KR19980077227A - 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법 - Google Patents

슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980077227A
KR19980077227A KR1019970014246A KR19970014246A KR19980077227A KR 19980077227 A KR19980077227 A KR 19980077227A KR 1019970014246 A KR1019970014246 A KR 1019970014246A KR 19970014246 A KR19970014246 A KR 19970014246A KR 19980077227 A KR19980077227 A KR 19980077227A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die pad
semiconductor chip
slot
adhesive
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1019970014246A
Other languages
English (en)
Inventor
김형섭
이윤수
김병만
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970014246A priority Critical patent/KR19980077227A/ko
Publication of KR19980077227A publication Critical patent/KR19980077227A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/411Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H10W70/417Bonding materials between chips and die pads
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331Connecting techniques
    • H10W72/07332Compression bonding, e.g. thermocompression bonding

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 관한 것으로, 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 있어서 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부에 위치하게 되는 반도체 칩의 하부 면 전체에 접착제 층을 형성시켜 다이 패드의 슬럿부 상부에 위치하는 반도체 칩의 하부 면에도 접착제가 도포된 상태로 반도체 칩을 다이 패드에 압력을 가하여 접착하고 응고시키는 본딩 방법을 제공함으로써, 접착제가 다이 패드 슬럿 내부로 흘러드는 것(overflow)을 방지하여 작업성의 저하를 막고, 크기가 작은 small chip인 경우에도 슬럿이 형성된 다이 패드의 적용이 가능하다는 장점이 있다.

