KR102423751B1 - 엠보싱 래커 및 엠보싱 방법, 및 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면 - Google Patents

엠보싱 래커 및 엠보싱 방법, 및 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면 Download PDF

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Abstract

본 발명은 적어도 하나의 아크릴레이트 모노머를 함유하는 UV-중합가능한 프리폴리머 조성물을 기반으로 하는 엠보싱 래커에 관한 것으로서, 상기 프리폴리머 조성물은 아크릴레이트 모노머 이외에, 3-메르캅토프로피오네이트, 메르캅토아세테이트, 티오글리콜레이트 및 알킬 티올로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 티올, 및 선택적으로 비-이온성 계면활성제, 예컨대, 폴리에테르-실록산, 지방 알코올, 에톡실레이트, 예컨대, 폴리옥시에틸렌-(9)-라우릴 에테르, 일-작용성 알킬(메트)아크릴레이트, 폴리-실록산 (메트)아크릴레이트, 퍼플루오로알킬(메트)아크릴레이트 및 퍼플루오로폴리에테르(메트)아크릴레이트의 군으로부터 선택되는 표면-활성 접착 방지 첨가제 및 광개시제를 함유한다. 본 발명은 또한, 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면을 엠보싱하는 방법에 관한 것이다.

Description

엠보싱 래커 및 엠보싱 방법, 및 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면 {EMBOSSING LACQUER AND METHOD FOR EMBOSSING, AND SUBSTRATE SURFACE COATED WITH THE EMBOSSING LACQUER}
본 발명은 적어도 하나의 아크릴레이트 모노머를 함유하는 UV-중합가능한 프리폴리머 조성물을 기반으로 하는 엠보싱 래커, 뿐만 아니라 적어도 하나의 아크릴레이트 모노머를 함유하는 UV-중합가능한 프리폴리머 조성물을 기반으로 하는 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면을 엠보싱시키는 방법에 관한 것이다.
최근 수년간 나노기술의 급속한 증가로 인하여 산업 제조에서 나노구조 요소의 생산이 두드러지게 중요해지고 있으며, 이들 나노구조 요소는 전형적으로 광중합가능한 프리폴리머 조성물로부터 제조된다. 추가적인 특정 기능을 구현하기 위해 예를 들어, 특히 데코 분야, 제품 마케팅, 및 다양한 소재 예를 들어, 포일의 표면 마감에서 장식적인 시각 효과를 연출하기 위해 가장 미세한 구조가 점점 더 많이 사용된다. 이러한 목적을 위해, 특수한 프리폴리머 조성물로부터 생산되며 나노기술을 통해 처리되는 구조가 사용된다.
이러한 마이크로 및 나노구조화된 포일의 더욱 더 중요한 목적은 집적 회로, 디스플레이, 마이크로-광학 등과 같은 전자, 광학, 센서리 및 자기(magnetic) 부품에 있는데, 소형 구조의 크기가 이들 요소의 기능에 결정적인 인자이기 때문이며, 따라서, 포일 기판 상에 요소를 제조하기 위해 광범위한 인쇄 전자 분야에 상당한 노력을 기울이고 있다. 따라서, 산업용 포일 제조에 있어서, 마이크로 및 나노구조 기법, 예컨대, 임프린트 기술은 중요한 역할을 담당하며, 이들 구조화된 포일을 제조할 수 있는 더욱 새롭고 개선된 몰딩가능한 포일 또는 조성물이 요구된다.
산업용 포일 마감은 기계적 또는 장식적인 표면 피쳐 (feature)의 강화로부터 포일 물질에서 광학, 센서리 및 전자 기능의 통합에 이르는 매우 넓은 영역을 망라한다. 그러나, 이러한 생산 기법의 이용에 대한 결정적인 기준이자 동시에 제한적인 요소는 제품이 - 한편으로는 제품의 개별 요소의 높은 집적 밀도로 인하여, 뿐만 아니라 사용된 크기의 파장에서 구조의 기능을 보장하고 전체 표면을 확대하기 위해, 종종 더 작은 마이크로미터 또는 나노미터 범위의 치수를 갖는 구조를 갖는다는 점이다. 그라비어 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄 등과 같은 종래의 대량 인쇄 공정은 분당 수백 미터의 매우 높은 처리량을 가능하게 하나; 이들은 일반적으로 필요한 구조적 해상 영역(resolution area)을 제공할 수 없다. 구조가 병렬 공정으로 나노미터 범위의 최소 치수로 제조될 수 있게 하는 현재 공지된 유일한 기술은 소위 나노임프린트 리소그래피(NIL)이며, 이는 매우 정밀한 엠보싱 공정을 제공하며, 이러한 기술을 이용하여 각 기판 상에 심지어 가장 작은 구조를 형성하는 것이 가능하다.
몰딩된 수지로 이루어진 형태는 물론 이를 생산하는 방법은 이미 EP 2 286 980 A1에서 밝혀졌으며, 이를 이용하여 강하고 동시에 미세한 구조가 표면 상에 형성될 수 있다. 형태를 발생시키는데 사용될 수 있는 광경화성 수지 조성물은 중합 표시제 뿐만 아니라 각 광중합가능한 모노머를 함유한다.
현재까지, 나노임프린트 리소그래피 공정은 주로 엠보싱된 홀로그램의 생산에 산업적으로 이용되어 왔다. 따라서, 유사한 공정이 나노임프린트 리소그래피 공정에 이용되며, 여기에서 엠보싱된 구조는 회절 격자로서 작용하는 표면 릴리프(relief)를 형성한다. 이러한 공정을 이용하여, 그 후에 임프린팅된 물체의 무결함 탈형을 달성할 수 있게 하기 위해 엠보싱 래커가 임프린팅 툴에 접착되는 것을 방지하는 것이 중요하다.
2개의 상이한 유형의 임프린팅 도구가 현재 하나의 나노임프린트 방법에 사용되고 있다. 규소, 석영 또는 니켈로 구성된 도구가 현재 이들 임프린팅 도구로서 사용되고 있으며, 여기에서 이들 경질의 임프린팅 도구의 생산은 비교적 복잡하다. 따라서, 경질 엠보싱 스탬프를 폴리머 물질로 구성된 엠보싱 스탬프로 대체하기 위한 노력이 이루어지고 있으며, 여기에서 폴리머 물질은 규소, 석영 또는 니켈보다 잠재적으로 더 낮은 표면 에너지를 지니며, 이는 임프린팅 공정 동안 엠보싱 래커의 접착을 감소시킨다. 그러나, 이들은 종종 단지 서브마이크로미터 범위의 엠보싱 스탬프로서의 제한된 정도로만 사용될 수 있다는 단점을 가지며, 통합된 폴리머 물질은 임프린팅 공정에서 충분히 빠르게 충분히 경화되지 않으며, 따라서 이들의 임프린팅 정확도가 상대적으로 최소여서 임프린팅 공정에서 스탬프의 무결함 자기-복제가 현재 입수가능한 엠보싱 래커로는 가능할 것으로 보이지 않는다. 뿐만 아니라, 임프린팅을 위해서 폴리머 스탬프 물질에서 반응성 C-C 이중 결합의 완전한 전환이 임프린팅 전에 필수적이며, 그렇지 않으면 이들은 활용된 엠보싱 래커에서 C-C 이중 결합과 반응하며, 이는 스탬프와 엠보싱 래커의 부착을 불가피하게 초래한다. 그러나, 특히 나노미터 범위와 같은 작은 구조를 갖는 경우, 스탬프와 엠보싱 래커의 임의의 접착 또는 도구로부터 임프린팅된 구조의 임의의 불완전한 제거는 어떻게서든 회피되어야 하며, 그렇지 않으면 요구되는 구조적 정확도를 갖는 몰딩이 가능하지 않으며, 산업적으로 사용될 수 있게 하기 위해 이러한 형상 정확도를 갖는 요망되는 구조가 제조될 수 없다. 따라서, 기판, 스탬프, 및 엠보싱 래커 사이의 계면 에너지 또는 표면 피쳐가 중요하다. 잔여물-비함유 탈형은 단지, 엠보싱 래커가 나노임프린트 공정 동안 스탬프 표면으로부터 강한 회수 경향을 나타내는 경우에만 가능한 것으로 보인다.
따라서, 본 발명은 나노미터 범위의 구조를 제조할 수 있으며, 불규칙성이 없는 UV-중합가능한 프리폴리머 조성물을 기반으로 하는 가용성 엠보싱 래커를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 이러한 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면을 임프린팅하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이러한 방법을 이용하여 엠보싱 래커의 나노미터 범위로 자기-몰딩가능한 구조를 생산할 수 있으며, 이러한 방법은 높은 몰딩 정확도를 가지며, 연속 나노리소그래피 공정으로 무결함 나노구조를 생산할 수 있게 한다.
이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 엠보싱 래커는, 프리폴리머 조성물이 -아크릴레이트 모노머 이외에 - 3-메르캅토프로피오네이트, 메르캅토아세테이트, 티오글리콜레이트, 및 알킬 티올의 군으로부터 선택된 적어도 하나의 티올, 뿐만 아니라, 가능하게는, 음이온 계면활성제 예컨대, 폴리에테르 실록산, 지방 알코올 에톡실레이트, 예컨대, 폴리옥시에틸렌 (9) 라우릴 에테르, 일작용성 알킬 (메트)아크릴레이트, 폴리실록산 (메트)아크릴레이트, 퍼플루오로알킬 (메트)아크릴레이트, 및 퍼플루오로폴리에테르 (메트)아크릴레이트의 군으로부터 선택된 표면-활성 접착 방지 첨가제, 뿐만 아니라 광개시제를 함유한다는 점에서 주로 구별된다. 본 발명에 따른 프리폴리머 조성물이 - 아크릴레이트 모노머 이외에 - 3-메르캅토프로피오네이트, 메르캅토 아세테이트, 티오글리콜레이트, 및 알킬티올의 군으로부터 선택된 적어도 하나의 티올을 함유한다는 점으로 인해, O2의 제외 결핍의 경우 중합 동안 발생하는 퍼옥시 라디칼 수소 원자가 티올 기로부터 추출되면서 티오닐 라디칼을 형성할 것이며, 결과적으로 이는 탄소-탄소 이중 결합에 부가되어 중첨가 반응을 개시하며, 이를 통해 사슬 종결이 방지되고 반응 속도가 현저하게 증가되며 특히 UV-중합이 신속하게 계속되며, 이는 전체적으로 중합 속도의 증가로 이어진다. 티올의 첨가는 라디칼 중합을 이용한 증가된 사슬 전달을 유발하거나 병행되는 중첨가 반응을 가능하게 하며, 이를 통해 수개의 반응 중심의 동시 성장을 촉발시키는 것이 가능하며, 이는 결국 더 적은 분자량 또는 폴리머 사슬 길이로 이어지며, 따라서 이의 형성된 폴리머의 향상된 용해도로 이어진다.
