KR102777032B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 제 1 패턴 감지부와 제 2 패턴 감지부가 새틀라이트에 형성되는 식별 패턴을 감지하는 구성을 개요적으로 도해하는 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 새틀라이트의 회전 RPM 계산을 위한 식별 패턴 인식 조건을 도해하는 도면들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 8는 도 7의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 9는 도 8의 A-A`의 단면을 나타내는 단면도이고, 도 10는 기판 지지대의 배면을 구체적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 12는 도 11의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 11의 기판 처리 장치의 패턴 감지부 및 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
M : 구동부
S : 기판
100 : 공정 챔버
200 : 기판 지지대
210 : 포켓홈부
300 : 가스 분사부
400 : 새틀라이트
410 : 기판 안착부
420 : 엣지부
430, 440 : 식별 패턴
500, 510 : 패턴 감지부
600 : 제어부
700 : 샤프트
Claims (10)
- 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 처리 공간을 향해 공정 가스를 분사하는 가스 분사부;
상기 처리 공간 하부에 상기 기판을 공전시키기 위하여 회전 가능하게 설치되고, 상부에 원주 방향으로 복수의 기판이 안착될 수 있는 기판 지지대;
상기 기판 지지대에 안착되어 상기 기판 지지대로부터 분사되는 가스에 의하여 회전하고, 상면, 측면 또는 하면의 원주방향을 따라 식별 패턴이 형성된 새틀라이트;
상기 기판이 공전 및 자전하는 경우 상기 식별 패턴을 측정할 수 있도록 상기 기판 지지대의 공전방향으로 일정 간격 이격 설치되는 제 1 패턴 감지부 및 제 2 패턴 감지부;
상기 제 1 패턴 감지부에 측정된 상기 식별 패턴과 상기 제 2 패턴 감지부에 측정된 상기 식별 패턴이 상기 새틀라이트 상에 배치된 거리 또는 상기 새틀라이트 중심을 기준으로 한 배치 각도 중 적어도 하나를 통하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는 제어부;를 포함하되,
상기 식별 패턴은 식별이 가능하도록 일정 간격으로 이격 배치되면서 형상이 서로 상이한 패턴을 포함하는,
기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 처리 공간을 향해 공정 가스를 분사하는 가스 분사부;
상기 처리 공간 하부에 상기 기판을 공전시키기 위하여 회전 가능하게 설치되고, 상부에 원주 방향으로 복수의 기판이 안착될 수 있는 기판 지지대;
상기 기판 지지대에 안착되어 상기 기판 지지대로부터 분사되는 가스에 의하여 회전하고, 상면, 측면 또는 하면의 원주방향을 따라 식별 패턴이 형성된 새틀라이트;
상기 기판이 공전 및 자전하는 경우 상기 식별 패턴을 측정할 수 있도록 상기 기판 지지대의 공전방향으로 일정 간격 이격 설치되는 제 1 패턴 감지부 및 제 2 패턴 감지부;
상기 제 1 패턴 감지부에 측정된 상기 식별 패턴과 상기 제 2 패턴 감지부에 측정된 상기 식별 패턴이 상기 새틀라이트 상에 배치된 거리 또는 상기 새틀라이트 중심을 기준으로 한 배치 각도 중 적어도 하나를 통하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는 제어부;를 포함하고,
상기 식별 패턴은 OCR(광학 문자 인식) 기능을 사용하여 추출할 수 있는 문자를 포함하는 패턴인 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 식별 패턴은, 상기 새틀라이트의 표면을 기준으로 음각 또는 양각 중 어느 하나의 구조로 형성된,
기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 감지부 및 제 2 패턴 감지부는 3차원 변위 센서를 포함하는,
기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 식별 패턴은 상기 새틀라이트의 상면 또는 측면의 원주방향을 따라 설치되며,
상기 제 1 패턴 감지부 및 제 2 패턴 감지부는 상기 새틀라이트의 상부 또는 측부에 배치되는,
기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 식별 패턴은 상기 새틀라이트의 측면 또는 하면의 원주방향을 따라 설치되며,
상기 기판 지지대의 적어도 일부에는 타측으로 관통되는 투과홀이 형성되며,
상기 제 1 패턴 감지부 및 제 2 패턴 감지부는 상기 공정 챔버의 외부에 배치되되 상기 기판이 공전 및 자전하는 경우 상기 투과홀을 통하여 상기 식별 패턴을 측정하는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 처리 공간을 향해 공정 가스를 분사하는 가스 분사부;
상기 처리 공간 하부에 상기 기판을 공전시키기 위하여 회전 가능하게 설치되고, 상부에 원주 방향으로 복수의 기판이 안착될 수 있는 기판 지지대;
상기 기판 지지대에 안착되어 상기 기판 지지대로부터 분사되는 가스에 의하여 회전하고, 상면, 측면 또는 하면의 원주방향을 따라 식별 패턴이 형성된 새틀라이트;
상기 기판이 공전 및 자전하는 경우 상기 식별 패턴을 측정할 수 있도록 상기 기판 지지대의 공전방향으로 일정 간격 이격 설치되는 제 1 패턴 감지부 및 제 2 패턴 감지부;
상기 제 1 패턴 감지부에 측정된 상기 식별 패턴과 상기 제 2 패턴 감지부에 측정된 상기 식별 패턴이 상기 새틀라이트 상에 배치된 거리 또는 상기 새틀라이트 중심을 기준으로 한 배치 각도 중 적어도 하나를 통하여 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하는 제어부;를 포함하되,
상기 제어부는 상기 제 1 패턴 감지부가 상기 식별 패턴 중에서 제 1 패턴을 측정하는 시각과 상기 제 2 패턴 감지부가 상기 식별 패턴 중에서 제 2 패턴을 측정하는 시각 사이의 시간 동안, 상기 새틀라이트 상에 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴의 배치된 거리 또는 상기 새틀라이트 중심을 기준으로 한 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴의 배치 각도를 이용하여, 상기 새틀라이트의 자전에 따른 시간당 회전량을 산출하고 상기 새틀라이트의 자전 속도를 산출하되, 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 식별이 가능하도록 일정 간격으로 이격 배치되면서 형상이 서로 상이한 패턴인 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 식별 패턴의 크기, 위치 및 개수는 상기 기판 지지대의 공전 속도와 상기 새틀라이트의 자전 속도에 따라 상기 제 1 패턴 감지부와 상기 제 2 패턴 감지부가 상기 식별 패턴을 감지할 수 있도록 설정되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200176685A KR102777032B1 (ko) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200176685A KR102777032B1 (ko) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 기판 처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220086333A KR20220086333A (ko) | 2022-06-23 |
| KR102777032B1 true KR102777032B1 (ko) | 2025-03-11 |
Family
ID=82221838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200176685A Active KR102777032B1 (ko) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102777032B1 (ko) |
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2020
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| KR20220086333A (ko) | 2022-06-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
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| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
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| D13-X000 | Search requested |
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| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
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St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
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| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
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St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
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| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |