KR19980077399A - 액정 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980077399A
KR19980077399A KR1019970014502A KR19970014502A KR19980077399A KR 19980077399 A KR19980077399 A KR 19980077399A KR 1019970014502 A KR1019970014502 A KR 1019970014502A KR 19970014502 A KR19970014502 A KR 19970014502A KR 19980077399 A KR19980077399 A KR 19980077399A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel electrode
unit cell
insulating film
liquid crystal
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019970014502A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100260359B1 (ko
Inventor
이득수
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019970014502A priority Critical patent/KR100260359B1/ko
Priority to US09/061,053 priority patent/US6226057B1/en
Priority to JP10821498A priority patent/JP3475266B2/ja
Publication of KR19980077399A publication Critical patent/KR19980077399A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100260359B1 publication Critical patent/KR100260359B1/ko
Assigned to 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 reassignment 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 권리의 전부이전등록 Assignors: 주식회사 하이닉스반도체
Assigned to 하이디스 테크놀로지 주식회사 reassignment 하이디스 테크놀로지 주식회사 권리의 전부이전등록 Assignors: 주식회사 현대디스플레이테크놀로지
Assigned to 주식회사 한국외환은행 reassignment 주식회사 한국외환은행 근질권설정등록 Assignors: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 제조 수율을 증대시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 절연 기판 상에 매트릭스 형태로 배치·설계된 게이트 라인과, 데이타 라인으로 한정지어지는 다수개의 단위 셀, 상기 단위셀 각각에 배치되고, 게이트 라인과 데이타 라인과 접속되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치로서, 상기 단위셀에 각각의 화소 전극은 상기 데이타 라인과 오버랩되도록 형성되고, 다수개의 단위 셀 중 어느 하나의 단위 셀에 형성된 화소 전극과, 이것과 인접한 부분의 단위셀의 화소 전극은 절연막을 매개로 소정 부분 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조방법
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 인접하는 화소 전극간의 전기적 단락을 방지할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 고속의 응답성을 지니며, 다수개의 화소 갯수를 갖는 액티브 매트릭스 구동 방식의 컬러 액정 표시 장치는 표시 능력이 우수하고, 부피가 큰 음극선관(CRT) 표시 장치의 대체품으로서 기대된다.
이러한 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는 절연 기판상에 게이트 라인과 데이타 라인이 교차로 배치·설계되고, 이 교차점에는 다이오드나 박막 트랜지스터와 같은 스위칭 소자가 형성된다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스의 액정 표시 장치를 나타낸 도면으로, 도 1A는 액정 표시 장치의 평면도이고, 도 1B는 도 1A의 a-a' 선으로 절단한 단면도이다.
여기서, 도면부호 1은 절연 기판을 나타내고, 2는 절연 기판(1)상에 형성된 게이트 라인을 나타내며, 2A는 게이트 라인(2)과 일체인 게이트 전극이고, 2B는 스토리지 용량 전극을 나타낸다. 또한, 3은 게이트 절연막을 나타내고, 4는 게이트 절연막(3) 상의 소정 부분에 형성된 채널층을 나타내며, 5는 데이타 라인을 나타낸다. 또한, 도면 부호 5A는 소오스 전극을 나타내고, 5B는 드레인 전극을 나타내며, 6은 패시베이션막이고, 7-1, 7-2는 화소 전극을 나타낸다.
