KR101891730B1 - 반도체 웨이퍼 상의 금속층을 무응력 연마하는 노즐 - Google Patents

반도체 웨이퍼 상의 금속층을 무응력 연마하는 노즐 Download PDF

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Abstract

SFP 공정에서 전해액을 대전하고 배출하는 노즐이 개시된다. 노즐은 쓰루홀을 형성하는 절연된 기초부, 전해액을 대전하기 위하여 전원과 연결되는 음극으로서의 전도체 및 절연된 노즐 헤드를 포함한다. 전도체는 절연된 기초부 상에 위치되는 고정부를 포함한다. 고정부는 돌출하여 쓰루홀 내로 삽입되는 수용부를 형성하고, 수용부는, 수용부와 고정부를 관통하는 수용 홀을 형성한다. 절연된 노즐 헤드는, 전도체 위로 절연된 기초부와 안정적으로 조립된 커버와, 커버를 통해 연장되고 대전된 전해액이 연마를 위해 배출되는 주 유로를 형성하는 튜브를 포함한다. 튜브는 수용홀 내에 삽입되고 전도체의 수용 홀 밖으로 신장된다. 보조 유로는 수용부의 내주면과 튜브의 외주면 사이에 형성된다.

Description

반도체 웨이퍼 상의 금속층을 무응력 연마하는 노즐{NOZZLE FOR STRESS-FREE POLISHING METAL LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFERS}
본 발명은 일반적으로 노즐에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층을 무응력 연마하는 노즐에 관한 것이다.
반도체 소자는 전자 업계에 널리 적용된다. 반도체 소자는 보통 반도체 웨이퍼라 불리는 반도체 재료 상에서 제조되거나 제작된다. 반도체 소자의 전자 회로를 형성하기 위하여, 반도체 웨이퍼는 여러 번의 마스킹, 에칭, 구리 도금 및 연마 공정 등을 받는다.
전통적으로, 연마 공정에서, 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing(CMP))가 반도체 웨이퍼 상의 불필요한 구리층을 제거하기 위하여 사용된다. CMP 장치는 회전 가능한 테이블과, 테이블 상에 배치된 연마 패드와, 연마될 필요가 있는 웨이퍼를 붙잡기 위한 웨이퍼 캐리어 헤드와, 웨이퍼와 연마 패드 사이에 슬러리를 제공하는 슬러리 공급기(feeder)를 포함한다. 아래로 향하는 가압력이 웨이퍼 캐리어 헤드에 작용하여 연마 패드에 대하여 가압하고, 이는 웨이퍼를 연마 패드에 대하여 상대적으로 회전하게 한다. 그 다음 웨이퍼는 연마된다.
그러나, 반도체 장치의 특징부 치수를 계속적으로 줄어들게 하기 위하여, 낮은 K 절연 재료(low K dielectric material) 또는 공극 구조가 반도체 소자에 적용된다. 그럼에도 불구하고, 낮은 K 절연 재료와 공극 구조는 약한 기계적 특성을 가지며, 따라서 CMP 공정에서 웨이퍼 캐리어 헤드에 작용하는 아래로 향하는 가압력은 낮은 K 절연 재료를 손상시키고, 또한 반도체 소자를 손상시킨다.
이 문제를 해결하기 위하여, 무응력 연마(stress-free polishing(SFP)) 기술이 제공되고, 작은 반도체 소자를 제조하는데 적합하다. 이러한 무응력 연마 기술은 기계력 없이 불필요한 구리층을 제거하기 위하여 전기화학 연마 메커니즘에 기초하여, 반도체 웨이퍼 상의 낮은 K 절연 재료의 손상을 방지한다. 반도체 소자의 품질이 개선된다. SFP 장치는 기계적 운동 및 제어 시스템과, 전해질 전달 시스템과, 전기 공급 및 제어 시스템을 포함한다. SFP 공정에서, 화학 액체가 전해액으로서 사용되고, 노즐에 의해 연마될 필요가 있는 구리층의 표면에 배출된다.
