KR101556830B1 - 스퍼터율 향상을 위한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 사용하는 스퍼터링 장치 - Google Patents

Abstract

유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 포함하는 스퍼터링 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스는 외주면에 다수개의 홀을 가지는 원통형의 제1 튜브, 외주면에 다수개의 홀을 가지며 상기 제1 튜브의 외주면을 둘러싸는원통형의 제2 튜브 및 상기 제1 튜브에 권취되는 안테나를 포함하며, 상기 제1 튜브 내부에서 플라즈마를 발생시키고 상기 제1 튜브 및 제2 튜브의 다수개의 홀을 통하여 외부로 방출시키는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 상기 유도 결합형 플라즈마 소스, 스퍼터링 타겟이 놓여지는 캐소드 및 처리 기판을 포함하며, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 의하여 플라즈마가 발생하는 영역과 상기 캐소드와 처리 기판 사이의 플라즈마가 발생하는 영역으로 구분되는 것을 특징으로 한다.

Description

스퍼터율 향상을 위한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 사용하는 스퍼터링 장치{INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE FOR IMPROVING SPUTTER YIELD AND APPARATUS FOR SPUTTERING USING THE SAME}

본 발명은 유도 결합형 플라즈마 소스에 관한 것으로 보다 구체적으로는, 낮은 에너지를 갖는 이온을 생성하여 스퍼터 증착시 증착 손상을 줄일 수 있는 유도 결합형 플라즈마 소스에 관한 것이다.

스퍼터링(sputtering)은, 고에너지를 가진 입자를 재료(타겟 물질)의 표면에 충돌시키고 이때의 운동량 교환으로 재료의 표면으로부터 재료가 이탈/방출되기 하는 과정이다. 스퍼터링은 화학적 또는 열적 반응이 아닌 기계적 반응이며, 따라서 어느 재료든 타겟 물질로 사용할 수 있다. 또한, 스퍼터링시 피처리물, 예컨대 기판을 양극으로 활용하여 글로우(glow) 방전을 시키면, 스퍼터링에 의해 기판 표면의 산화물 및 불순물을 제거할 수 있으며, 또한 기판의 표면이 활성화되므로 증착층의 접착성이 우수하다.

스퍼터링 방법은 진공 용기 내에 Ar 가스와 같은 희유 가스를 도입하고, 스퍼터링 타겟을 포함하는 캐소드 직류(DC) 전력 또는 고주파(RF) 전력을 150V 이상의 고압으로 공급하여 글로우(glow) 방전을 통하여 성막하는 방법이다.

인가 전압은 플라즈마 형성시 타겟으로부터 튀어나가는 입자가 갖는 에너지와 밀접한 관계를 갖게 되는데, 상기한 스퍼터링 방법은 150V 이상으로 전원을 공급함으로 인하여 100eV 이상의 높은 에너지를 갖는 입자의 생성이 증가한다.

이러한 100eV 이상의 높은 에너지를 갖는 입자들이 기판과 충돌하여 스퍼터링 공정 후의 온도가 최대 약 200℃로까지 상승하는 경우가 있어, 기판에 손상을 입히는 문제점이 있다. 또한, 이러한 100eV 이상의 높은 에너지를 갖는 입자들은 상기 기판 상에 여타의 다른 박막이 형성되어 있는 경우에는 상기 박막에 손상을 입히게 된다.

특히, 증착물질로 산화물을 사용하는 경우에는 진공 용기 내에 Ar 가스 이외에도 산소 가스를 함께 주입하게 되는데, 산소의 농도를 독립적으로 조절하기 어려워 공정 중에 증착물에 손상을 입힐 수 있는 이온의 에너지를 조절하기 어려운 문제점이 있다.

따라서, 스퍼터링 증착시, 특히 산화물을 이용하는 공정에 있어서 플라즈마의 에너지를 줄여 증착 손상을 줄이고 플라즈마의 특성을 조절할 수 있는 기술이 필요하게 되었다.