특히, 액체 상태의 UV-중합가능한 프리폴리머 조성물에서 중합 동안 이미 불가피하게 발생하는 수축은 티올의 사용을 통해 발생하며, 이를 통해 임프린팅 공정 - 특히, UV-임프린팅 공정-에서의 몰드 정확도는 통상적인 물질과 비교하여 상당히 개선되며, 특히 임프린팅 정확도에 영향을 미치는 수축은 통상적인 UV-임프린팅 폴리머와 비교하여 현저하게 최소화된다. 표면-활성 접착 방지 첨가제를 사용하는 경우, 엠보싱 래커와 심(shim) 또는 스탬프 사이의 접착 에너지 즉, 접착성은 후속 사용 동안 상당히 감소되며, 이는 두 물질 서로 간의 잔여물-비함유 분리 또는 잔여물-비함유 방출을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 엠보싱 래커는 특히 저점도를 가지며, 이는 나노구조의 몰딩 및 임프린팅 도구의 캐비티의 신속한 충전을 가능하게 한다. 엠보싱 래커의 표면 에너지 및/또는 계면 에너지는 표면-활성 첨가제의 첨가를 통해 조절가능하며, 따라서 엠보싱 래커의 습식 거동 또한 조절가능하다.
그렇게 함에 있어서, 본 발명에 따른 엠보싱 래커는 제 2 단계에서 증기-증착된 층의 직접적인 리프트-오프 구조화를 가능하게 하는데, 왜냐하면 엠보싱 래커가 완전히 제거될 수 있어 기판 포일 상의 희생 엠보싱 래커 구조 사이에 잔여 엠보싱 래커 층이 남아있지 않게 되기 때문이다. 따라서, 예를 들어, 시간-소모적 O2 반응성-이온 에칭을 통한 잔여 엠보싱 래커의 제거는 본 엠보싱 래커를 사용할 경우, 수행되지 않아도 된다.
본 발명의 설계에 상응하는 바와 같이 - 엠보싱 래커가 아크릴로일모르폴린 (ACMO) 또는 이소보르닐 아크릴레이트 (IBOA)의 군으로부터의 아크릴레이트 모노머가 선택되는 방식으로 설계된다는 점으로 인해, 극히 소량의 이동가능한 반응성 모노머가 아크릴레이트 모노머로서 사용되며, 이를 통해 중합 속도가 전반적으로 매우 증가될 수 있으며, 특히 엠보싱 래커의 신속한 경화 및 따라서, 높은 몰드 정확도가 보장될 수 있다.
UV 임프린팅/응고 동안 엠보싱 래커를 형성하는 조성물의 중합 정도를 가능한 낮게 유지하고, 따라서 용해도 또는 용해 속도를 최대화시키기 위해, 본 발명에 따른 엠보싱 래커는 티올이 0.5 내지 20 중량%의 양으로 프리폴리머 조성물에 함유되도록 설계된다. 이러한 설계를 이용하여, 중합 동한 발생하는 임프린트 정확도에 영향을 주는 수축을 가능한 최소로 유지하는 것이 가능하다.
특히 엠보싱 래커의 접착을 가능한 최소로 유지하기 위해 또는 표면 예를 들어, 니켈 심 표면 상에 접착을 형성하는 프리폴리머 조성물의 UV 중합 동안 또는 그 후에 접착을 완전히 방지하기 위해, 본 발명은 표면-활성 접착제가 음이온성 계면활성제 예컨대, 폴리에테르 실록산, 지방 알코올 에톡실레이트, 예컨대, 폴리옥시 에틸렌 (9) 라우릴 에테르, 일작용성 폴리디메틸 실록산 (메트)아크릴레이트, 퍼플루오로-n-알킬 (메트) 아크릴레이트 또는 퍼플루오로폴리에테르(메트) 아크릴레이트의 군으로부터 선택된 실리콘 또는 플루오라이드를 함유하는 첨가제이며, 특히 0.1 내지 3 중량%의 양으로 함유되도록 설계된다. 실리콘 또는 플루오라이드를 함유하는 첨가제는 접착의 감소에 기여하고 프리폴리머 조성물로부터 형성된 엠보싱 래커를 임프린팅 도구로부터 제거하기 용이하게 하는데 기여하며, 여기에서 특히 퍼플루오르화된 첨가제는 특히 유익하고 신뢰할만한 수개의 몰딩 설계를 가능하게 하는 것으로 입증되었다.
본 발명의 설계에 상응하는 바와 같이 - 엠보싱 래커를 형성하는 프리폴리머 조성물에 함유된 광개시제가 티옥산톤, 케토설폰, (알킬)벤조일 페닐 포스핀 옥사이드, 1-하이드록시 알킬 페닐 케톤 또는 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온의 군으로부터 선택된다는 점으로 인해, 중합을 효과적으로 개시하는 것이 가능하다.
본 발명의 설계에 상응하는 바와 같이 - 광개시제가 0.1 내지 10 중량%, 특히 0.5 내지 5 중량%의 양으로 함유된다는 점으로 인해, 엠보싱 래커를 형성하는 조성물의 중합 속도는 타겟 방식으로 조절될 수 있다. 일반적으로, 광개시제의 농도가 높을수록, 사용된 희석 층에서 중합 속도가 더 빨라지는 것으로 언급될 수 있으며, 따라서, 특히 0.5 내지 5 중량% 양의 광개시제는 본 발명에 따른 용도와 관련하여 중합에 유익한 것으로 입증되었다.
특히 높은 중합 속도는 물론 낮은 중합 정도를 지닌 엠보싱 래커를 설계하기 위해, 본 발명은 티올이 하기 군의 모노 또는 디티올로부터 선택됨을 단서로 한다: 옥탄티올, 1,8-옥탄디티올, 데칸티올, 1,10-데칸디티올, 도데칸티올, 1,12-도데칸디티올, 2-에틸헥실 메르캅토아세테이트, 2-에틸헥실-3-메르캅토프로피오네이트, 2-에틸헥실 티오글리콜레이트, 글리콜 디(3-메르캅토프로피오네이트), 글리콜 디(메르캅토아세테이트), 글리세릴 디메르캅토아세테이트 또는 글리세릴 디(3-메르캅토프로피오네이트).
