 기판(10) 상에 형성되며, 제 1 전극(210)들의 사이에 배치된 다. 따라서, 격리벽(220)에 의하여 제 1 전극(210)의 상부에는 지정된 부피를 갖는 캐비티가 형성된다.
본 실시예에서, 격리벽(220)은 후술되는 유기 발광층(240)을 형성할 때, 액체 상태의 유기 발광물질을 캐비티에 수납하고, 액체 상태의 유기 발광물질 중 일부가 지정된 위치에 적하 되지 못하였을 때 유기 발광물질이 인접한 캐비티로 유입되는 것을 방지한다. 상기 격리벽(220)은 상기 유기 발광물질이 인접한 캐비티로 유입되는 것을 방지하기 위해 격리벽(220)의 상면에 형성된 수납부(220e)를 포함한다.
이와 같은 기능을 수행하기 위하여 본 실시예에서 격리벽(220)은 다양한 형상을 갖는다.
도 5는 도 4의 A1-A2를 따라 절단한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 격리벽(220)은 제 1 전극(210)들의 사이에 배치되며, 격리벽(220)의 횡단면은 사다리꼴 형상을 갖는다. 따라서, 격리벽(220)은 2 개의 측면(220a, 220b)과 1 개의 상면(220c), 상면(220c)과 마주보는 바닥면(220d) 및 수납부(220e)를 갖는다. 본 실시예에서, 격리벽(220)은 감광물질 또는 포토레지스트 물질로 이루어진다.
수납부(220e)는 격리벽(220)의 상면(220c)으로부터 바닥면(220d)을 향해 형성된 홈 형상을 갖는다. 이때, 수납부(220e)는 각 격리벽(220)에 의하여 형성된 캐비티(225)의 부피와 동일하거나 캐비티(225)보다 큰 부피를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서 수납부(220e)의 깊이(DT)는 격리벽(220)의 높이(IT)와 동일하며, 수납부(220e)에는 캐비티(225)로 유입되지 못한 유기 발광물질이 수납된다.
도 6은 도 4의 B1-B2를 따라 절단한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 수납부(220e)는 격리벽(220)의 상면(220c)으로부터 바닥면(220d)을 향해 형성된 홈 형상을 갖는다. 이때, 수납부(220e)는 각 격리벽(220)에 의하여 형성된 캐비티(225)의 부피와 동일하거나 캐비티(225)보다 큰 부피를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서 수납부(220e)의 깊이(DT1)는 격리벽(220)의 높이(IT)보다 낮으며, 수납부(225)에는 캐비티(225)로 유입되지 못한 유기 발광물질이 수납된다.
도 7은 도 4의 C1-C2를 따라 절단한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 수납부(220e)는 격리벽(220)의 상면(220c)으로부터 한 쌍이 상호 이격된 벽 형상의 돌출부이다. 이때, 수납부(220e)의 부피는 각 격리벽(220)에 의하여 형성된 캐비티(225)의 부피와 동일하거나, 캐비티(225)보다 큰 부피를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서, 수납부(220e)에는 캐비티(225)로 유입되지 못한 유기 발광물질이 수납된다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 의하여 격리벽에 형성된 그루브 형상의 수납부를 도시한 평면도이다.
도 8을 참조하면, 격리벽(220)의 상면에 형성된 수납부(220e)는 격리벽(220)의 상면을 따라 길게 형성된 그루브(groove) 형상을 갖는다. 이때, 그루브 형상을 갖는 수납부(220e)는 격리벽(220)의 평면 형상과 동일하게 격자 형상으로 형성하거 나, 단속적으로 끊어진 그루브 형상으로 형성할 수 있다. 이와 같이, 수납부(220e)를 그루브 형상으로 형성할 경우, 수납부(220e)의 깊이는 격리벽(220)의 높이보다 작게 형성하여도 무방하다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 의하여 격리벽에 형성된 리세스 형상의 수납부를 도시한 평면도이다.
도 9를 참조하면, 격리벽(220)의 상면에 형성된 수납부(220e)에는 격리벽(220)의 상면에 형성된 리세스(recess) 형상을 갖는다. 이때, 리세스 형상을 갖는 수납부(220e)는 격리벽(220)의 평면에 복수개가 직렬 배열될 수 있다. 이와 같이, 수납부(220e)를 리세스 형상으로 형성할 경우, 수납부(220e)의 부피가 캐비티(220e)의 부피보다 작을 수 있음으로 수납부(220e)의 깊이는 격리벽(220)의 깊이와 동일하게 형성하는 것이 바람직하다.
도 4를 다시 참조하면, 유기 발광층(240)은 제 1 전극(210)의 상면에 배치된다.
유기 발광층(240)은 유기 발광층(240)은 정공 주입층 및 발광층을 포함한다.
정공 주입층은 제 1 전극(210) 상에 형성되고, 발광층은 정공 주입층의 표면에 형성된다.
제 2 전극(250)은 유기 발광층(240)이 덮이도록 기판(10)의 전면적에 형성된다. 제 2 전극(250)은 영상을 표시하기 위해 제 2 구동신호를 출력한다. 본 실시예에서, 제 2 전극(250)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되며, 스퍼터링 방법 또는 화학 기상 증착 등의 방법에 의하여 형성된다.
표시장치의 제조 방법