등록특허공보 제10-0822313호, '고효율 대향 타겟식 스퍼터링 장치'

상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 스퍼터링 증착시 발생하는 증착 손상을 줄일 수 있는 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 포함하는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 증착 손상을 줄이기 위하여 산화물 증착시 발생하는 이온의 에너지를 독립적으로 제어할 수 있는 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 포함하는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 정상파 효과를 배제하여 대면적 기판에 적용 가능한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 포함하는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.

상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스는, 외주면에 다수개의 홀을 가지는 원통형의 제1 튜브, 외주면에 다수개의 홀을 가지며 상기 제1 튜브의 외주면을 둘러싸는 원통형의 제2 튜브 및 상기 제1 튜브에 권취되는 안테나를 포함하며, 상기 제1 튜브 내부에서 플라즈마를 발생시키고 상기 제1 튜브 및 제2 튜브의 다수개의 홀을 통하여 외부로 방출시키는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 및 제2 튜브는 각각 상기 다수개의 홀의 크기를 조절할 수 있으며, 특히 상기 제1 튜브는 상기 제1 튜브의 내경과 같은 크기의 외경을 가지며, 상기 제1 튜브의 다수개의 홀의 위치에 대응하는 위치에 동일한 크기의 다수개의 홀을 갖고 상기 제1 튜브의 내주면에 끼워지는 제1 조절 부재를 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 조절 부재의 위치를 조절하여 상기 제1 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절할 수 있다.

또한, 상기 제2 튜브는 상기 제2 튜브의 내경과 같은 크기의 외경을 가지며, 상기 제2 튜브의 다수개의 홀의 위치에 대응하는 위치에 동일한 크기의 다수개의 홀을 갖고 상기 제2 튜브의 내주면에 끼워지는 제2 조절 부재를 더 포함하며, 상기 제2 조절 부재의 위치를 조절하여 상기 제2 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절할 수 있다.

또한, 상기 제1 튜브 및 제2 튜브는 페라이트(ferrite) 또는 쿼츠(quartz)로 이루어질 수 있으며, 상기 안테나는 상기 제1 튜브의 길이 방향을 따라 소정 간격 이격되어 권취되는 복수 개의 안테나로 이루어질 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스, 스퍼터링 타겟이 놓여지는 캐소드 및 처리 기판을 포함할 수 있으며, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 의하여 플라즈마가 발생하는 영역과 상기 캐소드와 처리 기판 사이의 플라즈마가 발생하는 영역으로 구분된다.

상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 전력을 인가하는 제1 전력 공급원 및 상기 캐소드에 전력을 인가하는 제2 전력 공급원을 더 포함하며, 상기 제1 및 제2 전력 공급원으로부터 인가되는 전력의 크기를 제어하여, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 의하여 발생되는 플라즈마와 상기 캐소드와 기판 사이에서 발생하는 플라즈마의 에너지를 독립적으로 조절할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 스퍼터링 장치는 스퍼터 증착시 발생하는 증착 손상을 줄이는 효과를 갖는다.

또한, 증착 손상을 줄이기 위하여 산화물 증착시 발생하는 이온의 에너지를 독립적으로 조절할 수 있도록 한다.

그리고, 정상파 효과를 배제하여 대면적 기판에 적용 가능한 스퍼터링 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스를 포함하는 스퍼터링 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스를 포함하는 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스를 통하여 플라즈마가 방출되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 조절 부재를 이용하여 제1 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 방법을 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 조절 부재를 이용하여 제2 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 방법을 나타내는 개략도이다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 관한 스퍼터링 장치에 대해 상세히 설명하도록 한다.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 수 있다.

또한, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 본 발명을 가장 적절하게 표현할 수 있도록 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스를 포함하는 스퍼터링 장치의 개략적인 사시도이고, 도 2는 단면도이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치(200)는 유도 결합형 플라즈마 소스(100)를 더 포함하는 것 이외에는 일반적인 스퍼터링 장치와 유사한 구성을 가지고 있으며, 반응챔버(300) 내부에서 플라즈마를 발생시키는 과정 또한 동일하다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치(200)는 유도 결합형 플라즈마 소스(100), 스퍼터링 타겟(220)이 놓여지는 캐소드(230) 및 처리 기판(210)을 포함하여 이루어진다.

상기 처리 기판(210)은 상기 캐소드(230)에 대응하여 양극(+)의 역할을 하게 되며, 일반적으로 사용자의 목적에 따라 다양한 재료를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 기판을 가열하기 위한 히터를 더 포함할 수 있으며, 고른 증착을 위하여 회전 가능하게 할 수도 있다.

한편, 상술한 바와 같이, 증착 물질로서 산화물을 사용하는 경우에는 일반적으로 Ar 가스와 산소 가스를 혼합하여 반응챔버에 주입하게 되는데, 이때 산소 가스를 방전시켜 생성되는 플라즈마의 산소 이온이 갖는 높은 에너지로 인하여, 기판에 증착된 산화물 박막이 손상을 입어 소자의 품질에 문제가 발생하기도 한다.

그리고, 산화물 박막의 손상을 줄이기 위하여 타겟에 인가되는 전력을 낮추게 되면, 오히려 증착율이 감소하여 효율적인 공정을 수행하기 어렵게 된다.

금속 타겟을 이용하여 금속 산화물을 기판에 증착시키는 경우를 예로써 설명하면, 금속 타겟에서는 양이온이 떨어져 나오게 되며, 이때 떨어져 나온 금속 이온이 반응챔버 내부의 산소 이온과 결합하여 금속 산화물 형태로 처리 기판에 증착된다.

앞서 기술한 증착 손상은 스퍼터링 장치에서 양극 역할을 하는 기판에 산소 이온이 충돌함으로써 생기는 손상을 의미하는데, 이때 발생하는 손상의 정도는 이온의 에너지가 클수록 함께 커지게 되므로, 증착시 손상을 최소화할 수 있는 이온의 에너지로 제어할 수 있게 된다면 효율적인 스퍼터링 증착 공정을 도모할 수 있다.

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반응챔버(300) 내부에 별도의 유도 결합형 플라즈마 소스(100)를 구비하여, 스퍼터링 공정에 사용되는 각각의 가스의 에너지를 독립적으로 제어할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공한다.

종래의 일반적인 스퍼터링 장비에서는 질량유량계(mass flow controller, MFC) 등의 장비를 이용하여 반응챔버에 주입되는 가스의 양을 조절하게 되며, 주입되는 이종의 가스의 양을 각각 제어하는 것이 가능하다.

다만, 상술한 바와 같이, 본 발명의 목적은 스퍼터링 증착율에 손해를 보지 않으면서 이온의 에너지를 독립적으로 제어하여 증착 손상을 줄이는 것이므로, 단지 주입되는 가스의 양을 각각 제어하는 것만으로 본 발명의 목적을 달성하기에는 어려움이 따른다.

본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치는 상기 유도 결합형 플라즈마 소스(100)를 이용하는데, 산화물 증착시 사용되는 가스를 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 주입하여 플라즈마를 발생시킨다.

따라서, 앞서 예로 든 금속 산화물을 증착 물질로 사용하는 경우에는 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 산소 가스를 주입하여 플라즈마를 발생시킨다.

한편, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스의 제1 전력 공급원(150)과 상기 반응챔버 내부에서 플라즈마를 발생시키기 위하여 인가되는 제2 전력 공급원(240)을 다르게 하여 산화물 증착시 사용되는 이온의 에너지를 별도로 제어하는 것이 가능하게 된다.

정리하면, 상기 스퍼터링 장치는 플라즈마의 발생 영역을 유도 결합형 플라즈마 소스, 캐소드와 처리 기판 사이의 영역으로 구분할 수 있으며, 각각의 영역에서 플라즈마를 생성하기 위한 전력 공급원을 별도로 구비하고, 따라서 각각의 영역에서 생성되는 플라즈마의 에너지를 독립적으로 제어할 수 있는 것이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스의 사시도이다.