엠보싱 래커의 잔여물-비함유 임프린팅을 보장하기 위해, 본 발명은 프리폴리머 조성물이 10 내지100mPas의 점도를 가짐을 단서로 한다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면을 임프린팅하는 방법에 관한 것이며, 여기에서 - 본 발명의 경우 - 본 발명에 따른 방법이 본 발명에 따른 결과를 변화시키지 않으면서 많은 방법으로 수행될 수 있음이 입증된다. 본 방법의 목표는 나노구조화된 표면 또는 구조를 형성하거나 생산하고 통상적인 몰딩 공정 또는 임프린트 공정을 이용하여 이들 구조를 수차례 몰딩하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 방법은
a) 캐리어 상으로의 엠보싱 래커 층의 도포 단계,
b) 엠보싱 래커의 UV 구조화 단계,
c) 금속, 반도체, 및/또는 유전체 층으로부터 선택되는 구조화될 적어도 하나의 추가 층의 가능한 도포 단계,
d) 단계 b)에서 구조화 후 남아있는 엠보싱 래커의, 1 내지 6 범위의 pH 값을 갖는 희석된 산, 8 내지 13 범위의 pH 값을 갖는 희석된 잿물(lye) 또는 물 함유 계면활성제 또는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 메틸 에틸 케톤 (MEK) 또는 아세톤으로부터 선택된 가능한 첨가제로의 제거 단계에 의해 주로 구별된다.
처음 두 단계가 본 발명에 따른 방법에 의해 수행된다는 점으로 인해, 희생 층으로서 나노구조화된 엠보싱 래커 층을 생산하는 것이 가능하며, 이는 또 다른 층으로 코팅되거나 금속화될 수 있으며 후속하여 엠보싱 래커의 남아있는 구조가 물 또는 유기 용매 예컨대, PGMEA로 제거될 수 있다. 이러한 방법을 이용하여, ACMO를 기반으로 하는 엠보싱 래커가 물, 희석된 산 또는 잿물 또는 특정 용매에 가용성이어서 독성 또는 고도로 부식성의 화학물질의 적용을 어떤 경우에도 피할 수 있고 나노구조는 이러한 방법으로 여전히 광범위하게 형성될 수 있음이 바람직하다.
엠보싱 래커의 표면의 정밀하고 재현가능한 구조화 또는 심지어 이의 금속화된 표면의 정확한 구조화를 달성하기 위해, 본 발명에 따른 방법은 엠보싱 래커의 UV 구조화가 UV 나노임프린트 리소그래피 방법으로 수행되는 방식으로 대부분 수행된다.
본 발명의 설계에 상응하는 바와 같이 - 금속 예컨대, 니켈, 알루미늄, 크로뮴 또는 티타늄, 컨쥬게이팅된 유기 반도체, 예컨대, 펜타젠, C60, 티오펜, DNTT; P3HT, 프탈로시아닌, 수소 브릿지-결합된 유기 반도체 예컨대, 인디고 및 인디고 유도체, 뿐만 아니라 퀸아크리돈 및 안트라퀴논, 무기 반도체 예컨대, ZnO, SnO, InGaZnO, 또는 폴리노르보르넨, 오르모서(ormocer), 셀룰로스, PVCi, BCB, PMMA, 셀락, 폴리이미드, Cytop, PVDF, PVDF-TrEF, 폴리스티렌, Al2O3, ZrO2, SiO2, SiON, Si3N4, 뿐만 아니라, 이들의 조합물로부터 선택된 유전체로 구성되는 구조화될 추가적인 층을 도포하고자 한다는 점으로 인해, 이러한 층을 사용하여 무결함 제거가 달성될 수 있다.
특히 긍정적인 결과는 방법이 구조화될 추가적인 금속, 반도체 및/또는 유전체 층이 5nm 내지 500nm의 두께 층으로 도포되는 방식으로 수행된다는 점에 의해 달성될 수 있으며, 구조화될 층의 두께는 구조화된 층의 1/3 미만이어야 한다.
에칭 단계를 통한 NIL 임프린팅 공정 후 일반적으로 요구되는 남아있는 잔여 엠보싱 래커 층의 제거는, 기술된 UV 임프린팅 공정의 잔여물이 없기 때문에 더 이상 쓸모가 없다.
본 발명의 설계에 상응하는 바와 같이- 구조화 후 남아있는 엠보싱 래커가 분무에 의해 또는 용매 조(bath)에서의 침지에 의해 가능하게는, 브러쉬 또는 초음파와 같은 추가적인 기계적 수단을 이용하여 제거된다는 점으로 인해, 수행하기 단순한 친환경적인 공정을 제공하는 것이 가능하며, 이를 이용하여 임의의 남아 있는 엠보싱 래커가 어떠한 잔여물 없이 제거될 수 있다. 이러한 방법으로 그리고, 상기 언급된 엠보싱 래커를 사용하여, 임의의 산소 반응성-이온 에칭 (RIE 공정)을 피하는 것이 가능하다.
본 발명은 실시예 뿐만 아니라 도면에 묘사된 설계 예를 기반으로 하기에서 추가로 상세히 설명될 것이다. 하기 도면이 제시되며, 여기에서:
도 1은 UV 엠보싱 래커 탈수에 의한 잔여물-비함유 임프린팅의 도면이며,
도 2는 PET 포일의 잔여물-비함유 UV-NIL 임프린팅의 주사 전자 도면이며,
도 3은 희생 층으로서 본 발명에 따른 리프트-오프-가능 엠보싱 래커를 기반으로 하는 리프트-오프 원리의 도면이며,
도 4는 본 발명에 따른 엠보싱 래커로 생성된 선형 또는 그리드 구조의 4개의 주사 전자 현미경 이미지이다.
