KR102668024B1 - 향상된 수명, 패시베이션 및/또는 효율을 갖는 태양 전지 - Google Patents

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Abstract

태양 전지를 제조하는 방법은 규소 기판 상에 유전체 영역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 또한 유전체 영역 위에 이미터 영역을 형성하는 단계 및 규소 기판의 표면 상에 도펀트 영역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 방법은 이미터 영역으로 불순물을 게터링(gettering)하고 도펀트 영역으로부터 규소 기판의 일부분으로 도펀트를 유도하기 위해 섭씨 900도 초과의 온도에서 규소 기판을 가열하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

향상된 수명, 패시베이션 및/또는 효율을 갖는 태양 전지
통상 태양 전지로서 알려진 광기전 전지(photovoltaic(PV) cell)는 전기 에너지로의 태양 방사선의 변환을 위한 장치이다. 일반적으로, 태양 전지의 기판의 표면 상에 충돌하고 기판 내로 진입하는 태양 방사선은 기판의 대부분에서 전자 및 정공 쌍을 생성한다. 전자 및 정공 쌍은 기판 내의 p-도핑된(doped) 영역 및 n-도핑된 영역으로 이동함으로써, 도핑된 영역들 사이에 전압차를 생성한다. 도핑된 영역들은 태양 전지 상의 전도성 영역들에 연결되어, 전지로부터 외부 회로로 전류를 보낸다. PV 전지들이 PV 모듈과 같은 어레이 내에 조합될 때, 모든 PV 전지들로부터 수집된 전기 에너지는 소정의 전압 및 전류를 갖는 전력을 공급하도록 직렬 및 병렬 배열로 조합될 수 있다.
효율은, 태양 전지의 발전 능력에 직접 관련되기 때문에, 태양 전지의 중요한 특성이다. 따라서, 태양 전지의 제조 공정을 개선하고, 생산 비용을 절감하며, 효율을 높이기 위한 기술들이 일반적으로 바람직하다.
도 1은 일부 실시예들에 따른, 태양 전지의 제조를 위한 예시적인 방법의 흐름도 표현을 예시한다.
도 2 내지 도 4는 일부 실시예들에 따른, 도 1의 제조 공정 동안의 예시적인 태양 전지의 단면도들을 예시한다.
도 5는 일부 실시예들에 따른 예시적인 태양 전지의 단면도를 예시한다.
도 6은 일부 실시예들에 따른 다른 예시적인 태양 전지의 단면도를 예시한다.
도 7은 일부 실시예들에 따른 또 다른 예시적인 태양 전지의 단면도를 예시한다.
도 8은 일부 실시예들에 따른 예시적인 표면 패시베이션 측정치들의 그래프를 예시한다.
도 9는 일부 실시예들에 따른 예시적인 1/수명 측정치들의 그래프를 예시한다.
도 10은 일부 실시예들에 따른 예시적인 효율 측정치들의 그래프를 예시한다.
하기의 상세한 설명은 사실상 단지 예시적인 것이며, 본 출원의 요지의 실시예들 또는 그러한 실시예들의 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 단어 "예시적인"은 "예, 사례, 또는 실례로서 역할하는" 것을 의미한다. 본 명세서에 예시적인 것으로 기술된 임의의 구현예는 다른 구현예들에 비해 바람직하거나 유리한 것으로 반드시 해석되는 것은 아니다. 또한, 전술한 기술분야, 배경기술, 발명의 내용, 또는 하기의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에서 제시되는 임의의 명시적 또는 묵시적 이론에 의해 구애되도록 의도되지 않는다.
본 명세서는 "하나의 실시예" 또는 "일 실시예"에 대한 언급을 포함한다. 어구 "하나의 실시예에서" 또는 "일 실시예에서"의 출현은 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 특정 특징, 구조, 또는 특성이 본 개시내용과 일관되는 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.
용어. 하기 단락들은(첨부된 청구범위를 포함한) 본 개시내용에서 보여지는 용어들에 대한 정의 및/또는 맥락을 제공한다:
"포함하는". 이 용어는 개방형(open-ended)이다. 첨부된 청구범위에서 사용되는 바와 같이, 이 용어는 추가적인 구조물 또는 단계를 배제하지 않는다.
"~하도록 구성된". 다양한 유닛들 또는 구성요소들이 작업 또는 작업들을 수행"하도록 구성된" 것으로 기술되거나 청구될 수 있다. 그러한 맥락에서, "~하도록 구성된"은 유닛들/구성요소들이 동작 동안에 이들 작업 또는 작업들을 수행하는 구조물을 포함한다는 것을 나타냄으로써 구조물을 함축하는 데 사용된다. 이와 같이, 유닛/구성요소는 명시된 유닛/구성요소가 현재 동작 중이지 않을 때에도(예를 들어, 온(on)/활성(active) 상태가 아닐 때에도) 작업을 수행하도록 구성된 것으로 언급될 수 있다. 유닛/회로/구성요소가 하나 이상의 작업을 수행"하도록 구성된" 것임을 언급하는 것은, 그 유닛/구성요소에 대해 35 U.S.C ㄷ112의 6번째 단락을 적용하지 않고자 명백히 의도하는 것이다.
"제1", "제2" 등. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 이들 용어는 이들 용어가 선행하는 명사에 대한 라벨로서 사용되며, 임의의 유형의 순서화(예컨대, 공간적, 시간적, 논리적 등)를 암시하지 않는다. 예를 들어, "제1" 이미터 영역에 대한 언급은 반드시 이 이미터 영역이 순서에 있어서 첫 번째 이미터 영역임을 암시하지는 않으며; 대신에 용어 "제1"은 이 이미터 영역을 다른 이미터 영역(예컨대, "제2" 이미터 영역)으로부터 구별하기 위해 사용된다. 일 실시예에서, 이미터 영역은 양 및 음 전하 캐리어들을 수집하기 위한 태양 전지의 도핑된 영역일 수 있다. 일 예에서, 이미터 영역은 도핑된 폴리실리콘 영역일 수 있다. 하나의 예에서, 이미터 영역은 P형 도핑된 폴리실리콘 영역 또는 N형 도핑된 폴리실리콘 영역일 수 있다.