도 3을 참조하면, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스(100)는 외주면에 다수개의 홀을 갖는 원통형의 제1 튜브(110), 외주면에 다수개의 홀을 가지며 상기 제1 튜브의 외주면을 둘러싸는 원통형의 제2 튜브(120) 및 상기 제1 튜브에 권취되는 안테나(130)를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스(100)는 상기 제1 튜브(110) 내부에 반응가스를 주입하고, 상기 안테나(130)에 인가되는 전류로 인하여 발생하는 전기장을 이용하여 플라즈마를 발생시킨다.

또한, 상기 제1 튜브(110) 내부에서 발생된 플라즈마는 상기 제1 튜브 및 제2 튜브의 다수개의 홀을 통하여 외부로 방출되어, 증착 공정에 사용될 수 있도록 한다.

한편, 상기 제2 튜브는 상기 제1 튜브의 외주면을 둘러싸는 형태로 배치되며 제1 튜브와 마찬가지로 다수개의 홀을 구비하여 제1 튜브 내부에서 발생한 플라즈마가 상기 유도 결합형 플라즈마 소스(100) 외부, 반응챔버(300) 내부로 방출될 수 있도록 하는 역할을 하며, 상기 제1 튜브(110)에 권취되는 안테나(130)가 상기 처리기판(210)과 캐소드(220) 사이에서 발생하는 플라즈마에 노출되지 않도록 하는 기능을 갖는다.

따라서, 상기 제2 튜브는 도 1에 도시되는 바와 같이 안테나(130)가 연장되는 상기 반응챔버의 내벽 방향으로 돌출되는 형상을 갖는다.

또한, 상기 제1 튜브 및 제2 튜브는 페라이트(ferrite) 또는 쿼츠(quartz)로 이루어질 수 있는데, 이로써 내부 자기장을 증가시켜 방전 효율을 높일 수 있다.

도 3을 참조하면, 상기 안테나(130)는 상기 제1 튜브의 길이 방향을 따라 소정 간격 이격되어 권취되는 복수 개의 안테나로 이루어질 수 있는데, 이는 유도 결합형 플라즈마 소스를 이용하는 경우에 발생할 수 있는 정상파 효과를 배제하기 위함이다.

피처리 기판의 대면적화 추세에 따라 기판의 모든 영역에서 균일한 플라즈마를 발생시키는 것이 중요한 이슈가 되고 있는데, 단일의 안테나를 이용하여 상기 제1 튜브에 권취하는 경우에는 그만큼 안테나의 길이가 길어지고 상기 제1 튜브의 길이 방향을 따라 발생하는 플라즈마의 균일도가 떨어지는 현상이 발생할 수 있다.

이와 같은 문제를 방지하고자, 상기 제1 튜브(110)에 권취되는 안테나(130)는 상기 제1 튜브의 길이 방향을 따라 소정 간격 이격되어 권취되는 복수 개의 안테나로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 몇 개의 안테나를 권취할지는 처리기판의 크기 또는 제1 튜브의 길이 등을 고려하여 적절한 개수의 안테나를 적용할 수 있다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스를 통하여 플라즈마가 방출되는 모습을 나타내는 단면도이다.

도 4를 참조하면, 제1 튜브(110) 내부에서 발생한 플라즈마가 상기 제1 튜브(110) 및 제2 튜브(120) 외부로 방출되는 모습을 확인할 수 있다.

또한, 도 3을 다시 참조하면, 상기 제1 및 제2 튜브의 외주면에는 다수개의 홀이 형성되어 있는데, 상기 제1 튜브(110) 내부에서 발생되는 플라즈마는 상기 다수개의 홀을 통하여 외부로 방출된다.