그러나, 일반적인 노즐은 심각한 단점을 가진다. 전극으로서도 사용되는 노즐이 웨이퍼 연마하기 위하여 사용될 때, 노즐에서 거품이 쉽게 생성되어 전해액과 함께 웨이퍼 상에 배출되며, 이는 웨이퍼의 표면 상에서 열악한 거칠기와 손상을 야기한다.
도 6을 참조하면, 도 6은 웨이퍼가 노즐을 이용하여 연마된 후의 웨이퍼의 표면의 부분 확대도이다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 2개의 오목한 홀이 웨이퍼 상에 있다. 2개의 오목한 홀은 거품에 의해 생성된다. 도 7을 참조하면, 도 7은 형상 측정법(profilometry)에 의해 측정된 웨이퍼의 표면의 프로파일 도면이다. 도면은 그 상에 더 큰 파고점(wave crest)과 더 큰 터러프(trough)를 보여준다. 더 큰 파고점은 웨이퍼 상에서 거품에 의해 덮이는 영역을 나타낸다. 더 큰 터러프는 오목한 홀의 영역을 나타낸다. 연마 공정 동안, 거품은 전해액이 웨이퍼의 표면과 직접 접촉하는 것을 차단하여, 거품에 의해 덮이는 영역이 연마될 수 없게 만든다. 동시에, 거품에 의해 덮이는 영역에서의 전하는 충분히 소비되고 않고 인접한 영역으로 이동하여, 인접한 영역이 과도하게 연마되게 하여 오목한 홀을 형성한다. 오목한 홀은 반도체 소자의 특성에 악영향을 미친다.
한편, 웨이퍼의 표면 상에서의 전해액 분포 범위 및 형상은 잘 제어될 수 없어, 구리층의 제거 속도와 제거 균일성에 영향을 미치며, 또한, 연마 공정의 상이한 요건을 충족시키지 않는다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 상에서 금속층을 무응력(stress-free) 연마하는데 사용되는 노즐을 제공하는 것이다. 연마 공정에서 전해액을 대전하고 배출하는 노즐은, 절연된 기초부, 전도체 및 절연된 노즐 헤드를 포함한다. 절연된 기초부는, 절연된 기초부를 관통하는 쓰루홀을 형성한다. 전해액을 대전하기 위하여 전원과 연결되는 음극으로서의 전도체는, 절연된 기초부 상에 위치되는 고정부를 포함한다. 고정부는 돌출하여 절연된 기초부의 쓰루홀 내로 삽입되는 수용부를 형성한다. 수용부는, 수용부와 고정부를 관통하는 수용 홀을 형성한다. 절연된 노즐 헤드는, 전도체 위로 절연된 기초부와 안정적으로 조립된 커버와, 커버를 통해 연장되고 대전된 전해액이 연마를 위해 배출되는 주 유로를 형성하는 튜브를 포함한다. 튜브는 수용홀 내에 삽입되고 전도체의 수용 홀 밖으로 신장된다. 보조 유로는 수용부의 내주면과 튜브의 외주면 사이에 형성된다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서, 2개의 유로가 있고, 전해액은 튜브에 의해 2개의 스트림으로 분할될 수 있다. 전해액의 한 스트림은 절연된 노즐 헤드의 주 유로를 통해 운송되어, 금속층과 반응하도록 튜브의 배출 포트를 통해 웨이퍼의 표면 상에서 배출되고, 그 다음 금속층이 기계력 없이 연마되어 제거된다. 전해액의 다른 스트림은 보조 유로를 통해 운송되어 웨이퍼의 표면 상에 배출되지 않고 재활용된다. 튜브가 전도체의 수용 홀 밖으로 신장되기 때문에, 튜브는 생성되어 전극 상에 부착된 거품이 주 유로로 들어가는 것을 방지한다. 따라서, 거품은 보조 유로를 통해 전해질의 다른 스트림과 함께 운송되어, 절연된 노즐 헤드의 커버에 의해 복귀되며, 이는 거품이 웨이퍼의 표면 상에 배출되는 것을 방지한다. 웨이퍼의 연마된 표면 거칠기는 현저하게 개선된다. 한편, 연마 공정의 상이한 요건들을 충족하도록 튜브의 배출 포트가 원형, 삼각형, 정사각형, 육각형 또는 팔각형과 같은 상이한 형상으로 디자인될 수 있기 때문에, 웨이퍼의 표면에서의 전해질 분포 범위 및 형상이 양호하게 제어되고, 이는 반도체 웨이퍼 상에서 금속층의 제거 속도 및 제거 균일성을 개선한다.