도 10a는 본 발명에 의하여 기판에 제 1 전극이 형성된 것을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 제 1 전극이 형성되기 이전에 주변 회로부가 형성된다. 이때, 주변 회로부는 2 개의 박막 트랜지스터, 1 개의 커패시턴스, 게이트 버스 라인, 데이터 버스 라인 및 전력 공급 라인으로 이루어지며 이는 앞서 설명한 표시장치의 주변 회로부와 동일함으로 그 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 10a를 참조하면, 주변 회로부(100)가 형성된 기판(10)에는 제 1 전극(210)이 형성된다. 제 1 전극(210)은 산화 주석 인듐 박막(Indium Tin Oxide film) 또는 산화 아연 인듐 박막(Indium Zinc Oxide film)을 패터닝하여 형성된다.
이때, 표시장치의 해상도가 1024 ×764 일 때, 제 1 전극(210)은 1024 ×764 ×3 개로 이루어지며, 제 1 전극(210)들은 매트릭스 형태로 배치된다. 이때, 각 제 1 전극(210)들은 상호 G 만큼 이격되어 배치된다.
도 10b는 본 발명에 의하여 기판에 감광물질이 형성된 것을 도시한 단면도이다.
도 10b를 참조하면, 제 1 기판(10)에는 스핀 코팅 등의 방법에 의해 약 3㎛ 정도의 두께를 갖는 감광 박막(222)이 형성된다. 감광 박막(222)은 격자 형상을 갖는 광차단 패턴(30)에 의하여 형성된 투과 영역(35) 및 광차단 패턴(30)에 형성된 광투과 패턴(40)이 형성된 패턴 마스크(20)에 의하여 노광된다.
도 10c는 본 발명에 의하여 기판에 형성된 격리벽을 도시한 단면도이다.
도 10c를 참조하면, 노광된 감광 박막은 현상액에 의하여 현상되어 제 1 기판(10)에는 격리벽(220)이 형성된다. 이때, 격리벽(220)은 제 1 전극(210)의 주변부를 감싸 제 1 전극(210)의 상면에 캐비티(225)를 형성하고, 격리벽(220)의 상면에는 그루브 형상 또는 리세스 형상을 갖는 수납부(220e)가 형성된다. 이때, 수납부(220e)의 깊이는 도 1 및 도 2에 도시된 패턴 마스크(20)의 광투과 패턴(40)의 형상 등을 변경함으로써 격리벽(220)의 높이와 동일하거나, 격리벽(220)의 높이보다 작게 형성될 수 있다.
도 10d는 본 발명의 일실시예에 의하여 격리벽의 캐비티에 정공 주입층을 이루는 정공 주입물질이 드롭 되어 채워진 것을 도시한 단면도이다. 도 10e는 본 발명의 일실시예에 의하여 제 1 전극의 상면에 형성된 정공 주입층을 도시한 단면도이다.
도 10d를 참조하면, 유동성이 큰 액상 정공 주입물질(241)은 각 제 1 전극(210)의 상부에 형성된 캐비티(225)에 드롭 된다. 이때, 정공 주입물질(241)은 휘발성 물질을 함께 포함한다.
이어서, 캐비티(225)에 드롭 된 정공 주입물질(241)은 건조과정을 거치고, 이로 인해 정공 주입물질에 포함된 휘발성 물질은 휘발되면서, 정공 주입물질의 부피는 감소된다.
이로 인해, 도 10e에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(210)의 상면에는 박막 형태를 갖는 정공 주입층(242)이 형성된다.
도 10f는 본 발명의 일실시예에 의하여 캐비티에 발광물질이 드롭 된 것을 도시한 단면도이다. 도 10g는 본 발명의 일실시예에 의하여 정공 주입층의 표면에 발광층이 형성된 것을 도시한 단면도이다.
도 10f를 참조하면, 유동성이 큰 발광물질(243)은 각 제 1 전극(210)의 상면에 형성된 정공 주입층(242)에 드롭 되어 캐비티(225)에 채워진다. 이때, 발광물질(243)은 휘발성 물질을 함께 포함한다.
이어서, 캐비티(225)에 드롭 되어 채워진 발광물질(243)은 건조과정을 거치고, 이로 인해 발광물질(243)에 포함된 휘발성 물질은 휘발되면서, 발광물질(243)의 부피는 감소된다.
이로 인해, 도 10g에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(210)의 상면에 형성된 정공 주입층(242)의 표면에는 박막 형태를 갖는 발광층(244)이 형성된다. 정공 주입층(242) 및 발광층(244)은 유기 발광층(240)을 이룬다.
도 10h는 본 발명의 일실시예에 의해 기판에 제 2 전극이 형성된 것을 도시한 단면도이다.
도 10h를 참조하면, 기판(10)에는 전면적에 걸쳐 제 2 전극(250)이 형성된다. 제 2 전극(250)은 바람직하게, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질로 이루어질 수 있다. 이때, 제 2 전극(250)은 격리벽(220) 및 유기 발광층(240)을 덮어, 유기 발광층(240)은 제 2 전극(250)과 전기적으로 연결된다. 제 2 전극(250)에는 영상을 디스플레이 하는데 필요한 제 2 구동신호가 인가된다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 유기 발광 물질을 적하 방식에 의하 여 격리벽에 의하여 감싸여진 캐비티의 내부에 배치된 전극의 표면에 형성할 때, 유기 발광물질이 지정된 위치에 적하 되지 못하더라도 격리벽에 형성된 수납부에 유기 발광물질을 수납하여 유기 발광물질이 인접한 캐비티로 공급되어 유기 발광층의 형성 불량이 발생하는 것을 방지하여 영상의 표시품질 저하를 방지한다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 기판에 배치된 주변 회로부; 및