"~에 기초하여". 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 이러한 용어는 결정에 영향을 미치는 하나 이상의 인자를 기술하는 데 사용된다. 이 용어는 결정에 영향을 미칠 수 있는 추가의 인자들을 배제하지 않는다. 즉, 결정은 이들 인자에만 기초할 수 있거나, 이들 인자에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 문구 "B에 기초하여 A를 결정한다"를 고려해 보자. B가 A의 결정에 영향을 미치는 인자일 수 있지만, 그러한 문구는 A의 결정이 또한 C에 기초하는 것을 배제하지 않는다. 다른 경우에서, A는 오직 B에 기초하여 결정될 수 있다.
"결합된" - 하기의 설명은 함께 "결합되는" 요소들 또는 노드들 또는 특징부들을 언급한다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 명시적으로 달리 언급되지 않는 한, "결합된"은 하나의 요소/노드/특징부가, 반드시 기계적으로는 아니게, 다른 요소/노드/특징부에 직접적으로 또는 간접적으로 결합됨(또는 그것과 직접적으로 또는 간접적으로 연통됨)을 의미한다.
또한, 소정 용어가 또한 단지 참조의 목적으로 하기 설명에 사용될 수 있으며, 이에 따라 제한적인 것으로 의도되지 않는다. 예를 들어, "상부", "하부", "위", 및 "아래"와 같은 용어는 참조되는 도면에서의 방향을 지칭한다. "전면", "배면", "후방", "측방", "외측", 및 "내측"과 같은 용어는 논의 중인 구성요소를 기술하는 본문 및 관련 도면을 참조함으로써 명확해지는 일관된, 그러나 임의적인 좌표계 내에서 구성요소의 부분들의 배향 및/또는 위치를 기술한다. 그러한 용어는 위에서 구체적으로 언급된 단어, 이의 파생어, 및 유사한 의미의 단어를 포함할 수 있다.
하기 설명에서, 본 개시내용의 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해, 특정 작업들과 같은 다수의 특정 상세 사항이 기재된다. 본 개시내용의 실시예들이 이들 특정 상세 사항 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 사례에서, 잘 알려진 기술들은 본 개시내용의 실시예들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않는다.
본 명세서는 먼저 태양 전지 수명, 패시베이션 및/또는 효율을 향상시키는 태양 전지 제조 기술을 기술하고, 이어서 개시된 기술에 따라 제조된 예시적인 태양 전지를 기술한다. 다양한 실시예들이 전반에 걸쳐 제공되며, 개시된 기술로부터의 예시적인 결과가 이어진다.
이제 도 1을 참조하면, 일부 실시예들에 따른 태양 전지를 제조하기 위한 방법이 도시된다. 다양한 실시예들에서, 도 1의 방법은 예시된 것보다 추가적인(또는 더 적은) 블록들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 블록(102)에서 형성된 규소 영역은, 단계(102) 이후에 그리고 블록(106)의 가열 단계 이전에 가열되어 폴리실리콘 영역을 형성할 수 있다.
100에서, 유전체가 태양 전지의 규소 기판 상에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 규소 기판은 유전체 영역의 형성에 앞서, 세정, 폴리싱, 평탄화, 및/또는 박화되거나 달리 처리될 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판은 단결정 또는 다결정 규소 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판은 N형 규소 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 유전체는 터널 산화물일 수 있다. 하나의 실시예에서, 유전체는 이산화규소일 수 있다. 일 실시예에서, 유전체 영역은 열 공정을 통해 성장 및/또는 형성될 수 있다.
102에서, 이미터 영역은 유전체 영역 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 이미터 영역은 비정질 규소 영역일 수 있다. 일부 실시예들에서, 비정질 규소 영역은 유전체 영역 위로 성장될 수 있다. 일 실시예에서, 이미터 영역은 폴리실리콘일 수 있다. 일 실시예에서, 이미터 영역은 열 공정를 통해 성장 및/또는 형성될 수 있다. 일 예에서, 비정질 규소 영역이 유전체 영역 위에 형성되고 가열되어 폴리실리콘 영역을 형성할 수 있다.
이미터 도펀트 영역이 침착 공정을 통해 이미터 영역 위에 침착될 수 있다. 이미터 도펀트 영역은 붕소와 같은 양 타입의(positive-type) 도핑 재료 또는 인과 같은 음 타입의(negative-type) 도핑 재료와 같은 도펀트를 포함할 수 있다.