본 발명은 다음과 같은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 대한 이어지는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 읽은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다:
도 1은 본 발명에 따른 노즐의 사시도이다;
도 2는 노즐의 분해도이다;
도 3은 노즐의 전면도이다;
도 4는 노즐의 하면도이다;
도 5는 노즐의 단면도이다;
도 6은 웨이퍼가 일반적인 노즐을 이용하여 연마된 후의 웨이퍼의 표면의 부분 확대도이다; 그리고,
도 7은 형상 측정법에 의해 측정된 도 6의 프로파일 도면이다.
도 1을 참조하면, 절연된 실질적으로 버섯 형상의 노즐 헤드(10), 전도체(20) 및 연마 공정 챔버(미도시)의 하부 플레이트 상에 배치되는 절연된 기초부(30)를 포함하는, 본 발명에 따라 반도체 소자의 제조 공정에서 반도체 웨이퍼 상의 금속층을 무응력 연마하기 위하여 사용되는 노즐이 도시된다. 절연된 기초부(30)는 절연된 노즐 헤드(10)와, 절연된 기초부(30) 및 절연된 노즐 헤드(10) 사이에 배치된 전도체(20)를 지지한다. 본 발명을 더 잘 이해하기 위하여, 노즐이 아래에서 상세히 설명될 것이다.
도 1 내지 4를 참조하면, 절연된 노즐 헤드(10)는 PP(Propene Polymer), PE(Polyethylene), PET(Polyethylene Terephthalate)로 이루어진다. 절연된 노즐 헤드(10)는 디스크 형상의 커버(11)와, 커버(11)의 중심 및 노즐의 전체를 통해 수직으로 연장되는 튜브(12)를 갖는다. 상기 튜브(12)의 상부 포트는 전해액이 웨이퍼 상으로 배출되는 배출 포트로서 형성된다. 튜브(12)의 배출 포트는 원형이다. 연마 공정의 상이한 요건에 따라, 배출 포트의 형상은 원형뿐만 아니라, 삼각형, 정사각형, 육각형, 팔각형 등으로 변경되어 설계될 수 있다. 튜브(12)는 이를 관통하는 주 유로(main flow path)(121)를 형성한다. 3개의 제1 나사 구멍(13)이 커버(11) 상에 형성된다.
전도체(20)는 스테인리스 스틸, 알루미늄 합금 등과 같은 양호한 전도성 재료로 이루어지며, 전해액의 부식에 내성을 가질 수 있고, 전해액과 반응하지 않을 수 있다. 전도체(20)는 고정부(21)를 가진다. 고정부(21)의 중심은 아래를 향하여 돌출하여 원통형 수용부(22)를 형성하고, 원통형 수용부(22)는, 원통형 수용부(22)와 대응하는 고정부(21)를 관통하는 수용 홀(221)을 형성한다. 3개의 고정 홀(23)과 2개의 제2 나사 구멍(24)이 고정부(21)에 각각 대칭적으로 형성된다.
절연된 기초부(30)는 베이스부(31)를 가진다. 베이스부(31)의 대향하는 측벽들은 각각 밖을 향해 돌출하여 2개의 위치 설정부(311)를 형성한다. 3개의 제3 나사 구멍(312)이 위치 설정부(311)의 각각에 형성된다. 베이스부(31)의 중심은 위로 향해 돌출하여 원통 형상의 유지부(32)를 형성한다. 3개의 중공의(hollow) 잠금부(321)가 유지부(32)의 상부 표면에 형성된다. 2개의 연결 홀(322)이 유지부(32) 상에 형성되어, 유지부(32)와 베이스부(31)를 대칭적으로 관통한다. 유지부(32)의 중심은, 유지부(32)의 중심과 베이스부(31)를 관통하는 쓰루홀(323)을 형성하고, 3개의 중공의 잠금 부재(321) 및 2개의 연결 홀(322)에 의해 둘러싸인다.