먼저, 도 1A를 참조하여, 절연 기판(도시되지 않음) 상부에 게이트 라인(2)과 데이타 라인(5)이 게이트 절연막(도시되지 않음)을 매개로 예컨데 XY 방향으로 교차하여 배설되며, 이 게이트 라인(2)과 데이타 라인(5)의 교차점 부근에는 게이트 라인(2)과 일체인 게이트 전극(2A), 데이타 라인(5)과 일체인 소오스 전극(5A), 드레인 전극(5B) 및 채널층(4)으로 구성되는 박막 트랜지스터(10)가 형성된다.
여기서, 게이트 라인(2)과 데이타 라인(5)은 신호를 주사하고, 데이타를 전달하는 본연의 역할 이외에도 액정 표시 장치의 단위 셀을 한정하는 역할을 한다.
또한, 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극(5B)측에는 ITO(indium tin oxide)로 된 투명 화소 전극(7A, 7B)이 접속되어 있다.
도 1B는 도 1A를 a-a' 선으로 절단하여 나타낸 단면으로서, 절연 기판(1) 상부에 도면에는 도시되지 않았지만, 게이트 라인(도시되지 않음)이 공지의 금속막 형성방식에 의하여 형성되고, 그 상부에 게이트 절연막(3)이 형성된다. 이어서, 게이트 절연막(3) 상부에는 불투명 금속막 예를 들어, Al, Ti 와 같은 금속막이 소정 두께로 증착된 다음, 일부분 제거되어, 데이타 라인(5)이 형성된다. 이때, 데이타 라인(5)이 형성되기 이전에, 도면에 도시되지는 않았지만, 채널층(4)과, 도핑된 채널층(도시되지 않음)이 형성되고, 그 후 데이타 라인(5)이 형성됨으로서, 박막 트랜지스터(도시되지 않음)가 완성된다.
그후, 데이타 라인(5)이 형성된 절연 기판(1) 상부에 박막 트랜지스터를 보호하기 위한 패시베이션막(6)이 형성된 다음, 패시베이션막(6) 상부에 ITO막이 소정 두께로 증착된 후, 데이타 라인(5)의 소정 부분과 오버랩되며, 단위 액정셀(C1, C2)내에 각각 존재하도록 패터닝하여, 화소 전극(7-1, 7-2)이 형성된다.
또한, 액정 표시 장치의 표시 불량을 저감시키기 위한 화소 전극(7-1, 7-2) 하단에는 게이트 절연막(도시되지 않음)을 사이에 두고 스토리지 용량 전극(2B)이 형성된다.
여기서, 화소 전극(7-1, 7-2)과 데이타 라인(5)이 소정 부분 오버랩되도록 형성하는 것은, 이 오버랩되는 부분의 면적만큼 스토리지 용량 전극(2B)의 캐패시턴스를 증대시키는 역할을 한다.
그러나, 상기와 같은 액정 표시 장치는, 도 1A에 도시된 것과 같이, 게이트 라인(2)과 데이타 라인(5)이 액정 표시 장치의 단위셀이 한정되도록 배치·설계되어 있으므로, 데이타 라인(5) 상부에는 제 1 단위셀(C1)의 화소 전극(7-1)과 인접하는 제 2 단위셀(C2)의 화소 전극(7-2)이 상기 데이타 라인(5)과 오버랩되도록 설계된다.
이때, 데이타 라인(2)의 폭은 수㎛ 내지 10㎛ 정도의 좁은 폭을 지니고 있다.
이로 인하여, 이웃하는 단위 셀의 화소 전극(7-1, 7-2)이 하나의 데이타 라인상에 동시에 오버랩될 경우, 데이타 라인의 미세한 폭으로 인하여, 단락이 발생되는 문제점이 발생되었다.
더구나, 상기의 불투명 물질로 된 스토리지 용량 전극(2B)은 빛이 통과되는 부분 즉, 화소 전극과 오버랩되도록 형성되어, 액정 표시 장치의 개구율을 저하시키게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 데이타 라인과, 소정 부분 오버랩되는 인접하는 단위셀의 화소 전극이 서로 단락되지 않도록 하여, 액정 표시 장치의 제조 수율을 개선할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 스토리지 용량 전극을 형성하지 않고도 충분한 축적 용량을 제공할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 액정 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1A는 종래의 액정 표시 장치의 평면도.
도 1B는 도 1A의 액정 표시 장치를 a-a' 선을 절단하여 나타낸 단면도.
도 2A는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 평면도.
도 2B는 도 2A의 b-b'선을 절단하여 나타낸 액정 표시 장치의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 등가회로도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 절연 기판12 : 게이트 라인
12A : 게이트 전극13 : 게이트 절연막
14 : 채널층15 : 데이타 라인
15A : 소오스 전극15B : 드레인 전극
16 : 패시베이션막17-1, 17-2 : 화소 전극
18 : 수지 절연막