    상기 주변 회로부부터 제 1 구동신호가 인가되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 주변을 감싸는 벽 형상을 갖으며, 상면에 형성된 수납부를 갖는 격리벽, 상기 제 1 전극에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 배치되어 제 2 구동신호가 인가되고 상기 수납부의 측면과 접촉하는 제 2 전극을 갖는 유기 발광소자를 포함하고,
    상기 제 1 전극은 복수개로 이루어지며, 상기 격리벽은 상기 제 1 전극들의 상부에 캐비티를 형성하기 위해 격자 형상을 갖고,
    상기 수납부는 상기 유기 발광층을 형성하기 위한 유기 발광물질 중에서 상기 캐비티로 유입되지 못한 상기 유기 발광물질을 수납하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 복수개로 이루어지며, 상기 격리벽은 상기 제 1 전극들의 상부에 캐비티를 형성하기 위해 격자 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 수납부는 홈 형상을 갖고, 상기 수납부의 깊이는 상기 격리벽의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 수납부는 홈 형상을 갖고, 상기 수납부의 깊이는 상기 격리벽이 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 표시장치.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 수납부는 상기 격리벽의 상면에 그루브 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
  10. 제 5 항에 있어서, 상기 수납부는 상기 격리벽의 상면에 리세스 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
  11. 제 5 항에 있어서, 상기 수납부는 상기 격리벽의 상면으로부터 벽 형상으로 상호 평행하게 돌출된 돌출부인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  12. 주변 회로부로부터 인가된 제 1 구동신호를 인가 받는 제 1 전극을 베이스 기판에 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판에 상기 제 1 전극의 주변을 감싸며, 상면에 수납부가 형성되고, 상기 제 1 전극의 상부에 캐비티를 형성하는 격리벽을 형성하는 단계;
    상기 캐비티에 유기 발광물질을 포함하는 액적을 드롭 하여 유기발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기발광층을 덮고 상기 수납부의 측면과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 수납부는 상기 유기 발광물질 중에서 상기 캐비티로 유입되지 못한 상기 유기 발광물질을 수납하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계에서 상기 수납부는 홈 형상으로 상기 수납부의 깊이는 격리벽의 높이와 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계에서 상기 수납부는 홈 형상으로 상기 수납부의 깊이는 상기 격리벽의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계에서 상기 수납부의 형상은 그루브 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계에서 상기 수납부의 형상은 리세스 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
KR1020030085763A 2003-11-28 2003-11-28 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법 Expired - Lifetime KR101007717B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030085763A KR101007717B1 (ko) 2003-11-28 2003-11-28 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법
US10/995,477 US7547920B2 (en) 2003-11-28 2004-11-24 Pattern mask, light-emitting unit manufactured using the same, display apparatus manufactured using the same and method of manufacturing display apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030085763A KR101007717B1 (ko) 2003-11-28 2003-11-28 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050052595A KR20050052595A (ko) 2005-06-03
KR101007717B1 true KR101007717B1 (ko) 2011-01-13