도 1은 기판 (1)이 표면-활성 물질을 또한 함유하는, 아크릴레이트를 기반으로 하는 UV 엠보싱 래커 (2)로 코팅됨을 보여준다. 엠보싱 스탬프 (3)가 접근할 때, 붕괴 계수 즉, 기판 (1)과 엠보싱 래커 (2) 사이 및 엠보싱 래커 (2)와 스탬프 (3) 사이의 계면 에너지 미만의 기판 (1)과 스탬프 (3) 사이의 계면 에너지는 엠보싱 래커 (2)의 습윤 특성으로 인해 네거티브가 되며, 이를 통해 엠보싱 래커 (2)는 도 1b에 묘사된 바와 같이 스탬프 표면과 기판 (1) 사이에 수축되며, 도 1b는 엠보싱 스탬프 (3) 제거 후 경화된 UV 엠보싱 래커를 보여주며, 이의 엠보싱 래커 (2)는 스탬프 (3)에 상응하는 갭 (4)을 갖는다.
이러한 잔여물-비함유 UV NIL 임프린팅으로 인해, 도 2에 도시된 바와 같이 기판 (1) 상에서 임의의 잔여 엠보싱 래커 층을 제거하기 위한 나노임플란트리소그래피 공정에 일반적으로 요구되는 산소 반응성-이온 에칭 단계 (RIE)가 불필요하다. 도 2는 잔존하는 엠보싱 래커 (2)가 기판 포일 (1) 상에 존재하지 않음을 분명히 보여주며, 기판 포일 (1)은 엠보싱 래커 (2)로 코팅되며, 여기에서 엠보싱 스탬프 (3)는 기판 상의 UV 엠보싱 래커를 탈수시키기는 작용을 한다.
리프트-오프 공정의 일련의 공정 단계는 도 3에 개략적으로 도시되어 있다.
도 3a에서, 희생 층 예를 들어, 포토 엠보싱 래커 (2)가 기판 (1) 상에 도포된다. 도 3b에서, 희생 층 (2)이 구조화됨이 분명하며; 즉, 이 경우 네거티브의 측벽 각을 갖는다.
도 3c에서, 노출된 기판 (1) 뿐만 아니라, 남아있는 희생 층 (2)의 전체 표면이 타겟 물질 예를 들어, 알루미늄 (5)으로 커버링된다.
습식 화학 공정, 이 경우 물에서 희생 층 또는 엠보싱 래커 (2)의 용해는 도 3d에 개략적으로 도시된다. 희생 층 (2)은 물 (6) 중에 용해되며, 이전 단계에서 희생 층 (2)이 그 위에 잔존하게 되는 기판 (1)의 모든 영역이 희생 층 (2)에 의해 노출되며, 희생 층 (2) 위에 위치한 타겟 물질 (5)은 희생 층 (2)과 함께 용해되거나 제거되어 분리된 타겟 물질 (5)을 갖는 기판 (1)이 남게된다. 기판 (1)이 건조된 후, 기판 (1) 상의 구조화된 타겟 물질 (5)은 도 3e에 도시된 바와 같이 추가 사용을 위한 준비가 되어 있다.
구조화된 타겟 물질 (5)의 이미지가 도 4에 도시되며, 여기에서 이는 주사 전자 현미경 이미지를 포함하며, 이를 위해 알루미늄이 구조화된 타겟 물질로 사용되었다. 남아있는 선폭은 400nm이다. 주사 전자 현미경의 사진으로부터, 본 발명에 따른 엠보싱 래커 또는 임프린팅 방법을 이용하여 라인 패턴의 날카로운 구조가 달성될 수 있으며 엠보싱 래커 층의 잔여물이 구조의 표면 상에 남아 있지 않음이 명백하다.
실시예 1:
본 발명에 따른 엠보싱 래커의 생성
84% 아크릴로일모르폴린 (ACMO), 10% 2-에틸헥실 티오글리콜레이트, 광개시제로서 5% 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온, 뿐만 아니라 1% 폴리실록산 계면활성제를 그라비어 프린팅에 의해 50 μm 두께 PET 포일에 도포하였으며, 여기에서 그라비어 프린팅 롤러의 픽업 부피는 1.6ml/m2이며, 이는 대략 0.8 μm의 습윤 층 두께에 상응하며, 10m/min의 속도로 5 μm 구조 폭 및 1 μm 구조 높이를 갖는 임프린팅 구조를 돌출시키면서 니켈 임프린팅 도구로 임프린팅하였다. 카운터 롤러 상의 공압은 4 bar이다. UV 중합은 100W/cm로 중압 수은-증기 램프로 조사함으로써 발생시켰다.
실시예 2
본 발명에 따른 엠보싱 래커의 생성
84% IOBA, 10% 2-글리콜 디(3-메르캅토프로피오네이트), 광개시제로서 5% 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온, 뿐만 아니라 1% 1H,1H,2H,2H-퍼플루오르옥틸아크릴레이트를 그라비어 프린팅에 의해 50 μm 두께 PET 포일에 도포하였으며, 여기에서 그라비어 프린팅 롤러의 셀 부피는 1.6ml/m2이며, 이는 대략 0.8 μm의 습윤 층 두께에 상응하며, 10m/min의 속도로 5 μm 구조 폭 및 1 μm 구조 높이를 갖는 임프린팅 구조를 돌출시키면서 니켈 임프린팅 도구로 임프린팅하였다. 카운터 롤러 상의 공압은 4 bar이다. UV 중합은 100W/cm로 중압 수은-증기 램프로 조사함으로써 발생시켰다.