도 1 내지 5를 참조하라. 조립체에서, 전도체(20)의 수용부(22)는 절연된 기초부(30)의 유지부(32)의 쓰루홀(323) 내로 삽입된다. 한편, 고정부(21)는 유지부(32)의 상부 표면에 배치된다. 중공의 잠금 부재(321)는 전도체(20)를 절연된 기초부(30)와 잠그기 위하여 고정 홀(23)을 각각 통과한다. 절연된 노즐 헤드(10)의 튜브(12)가 전도체(20)의 수용 홀(221) 내에 삽입되고, 수용 홀(221) 밖으로 신장한다. 수용부(22)의 내주면과 튜브(12)의 외주면 사이에 보조 유로가 형성된다. 3개의 절연된 나사(60)가 제공되어 절연된 노즐 헤드(10)의 제1 나사 구멍(13) 내로 삽입되고, 절연된 노즐 헤드(10)를 절연된 기초부(30)와 잠그기 위하여 중공의 잠금부(321) 내로 각각 더 삽입된다. 2개의 전도성 스크류(40)가 제공되어 제2 나사 구멍(24) 내로 삽입되고, 절연된 기초부(30)의 연결 홀(322) 내로 더 삽입된다. 2개의 전도성 스프링 핀(70)이 제공되어 연결 홀(322)의 하부로부터 연결 홀(322) 내로 각각 삽입된다. 2개의 플라스틱 보호 슬리브(71)가 제공되어 연결 홀(322)의 내부에 삽입된다. 보호 슬리브(71)는 스프링 핀(70)을 보호하기 위하여 스프링 핀(70)을 둘러싼다. 스프링 핀(70)의 끝단은 전도성 나사(40)의 하부단과 연결되고, 스프링 핀(70)의 하부단이 하부 플레이트 내에 삽입되어 전도체(20)에 전류를 제공하기 위하여 외부 케이블과 연결된다. 2개의 절연된 O 형상의 밀봉 링(50)이 제공되고 절연된 기초부(30) 및 하부 플레이트 사이에서 연결 홀(322) 내부에 배치되어, 전해액이 연결 홀(322) 내로 침투하여 스프링 핀(70)과 전기 케이블을 부식시키는 것을 방지한다. 절연된 기초부(30)는 제3 나사 구멍(312) 내에 삽입되는 6개의 나사에 의해 하부 플레이트에 고정된다. 6개의 나사는 전해액의 부식에 대한 내성을 가질 수 있다.
무응력 연마 공정에서, 반도체 웨이퍼 상에서 연마될 금속층, 바람직하게는 구리층 또는 구리 합금층은 양극 역할을 하며 노즐 위에 배치된다. 노즐의 전도체(20)는 음극 역할을 한다. 전류가 전기 케이블, 스프링 핀(70) 및 전도성 나사(40)를 통해 전도체(20)에 제공된다. 전해액으로서 사용된 화학 액체은 노즐로 공급되어 전도체(20)에 의해 대전된다. 대전된 전해액은 튜브(12)에 의해 2개의 스트림으로 분할된다. 하나의 전해액 스트림은 절연된 노즐 헤드(10)의 주 유로(121)를 통해 운송되고, 튜브(12)의 배출 포트를 통해 웨이퍼의 표면 상에 배출되어 금속층과 반응하고, 그 다음 금속층은 기계력 없이 연마되고 제거된다. 다른 전해액 스트림은 보조 유로를 통해 운송되고, 웨이퍼 표면에 배출되지 않으면서 재활용된다.