유전체 영역 및/또는 이미터 영역이 각각 열 공정에 의해 성장되는 것으로 또는 통상의 침착 공정을 통해 침착되는 것으로 기술되어 있지만, 본 명세서에 기술되거나 인용된 임의의 다른 형성, 침착, 또는 성장 공정 단계의 경우에서와 같이, 각각의 층 또는 물질은 임의의 적절한 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 형성이 기술되는 경우에, 화학 증착(chemical vapor deposition, CVD) 공정, 저압 CVD(low-pressure CVD, LPCVD), 대기압 CVD(atmospheric pressure CVD, APCVD), 플라즈마-강화 CVD(plasma-enhanced CVD, PECVD), 열 성장, 스퍼터링뿐만 아니라 임의의 다른 원하는 기술이 사용될 수 있다. 이에 따라 그리고 유사하게, 이미터 도펀트 영역은 잉크젯 인쇄 또는 스크린 인쇄와 같은 침착 기술, 주입 공정, 스퍼터, 또는 인쇄 공정에 의해 기판 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 이미터 도펀트 영역으로부터 이미터 영역으로 도펀트를 유도하기 위해 가열 공정이 수행될 수 있다. 하나의 예에서, 가열 공정은 이미터 도펀트 영역으로부터 폴리실리콘 영역으로 도펀트를 유도하여 도핑된 폴리실리콘 영역을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 도핑된 폴리실리콘 영역은 붕소와 같은 P형 도펀트 또는 인과 같은 N형 도펀트로 도핑될 수 있다. 하나의 예에서, 도핑된 폴리실리콘 영역들은 교번하는 P형 및 N형 영역들 내에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이미터 도펀트 영역으로부터 이미터 영역으로 도펀트를 유도하기 위해 가열하는 것은 섭씨 900도 미만의 온도에서 수행될 수 있다.
104에서, 도펀트 영역은 규소 기판의 표면 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 도펀트 영역은 열 공정를 통해 성장 및/또는 형성될 수 있다. 하나의 예에서, 도펀트 영역은 표면 위에, 예를 들어 태양 전지의 전면 상에 형성될 수 있고, 후속적으로 가열 공정이 규소 기판의 일부분으로 도펀트를 유도하기 위해 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판의 일부분은 블록(106)에서 논의된 바와 같이 가열 공정 후에 대략 2×1018 cm-3 이하의 도펀트 농도를 가질 수 있다.
하나의 실시예에서, 도펀트 영역은 N형 도펀트, 예를 들어 인일 수 있다. 일 실시예에서, 도펀트 영역이 형성되는 규소 기판의 표면은 태양 전지의 전면, 배면, 또는 전면과 배면 둘 다일 수 있다. 도 2는 전술한 유전체 영역, 이미터 영역 및 도펀트 영역을 갖는 예시적인 태양 전지를 도시한다.
도펀트 영역이 각각 열 공정에 의해 성장되는 것으로 또는 통상의 침착 공정을 통해 침착되는 것으로 기술되어 있지만, 본 명세서에 기술되거나 인용된 임의의 다른 형성, 침착, 또는 성장 공정 단계의 경우에서와 같이, 각각의 층 또는 물질은 임의의 적절한 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 형성이 기술되는 경우에, 화학 증착(CVD) 공정, 저압 CVD(LPCVD), 대기압 CVD(APCVD), 플라즈마-강화 CVD(PECVD), 열 성장, 스퍼터링뿐만 아니라 임의의 다른 원하는 기술이 사용될 수 있다.
도 2는 일부 실시예들에 따른, 유전체 영역, 이미터 영역, 및 도펀트 영역을 형성한 후의 예시적인 태양 전지를 예시한다. 일 실시예에서, 유전체 영역(210)이 태양 전지(200)의 규소 기판(202) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 유전체 영역(210)은 터널 산화물일 수 있다. 하나의 예에서, 유전체 영역(210)은 이산화규소일 수 있다. 일 실시예에서, 이미터 영역(212)은 유전체 영역(210) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에서 그리고 전술한 바와 같이, 이미터 영역(212)은 비정질 규소 또는 폴리실리콘일 수 있다. 일 실시예에서, 이미터 영역(212)은 도핑된 폴리실리콘일 수 있다. 일 예에서, 도핑된 폴리실리콘은 N형 도핑된 또는 P형 도핑된 폴리실리콘일 수 있다.
일 예에서, 도펀트 영역(216)이 규소 기판(202)의 표면(204) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 도펀트 영역(216)은 (예를 들어, 아래의 블록(106)에서) 전하 캐리어들을 밀어내고 태양 전지(200)의 표면(204)에서 재결합을 방지 및/또는 감소시키기 위해 표면(204)을 도핑하도록 형성될 수 있다. 일 예에서, 표면(204)은 태양 전지의 전면 및/또는 배면 상에 있을 수 있다. 하나의 예에서, 도펀트 영역(216)은 인과 같은 N형 도펀트 영역일 수 있다. 일 실시예에서, 도펀트 영역(216)은 양 타입 또는 음 타입의 도펀트(222)를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 규소 기판(202)은 오염물질 및/또는 불순물(220), 예를 들어 다른 것들 중에서도 철, 니켈 및/또는 크롬과 같은, 금속 오염물질 및/또는 금속 불순물을 가질 수 있다. 금속 불순물은, 이러한 불순물이 재결합의 소스가 되어 불량한 수명, 표면 패시베이션 및/또는 더 낮은 태양 전지 효율을 초래할 수 있으므로, 태양 전지의 전기 전도에 해로울 수 있다. 일 실시예에서, 불순물(220)은 규소 기판(202)의 표면(204) 또는 그 근처에 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 불순물(220)은 도시된 바와 같이 규소 기판(202) 내에 위치될 수 있다. 전반에 걸쳐 언급된 바와 같이, 오염물질 및/또는 불순물은 상호교환가능하게 사용될 수 있다.
이미터 영역들(212), 예를 들어 폴리실리콘 영역들은, 전술한 금속 불순물(220)에 대한 양호한 싱크(sink) 및/또는 트랩(trap)일 수 있다. 게터링(gettering) 공정은, 이미터 영역들(212)에서 금속 불순물(220)을 트랩하는 데 사용되어 규소 기판(202) 내에서의 재조합을 감소시키고 전체 태양 전지 수명을 향상시킬 수 있다. 도 2의 유전체 영역(210)과 같은 산화물들 및/또는 터널 산화물들은, 금속 불순물(220)을 이미터 영역들(212)로 게터링하는 것에 대한 장벽이 될 수 있다. 하나의 예에서, 섭씨 900도 이하의 온도에서 가열하는 것은 금속 불순물을 터널 산화물을 통해 그리고 폴리실리콘 영역 내로 확산시키기에 불충분할 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 섭씨 900도 초과의 온도에서 가열하는 것은 하기의 도 1의 106에서 상세히 논의되는 바와 같이, 금속 불순물(220)을 유전체 영역(210), 예를 들어 터널 산화물을 통해, 이미터 영역(212), 예를 들어 폴리실리콘 영역들로 게터링하는 것을 포함할 수 있다.
