KR101192425B1 - Base master manufacturing method - Google Patents

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Abstract

비평면 형태(3차원)의 피처리 물체에 마이크로-나노 일체형 패턴을 형성할 수 있게 한 마스터 제조방법이 개시된다. 이를 위한, 마스터 제조방법은 기판 상에 비평면 형상의 마이크로패턴을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 알루미늄을 형성하는 단계와, 상기 알루미늄 상에 산화막을 생성하는 단계와, 상기 산화막을 제거하는 단계와, 상기 산화막이 제거된 알루미늄 상에 복수의 홈(pore)이 형성된 다공성 나노 패턴을 형성하는 단계와, 상기 다공성 나노 패턴의 홈의 직경을 확장시키는 단계를 포함한다. 이에 따라, 비평면 형상의 표면을 갖는 소재의 표면에 마이크로-나노 일체형 구조물을 용이하게 제조할 수 있다.A master fabrication method is disclosed that enables micro-nano integral patterns to be formed on non-planar (three-dimensional) workpieces. To this end, the master manufacturing method comprises the steps of forming a non-planar micropattern on a substrate, forming aluminum on the substrate, generating an oxide film on the aluminum, and removing the oxide film. And forming a porous nanopattern in which a plurality of pores are formed on the aluminum from which the oxide film has been removed, and expanding the diameter of the groove of the porous nanopattern. Accordingly, it is possible to easily produce a micro-nano integrated structure on the surface of the material having a non-planar surface.

Description

마스터 제조방법{Base master manufacturing method}Master manufacturing method

본 발명은 마스터 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 3차원 마이크로-나노 하이브리드 구조물(3Ｄ Micro-Nano Hybrid pattern) 제작을 위한 마스터 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a master manufacturing method, and more particularly to a master manufacturing method for manufacturing a three-dimensional micro-nano hybrid structure (3D Micro-Nano Hybrid pattern).

피처리 물체의 표면에 마이크로-나노 일체형 패턴을 제작하는데 있어서 종래의 마스터 제조방법에서는 2차원 형상(평면)의 피처리 물체의 표면에만 한정된 것이 일반적이다. 또한, 종래의 마스터 제조방법에서는 전자빔 리소그래피, 홀로그래프 리소그래피 등의 방법이 사용되는데 이러한 방법은 고가의 장비를 필요로 하므로, 마스터를 제조하는데 있어서 제조비용을 증가시킨다. 또한, 상기와 같은 방법은 긴 공정시간이 요구되므로, 단위 시간당 많은 양의 마스터를 생산하기 어려움으로써, 생산성을 향상시키기 어려운 문제점이 있다.In manufacturing a micro-nano integrated pattern on the surface of an object to be processed, it is generally limited to the surface of an object to be processed in a two-dimensional shape (plane) in a conventional master manufacturing method. In addition, in the conventional master manufacturing method, methods such as electron beam lithography, holographic lithography, and the like are used, which requires expensive equipment, thereby increasing the manufacturing cost in manufacturing the master. In addition, since the above method requires a long process time, it is difficult to produce a large amount of master per unit time, and thus there is a problem that it is difficult to improve productivity.

본 발명은 비평면 형태(3차원)의 피처리 물체에 마이크로 및 나노 일체형 패턴을 형성할 수 있고, 고가의 장비를 필요로 하지 않으며, 긴 공정시간이 요구되지 않는 마스터 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a master manufacturing method capable of forming micro and nano integrated patterns on a non-planar object (three-dimensional) to be processed, does not require expensive equipment, and does not require long processing time. It is done.

상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 마스터 제조방법은, 기판 상에 비평면 형상의 마이크로패턴을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 알루미늄을 형성하는 단계와, 상기 알루미늄 상에 산화막을 생성하는 단계와, 상기 산화막을 제거하는 단계와, 상기 산화막이 제거된 알루미늄 상에 복수의 홈(pore)이 형성된 다공성 나노 패턴을 형성하는 단계와, 상기 다공성 나노 패턴의 홈의 직경을 확장시키는 단계를 포함한다.The master manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is to form a non-planar micropattern on a substrate, to form aluminum on the substrate, and to produce an oxide film on the aluminum And removing the oxide film, forming a porous nanopattern in which a plurality of pores are formed on the aluminum from which the oxide film is removed, and expanding a diameter of the groove of the porous nanopattern. do.