실시예 3
본 발명에 따른 엠보싱 래커의 생성
84% 아크릴로일모르폴린 (ACMO), 10% 도데칸티올, 광개시제로서 5% 에틸(2,4-트리메틸벤조일)페닐포스피네이트, 뿐만 아니라 1% 1H,1H,2H,2H-퍼플루오르옥틸아크릴레이트를 그라비어 프린팅에 의해 50 μm 두께 PET 포일에 도포하였으며, 여기에서 그라비어 프린팅 롤러의 셀 부피는 1.6ml/m2이며, 이는 대략 0.8 μm의 습윤 층 두께에 상응하며, 10m/min의 속도로 5 μm 구조 폭 및 1 μm 구조 높이를 갖는 임프린팅 구조를 돌출시키면서 니켈 임프린팅 도구로 임프린팅하였다. 카운터 롤러 상의 공압은 4.2 bar이다. UV 중합은 100W/cm로 중압 수은-증기 램프로 조사함으로써 발생하였다.
실시예 4
본 발명에 따른 엠보싱 래커의 생성
84% IBOA, 10% 2-에틸헥실 티오글리콜레이트, 광개시제로서 5% 에틸(2,4 트리메틸벤조일)페닐포스피네이트, 뿐만 아니라 1% 실록산-기반 게미니(Gemini) 계면활성제를 그라비어 프린팅에 의해 50 μm 두께 PET 포일에 도포하였으며, 여기에서 그라비어 프린팅 롤러의 셀 부피는 1.6ml/m2이며, 이는 대략 0.8 μm의 습윤 층 두께에 상응하며, 10m/min의 속도로 5 μm 구조 폭 및 1 μm 구조 높이를 갖는 임프린팅 구조를 돌출시키면서 니켈 임프린팅 도구로 임프린팅하였다. 카운터 롤러 상의 공압은 3.8 bar이다. UV 가교는 100W/cm로 중압 수은-증기 램프로 조사함으로써 발생하였다.
실시예 5
실시예 1에 따라 제조된 구조를 30nm 니켈의 증기-증착을 통해 금속화시키고, 금속화 후, 엠보싱 래커 구조를, 금속화된 포일을 수조 내로 도입하고 40℃의 온도로 가열시키고 추가적인 조치 예컨대, 초음파, 분무, 브러슁 등을 사용함으로써 제거하였다. 이러한 처리를 이용하여, 수용성인 엠보싱 래커를 용해시키고, 엠보싱 래커 위에 위치한 금속 층을 엠보싱 래커와 동시에 제거하였으며, 이전 임프린팅 단계에서 노출된 포일 영역 바로 위에 위치하는 금속 층 영역은 포일 상에 남아있게 되었다. 따라서, 리프트-오프 공정 후 임프린팅된 엠보싱 래커 구조 중 단지 네거티브의 금속 구조만 남는다.
실시예 6
실시예 3에 따라 제조된 구조를 30nm 알루미늄의 증기-증착을 통해 금속화시키고, 금속화 후, 과량의 엠보싱 래커 구조를 수조에서 초음파를 가함으로써 제거하였다. 이러한 처리를 이용하여, 수용성 엠보싱 래커를 용해시키고, 엠보싱 래커 위에 위치한 금속 층을 엠보싱 래커와 동시에 제거하여, 임프린팅된 프로파일 중의 네거티브의 프로파일만이 리프트-오프 공정 후 남게 하였으며, 이는 오로지 금속 구조로만 구성된다.
실시예 7
이러한 방식으로 제조된 구조를 30nm 크로뮴의 증기-증착을 통해 금속화시키고, 금속화 후, 과량의 엠보싱 래커 구조를, 금속화된 구조를 수조 내로 도입하고 60℃의 온도로 가열시키고, 분무 및 가압하고, 초음파 적용을 통해 그리고, 추가적인 조치, 진동, 브러슁 등을 이용하여 제거하였다. 이러한 처리를 이용하여, 수용성인 엠보싱 래커를 용해시키고, 엠보싱 래커 위에 위치한 금속 층을 엠보싱 래커와 동시에 제거하여, 임프린팅된 프로파일 중의 네거티브의 프로파일만이 리프트-오프 공정 후 남게 하였으며, 이는 오로지 금속 구조로만 구성된다.
실시예 8
실시예 2에 따라 제조된 구조를 30nm 알루미늄 증기-증착을 통해 금속화시키고, 금속화 후, 과량의 엠보싱 래커 구조를, 금속화된 구조를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA)에 도입하고, 50℃의 온도로 가열하고, 추가적인 조치, 진동, 브러슁 등을 사용하여 제거하였다. 이러한 처리를 이용하여, 용매 중에 가용성인 엠보싱 래커를 용해시키고, 엠보싱 래커 위에 위치한 금속 층을 엠보싱 래커와 동시에 제거하여, 임프린팅된 프로파일 중의 네거티브의 프로파일만이 리프트-오프 공정 후 남게 하였으며, 이는 오로지 금속 구조로만 구성된다.
실시예 9
실시예 4에 따라 제조된 구조를 30nm P3HT의 증기-증착을 통해 코팅시키고, 코팅 후, 과량의 엠보싱 래커 구조를, 코팅된 구조를 수조 내로 도입하고 50℃의 온도로 가열하거나 물을 분무하고 압력을 통해 제거하였다. 이러한 처리를 이용하여, 엠보싱 래커를 용해시키고, 엠보싱 래커 위에 위치한 반도체 층을 엠보싱 래커와 동시에 제거하여, 임프린팅된 프로파일 중의 네거티브의 프로파일만이 리프트-오프 공정 후 남게 하였으며, 이는 오로지 유기 반도체 구조로만 구성된다.
실시예 10
실시예 4에 따라 제조된 구조를 30nm ZnO의 증기-증착을 통해 코팅시키고, 코팅 후, 과량의 엠보싱 래커 구조를, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA)에 코팅된 구조를 도입하고, 50℃의 온도로 가열하거나 용매를 분무하고 압력을 통해 제거하였다. 이러한 처리를 이용하여, 엠보싱 래커를 용해시키고, 엠보싱 래커 위에 위치한 반도체 층을 엠보싱 래커와 동시에 제거하여, 임프린팅된 프로파일 중의 네거티브의 프로파일만이 리프트-오프 공정 후 남게 하였으며, 이는 오로지 무기 반도체 구조로만 구성된다.