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 절연 기판 상에 매트릭스 형태로 배치·설계된 게이트 라인과, 데이타 라인으로 한정지어지는 다수개의 단위 셀, 상기 단위셀 각각에 배치되고, 게이트 라인과 데이타 라인과 접속되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치로서, 상기 단위셀에 해당하는 각각의 화소 전극은 상기 데이타 라인과 오버랩되도록 형성되고, 다수개의 단위 셀 중 어느 하나의 단위 셀에 형성된 화소 전극과, 이것과 인접한 부분의 단위셀의 화소 전극은 절연막을 매개로 소정 부분 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조방법은, 게이트 라인과, 박막 트랜지스터 및 데이타 라인이 형성되어, 매트릭스 형태의 단위셀이 한정된 절연 기판을 제공하는 단계 ; 상기 절연 기판 상부에 제 1 절연막을 형성하는 단계 ; 상기 제 1 절연막 상부에 단위 셀들 중 짝수번 또는 홀수번 컬럼에 해당하는 단위셀에 한정되도록 제 1 화소 전극을 형성하는 단계 ; 상기 제 1 화소 전극 및 제 1 절연막 상부에 제 2 절연막을 형성하는 단계 ; 상기 제 2 절연막 상부에, 상기 제 1 화소 전극과 소정 부분 오버랩되고, 상기 짝수번째 또는 홀수번째 단위셀에 인접한 단위셀에 한정되도록 제 2 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 화소 전극은 상기 데이타 라인과 오버랩 되도록 패터닝하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 어느 하나의 단위셀과, 그것과 인접하는 단위셀내의 화소 전극을 절연막을 사이에 두고 적층 형태로 형성하므로서, 인접하는 단위셀들의 화소 전극간의 단락이 방지되어, 제조 수율이 증대된다.
[실시예]
이하 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 나타낸 것으로, 도 2A는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도 2B는 도 2A의 b-b'선으로 절단한 단면도이다.
여기서 도면 부호 11은 절연 기판을 나타내고, 12는 절연 기판(11)상에 형성된 게이트 라인을 나타내며, 12A는 게이트 라인(12)와 일체인 게이트 전극을 나타낸다. 또한, 13은 게이트 절연막을 나타내고, 14는 게이트 절연막(13)상의 소정 부분에 형성된 채널층을 나타내며, 15는 데이타 라인을 나타낸다. 도면 부호15A는 소오스 전극을 나타내고, 15B는 드레인 전극을 나타내며, 16은 패시베이션막을 나타낸다. 도면 부호 17-1, 17-2는 단위셀내의 화소 전극을 나타내고, 18은 상기 화소 전극(17-1, 17-2) 사이를 절연시키는 수지 절연막을 나타낸다.
먼저, 도 2A를 참조하여, 절연 기판(도시되지 않음) 상부에 게이트 라인(12)과 데이타 라인(15)이 게이트 절연막(도시되지 않음)을 사이에 두고 예컨대 XY 방향으로 교차하여 배치·설계되며, 이 게이트 라인(12)과 데이타 라인(15)의 교차점 부근에는 게이트 라인(12)과 일체인 게이트 전극(12A), 데이타 라인(15)과 일체인 소오스 전극(15A), 드레인 전극(15B) 및 채널층(14)으로 구성되는 박막 트랜지스터(20)가 형성된다. 여기서, 채널층(14)은 수소화 아몰퍼스 실리콘막으로 이루어지고, 도면에 도시되지는 않았지만, 채널층과, 소오스 전극(15A), 드레인 전극(15B) 사이에는 박막 트랜지스터의 오믹 콘택 역할을 하는 도핑된 반도체층이 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트 절연막으로는 수지계통의 절연막이 이용될 수 있다.
이어서, 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(15B)측에는 ITO(indium tin oxide)로 된 투명 화소 전극(17-1, 17-2)가 접속되어 있다. 이때, 화소 전극(17-1, 17-2)은 종래와 같이 동일 평면상에 소정 간격을 두고 이격되어 형성되지 않고, 인접하는 화소 전극과 소정의 절연막을 매개로 하여 오버랩될 수 있도록 형성한다. 즉, 예를 들어, 동일 컬럼에 배열된 단위셀중 짝수 번째(또는 홀수번째)의 단위셀(Cn+1)에 화소 전극(17-1)이 공지의 방식으로 형성된다. 이때, 화소 전극(17-1)은 데이타 라인(15)과 충분히 오버랩되도록 바람직하게는, 인접한 셀내로 소정 부분 확장되도록 형성되고, 게이트 라인(12)은 단위셀을 구성하는 2개의 게이트 라인 중 어느 하나의 라인과 소정 폭만큼 오버랩되도록 형성된다. 그후, 유리 기판면에는 절연막 바람직하게는, 유전율이 비교적 낮은 수지 절연막(도시되지 않음)이 형성되고, 홀수번째의 단위셀(Cn)에 화소 전극(17-2)이 형성된다. 이때, 홀수번째 단위 셀의 화소 전극(17-2) 또한 짝수번째 단위 셀의 화소 전극(17-1)과 마찬가지로, 데이타 라인(15)과 충분히 오버랩되도록 형성되고, 게이트 라인(12)과도 소정 부분 오버랩되도록 형성되며, 상기 짝수번째 단위셀의 화소 전극(17-1)과 소정 부분 오버랩되어, 별도의 용량 전극을 형성하게 된다.