본 발명에 따른 마스터 제조방법은 비평면 형상의 표면을 갖는 소재의 표면에 마이크로-나노 일체형 구조물을 용이하게 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명에 따른 마스터 제조방법에 의해 제조된 마스터는 성형에 사용되는 폴리머(Polymer), 유리, 금속과 같은 다양한 소재의 표면에 마이크로-나노 일체형 구조물을 용이하게 제조할 수 있다.The master manufacturing method according to the present invention can easily produce a micro-nano integrated structure on the surface of a material having a non-planar surface, and the master produced by the master manufacturing method according to the present invention is used for molding. Micro-nano integrated structures can be easily manufactured on the surfaces of various materials such as polymers, glass, and metals.

또한, 본 발명의 마스터 제조방법은 종래의 마스터 제조방법에서 사용되는 고가의 장비를 필요로 하지 않으므로써 저렴한 제조비용으로 마스터를 제조할 수 있으므로, 제조비용을 절감할 수 있다. 또한, 본 발명의 마스터 제조방법은 종래의 마스터 제조방법보다 공정시간도 적게 소요되므로, 단위시간당 많은 양의 마스터를 제조할 수 있으므로, 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, the master manufacturing method of the present invention can manufacture the master at a low manufacturing cost by not requiring expensive equipment used in the conventional master manufacturing method, it is possible to reduce the manufacturing cost. In addition, since the master manufacturing method of the present invention takes less process time than the conventional master manufacturing method, it is possible to manufacture a large amount of master per unit time, thereby improving productivity.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 마스터 제조방법을 순차적으로 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 마스터 제조방법에 의해 제조된 것으로, 3차원 마이크로-나노 일체형 패턴이 형성된 마스터를 전자현미경으로 촬영하고, 특정 부분을 확대하여 도시한 사진.
도 8은 본 발명의 마스터 제조방법에 의해 제조된 마스터를 몰드/스탬퍼로 사용하여 폴리머상에 제조된 3차원 마이크로-나노 구조물을 전자현미경으로 촬영하고, 특정부분을 확대한 사진.1 to 6 are views sequentially showing a master manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is produced by the master manufacturing method of the present invention, a three-dimensional micro-nano integrated pattern is taken by an electron microscope, a photograph showing an enlarged specific portion.
8 is an electron microscope photograph of a three-dimensional micro-nano structure manufactured on a polymer using a master prepared by a method of manufacturing a master according to the present invention as a mold / stamper, and an enlarged photograph of a specific portion.

이하 첨부된 도면에 따라서 본 발명의 기술적 구성을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the technical configuration of the present invention according to the accompanying drawings in detail.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 마스터 제조방법은, 기판 상에 비평면 형상의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 알루미늄을 형성하는 단계와, 상기 알루미늄 상에 산화막을 생성하는 단계와, 상기 산화막을 제거하는 단계와, 상기 산화막이 제거된 알루미늄 상에 복수의 홈(pore)이 형성된 다공성 나노 패턴을 형성하는 단계와, 상기 다공성 나노 패턴의 홈의 직경을 확장시키는 단계를 포함한다.According to a preferred embodiment of the present invention, a method of manufacturing a master includes: forming a non-planar pattern on a substrate, forming aluminum on the substrate, and generating an oxide film on the aluminum; Removing the oxide film, forming a porous nanopattern in which a plurality of pores are formed on the aluminum from which the oxide film is removed, and expanding a diameter of the groove of the porous nanopattern.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 마스터 제조방법을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described in detail a master manufacturing method of the present invention.

우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 비평면 형상의 마이크로패턴(111)을 형성한다. 비평면 형상의 마이크로패턴(111)을 형성하는 방법의 일예로, KOH로 기판(110)의 특정 부분을 식각한다. 여기서, 기판(110)은 실리콘 웨이퍼(Si)일 수 있다. 그리고, 비평면 형상이란 평면이 아닌 형상의 모든 형상이 될 수 있다. 비평면 형상의 일예로 사각뿔, 구형, 육면체, 음각/양각형상 등 다양한 형상이 될 수 있다.First, as shown in FIG. 1, a non-planar micropattern 111 is formed on the substrate 110. As an example of a method of forming the non-planar micropattern 111, a specific portion of the substrate 110 is etched with KOH. Here, the substrate 110 may be a silicon wafer (Si). The non-planar shape may be any shape having a shape that is not flat. As an example of the non-planar shape may be a variety of shapes, such as square pyramid, spherical, hexahedral, engraved / embossed.

다음으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 알루미늄(120)을 형성한다. 기판(110)에 형성되는 알루미늄(120)은 박막형태이다. 기판(110)에 알루미늄 박막(120)을 형성하는 방법의 일예로, 화학기상 증착방법, 플라즈마 증착 방법 등 다양한 방법이 사용될 수 있다. 그리고, 기판(110)에 형성되는 알루미늄 박막(120)의 두께는 1㎛일 수 있다. 단, 알루미늄 박막(120)의 두께를 이에 한정하지는 않는다.Next, as shown in FIG. 2, the aluminum 120 is formed on the substrate 110. Aluminum 120 formed on the substrate 110 is a thin film form. As an example of a method of forming the aluminum thin film 120 on the substrate 110, various methods such as a chemical vapor deposition method and a plasma deposition method may be used. The thickness of the aluminum thin film 120 formed on the substrate 110 may be 1 μm. However, the thickness of the aluminum thin film 120 is not limited thereto.