106에서, 태양 전지는 섭씨 900도 초과의 온도에서 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 가열하는 것은 도펀트 영역으로부터 규소 기판의 일부분으로 도펀트를 유도할 수 있다. 하나의 실시예에서, 가열하는 것은 규소 기판 상에서 어닐링 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 일 예에서, 가열하는 것은 도 3에 도시된 바와 같이, 표면 위에 위치된 규소 기판의 일부분으로 도펀트를 유도할 수 있다. 일부 실시예들에서, 표면은 태양 전지의 전면, 배면 또는 전면과 배면 둘 다 상에 있을 수 있다. 일 실시예에서, 가열하는 것은 기판으로부터 이미터 영역으로, 오염물질, 예를 들어 금속 불순물 및/또는 금속 오염물질을 게터링하는 것을 포함할 수 있다. 일 예에서, 금속 불순물 및/또는 금속 오염물질은 다른 것들 중에서도 철, 니켈 및/또는 크롬일 수 있다.
하나의 예에서, 가열하는 것은 열적 도구, 예를 들어 다른 것들 중에서도 열적 노(thermal furnace) 또는 오븐 내에 태양 전지를 배치하고, 열적 도구의 온도를 섭씨 975도 이상으로 올리는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 가열하는 것은 태양 전지 제조 공정에서의 마지막 가열 단계일 수 있다. 하나의 실시예에서, 가열하는 것은 제조 공정에서의 유일한 가열 단계일 수 있다. 일부 실시예들에서, 블록(106)의 가열 공정 전에 적어도 하나의 다른 가열 단계가 수행될 수 있다. 하나의 예에서, 블록(106)의 가열 공정 이외에, 다른 가열 공정은 태양 전지를 섭씨 900도 미만의 온도로 가열하는 것을 포함할 수 있다. 일 예에서, 섭씨 900도 미만의 가열 공정은 106에서의 가열 공정 전에 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 106에서 수행되는 가열하는 것은 태양 전지 제조 공정에서 수행되는 다른 가열 단계들 중에서 가장 높은 온도에서 수행될 수 있다. 도 3은 전술한 가열 공정을 예시한다.
도 3은 일부 실시예들에 따른, 도 2의 태양 전지를 가열하는 것을 예시한다. 일 실시예에서, 가열하는 것(230)은 태양 전지(200)를 섭씨 900도 초과로 가열하는 것을 포함할 수 있다. 일 예에서, 가열하는 것은 열적 도구, 예를 들어 다른 것들 중에서도 열적 노 또는 오븐 내로 태양 전지(200)를 배치하고, 열적 도구 내의 온도를 섭씨 975도 이상으로 올리는 것을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 가열하는 것(230)은 도펀트 영역(216)으로부터 규소 기판(202)의 일부분(206)으로 도펀트(222)를 유도할(234) 수 있다. 일 예에서, 규소 기판(202)의 일부분(206)의 도펀트 농도는 가열 후에 대략 2×1018 cm-3 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(202)의 일부분(206)은 도시된 바와 같이 규소 기판(202)의 표면(204) 위에 있을 수 있다. 일 실시예에서, 가열하는 것(230)은 규소 기판(202)의 표면(204)으로부터 또는 그 인근에서 그리고/또는 규소 기판(202) 내부로부터 이미터 영역(212)으로, 오염물질(220)을 게터링할(232) 수 있다. 일 실시예에서, 가열하는 것(230)은 유전체 영역(210)을 통해 이미터 영역(212)으로 오염물질(220)을 게터링(232)할 수 있다.
108에서, 금속 접점이 규소 기판 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 접점은 이미터 영역 상에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속 접점은 금속화 공정에 의해 형성될 수 있다. 하나의 예에서, 금속화 공정은 금속 접점을 이미터 영역에 도금 및/또는 전기도금하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속 접점은 인쇄 및/또는 포일 기반 금속화 기술에 의해 형성될 수 있다. 도 4는 금속 접점을 형성한 후의 예시적인 규소 기판을 예시한다. 또한 도 4는 예를 들어, 태양 전지의 전면 또는 배면 상에 있을 수 있는 단일 금속 접점을 예시한다. 일 실시예에서, 다수의 금속 접점들이 존재할 수 있다. 일 예에서, 양 및 음의 금속 접점들이 서로 맞물린 패턴으로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 일부 실시예들에 따른, 금속 접점을 형성한 후의 도 3의 태양 전지가 도시된다. 일 실시예에서, 금속 접점(242)은 이미터 영역(212) 상에, 예를 들어 규소 기판(202) 위에 형성될 수 있다. 일 예에서, 금속 접점(242)은 다른 것들 중에서도 전기도금 공정, 인쇄 공정 또는 포일 기반 금속화 공정에 의해 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 접점(242)은 양 또는 음의 금속 접점일 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 예를 들어 태양 전지의 전면 또는 배면 상에 있을 수 있는 단일 금속 접점이 예시된다. 일 예에서, 다수의 금속 접점들, 예를 들어 일부는 양의 것이고 다른 것들은 음의 것인 금속 접점들이 존재할 수 있다. 하나의 실시예에서, 규소 기판(202)은, 도 3의 가열하는 것(230) 후에 남아있는 일부 불순물(221)을 가질 수 있다.