따라서, 본 발명의 액정 표시 장치는 별도의 스토리지 용량 전극의 형성없이, 데이타 라인(15)과 짝수번째 단위 셀의 화소 전극(17-1)이 오버랩되어 형성되는 용량 캐패시터(CST1)와, 짝수번째 단위 셀의 화소 전극(17-1)과 홀수번째 단위 셀의 화소 전극(17-2)이 오버랩되어 형성되는 용량 캐패시터(CST2)만으로도 충분히 스토리지 용량을 확보하게 된다.
이와 같은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 개략적인 등가 회로가 도 3에 도시되어 있다.
도 3을 참조하여, 교차로 배열된 데이타 라인(d1, d2, d3, d4...)과 게이트 라인(g1, g2--)과의 교차점 부근에 데이타 라인과 게이트 라인 각각 연결되는 박막 트랜지스터(T)가 배열되고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극단에는 화소 전극과 액정 및 공통 전극(Vcom)으로 이루어지는 액정 캐패시터(CLC)와, 이 액정 캐패시터(CLC)와 병렬로 연결되고 데이타 라인과 화소 전극으로 이루어지는 용량 캐패시터(CST1)와, 인접하는 화소 전극 등으로 이루어지는 용량 캐패시터(CST2)가 포함된다.
이하 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조방법을 설명하도록 한다.
도 2B를 참조하여, 절연 기판(11) 예를 들어, 투명 유리 기판 상부에 도면에는 도시되지 않았지만, 게이트 라인(도시되지 않음)이 도전체의 증착후, 소정의 형태로 패터닝함에 의하여 형성된다. 그 다음에, 게이트 라인이 형성된 절연 기판(11) 상부에 비교적 절연 특성이 우수한 게이트 절연막(13)이 형성되고, 게이트 절연막(13) 상부에는 도면에 도시되지 않았지만, 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 공정 예를 들어, 채널층 형성 공 정, 도핑된 실리콘층 형성공정이 진행된다.
그후, 게이트 절연막(13) 상부에는 불투명 금속막 예를 들어, Al, Ti와 같은 금속막이 소정 두께로 증착된 다음, 소정 부분 제거되어 데이타 라인(15)이 형성된다. 이때, 데이타 라인(15)이 형성됨으로서, 박막 트랜지스터(도시되지 않음)가 완성된다.
이어서, 데이타 라인(15)이 형성된 절연 기판(11) 상부에 박막 트랜지스터를 보호하기 위한 패시베이션막(16)이 형성된다. 그후, 패시베이션막(16) 상부에 ITO막이 소정 두께로 증착된 후, 짝수번째 단위 셀에 형성되도록 패터닝되어, 제 1 화소 전극(17-1)이 형성된다. 이때, 제 1 화소 전극(17-1)은 하부에 데이타 라인(15)과 오버랩되도록 패터닝됨이 바람직하다.
그리고나서, 결과물 상부에 제 1 화소 전극(17-1)과, 이후에 형성되어질 홀수번째 단위 셀의 화소 전극과 전기적 절연을 위하여, 절연막 바람직하게는, 유전상수가 비교적 적은 예를 들어, ε가 2 내지 4 바람직하게는, 3 정도가 되는 수지 절연막(18)이 소정 두께로 형성된다.
그후에, 수지 절연막(18) 상부에 홀수번째 단위셀을 형성하기 위하여 소정 두께의 ITO막이 적층되고, 홀수번째 단위 셀내에 형성되도록 패터닝되어 제 2 화소 전극(17-2)이 형성된다. 이때, 제 2 화소 전극(17-2) 또한 마찬가지로 상기 하부에 데이타 라인(15)과, 제 1 화소 전극(17-1)과 소정 부분 오버랩되는 부분을 갖는다. 여기서, 상기 제 1 화소 전극(17-1)과, 데이타 라인(15)이 이루는 용량 캐패시터(CST1)와, 제 1 화소 전극(17-1)과, 제 2 화소 전극(17-2)이 이루는 용량 캐패시터(CST2)의 합하여진 값이 본 발명의 액정 표시 장치에서 스토리지 용량 전극의 역할을 한다.
따라서, 개구율을 저해하는 별도의 스토리지 용량 전극의 형성공정을 배제하게 된다.
본 발명은 상기한 실시예에 국한되지 않는다.
본 발명의 실시예에서는 동일한 행에 짝수번째 단위 셀의 화소 전극을 먼저 형성한 후, 홀수번째 단위 셀의 화소 전극이 형성되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않고, 그 순서를 달리하여도 무방하다.
또한, 본 발명에서는 제 1 화소 전극과, 제 2 화소 전극 사이를 절연시키는 물질로서 유전 상수(ε)가 3 정도인 수지 절연막을 사용하였으나, 그 밖의 다른 물질을 이용할 수 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 어느 하나의 단위셀과, 그것과 인접하는 단위셀내의 화소 전극을 절연막을 사이에 두고 적층 형태로 형성하므로서, 인접하는 단위셀들의 화소 전극간의 단락이 방지되어, 제조 수율이 증대된다.
또한, 화소 전극과 데이타 라인의 오버랩으로 형성되는 용량 캐패시터와, 화소 전극과, 인접하는 단위셀내의 화소 전극의 오버랩으로 형성되는 용량 캐패시터에 의하여, 별도의 스토리지 용량 캐패시터의 형성없이도 충분한 축적 용량이 제공되므로, 액정 표시 장치의 개구율이 개선된다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (9)