한편, 상기 제1 및 제2 튜브는 동축인 것으로 도시되어 있으나, 상기 제2 튜브가 상기 제1 튜브의 외주면을 둘러싸는 형태라면 반드시 동축으로 형성되어야 하는 것은 아니다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 조절 부재를 이용하여 제1 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 방법을 나타내는 개략도이다.

상기 제1 조절 부재(140)는 상기 제1 튜브(110)의 내경과 같은 크기의 외경을 가지며, 상기 제1 튜브의 다수개의 홀의 위치에 대응하는 위치에 동일한 크기의 다수개의 홀을 갖고 상기 제1 튜브의 내주면에 끼워지며, 따라서 원통의 형상을 갖는다.

한편, 상기 제1 조절 부재(140)는 상기 제1 튜브(110)의 길이 방향을 따라 움직일 수 있는데, 길이 방향을 따라 위치를 조절함으로써, 상기 제1 튜브(110) 내부에서 발생되는 플라즈마가 방출되는 홀의 크기를 조절할 수 있다.

도 5a를 참조하면, 상기 제1 조절 부재(140)가 상기 제1 튜브의 내부에 끼워지는 모습을 도식적으로 확인할 수 있다.

한편, 도 5b는, 상기 제1 튜브 및 제1 조절 부재의 홀이 동일한 위치에 오도록 하여 상기 다수개의 홀의 크기가 가장 큰 경우를 나타내며, 도 5c는, 상기 제1 조절 부재의 위치를 조절하여 상기 홀의 크기를 줄여 플라즈마가 방출되는 수 있는 경로를 좁게 한 경우를 나타낸다.

또한, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 조절 부재를 이용하여 제2 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 방법을 나타내는 개략도이다.

제2 조절 부재(150)를 이용하여 상기 제2 튜브(120)의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 방법은 도 5의 제1 튜브(110)의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 방법과 동일하다.

다만, 상기 제2 튜브(120)는 상기 안테나(130)가 외부로 연장되는 경로를 구비하고 있으므로, 상기 제1 조절 부재(140)와 같은 원통형이 아닌, 상기 안테나가 외부로 연장되는 방향에 개구부를 가진 형상인 것이 바람직하다.

상기 유도 결합형 플라즈마 소스(100)를 이용하여 발생되는 플라즈마의 에너지는 상기 안테나(130)에 인가되는 전력을 통하여 조절가능하며, 상기 다수개의 홀의 크기를 조절하여 외부로 방출되는 플라즈마의 유량, 밀도 및 에너지의 크기를 제어할 수 있다.

그리고, 상기 다수개의 홀의 크기를 조절하는 방법은, 본 발명의 출원 시점에 통상의 기술자가 용이하게 적용할 수 있는 어떤 방법이라도 가능할 것이다.

본 발명에 따른 스퍼터링 장치(200)는 상술한 바와 같이, 타겟 스퍼터링을 위한 플라즈마와 이온 생성을 위한 플라즈마의 발생 영역을 다르게 하고, 다수개의 홀을 통하여 상기 이온을 포함하는 플라즈마의 에너지 및 밀도를 조절함으로써, 종래 기술에 따른 증착 손상을 최소화할 수 있다.

또한, 각각의 플라즈마의 특성을 독립적으로 조절하여 원하는 특성으로 성막할 수 있다.

도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 상기 스퍼터링 장치(200)는 양극 역할을 하는 처리 기판(210)과 타겟(220)이 놓이는 캐소드(230) 사이에서 타겟 스퍼터링을 위한 플라즈마를 발생시키며, 유도 결합형 플라즈마 소스(100)를 이용하여 별도의 플라즈마를 발생시켜 산화물 형성을 위한 산소 이온을 공급한다.

그리고, 도 2에 도시되는 바와 같이, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 전력을 인가하는 제1 전력 공급원(160)과 상기 캐소드에 전력을 인가하는 제2 전력 공급원(240)을 다르게 할 수 있으며, 따라서 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 인가되는 전력의 크기와 상기 캐소드에 인가되는 전력의 크기를 독립적으로 제어할 수 있게 된다.