도 5는 일부 실시예들에 따른, 도 1 내지 도 4의 방법으로 형성된 태양 전지의 일부분의 단면을 예시한다. 태양 전지(300)는 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면(301) 및 전면(301)의 반대편인 배면(303)을 가질 수 있다. 태양 전지(300)는 규소 기판(302)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(302)은 N형 규소 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(302)의 일부분(306)은 대략 2×1018 cm-3 이하의 도핑 농도(322)를 가질 수 있다.
태양 전지(300)는 규소 기판(302) 위에 형성된 유전체 영역(310)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 유전체(310)는 터널 산화물일 수 있다. 일부 실시예들에서, 유전체 영역(310)은 이산화규소일 수 있다. 일 실시예에서, 태양 전지(300)는 제1 및 제2 이미터 영역들(312, 314)을 가질 수 있다. 일 예에서, 제1 및 제2 이미터 영역들(312, 314)은 각각 P형 및 N형 도핑된 폴리실리콘 영역들일 수 있다. 일 예에서, 불순물 및/또는 오염물질(320), 예를 들어, 금속 불순물(320) 및/또는 금속 오염물질은, 도시된 바와 같이 제1 및 제2 이미터 영역들(312, 314) 내에 위치될 수 있다. 하나의 실시예에서, 규소 기판(302)은, 게터링 공정 후에 남아있는 일부 불순물(321)을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 태양 전지(300)는 제1 및 제2 이미터 영역들(312, 314) 상에 각각 형성된 제1 및 제2 금속 접점들(342, 344)을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 이미터 영역들(312, 314)을 분리할 수 있는 트렌치 영역(305)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 태양 전지(300)는 전면(301) 상에 텍스처화된 표면(304)을 가질 수 있다. 일 예에서, 텍스처화된 표면(304)은 추가적인 광 흡수를 제공할 수 있는 표면일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(302)의 일부분(306)은 도시된 바와 같이 텍스처화된 표면(304) 위에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 트렌치 영역(305)은 또한 태양 전지(300)의 배면(303)으로부터의 추가적인 광 흡수를 위해, 텍스처화된 표면(304)과 유사하게 텍스처화될 수 있다. 일부 실시예들에서, 반사 방지 영역(ARC)(318)이 태양 전지(300)의 텍스처화된 표면(304) 위에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 반사 방지 영역(318)은 질화규소일 수 있다.
일 실시예에서, 태양 전지(300)는 예를 들어 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 배면 접점 태양 전지일 수 있다.
도 6을 참조하면, 일부 실시예들에 따른, 도 1 내지 도 4의 방법으로 형성된 전면 접점 태양 전지가 도시되어 있다. 태양 전지(400)는 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면(401) 및 전면(401)의 반대편인 배면(403)을 가질 수 있다. 태양 전지(400)는 규소 기판(402)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(402)은 N형 규소 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(402)의 일부분(406)은 대략 2×1018 cm-3 이하의 도핑 농도(422)를 가질 수 있다.
태양 전지(400)는 규소 기판(402) 위에 형성된 유전체(410)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 유전체(410)는 터널 산화물일 수 있다. 일부 실시예들에서, 유전체(410)는 이산화규소일 수 있다. 일 실시예에서, 태양 전지(400)는 제1 및 제2 이미터 영역들(412, 414)을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 이미터 영역(412)은 태양 전지(400)의 배면(403) 상에 형성될 수 있고 제2 이미터 영역(414)은 태양 전지(400)의 전면(401) 상에 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 및 제2 이미터 영역들(412, 414)은 P형 및/또는 N형 도핑된 폴리실리콘 영역들일 수 있다.
일 실시예에서, 태양 전지(400)는 제1 및 제2 이미터 영역들(412, 414) 상에 각각 형성된 제1 및 제2 금속 접점들(442, 444)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 태양 전지(400)는 전면(401) 상에 텍스처화된 표면(404)을 가질 수 있다. 일 예에서, 텍스처화된 표면(404)은 추가적인 광 흡수를 제공할 수 있는 표면일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(402)의 일부분(406)은 도시된 바와 같이 텍스처화된 표면(404) 위에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 반사 방지 영역(ARC)(418)이 태양 전지(400)의 텍스처화된 표면(404) 위에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 반사 방지 영역(418)은 질화규소일 수 있다.
일 예에서, 불순물 및/또는 오염물질(420), 예를 들어, 금속 불순물 및/또는 오염물질이, 제1 및 제2 이미터 영역들(412, 414) 내에 위치될 수 있다. 하나의 실시예에서, 규소 기판(402)은, 게터링 공정 후에 남아있는 일부 불순물(421)을 가질 수 있다.
도 7은 일부 실시예들에 따른, 도 1 내지 도 4의 방법으로 형성된 또 다른 태양 전지를 예시한다. 태양 전지(500)는 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면(501) 및 전면(501)의 반대편인 배면(503)을 가질 수 있다. 태양 전지(500)는 규소 기판(502)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(502)은 N형 규소 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(502)의 일부분(506)은 대략 2×1018 cm-3 이하의 도핑 농도(522)를 가질 수 있다.