다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 알루미늄(120) 상에 산화막(130)을 생성한다. 산화막(130)을 형성하는 방법으로 양극산화방법이 사용되는 것이 바람직하다. 양극산화방법의 일예로 -10℃ 내지 4℃의 0.04 M 내지 0.1M의 수산전해액에서 60V 내지 180V의 전압으로 2분간 수행될 수 있다. 이러한 양극산화방법에 의해 생성된 산화막(130)은 대략 1㎛ 두께의 불규칙한 나노패턴을 갖는 알루미나(Al2O3)층이다. Next, as shown in FIG. 3, an oxide film 130 is formed on the aluminum 120. Anodization is preferably used as a method of forming the oxide film 130. As an example of the anodic oxidation method, it may be performed for 2 minutes at a voltage of 60V to 180V in a 0.04 M to 0.1M hydroxyl electrolyte solution at -10 ° C to 4 ° C. The oxide film 130 produced by the anodization method is an alumina (Al 2 O 3 ) layer having an irregular nanopattern having a thickness of about 1 μm.

다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 알루미늄(120) 상의 산화막(130)을 제거한다. 산화막(130)을 제거하는 방법의 일예로, 1.8wt%의 크롬산과 6wt%의 인산이 혼합된 용액으로 65℃의 온도에서 대략 60분간 식각할 수 있다. Next, as shown in FIG. 4, the oxide film 130 on the aluminum 120 is removed. As an example of a method of removing the oxide film 130, a solution in which 1.8 wt% of chromic acid and 6 wt% of phosphoric acid is mixed may be etched at a temperature of 65 ° C. for about 60 minutes.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 산화막(130)이 제거된 알루미늄(120) 상에 복수의 홈(141, pore)이 형성된 다공성 나노 패턴(140)을 형성한다. 이 과정에서는 전술한 양극산화방법이 동일하게 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 5, the porous nano pattern 140 in which the plurality of grooves 141 and pores are formed on the aluminum 120 from which the oxide film 130 is removed is formed. In this process, the aforementioned anodization method can be used in the same manner.

마지막으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 다공성 나노 패턴(140)의 홈(141)의 직경을 확장시킨다. 이 과정에서는 포어 와이드닝(pore widenig)공정이 사용될 수 있다. 포어 와이드닝 공정은 양극산화를 마친 다공성 나노 패턴(140)을 식각 공정에 맞는 온도 조건과 식각용액 속에서 공정시간을 제어하여 홈(141, pore)의 직경을 증가시킨다. Finally, as shown in FIG. 6, the diameter of the groove 141 of the porous nanopattern 140 is expanded. A pore widenig process can be used in this process. The pore widening process increases the diameter of the grooves 141 and pore by controlling the process time in the etching conditions and the temperature conditions for etching the porous nanopattern 140 that has been anodized.

이러한 포어 와이드닝 공정을 통하여 150㎚ 내지 350㎚의 다양한 크기의 패턴 간격과 나노 홀의 깊이를 조절할 수 있으므로, 다양한 크기의 나노 패턴을 제조할 수 있다. Through such a pore widening process, the pattern gaps of various sizes of 150 nm to 350 nm and the depths of the nano holes may be controlled, and thus, nano patterns of various sizes may be manufactured.

여기서, 패턴간격은 포어 와이드닝 공정시 인가되는 전압을 증가시킴으로써 증가시킬 수 있다. 그리고, 나노 홀의 깊이는 양극산화 공정시 사용되는 전해액의 농도, 인가되는 전압, 공정 시간 등에 따라 변경될 수 있다. 다른 조건들은 고정된 값으로 설정한 상태에서 양극산화 공정시간(Time control)을 증가시킬수록 나노홀의 깊이가 깊어지게 된다.Here, the pattern interval may be increased by increasing the voltage applied during the pore widening process. In addition, the depth of the nano holes may be changed according to the concentration of the electrolyte solution used in the anodization process, the voltage applied, the process time, and the like. The other conditions are set to a fixed value, the deeper the nanohole depth as the time of anodization increases.