Claims (14)

  1. 적어도 하나의 아크릴레이트 모노머를 함유하는 UV-중합가능한 프리폴리머(prepolymer) 조성물을 기반으로 하는 엠보싱 래커(embossing lacquer)로서, 프리폴리머 조성물이 -아크릴레이트 모노머 이외에- 3-메르캅토프로피오네이트, 메르캅토아세테이트, 티오글리콜레이트 및 알킬 티올로부터 선택되는 모노티올, 뿐만 아니라 음이온 계면활성제, 지방 알코올 에톡실레이트, 일-작용성 알킬 (메트) 아크릴레이트, 폴리실록산 (메트) 아크릴레이트, 퍼플루오로알킬 (메트) 아크릴레이트, 및 퍼플루오로폴리에테르 (메트) 아크릴레이트의 군으로부터 선택되는 표면-활성 접착 방지 첨가제, 뿐만 아니라 광개시제를 함유하는, 엠보싱 래커.
  2. 제 1항에 있어서, 아크릴레이트 모노머가 아크릴로일모르폴린(ACMO) 또는 이소보르닐 아크릴레이트(IBOA)로부터 선택되는 엠보싱 래커.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 모노티올이 0.5 내지 20 중량%의 양으로 프리폴리머 조성물에 함유되는 엠보싱 래커.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 표면-활성 접착 방지 첨가제가 음이온 계면활성제, 지방 알코올 에톡실레이트, 일-작용성 폴리디메틸실록산 (메트) 아크릴레이트, 퍼플루오로-n-알킬 (메트) 아크릴레이트 또는 퍼플루오로폴리에테르 (메트) 아크릴레이트의 군으로부터 선택되는 실리콘 또는 플루오라이드를 함유하는 첨가제인 엠보싱 래커.
  5. 제 4항에 있어서, 표면-활성 접착 방지 첨가제가 0.1 중량% 내지 3 중량%의 양으로 함유되는 엠보싱 래커.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 광개시제가 티옥산톤, 케토설폰, (알킬) 벤조일 페닐 포스핀 옥사이드, 1-하이드록시 알킬 페닐 케톤 또는 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온의 군으로부터 선택되는 엠보싱 래커.
  7. 제 6항에 있어서, 광개시제가 0.1 내지 10 중량%의 양으로 함유되는 엠보싱 래커.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 모노티올이 옥탄티올, 1,8-옥탄디티올, 데칸티올, 1,10-데칸디티올, 도데칸티올, 1,12-도데칸디티올, 2-에틸헥실메르캅토아세테이트, 2-에틸-헥실-3-메르캅토프로피오네이트, 및 2-에틸헥실티오글리콜레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 엠보싱 래커.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 프리폴리머 조성물의 점도가 10 내지 100mPas인 엠보싱 래커.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 따른 엠보싱 래커로 코팅된 기판 표면을 임프린팅하는 방법으로서,
    a) 캐리어 상으로의 엠보싱 래커 층의 도포 단계,
    b) 엠보싱 래커의 UV 구조화 단계,
    c) 금속, 반도체, 및/또는 유전체 층으로부터 선택되는 구조화될 적어도 하나의 추가 층의 가능한 도포 단계,
    d) 구조화 후 남아있는 엠보싱 래커의, 1 내지 6 범위의 pH 값을 갖는 희석된 산, 8 내지 13 범위의 pH 값을 갖는 희석된 잿물(lye) 또는 계면활성제를 함유하는 물 또는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 메틸 에틸 케톤(MEK) 또는 아세톤으로부터 선택된 가능한 첨가제로의 제거 단계에 의해 구별되는 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 엠보싱 래커의 UV 구조화가 UV 나노임프린트 리소그래피 방법으로 수행되는 방법.
  12. 제 10항에 있어서, 구조화될 추가적인 금속, 반도체, 및/또는 유전체 층이 5nm 내지 500nm의 층 두께로 도포되는 방법.
  13. 제 10항에 있어서, 금속, 컨쥬게이팅된 유기 반도체; P3HT, 프탈로시아닌, 수소 브릿지-결합된 유기 반도체, 뿐만 아니라 퀴나크리돈 및 안트라퀴논, 무기 반도체, 또는 폴리노르보르넨, 오르모서(ormocer), 셀룰로스, PVCi, BCB, PMMA, 셀락, 폴리이미드, Cytop, PVDF, PVDF-TrFE, 폴리스티렌, Al2O3, ZrO2, SiO2, SiON, Si3N4, 뿐만 아니라 이들의 조합물로부터 선택되는 유전체로 구성된 구조화될 추가적인 층이 선택되는 방법.