  1. 절연 기판 상에 매트릭스 형태로 배치·설계된 게이트 라인과, 데이타 라인으로 한정지어지는 다수개의 단위 셀, 상기 단위셀 각각에 배치되고, 게이트 라인과 데이타 라인과 접속되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치로서,
    상기 단위셀에 해당하는 각각의 화소 전극은 상기 데이타 라인과 오버랩되도록 형성되고,
    다수개의 단위 셀 중 어느 하나의 단위 셀에 형성된 화소 전극과, 상기 단위 셀과 인접한 부분의 단위셀의 화소 전극은 절연막을 매개로 소정 부분 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화소 전극간을 절연시키는 절연막은 수지 절연막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 화소 전극간을 절연시키는 절연막은 유전 상수가 2 내지 4 정도인 절연막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 단위셀에 형성된 각각의 화소 전극은 상기 데이타 라인과 오버랩되면서, 인접하는 단위셀 내부로 소정 부분만큼 확장·형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 단위셀에 형성된 각각의 화소 전극은 단위셀을 구성하는 두개의 게이트 라인 중 어느 하나의 게이트 라인과 소정 폭만큼 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 게이트 라인과, 박막 트랜지스터 및 데이타 라인이 형성되어, 매트릭스 형태의 단위셀이 한정된 절연 기판을 제공하는 단계 ;
    상기 절연 기판 상부에 제 1 절연막을 형성하는 단계 ;
    상기 제 1 절연막 상부에 단위 셀들 중 짝수번 또는 홀수번 컬럼에 해당하는 단위셀에 한정되도록 제 1 화소 전극을 형성하는 단계 ;
    상기 제 1 화소 전극 및 제 1 절연막 상부에 제 2 절연막을 형성하는 단계 ;
    상기 제 2 절연막 상부에, 상기 제 1 화소 전극과 소정 부분 오버랩되고, 상기 짝수번째 또는 홀수번째 단위셀에 인접한 단위셀에 한정되도록 제 2 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 화소 전극은 상기 데이타 라인과 오버랩 되도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 수지 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 유전 상수가 2 내지 4 정도인 절연막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 화소 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 및 제 2 화소 전극은 단위셀을 구성하는 하나의 게이트 라인과 소정 폭만큼 오버랩되도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
KR1019970014502A 1997-04-18 1997-04-18 액정 표시 장치 및 그 제조방법 Expired - Lifetime KR100260359B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014502A KR100260359B1 (ko) 1997-04-18 1997-04-18 액정 표시 장치 및 그 제조방법
US09/061,053 US6226057B1 (en) 1997-04-18 1998-04-16 Liquid crystal display having overlapped pixel electrodes and method for fabricating the same
JP10821498A JP3475266B2 (ja) 1997-04-18 1998-04-17 液晶表示装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014502A KR100260359B1 (ko) 1997-04-18 1997-04-18 액정 표시 장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980077399A true KR19980077399A (ko) 1998-11-16
KR100260359B1 KR100260359B1 (ko) 2000-07-01