Description

슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법
본 발명은 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 관한 것으로, 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 있어서, 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부에 위치하게 되는 반도체 칩의 하부 면 전체에 접착제 층을 형성시켜 다이 패드의 슬럿부 상부에 위치하는 반도체 칩의 하부 면에도 접착제가 도포된 상태로 반도체 칩을 다이 패드에 압력을 가하여 접착하고 응고시키는 본딩 방법에 관한 것이다.
통상적인 반도체 칩 패키지는 리드프레임의 다이 패드 상부 면에 반도체 칩을 실장하여 접착제를 사용하여 접착하는 구조를 가지고 있다. 이와 같은 패키지는 구조가 간단하기 때문에 대량 생산과 제조 단가를 절감할 수 있는 장점이 있다. 그러나 완제품으로서의 반도체 패키지가 공급되기 전에 행해지는 신뢰성 검사의 진행시에, 패키지 몸체 내부에 흡습되는 수증기에 의해 다이 패드와 칩간의 박리가 발생되는 단점이 있다.
이러한 문제점을 보완하기 위해서 리드프레임의 다이 패드 뒷면에 딤풀(dimple) 혹은 슬럿(slot)을 형성시키는 방법이 적용되고 있다.
도 1은 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩과의 종래의 본딩 방법을 사용한 반도체 칩 패키지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 슬럿(26)이 형성되어 있는 다이 패드(24)의 상부 면에 접착제(12)가 도포되어 있고, 도포된 접착제 층(12)의 상부 면에 반도체 칩(10)이 장착되어 있다. 다이 패드(24)에 대향하는 복수 개의 내부 리드(20) 및 내부 리드(20)와 일체형인 복수 개의 외부 리드(22)가 형성되어 있고, 다이 패드(24), 접착제(12), 반도체 칩(10) 및 내부 리드(20)는 성형 수지(30)에 의해 내재, 봉지되어 있다. 그리고, 외부 리드(22)는 성형 수지(30)에 의해 봉지된 패키지 몸체로부터 돌출되어 있다.
상기와 같은 반도체 칩 패키지에서는 슬럿(26)이 형성되어 있는 다이 패드(24)의 상부 면에 접착제(12)를 도팅(dotting)방법으로 도포한 후, 도포된 접착제 층(12)의 상부 면에 반도체 칩(10)을 장착하기 때문에, 다이 패드(24)의 슬럿부(26) 상부에 위치한 반도체 칩(10)의 하부 면에는 접착제(12)가 도포되어 있지 않은 구조를 갖고 있다.
이와 같은 구조를 갖는 반도체 칩 패키지에서 리드프레임의 다이 패드와 반도체 칩을 접착시켜 주는 접착제의 도팅시에 접착제가 다이 패드의 슬럿 내부로 흘러 들어가 이로 인한 작업성의 저하가 발생하는 문제점이 있다.
또한, 도팅 방법으로 접착제를 사용할 경우, 슬럿이 형성된 다이 패드에서는 신뢰성의 확보를 위하여 다이 패드 상의 슬럿의 점유율이 일정 점유율 이상이 되어야 하기 때문에 반도체 칩의 크기가 작은 small chip인 경우에는 적용할 수 없다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 슬럿이 형성되어 있는 다이 패드와 반도체 칩과의 본딩 방법에서, 접착제를 사용하는 다이 패드와 반도체 칩과의 본딩시에 접착제가 다이 패드의 슬럿으로 흘러드는 것을 방지하여 작업성과 제품 신뢰성의 저하를 감소시킬 수 있는 다이 패드와 반도체 칩과의 본딩 방법을 제공하는 데 있다.
또한, small chip의 경우에도 슬럿이 형성된 다이 패드의 적용이 가능한 본딩 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩과의 종래의 본딩 방법을 이용한 반도체 칩 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의하여 반도체 칩의 하부 면 전체에 접착제가 도포된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의하여 접착제가 도포된 반도체 칩의 하부 면을 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면에 접착시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의하여 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면 전체에 접착제가 도포된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의하여 반도체 칩의 하부 면을 접착제가 도포되어 있는 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면에 접착시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩과의 본딩 방법을 이용한 반도체 칩 패키지의 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 110 : 반도체 칩 12, 112 : 접착제
20, 120 : 내부 리드 22, 122 : 외부 리드
24, 124 : 다이 패드 26, 126 : 슬럿
30, 130 : 성형 수지
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 있어서, 반도체 칩의 하부 면 전체에 접착제를 압력을 가하여 부착시키는 단계, 및 슬럿이 형성된 다이 패드 상부 면에 접착제가 부착된 반도체 칩의 하부 면을 압력을 이용하여 접착하고 응고시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법을 제공한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 있어서, 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면 전체에 고형의 접착제를 부착시키는 단계 및 접착제가 부착된 다이 패드의 상부 면에 반도체 칩의 하부 면을 압력을 이용하여 접착하고 응고시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법은 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의하여 반도체 칩의 하부 면 전체에 접착제가 도포된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의하여 접착제가 도포된 반도체 칩의 하부 면을 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면에 접착시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 칩(110)의 하부 면 전체에 접착제(112)를 압력을 가하여 부착시킨다. 슬럿(126)이 형성된 다이 패드(124) 상부 면에 접착제(112)가 부착된 반도체 칩(110)의 하부 면을 압력을 이용하여 접착하고 응고시킨다.
또한 본 발명의 다른 실시예에 의한 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법은 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의하여 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면 전체에 접착제가 도포된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의하여 반도체 칩의 하부 면을 접착제가 도포되어 있는 슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면에 접착시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 슬럿(126)이 형성된 다이 패드(124)의 상부 면 전체에 접착제(112)를 부착시킨다. 접착제(112)가 부착된 다이 패드(124)의 상부 면에 반도체 칩(110)의 하부 면을 압력을 이용하여 접착하고 응고시킨다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩과의 본딩 방법을 이용한 반도체 칩 패키지의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 슬럿(126)이 형성되어 있는 다이 패드(124)의 상부 면에 접착제(112)가 도포되어 있고, 도포된 접착제 층(112)의 상부 면에 반도체 칩(110)이 장착되어 있다. 다이 패드(124)에 대향하는 복수 개의 내부 리드(120) 및 내부 리드(120)와 일체형인 복수 개의 외부 리드(122)가 형성되어 있고, 다이 패드(124), 접착제(112), 반도체 칩(110) 및 내부 리드(120)는 성형 수지(130)에 의해 내재, 봉지되어 있다. 그리고, 외부 리드(122)는 성형 수지(130)에 의해 봉지된 패키지 몸체로부터 돌출되어 있다.
본 발명에 의한 반도체 칩 패키지에서는 다이 패드(124) 상부 면에 위치하는 반도체 칩(110)의 하부 면 전체에 접착제(112)가 도포되어 있기 때문에, 다이 패드(124)의 슬럿부(126) 상부에도 접착제 층(112)이 도포되어 있는 구조를 갖고 있다.
이상 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 의한 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩과의 본딩 방법에 의하면, 슬럿이 형성된 다이 패드 상부에 위치하게 되는 반도체 칩의 하부 면 전체에 접착제 층을 형성시켜 다이 패드의 슬럿부 상부에 위치하는 반도체 칩의 하부 면에도 접착제가 도포된 상태로 반도체 칩을 슬럿이 형성된 다이 패드 상부 면에 압력을 가하여 접착하고 응고시킴으로써, 접착제가 다이 패드의 슬럿으로 흘러드는 것을 방지하여 작업성과 제품 신뢰성의 저하를 감소할 수 있다는 효과가 있다.
또한, small chip의 경우에도 슬럿이 형성된 다이 패드를 사용할 수 있다는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 있어서,
    반도체 칩의 하부 면 전체에 접착제를 압력을 가하여 부착시키는 단계; 및
    슬럿이 형성된 다이 패드 상부 면에 상기 접착제가 부착된 반도체 칩의 하부 면을 압력을 이용하여 접착하고 응고시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법.
  2. 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법에 있어서,
    슬럿이 형성된 다이 패드의 상부 면 전체에 고형의 접착제를 부착시키는 단계; 및
    상기 접착제가 부착된 다이 패드의 상부 면에 반도체 칩의 하부 면을 압력을 이용하여 접착하고 응고시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법.
KR1019970014246A 1997-04-17 1997-04-17 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법 Withdrawn KR19980077227A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014246A KR19980077227A (ko) 1997-04-17 1997-04-17 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014246A KR19980077227A (ko) 1997-04-17 1997-04-17 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980077227A true KR19980077227A (ko) 1998-11-16