태양 전지(500)는 규소 기판(502) 위에 형성된 유전체 영역(510)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 유전체(510)는 터널 산화물일 수 있다. 일 실시예에서, 유전체 영역(510)은 이산화규소일 수 있다. 일 실시예에서, 태양 전지(500)는 제1 및 제2 이미터 영역들(512, 514)을 가질 수 있다. 일 예에서, 제1 및 제2 이미터 영역들(512, 514)은 각각 P형 및/또는 N형 도핑된 폴리실리콘 영역들일 수 있다. 하나의 실시예에서, 제2 이미터 영역(514)은 도시된 바와 같이 제1 이미터 영역(512) 위에 적어도 부분적으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 유전체 영역(513)은 예를 들어, 제1 이미터 영역(512)을 제2 이미터 영역(514)으로부터 절연시키기 위해, 제1 이미터 영역(512) 위에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 유전체 영역(513)은 또한 이산화규소일 수 있다. 일 실시예에서, 개구(515)는 제2 이미터 영역(514)을 제1 금속 접점(542)으로부터 격리시킬 수 있다.
일부 실시예들에서, 유전체 영역(510) 및 제2 규소 영역(514)은 태양 전지(500)의 배면(501) 위에 형성될 수 있다.
일 예에서, 불순물 및/또는 오염물질(520), 예를 들어, 금속 불순물 및/또는 오염물질이, 도시된 바와 같이 제2 이미터 영역(512) 내에 위치될 수 있다. 일 예에서, 금속 불순물(520)은 다른 것들 중에서도 철, 니켈 및/또는 크롬일 수 있다. 하나의 실시예에서, 규소 기판(502)은, 가열 공정 후에 남아있는 일부 불순물(521)을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 태양 전지(500)는 제1 및 제2 이미터 영역들(512, 514) 상에 각각 형성된 제1 및 제2 금속 접점들(542, 544)을 가질 수 있다. 하나의 실시예에서, 태양 전지(500)는 도시된 바와 같이 전면(501) 상의 텍스처화된 표면(504) 및/또는 배면(503) 상의 텍스처화된 표면(550)을 가질 수 있다. 일 예에서, 텍스처화된 표면들(504, 550)은 추가적인 광 흡수를 제공할 수 있는 표면들일 수 있다. 일 실시예에서, 규소 기판(502)의 일부분(506)은 도시된 바와 같이 텍스처화된 표면(504) 위에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 반사 방지 영역(518)이 태양 전지(500)의 텍스처화된 표면(504) 위에 형성될 수 있다.
[표 1]
이제 표 1을 참조하면, 태양 전지를 제조하는 예시적인 공정들에 대한, 온도 및 표면 도펀트 농도 및 출력 결과들, 예컨대 게터링 위치, 표면 패시베이션, 수명 및 효율을 열거하는 표가 도시되어 있다.
도 1 내지 도 4의 방법은 표 1의 예시적인 공정 C에서 예시되며, 여기서, 규소 기판의 표면 또는 표면 근처의 일부분이 대략 2×1018 cm-3 이하에서 도핑되었고 예시적인 공정 C의 태양 전지는 섭씨 900도 초과의 온도로 가열되었다. 예시적인 공정 C의 결과들은 규소 기판의 폴리실리콘 영역 내의 게터링, 대략 5 fA/㎠에서의 향상된 표면 패시베이션, 향상된 수명, 예를 들어 전형적으로 대략 약 10 μsec, 및 예를 들어, 기준 효율로서 참조된 다른 태양 전지들과 비교할 때 0.5% 초과의 효율 증가이다.
대조적으로, 예시적인 공정 A를 참조하면, 규소 기판의 표면 또는 표면 근처의 일부분은 대략 2×1018 cm-3 이하에서 도핑되었고, 예시적인 공정 A의 태양 전지는 섭씨 900도 미만의 온도로 가열되어, 태양 전지의 비-폴리실리콘 영역 내의 게터링, 대략 2 fA/㎠에서의 양호한 표면 패시베이션, 불량한 수명, 예를 들어 전형적으로 대략 3 μsec, 및 기준으로부터의 크지 않은(no considerable), 예를 들어 0.5% 미만의 효율 증가를 초래하였다.
다른 예에서, 예시적인 공정 B를 참조하면, 규소 기판의 표면은 대략 4×1018 cm-3에서 도핑되었고, 예시적인 공정 B의 태양 전지는 섭씨 900도 미만의 온도로 가열되어, 태양 전지의 비-폴리실리콘 영역 내의 게터링, 대략 5 fA/㎠에서의 불량한 표면 패시베이션, 양호한 수명, 예를 들어 전형적으로 대략 10 μsec, 및 기준으로부터의 크지 않은, 예를 들어 0.5% 미만의 효율 증가를 초래하였다.
또 다른 예시적인 비교로, 예시적인 공정 D에서, 규소 기판의 표면은 대략 4×1018 cm-3에서 도핑되었고, 예시적인 공정 D의 태양 전지는 섭씨 900도 초과의 온도로 가열되어 또한, 규소 기판의 폴리실리콘 영역 내의 게터링을 초래하였지만, 대략 5 fA/㎠에서의 불량한 표면 패시베이션, 양호한 수명, 예를 들어 전형적으로 대략 10 μsec, 및 기준으로부터의 크지 않은, 예를 들어 0.5% 미만의 효율 증가를 초래하였다.
모든 예시적인 공정들 A, B 및 D에서 수명 또는 표면 패시베이션만이 향상되었고, 예시적인 공정 C는 향상된 표면 패시베이션, 수명 및 효율을 초래하였다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 표 1의 예시적인 공정들 A 및 C의 방법들을 사용하여 제조된 태양 전지에 대한 예시적인 표면 패시베이션, 1/수명 및 효율 측정치들이 각각 도시된다. 도 8 내지 도 10의 결과들은, 도 1 내지 도 4의 방법, 예를 들어 예시적인 공정 C를 사용하여 제조된 태양 전지의 표면 패시베이션, 수명 및 효율이, 예시적인 공정 A의 태양 전지에 비하여 향상된 표면 패시베이션, 수명 및 더 높은 효율 측정치들을 갖는다는 것을 보여준다.