일반적으로, 연마 공정에서, 거품은 쉽게 생성되어 전극에 부착된다. 본 발명에서, 튜브(12)는 음극으로 사용되는 전도체(20)의 수용 홀(221) 밖으로 연장하고, 이에 따라 튜브(12)는 거품이 주 유로(121)로 들어가는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 거품은 보조 유로를 통해 다른 전해액 스트림과 함께 운송되고 절연된 노즐 헤드(10)의 커버(11)에 의해 복귀되어, 거품이 웨이퍼의 표면 상으로 배출되는것을 방지한다. 따라서, 웨이퍼의 연마된 표면 거칠기가 현저하게 개선된다. 한편, 연마 공정의 상이한 요건을 충족시키기 위하여 튜브(12)의 배출 포트가 원형, 삼각형, 정사각형, 육각형 또는 팔각형과 같은 상이한 형상으로 설계될 수 있기 때문에, 웨이퍼의 표면에서의 전해액 분포 범위 및 형상이 잘 제어되며, 이는 반도체 웨이퍼 상의 금소층의 제거 속도 및 제거 균일성을 개선한다.
본 발명의 전술한 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제공된다. 개시된 정확한 형태로 본 발명을 제한하거나 소진적인 것으로 의도되지 않고, 명확하게 많은 변경 및 수정이 전술한 내용의 견지에서 가능하다. 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 이러한 변경 및 수정은 첨부된 특허청구범위에 의해 정의된 바와 같은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (12)

  1. 무응력(stress-free) 연마 공정에서 전해액을 대전하고 배출하는 노즐에 있어서,
    관통하는 쓰루홀을 형성하는 절연된 기초부;
    상기 전해액을 대전하기 위하여 전원과 연결되는 음극으로서의 전도체로서, 상기 전도체는 상기 절연된 기초부 상에 위치되는 고정부를 포함하고, 상기 고정부는 돌출하여 상기 절연된 기초부의 쓰루홀 내로 삽입되는 수용부를 형성하고, 상기 수용부는 상기 수용부와 상기 고정부를 관통하는 수용 홀을 형성하는, 상기 전도체;
    상기 전도체 위로 상기 절연된 기초부와 안정적으로 조립된 커버와, 상기 커버를 통해 연장되고 대전된 상기 전해액이 연마를 위해 배출되는 주 유로를 형성하는 튜브를 포함하는 절연된 노즐 헤드
    를 포함하고,
    상기 튜브는 상기 수용홀 내에 삽입되고 상기 전도체의 상기 수용 홀 밖으로 신장되며, 보조 유로가 상기 수용부의 내주면과 상기 튜브의 외주면 사이에 형성되는,
    노즐.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연된 기초부는 관통하는 적어도 하나의 연결 홀을 형성하며, 상기 전도체의 상기 고정부는 적어도 하나의 제2 나사 구멍을 형성하고;
    적어도 하나의 전도성 나사가, 상기 전도체의 상기 제2 나사 구멍 내에 삽입되며, 상기 절연된 기초부의 상기 연결 홀 내에 더 삽입되고,
    적어도 하나의 전도성 스프링 핀이 상기 연결 홀 내로 삽입되고, 상기 스프링 핀의 일단이 상기 전도성 나사와 연결되고, 상기 스프링 핀의 타단이 상기 전해액을 대전하기 위하여 상기 전도체에 전류를 제공하도록 전원에 연결되는,
    노즐.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전해액이 상기 연결 홀 내로 침투하여 상기 스프링 핀 및 상기 전원을 부식시키는 것을 방지하도록, 상기 절연된 기초부의 상기 연결 홀 내부에 배치된 적어도 하나의 절연된 밀봉 링을 더 포함하는,
    노즐.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 절연된 기초부의 상기 연결홀 내부에 삽입되고 상기 스프링 핀을 둘러싸는 적어도 하나의 플라스틱 보호 슬리브를 더 포함하는,
    노즐.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 절연된 기초부는 베이스부를 가지고,
    상기 베이스부의 중심은 돌출하여 유지부를 형성하고,
    상기 쓰루홀과 상기 연결 홀은, 각각 상기 유지부 상에 형성되고, 상기 절연된 기초부의 전체를 관통하는,
    노즐.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 유지부는 상기 쓰루홀 주위의 중공의(hollow) 잠금부를 형성하고,
    상기 전도체의 상기 고정부는, 관통하는 고정 홀을 형성하고,
    상기 중공의 잠금부는, 상기 고정 홀 내에 수용되고, 상기 고정 홀을 관통하는,
    노즐.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 절연된 노즐 헤드의 커버는 상부에 제1 나사 구멍을 형성하고,
    절연된 나사가, 상기 제1 나사 구멍에 삽입되고, 상기 중공의 잠금부 내에 더 삽입되는,
    노즐.