  14. 제 10항에 있어서, 구조화 후 남아있는 엠보싱 래커의 제거가 용매 조에서의 침지를 통해 또는 분무에 의해 가능하게는, 추가적인 기계적 수단을 사용하여 수행되는 방법.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI799550B (zh) * 2018-03-27 2023-04-21 日商富士軟片股份有限公司 壓印用硬化性組成物、脫模劑、硬化物、圖案形成方法和微影方法
EP3547026B1 (en) * 2018-03-28 2023-11-29 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Method for producing a metal stamp for embossing a nano- and/or microstructure on a metal device as well as uses thereof and devices made therewith
BR112020025078A2 (pt) * 2018-07-12 2021-03-23 Dow Global Technologies Llc dispersão aquosa, processo de preparação de uma dispersão aquosa, e, composição de revestimento aquosa
AT521567A2 (de) * 2018-07-20 2020-02-15 Hueck Folien Gmbh Sicherheitselement mit Manipulationsnachweis
DE102018005872A1 (de) * 2018-07-25 2020-01-30 Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh Verwendung einer durch Strahlung härtbaren Lackzusammensetzung, Verfahren zur Herstellung von mikrooptischen Strukturen, mikrooptische Struktur und Datenträger
DE102019107090A1 (de) * 2019-03-20 2020-09-24 Joanneum Research Forschungsgesellschaft Mbh Mikrostruktur mit thermoplastischer Prägelackschicht und Herstellungsverfahren
EP3839625A1 (fr) 2019-12-18 2021-06-23 Nivarox-FAR S.A. Procede de fabrication d'un composant horloger et composant obtenu selon ce procede
CN113156765B (zh) * 2020-01-07 2022-09-27 北京化工大学 一种紫外纳米压印用光刻胶组合物及其制备与应用
AT523393B1 (de) * 2020-04-06 2021-08-15 Hueck Folien Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Sicherheitselements mit einer farbigen Mikrostruktur
EP3923072A1 (en) * 2020-06-08 2021-12-15 Joanneum Research Forschungsgesellschaft mbH A method of preparing an embossed structure, embossed structure and use thereof
CN111847989A (zh) * 2020-07-16 2020-10-30 广东福莱特建筑材料有限公司 一种多复合改性疏水真石漆及其制备方法
DE102021001582A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh Optisch variables Sicherheitselement, Herstellungsverfahren und Prägeanordnung
DE102021001588A1 (de) * 2021-03-25 2022-09-29 Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh Herstellungsverfahren für ein optisch variables Sicherheitselement
DE102021001589A1 (de) * 2021-03-25 2022-09-29 Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh Herstellungsverfahren für ein optisch variables Sicherheitselement
DE102021004984A1 (de) 2021-10-05 2023-04-06 Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh Pigment und Herstellung desselben
DE102022002099A1 (de) 2022-06-10 2023-12-21 Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh Verfahren zur Herstellung optisch variabler Elemente sowie optisch variable Elemente zur Herstellung einer Druckfarbe und/oder eines Sicherheitsmerkmals
CN120939766B (zh) * 2025-10-15 2025-12-23 山东津潍海润特种分离设备有限公司 一种用于食用油精制的中空纤维净化膜的制备方法及应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005103979A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Dainippon Printing Co Ltd ハードコート層の滑り性を改善した積層体
JP2012507883A (ja) 2008-11-05 2012-03-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィーにおける離型剤分離制御
JP2014074082A (ja) * 2012-10-02 2014-04-24 Three Bond Co Ltd 光硬化性樹脂組成物
JP2014192178A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Fujifilm Corp インプリント用下層膜形成組成物およびパターン形成方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2834768A1 (de) * 1977-08-23 1979-03-08 Grace W R & Co Verfahren zur herstellung einer druckplatte und sie enthaltende haertbare polymerzusammensetzung
CA1172112A (en) * 1980-12-12 1984-08-07 Richard P. Plunkett Process for making conductive coatings
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US20060216524A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 3M Innovative Properties Company Perfluoropolyether urethane additives having (meth)acryl groups and hard coats
US7939176B2 (en) * 2005-12-23 2011-05-10 Xerox Corporation Coated substrates and method of coating
KR101463849B1 (ko) * 2006-09-27 2014-12-04 후지필름 가부시키가이샤 광 나노임프린트 리소그래피용 경화성 조성물 및 그것을사용한 패턴 형성 방법
US20080176049A1 (en) 2007-01-24 2008-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. PHOTO-CURABLE COMPOSITION HAVING INHERENTLY EXCELLENT RELEASING PROPERtY AND PATTERN TRANSFER PROPERTY, METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN USING THE COMPOSITION AND LIGHT RECORDING MEDIUM HAVING POLYMER PATTERN LAYER PRODUCED USING THE COMPOSITION
DE102007007914A1 (de) 2007-02-14 2008-08-21 Giesecke & Devrient Gmbh Prägelack für mikrooptische Sicherheitselemente
JP5243887B2 (ja) * 2008-02-12 2013-07-24 富士フイルム株式会社 ナノインプリント用硬化性組成物およびパターン形成方法
WO2009148138A1 (ja) * 2008-06-05 2009-12-10 旭硝子株式会社 ナノインプリント用モールド、その製造方法および表面に微細凹凸構造を有する樹脂成形体ならびにワイヤグリッド型偏光子の製造方法
DE102008027952A1 (de) * 2008-06-12 2009-12-17 Giesecke & Devrient Gmbh Sicherheitselement mit gerasterter Schicht aus Rasterelementen
KR20110120918A (ko) 2009-01-29 2011-11-04 쇼와 덴코 가부시키가이샤 전사 재료용 경화성 조성물 및 (메트)아크릴로일기 함유 우레아 화합물
WO2010131652A1 (ja) * 2009-05-12 2010-11-18 ダイキン工業株式会社 転写シートおよびその製造方法
DK2856258T3 (da) * 2012-05-25 2021-04-06 Micro Resist Tech Gesellschaft Fuer Chemische Materialien Spezieller Photoresistsysteme Mbh Fremgangsmåde til fremstilling af en nanostruktureret artikel under anvendelse af nanotrykningslitografi, nanostruktureret artikel og anvendelse deraf
JP2015071741A (ja) * 2013-09-04 2015-04-16 Jsr株式会社 硬化性組成物、ナノインプリント材料、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、パターン形成方法及び半導体発光素子用基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005103979A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Dainippon Printing Co Ltd ハードコート層の滑り性を改善した積層体
JP2012507883A (ja) 2008-11-05 2012-03-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィーにおける離型剤分離制御
JP2014074082A (ja) * 2012-10-02 2014-04-24 Three Bond Co Ltd 光硬化性樹脂組成物
JP2014192178A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Fujifilm Corp インプリント用下層膜形成組成物およびパターン形成方法

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