도 8은 표 1의 예시적인 공정 A 및 C를 사용하여 제조된 태양 전지로부터의 표면 패시베이션 측정치들의 그래프를 예시한다. 도시된 바와 같이, 예시적인 공정 C는 예시적인 공정 A에 비하여 더 낮은 패시베이션 결과들을 갖는다. 더 낮은 표면 패시베이션은 고효율 태양 전지에 바람직하다. 따라서, 예시적인 공정 C는 예시적인 공정 A에 비하여 향상된 표면 패시베이션 결과들을 갖는다.
도 9를 참조하면, 표 1의 예시적인 공정 A 및 C를 사용하여 제조된 태양 전지로부터의 1/수명 측정치들의 그래프가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 예시적인 공정 C는 예시적인 공정 A에 비하여 더 높은 수명, 더 낮은 1/수명 결과들을 갖는다. 더 높은 수명은 고효율 태양 전지에 바람직하다. 따라서, 예시적인 공정 C는 예시적인 공정 A에 비하여 향상된 수명 결과들을 갖는다.
도 10은 표 1의 예시적인 공정 A 및 C를 사용하여 제조된 태양 전지로부터의 효율 측정치들의 그래프를 예시한다. 도시된 바와 같이, 예시적인 공정 C는 예시적인 공정 A에 비하여 더 높은 효율 결과들을 갖는다. 수집된 광으로부터 전기 변환을 최대화하기 위해서는 더 높은 태양 전지 효율 변환이 바람직하다. 따라서, 예시적인 공정 C는 예시적인 공정 A에 비해 향상된 효율 결과들을 갖는다.
도 8 내지 도 10의 결과들은, 도 1 내지 도 4의 태양 전지 제조 기술이 다른 기술들, 예를 들어 예시적인 공정들 A, B 및 D로부터 표면 패시베이션, 수명 및 효율에 대한 전반적인 향상을 초래한다는 것을 입증한다.
특정 실시예들이 전술되었지만, 특정 특징부에 대해 단일 실시예만이 기술된 경우에도, 이들 실시예는 본 개시내용의 범주를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시내용에 제공된 특징들의 예들은, 달리 언급되지 않는다면, 제한적이기보다는 예시적인 것으로 의도된다. 상기 설명은, 본 개시내용의 이익을 갖는 당업자에게 명백하게 되는 바와 같이, 그러한 대안예, 수정예 및 등가물을 포함하고자 의도된다.
본 개시내용의 범주는, 본 명세서에서 다루어지는 문제들 중 임의의 것 또는 전부를 완화시키든 그렇지 않든 간에, 본 명세서에 (명백히 또는 암시적으로) 개시된 임의의 특징 또는 특징들의 조합, 또는 이들의 임의의 일반화를 포함한다. 따라서, 새로운 청구항이 본 출원(또는 이에 대한 우선권을 주장하는 출원)의 절차 진행 동안 임의의 그러한 특징들의 조합에 대해 만들어질 수 있다. 특히, 첨부된 청구범위와 관련하여, 종속 청구항으로부터의 특징들이 독립 청구항의 특징들과 조합될 수 있고, 각각의 독립 청구항으로부터의 특징들이 단지 첨부된 청구범위에 열거된 특정 조합들이 아닌 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
일 실시예에서, 태양 전지는 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면 및 전면의 반대편인 배면을 가지며, 태양 전지는 규소 기판 위에 유전체 영역 - 규소 기판의 일부분은 대략 2×1018 cm-3 이하의 도펀트 농도를 가짐 -, 유전체 영역 위에 형성되는 금속 불순물을 갖는 제1 이미터 영역, 및 제1 이미터 영역 위에 형성되는 제1 금속 접점을 포함한다.
하나의 실시예에서, 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 태양 전지의 배면 상에 형성된다.
하나의 실시예에서, 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 태양 전지의 전면 상에 형성된다.
하나의 실시예에서, 대략 2×1018 cm-3 이하의 도펀트 농도를 갖는 규소 기판의 일부분은 태양 전지의 전면 상에 있다.
하나의 실시예에서, 제1 이미터 영역은 도핑된 폴리실리콘 영역이다.
하나의 실시예에서, 태양 전지는 유전체 영역 위에 형성되는 금속 불순물을 갖는 제2 이미터 영역, 및 제2 이미터 영역 위에 형성되는 제2 금속 접점을 추가로 포함한다.
하나의 실시예에서, 제2 이미터 영역은 적어도 부분적으로 제1 이미터 영역 위에 형성된다.
하나의 실시예에서, 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 태양 전지의 전면 상에 형성되고, 제2 이미터 영역 및 제2 금속 접점은 태양 전지의 배면 상에 형성된다.
일 실시예에서, 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면 및 전면의 반대편인 배면을 갖는 태양 전지를 제조하는 방법으로서, 방법은 규소 기판 상에 유전체 영역을 형성하는 단계, 유전체 영역 위에 제1 이미터 영역을 형성하는 단계, 규소 기판의 표면 상에 도펀트 영역을 형성하는 단계, 및 이미터 영역으로 오염물질을 게터링하고 도펀트 영역으로부터 규소 기판의 일부분으로 도펀트를 유도하기 위해 섭씨 900도 초과의 온도에서 규소 기판을 가열하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 방법은 유전체 영역 위에 금속 불순물을 갖는 제2 이미터 영역을 형성하는 단계 - 제1 및 제2 이미터 영역들은 태양 전지의 배면 상에 형성됨 -; 및 제2 이미터 영역 위에 형성되는 제2 금속 접점을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
하나의 실시예에서, 제2 이미터 영역을 형성하는 단계는 제1 이미터 영역 위에 제2 이미터 영역을 적어도 부분적으로 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 방법은 섭씨 900도 미만의 온도에서 적어도 하나의 다른 가열 단계를 수행하는 단계를 추가로 포함한다.