Family

ID=34675695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030085763A Expired - Lifetime KR101007717B1 (ko) 2003-11-28 2003-11-28 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7547920B2 (ko)
KR (1) KR101007717B1 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100711878B1 (ko) * 2005-08-30 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법
JP2007062354A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写ドナーフィルム、レーザ熱転写装置、レーザ熱転写法及び有機発光素子の製造方法
US7817175B2 (en) 2005-08-30 2010-10-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
KR100745332B1 (ko) * 2005-09-28 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
JP2007128844A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法そしてこれを利用した有機発光表示素子
JP2007128845A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
KR100745347B1 (ko) * 2006-01-26 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 제조 방법
GB0618698D0 (en) * 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
KR101156435B1 (ko) * 2010-01-08 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2012043583A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
KR102059962B1 (ko) * 2013-05-22 2019-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102260991B1 (ko) * 2014-02-14 2021-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN104882468B (zh) 2015-06-09 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
CN105679801A (zh) * 2016-02-02 2016-06-15 昆山国显光电有限公司 Oled显示面板及其制作方法
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
KR102432663B1 (ko) * 2017-11-30 2022-08-12 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
JP6808662B2 (ja) 2018-01-15 2021-01-06 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、および、有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置
CN109148531B (zh) * 2018-08-20 2021-01-26 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法
CN109950296B (zh) * 2019-04-10 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN110112203B (zh) 2019-05-30 2021-04-16 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制备方法和显示装置
CN110534548A (zh) * 2019-08-06 2019-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110993646B (zh) * 2019-11-08 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制备方法及oled背板
WO2022133881A1 (zh) * 2020-12-24 2022-06-30 华为技术有限公司 一种像素结构和显示面板
US20230320176A1 (en) * 2022-03-29 2023-10-05 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display apparatus
KR20240053096A (ko) * 2022-10-14 2024-04-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174082A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイ
WO1999048339A1 (en) 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrate for patterning thin film and surface treatment thereof
JP2001167878A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Sharp Corp 有機ｌｅｄ層形成用塗液とそれを用いた有機ｌｅｄ素子の製造方法
JP2003031355A (ja) * 2001-07-10 2003-01-31 Pioneer Electronic Corp ディスプレイパネル

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174082A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイ
WO1999048339A1 (en) 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrate for patterning thin film and surface treatment thereof
JP2001167878A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Sharp Corp 有機ｌｅｄ層形成用塗液とそれを用いた有機ｌｅｄ素子の製造方法
JP2003031355A (ja) * 2001-07-10 2003-01-31 Pioneer Electronic Corp ディスプレイパネル

Also Published As

Publication number Publication date
US7547920B2 (en) 2009-06-16
KR20050052595A (ko) 2005-06-03
US20050133802A1 (en) 2005-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101007717B1 (ko) 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법
EP4131404B1 (en) Display substrate and display device
US20220336573A1 (en) Display panel, driving method and display device
KR101288427B1 (ko) 표시 기판 및 그 제조방법
US11758770B2 (en) Display panel and display device with pixel electrode overlapping transparent wires configured to reduce laser-etching damage
KR101054341B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102950491B1 (ko) 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
US10128317B2 (en) Method for eliminating electrical cross-talk in OLED microdisplays
US20050046341A1 (en) OLED display and method for manufacturing thereof
KR20180003965A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20050009610A (ko) 전계발광 디바이스의 박막 트랜지스터, 이를 이용한전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
KR100993826B1 (ko) 표시장치 및 이의 제조 방법
KR101166838B1 (ko) 듀얼 플레이트 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101734920B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100723011B1 (ko) 보조 전극을 갖는 유기 전기발광 디스플레이의 제조 방법
KR100590255B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100592388B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
WO2021126143A1 (en) Oled sub-pixel patterning structure
KR100705312B1 (ko) 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100359620B1 (ko) 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조 방법
KR101096719B1 (ko) 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100749490B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100692842B1 (ko) 일렉트로루미네센스 소자 및 그 제조방법
KR20010094984A (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치의 제조 방법
US20250295003A1 (en) Display device, mother substrate and manufacturing method of display device

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20031128

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20081024

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20031128

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20100428

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20101028

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20100428

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20101117

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20101028

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20101224

Appeal identifier: 2010101008803

Request date: 20101117

PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20101117

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20101117

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20100617

Patent event code: PB09011R02I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20101224

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20101220

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20110105

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20110106

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140102

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141231

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151230

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170102

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180102

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190102

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210104

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211228

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221226

Start annual number: 13

End annual number: 13

PC1801 Expiration of term

Termination date: 20240528

Termination category: Expiration of duration