Family

ID=65954384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970014246A Withdrawn KR19980077227A (ko) 1997-04-17 1997-04-17 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19980077227A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6770163B1 (en) Mold and method for encapsulation of electronic device
JPH0992775A (ja) 半導体装置
KR940008059A (ko) 수지밀봉형 반도체장치
KR100586699B1 (ko) 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법
KR930011318A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US20040007781A1 (en) Single sided adhesive tape for compound diversion on BOC substrates
KR19980077227A (ko) 슬럿이 형성된 다이 패드와 반도체 칩의 본딩 방법
JP2004273946A (ja) 半導体装置
KR100237912B1 (ko) 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법
KR100308899B1 (ko) 반도체패키지및그제조방법
KR100366110B1 (ko) 반도체장치및그실장방법
JPS63293963A (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR19980058402A (ko) 솔더 범프를 이용한 스택 패키지
KR0134650B1 (ko) 초박형 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR960012635B1 (ko) 반도체 패키지 제조방법
KR200292411Y1 (ko) 스몰 다이패드 패키지용 리드프레임
JP2771475B2 (ja) 半導体装置
KR100379085B1 (ko) 반도체장치의봉지방법
KR100229223B1 (ko) 리드 온 칩형 반도체 패키지
KR970013137A (ko) 칩 캐비티(cavity)가 형성된 멀티칩 패키지의 제조방법
KR970004618Y1 (ko) 패드가 없는 반도체 패키지
JPH0575009A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法
KR950008240B1 (ko) 반도체 패키지
KR100460072B1 (ko) 반도체패키지
JP3514516B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PC1203 Withdrawal of no request for examination

St.27 status event code: N-1-6-B10-B12-nap-PC1203

WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid
R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000