그러므로, 타겟 스퍼터링을 위한 플라즈마 발생을 위하여 상기 캐소드에 인가되는 전력의 크기를 낮추지 않으면서도 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 인가되는 전력의 크기를 조절함으로써 산소 이온에 의한 증착 손상을 줄일 수 있다.

또한, 상기 캐소드에 인가되는 전력의 크기를 낮추지 않기 때문에 타겟 스퍼터율도 감소하지 않게 된다.

100 : 유도 결합형 플라즈마 소스 200 : 스퍼터링 장치
300 : 반응챔버 110 : 제1 튜브
120 : 제2 튜브 130 : 안테나
140 : 제1 조절 부재 150 : 제2 조절 부재
160 : 제1 전력 공급원 210 : 처리기판
220 : 타겟 230 : 캐소드
240 : 제2 전력 공급원

Claims (8)

1. 삭제
2. 외주면에 다수개의 홀을 가지는 원통형의 제1 튜브;
   외주면에 다수개의 홀을 가지며 상기 제1 튜브의 외주면을 둘러싸는 원통형의 제2 튜브; 및
   상기 제1 튜브에 권취되는 안테나;를 포함하며,
   상기 제1 튜브 내부에서 플라즈마를 발생시키고 상기 제1 튜브 및 제2 튜브의 다수개의 홀을 통하여 외부로 방출시키고,
   상기 제1 튜브와 제2 튜브 중 적어도 어느 하나에는 상기 다수개의 홀의 크기를 조절할 수 있는 조절 부재;가 마련되는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
   
3. 제 2항에 있어서,
   상기 조절 부재는 제1 튜브에 마련되는 제1 조절 부재를 포함하고,
   상기 제1 조절 부재는 상기 제1 튜브의 내경과 같은 크기의 외경을 가지며, 상기 제1 튜브의 다수개의 홀의 위치에 대응하는 위치에 동일한 크기의 다수개의 홀을 갖고 상기 제1 튜브의 내주면에 끼워지며,
   상기 제1 조절 부재의 위치를 조절하여 상기 제1 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
   
4. 제 2항에 있어서,
   상기 조절 부재는 제2 튜브에 마련되는 제2 조절 부재를 포함하고,
   상기 제2 조절 부재는 상기 제2 튜브의 내경과 같은 크기의 외경을 가지며, 상기 제2 튜브의 다수개의 홀의 위치에 대응하는 위치에 동일한 크기의 다수개의 홀을 갖고 상기 제2 튜브의 내주면에 끼워지며,
   상기 제2 조절 부재의 위치를 조절하여 상기 제2 튜브의 다수개의 홀의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
   
5. 제2항에 있어서,
   상기 제1 튜브 및 제2 튜브는 페라이트(ferrite) 또는 쿼츠(quartz)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
   
6. 제2항에 있어서,
   상기 안테나는 상기 제1 튜브의 길이 방향을 따라 소정 간격 이격되어 권취되는 복수 개의 안테나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
   
7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 유도 결합형 플라즈마 소스;
   스퍼터링 타겟이 놓여지는 캐소드; 및
   처리 기판;
   을 포함하며,
   상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 의하여 플라즈마가 발생하는 영역과 상기 캐소드와 처리 기판 사이의 플라즈마가 발생하는 영역으로 구분되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
   
8. 제7항에 있어서,
   상기 스퍼터링 장치는 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 전력을 인가하는 제1 전력 공급원 및 상기 캐소드에 전력을 인가하는 제2 전력 공급원을 더 포함하며,
   상기 제1 및 제2 전력 공급원으로부터 인가되는 전력의 크기를 제어하여 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 의하여 발생되는 플라즈마와 상기 캐소드와 처리 기판 사이에서 발생하는 플라즈마의 에너지를 독립적으로 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
   

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