Family

ID=19503263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970014502A Expired - Lifetime KR100260359B1 (ko) 1997-04-18 1997-04-18 액정 표시 장치 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6226057B1 (ko)
JP (1) JP3475266B2 (ko)
KR (1) KR100260359B1 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000021351A (ko) * 1998-09-28 2000-04-25 김영환 액정표시장치
KR100474529B1 (ko) * 1998-11-27 2005-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형액정표시장치및그제조방법
KR100317621B1 (ko) * 1999-02-24 2001-12-22 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치
US6600467B1 (en) * 1999-04-28 2003-07-29 Homer L. Webb Flat panel display architecture
TW526355B (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Sanyo Electric Co Reflection type liquid crystal display device
KR100386458B1 (ko) * 2000-12-20 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US6781661B2 (en) * 2001-02-09 2004-08-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of forming the same
KR100364836B1 (ko) * 2001-02-09 2002-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
US6897908B2 (en) * 2001-11-23 2005-05-24 Chi Mei Optoelectronics Corporation Liquid crystal display panel having reduced flicker
TWI287132B (en) * 2001-11-23 2007-09-21 Chi Mei Optoelectronics Corp A liquid crystal display having reduced flicker
JP2003302942A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
KR101090246B1 (ko) * 2003-12-10 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP2005316404A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7675582B2 (en) 2004-12-03 2010-03-09 Au Optronics Corporation Stacked storage capacitor structure for a thin film transistor liquid crystal display
KR101515382B1 (ko) 2008-08-26 2015-04-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
WO2011096276A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20120124527A (ko) * 2011-05-04 2012-11-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN105116579B (zh) * 2015-09-30 2019-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其驱动方法
CN107204352B (zh) * 2016-03-16 2020-06-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled显示面板以及oled显示面板的制造方法
KR102576283B1 (ko) * 2016-12-27 2023-09-08 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
CN106896607A (zh) * 2017-04-27 2017-06-27 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107037641B (zh) * 2017-05-12 2020-04-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN109613777B (zh) 2019-01-30 2021-06-04 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置
JP7345293B2 (ja) * 2019-06-28 2023-09-15 スタンレー電気株式会社 液晶素子、照明装置
CN112068346A (zh) * 2020-09-28 2020-12-11 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板以及液晶显示面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5151806A (en) 1990-04-27 1992-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus having a series combination of the storage capacitors
JP2814161B2 (ja) * 1992-04-28 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法
JP3127619B2 (ja) * 1992-10-21 2001-01-29 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板
JP3688786B2 (ja) * 1995-07-24 2005-08-31 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 トランジスタマトリクス装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3475266B2 (ja) 2003-12-08
JPH1144893A (ja) 1999-02-16
US6226057B1 (en) 2001-05-01
KR100260359B1 (ko) 2000-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100260359B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조방법
US6475837B2 (en) Electro-optical device
KR100675631B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100271067B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
US6674499B2 (en) Active matrix liquid crystal display apparatus
EP0329887B1 (en) Liquid crystal display device
US5231039A (en) Method of fabricating a liquid crystal display device
KR100308367B1 (ko) 액티브매트릭스기판
US5952675A (en) Thin film transistor element array
JP3454340B2 (ja) 液晶表示装置
EP0468711B1 (en) Matrix-addressed type display device
US5657101A (en) LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode
US5410164A (en) Display electrode substrate
JPH04313729A (ja) 液晶表示装置
JPH1048664A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR100262404B1 (ko) 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법
KR100265573B1 (ko) 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법
KR100322965B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
US6757033B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JPS58192090A (ja) マトリツクスアレ−
US6018377A (en) Storage capacitor with dielectric layer comprising particular materials
KR20050040763A (ko) 어레이 기판 및 평면 표시 장치
JP3484363B2 (ja) 液晶表示装置
KR100262406B1 (ko) 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR950004218B1 (ko) 매트릭스 어드레스 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19970418

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19970418

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19990824

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20000111

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20000406

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20000407

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030227

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040316

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050221

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060214

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070322

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080327

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090331

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100315

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110310

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120308

Start annual number: 13

End annual number: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130315

Year of fee payment: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130315

Start annual number: 14

End annual number: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140318

Year of fee payment: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140318

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150319

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160323

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160323

Start annual number: 17

End annual number: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170321

Year of fee payment: 18

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170321

Start annual number: 18

End annual number: 18

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term