하나의 실시예에서, 섭씨 900도 미만의 온도에서의 적어도 하나의 다른 가열 단계는 상기 가열하는 단계 이전에 수행된다.
하나의 실시예에서, 제1 이미터 영역을 형성하는 단계는 폴리실리콘을 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 규소 기판의 표면 상에 도펀트 영역을 형성하는 단계는 제1 이미터 영역의 반대편인 규소 기판의 표면 상에 인을 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면 및 전면의 반대편인 배면을 갖는 태양 전지를 제조하는 방법으로서, 방법은 규소 기판 상에 유전체 영역을 형성하는 단계, 전면 상에서 유전체 영역 위에 금속 불순물을 갖는 제1 이미터 영역을 형성하는 단계, 태양 전지의 배면 상에서 유전체 영역 위에 금속 불순물을 갖는 제2 이미터 영역을 형성하는 단계, 규소 기판의 표면 상에 도펀트 영역을 형성하는 단계, 제1 및 제2 이미터 영역들로 금속 오염물질을 게터링하고 제1 도펀트 영역으로부터 규소 기판의 일부분으로 도펀트를 유도하기 위해 섭씨 900도 초과의 온도에서 규소 기판을 가열하는 단계, 및 제1 및 제2 이미터 영역들 위에 각각 제1 및 제2 금속 접점들을 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 방법은 섭씨 900도 미만의 온도에서 적어도 하나의 다른 가열 단계를 수행하는 단계를 추가로 포함한다.
하나의 실시예에서, 섭씨 900도 미만의 온도에서의 적어도 하나의 다른 가열 단계는 상기 가열하는 단계 이전에 수행된다.
하나의 실시예에서, 제1 이미터 영역을 형성하는 단계는 폴리실리콘을 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 규소 기판의 표면 상에 도펀트 영역을 형성하는 단계는 규소 기판의 표면 상에 인을 형성하는 단계를 포함한다.

Claims (20)

  1. 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면 및 상기 전면의 반대편인 배면을 갖는 태양 전지로서, 상기 태양 전지는:
    규소 기판 위의 유전체 영역 - 상기 규소 기판의 일부분은 2×1018 cm-3 이하의 도펀트 농도를 가짐 -;
    상기 유전체 영역 위에 형성되는 금속 불순물을 갖는 제1 이미터 영역;
    상기 제1 이미터 영역 위에 형성되는 제1 금속 접점;
    금속 불순물을 갖는 제2 이미터 영역;
    상기 제2 이미터 영역 위에 형성되는 제2 금속 접점 - 상기 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 상기 태양 전지의 일 면에 형성되고, 상기 태양 전지의 일 면은 상기 제2 이미터 영역 및 제2 금속 접점이 형성되는 태양 전지의 면의 반대편이며, 상기 제2 금속 접점은 상기 제2 금속 접점과 상기 제1 금속 접점 사이의 수직 축에 대해 제1 금속 접점과 스태거 배향(staggered orientation)을 가짐 - 을 포함하는, 태양 전지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 상기 태양 전지의 전면 상에 형성되고, 상기 제2 이미터 영역 및 제2 금속 접점은 상기 태양 전지의 배면 상에 형성되는, 태양 전지.
  3. 제2항에 있어서, 상기 2×1018 cm-3 이하의 도펀트 농도를 갖는 상기 규소 기판의 일부분은 상기 태양 전지의 전면 상에 있는, 태양 전지.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1 이미터 영역이 도핑된 폴리실리콘 영역인, 태양 전지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 상기 태양 전지의 배면 상에 형성되고, 상기 제2 이미터 영역 및 제2 금속 접점은 상기 태양 전지의 전면 상에 형성되는, 태양 전지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 2×1018 cm-3 이하의 도펀트 농도를 갖는 상기 규소 기판의 일부분은 상기 태양 전지의 전면 상에 있는, 태양 전지.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 이미터 영역은 도핑된 폴리실리콘 영역인, 태양 전지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 2×1018 cm-3 이하의 도펀트 농도를 갖는 상기 규소 기판의 일부분은 상기 태양 전지의 전면 상에 있는, 태양 전지.
  9. 정상 작동 동안에 태양에 대면하는 전면 및 상기 전면의 반대편인 배면을 갖는 태양 전지로서, 상기 태양 전지는:
    규소 기판 위의 유전체 영역;
    상기 유전체 영역 위에 형성되는 금속 불순물을 갖는 제1 이미터 영역;
    상기 제1 이미터 영역 위에 형성되는 제1 금속 접점;
    금속 불순물을 갖는 제2 이미터 영역;
    상기 제2 이미터 영역 위에 형성되는 제2 금속 접점 - 상기 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 상기 태양 전지의 일 면에 형성되고, 상기 태양 전지의 일 면은 상기 제2 이미터 영역 및 제2 금속 접점이 형성되는 태양 전지의 면의 반대편이며, 상기 제2 금속 접점은 상기 제2 금속 접점과 상기 제1 금속 접점 사이의 수직 축에 대해 제1 금속 접점과 스태거 배향(staggered orientation)을 가짐 - 을 포함하는, 태양 전지.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 상기 태양 전지의 전면 상에 형성되고, 상기 제2 이미터 영역 및 제2 금속 접점은 상기 태양 전지의 배면 상에 형성되는, 태양 전지.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1 이미터 영역이 도핑된 폴리실리콘 영역인, 태양 전지.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제1 이미터 영역 및 제1 금속 접점은 상기 태양 전지의 배면 상에 형성되고, 상기 제2 이미터 영역 및 제2 금속 접점은 상기 태양 전지의 전면 상에 형성되는, 태양 전지.
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