전술한 과정들이 완료된 후, 도 7에 도시된 사진과 같이 사각뿔 형상의 마이크로패턴 상에 다공성의 나노 패턴이 집적된 알루미나 구조물이 생성된 것을 확인할 수 있다. 그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 마스터 제조방법에 의해 제조된 마스터를 성형을 위한 몰드/스탬프(Mold/Stamp)로 사용하게 되면 핫 엠보싱 공정(Hot embossing process)를 비롯한 간단한 공정상에서 특정 부재의 표면에 패턴을 형성할 수 있다. 도 8에는 도 7에 도시된 마스터에 의해 사각뿔 형상이 형성된 것을 확인할 수 있다. 즉, 사각뿔, 곡면, 구 등의 3차원(입체) 구조로 이루어진 면상에 수직된 방향으로 나노 패턴을 제작할 수 있다.After the above-described processes are completed, it can be seen that the alumina structure in which the porous nanopatterns are integrated is formed on the square pyramid-shaped micropattern as shown in FIG. 7. As shown in FIG. 8, when the master manufactured by the above-described master manufacturing method is used as a mold / stamp for molding, in a simple process including a hot embossing process A pattern can be formed on the surface of a specific member. 8, it can be seen that the square pyramid shape is formed by the master illustrated in FIG. 7. That is, the nano-pattern can be manufactured in a direction perpendicular to a plane made of a three-dimensional (stereoscopic) structure such as a square pyramid, a curved surface, and a sphere.

또한, 상기와 같은 마스터 제조방법에 의해 제조된 마스터는 성형에 사용되는 폴리머(Polymer), 유리, 금속과 같은 다양한 소재의 표면에 마이크로-나노 일체형 구조물을 용이하게 제조할 수 있다.In addition, the master prepared by the master manufacturing method as described above can easily produce a micro-nano integrated structure on the surface of a variety of materials such as polymer (Polymer), glass, metal used for molding.

한편, 상기와 같이 알루미늄 상에 산화막을 생성하는 단계와, 상기 다공성 나노 패턴을 형성하는 단계는 양극산화(AAO:Anodic Aluminum Oxidation)방법을 통하여 이루어지는데, 이러한 양극산화방법은 종래의 마스터 제조방법에서 사용되는 고가의 장비를 필요로 하지 않음으로써 저렴한 제조비용으로 마스터를 제조할 수 있게 한다. 또한, 양극산화방법은 종래의 마스터 제조방법보다 공정시간도 적게 소요되므로, 단위시간당 많은 양의 마스터를 제조할 수 있으므로, 생산성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, as described above, the step of forming an oxide film on the aluminum, and the step of forming the porous nano-pattern is carried out through an anodizing (AAO: Anodic Aluminum Oxidation) method, such an anodization method in a conventional master manufacturing method This eliminates the need for expensive equipment to be used, allowing the master to be manufactured at low manufacturing costs. In addition, the anodic oxidation method requires less process time than the conventional master manufacturing method, and thus can produce a large amount of master per unit time, thereby improving productivity.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by the embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 기판 111: 마이크로패턴
120: 알루미늄 130: 산화막
140: 나노 패턴 141: 홈(pore)
110: substrate 111: micropattern
120: aluminum 130: oxide film
140: nano-pattern 141: pores

Claims (3)

기판 상에 비평면 형상의 마이크로패턴을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 알루미늄을 형성하는 단계;
상기 알루미늄 상에 산화막을 생성하는 단계;
상기 산화막을 제거하는 단계;
상기 산화막이 제거된 알루미늄 상에 복수의 홈(pore)이 형성된 다공성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 다공성 나노 패턴의 홈의 직경을 확장시키는 단계;를 포함하고,
상기 기판 상에 비평면 형상의 마이크로패턴을 형성하는 단계에서,
비평면 형상은 사각뿔, 구형, 육면체, 음각/양각형상 중 선택된 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 마스터 제조방법.Forming a non-planar micropattern on the substrate;
Forming aluminum on the substrate;
Creating an oxide film on the aluminum;
Removing the oxide film;
Forming a porous nanopattern in which a plurality of pores are formed on the aluminum from which the oxide film is removed; And
It includes; expanding the diameter of the groove of the porous nano-pattern;
In the step of forming a non-planar micropattern on the substrate,
Non-planar shape is a master manufacturing method, characterized in that any one of the shape selected from square pyramid, spherical, hexahedral, engraved / embossed. 제1항에 있어서,
상기 알루미늄 상에 산화막을 생성하는 단계와, 상기 다공성 나노 패턴을 형성하는 단계는 양극산화(AAO:Anodic Aluminum Oxidation)방법을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스터 제조방법.The method of claim 1,
Forming an oxide film on the aluminum, and forming the porous nano-pattern is a master manufacturing method, characterized in that made through anodizing (AAO: Anodic Aluminum Oxidation) method. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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