  8. 제1항에 있어서,
    대전된 상기 전해액은 상기 튜브에 의해 2개의 스트림으로 분할되고, 상기 전해액의 한 스트림은 상기 절연된 노즐 헤드의 상기 주 유로를 통해 운송되고 연마를 위해 배출되며,
    상기 전해액의 다른 스트림은 상기 보조 유로를 통해 운송되어 배출되지 않고 재활용되는,
    노즐.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 튜브는 상기 전해액이 웨이퍼 상으로 배출되는 배출 포트로서 상기 튜브의 상부 포트를 형성하며, 상기 배출 포트는, 원형, 삼각형, 정사각형, 육각형 또는 팔각형 중 하나인,
    노즐.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 절연된 노즐 헤드는 PP(Propene Polymer), PE(Polyethylene) 또는 PET(Polyethylene Terephthalate)로 이루어지는,
    노즐.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전도체는 양호한 전도성과 부식 내성을 가지며 상기 전해액과 반응하지 않는 재료로 이루어지는,
    노즐.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 재료는 스테인리스 스틸 또는 알루미늄 합금인,
    노즐.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104637862B (zh) * 2013-11-14 2019-10-18 盛美半导体设备（上海）有限公司 半导体结构形成方法
CN104802097B (zh) * 2015-04-15 2017-02-22 中国石油天然气股份有限公司 一种套管磨料射流切割喷射器
CN106555221B (zh) * 2015-09-25 2023-03-07 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 喷头装置
CN108115471A (zh) * 2017-12-25 2018-06-05 哈工大机器人（合肥）国际创新研究院 一种手持式等离子抛光装置
JP2022542052A (ja) 2019-08-01 2022-09-29 ドライライテ エス．エル． 電気的に活性な固体粒子による金属表面の乾式処理のための方法及び装置
ES2831105B2 (es) 2020-02-04 2021-10-20 Steros Gpa Innovative S L Dispositivo para el electropulido de multiples piezas sin sujecion firme mediante electrolitos solidos
CN111424308B (zh) * 2020-04-21 2020-12-22 山东中庆环保科技有限公司 一种电解液抛光泡沫去除装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248222B1 (en) 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6527920B1 (en) 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
WO2006110864A2 (en) 2005-04-12 2006-10-19 Acm Research, Inc. Method for improving surface roughness during electro-polishing

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2659667A1 (fr) * 1990-03-13 1991-09-20 Inst Prikladnoi Fiziki Akademi Dispositif pour le traitement de la surface interieure d'un article.
US5157876A (en) * 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
JPH06285720A (ja) * 1993-04-02 1994-10-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 電解研磨装置及び該装置に用いる電解研磨ノズル
US6395152B1 (en) * 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
JP2002110592A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP2003255479A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Fuji Photo Film Co Ltd シート取出方法および装置
KR101149346B1 (ko) * 2004-06-28 2012-05-30 램 리써치 코포레이션 스트레스 없는 버프용 방법 및 시스템
US7837850B2 (en) * 2005-09-28 2010-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electroplating systems and methods
KR101105699B1 (ko) * 2010-10-08 2012-01-17 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248222B1 (en) 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6527920B1 (en) 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
WO2006110864A2 (en) 2005-04-12 2006-10-19 Acm Research, Inc. Method for improving surface roughness during electro-polishing

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