KR19990077475A - 결정-지지체를가진레티클및펠리클 - Google Patents

결정-지지체를가진레티클및펠리클 Download PDF

Info

Publication number
KR19990077475A
KR19990077475A KR1019990006261A KR19990006261A KR19990077475A KR 19990077475 A KR19990077475 A KR 19990077475A KR 1019990006261 A KR1019990006261 A KR 1019990006261A KR 19990006261 A KR19990006261 A KR 19990006261A KR 19990077475 A KR19990077475 A KR 19990077475A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
support
mgf
light emitting
crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
KR1019990006261A
Other languages
English (en)
Inventor
슈스터카를-하인츠
바그너크리스티앙
Original Assignee
헨켈 카르스텐
칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헨켈 카르스텐, 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 filed Critical 헨켈 카르스텐
Publication of KR19990077475A publication Critical patent/KR19990077475A/ko
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

지지체 (10) 로서 플루오르화 마그네슘을 가진 레티클 (1) 및 발광 시스템 (2) 을 포함하는 마이크로 리소그래피의 노광 장치에 있어서, 발광 시스템 (2) 이 방사방향으로 편광된 광 (20, PL, RR) 을 제공하고, 플루오르화 마그네슘의 결정 주축은 거의 레티클 (1) 의 광학축 (A) 의 방향으로 배치된다. 또한, 적합한 냉각 장치 (5, 13, 14, 50, 51, 52) 가 제공된다.

Description

결정-지지체를 가진 레티클 및 펠리클 {RETICLE WITH CRYSTAL-SUPPORT AND PELLICLE}
본 발명은 단축 결정으로 이루어진 투명한 지지체를 포함하는 레티클에 관한 것이다.
독일 특허 공개 제 34 17 888 A 호에는 100-200 nm 리소그래피용 레티클이 공지되어 있다. 상기 레티클의 기판은 MgF2, CaF2또는 여러가지 다른 플루오르화물로 이루어져야 한다. 상기 간행물에서는 제시된 파장 범위에서 그것의 투명도만이 선택 기준으로 고려된다. 결정 구조, 복굴절, 열 팽창 및 편광에 대한 것은 전혀 언급되지 않는다.
기술 간행물 TP 58401호에는 구체적인 설명 없이 MgF2로 이루어진 투명한 광학 소자를 가진 157 nm 리소그래피가 공지되어 있다.
MgF2는 전형적인 단축 결정이다.
독일 특허 공개 제 195 35 392 A 호에는 방사방향 편광 회전 광학 장치 및 마이크로 리소그래피 투사 노광장치가 공지되어 있다.
엑시머 레이저 파장 157 nm 을 가진 리소그래피에서는 레티클 지지체 물질로서 석영 유리가 더 이상 사용될 수 없는데, 그 이유는 그것이 제시된 스펙트럼 범위에서 투과성을 갖지 않기 때문이다. 등방성 CaF2는 석영 유리의 0.5 x 10-6/K 에 비해 18.9 x 10-6/K 의 현저히 높은 선형 열 팽창 계수를 갖는다.
제시된 MgF2(플루오르화 마그네슘) 은 훨씬 더 낮은 열 팽창을 갖는다. 그러나, 상기 결정은 결정 구조로 인해 단축으로 복굴절될 뿐만 아니라, 열 팽창도 비등방성이다.
펠리클은 레티클상의 마스크 구조물을 보호하기 위한 박막이다. 유기 박막과 더불어 예컨대, SiO2펠리클이 공지되어 있다. 일본 특허 공개 제 4-081756호에는 플루오르 중합체의 양측면이 CaF2로 코팅된 펠리클이 공지되어 있다.
본 발명의 목적은 100-200 nm 의 파장 범위에 적합하고, 개선된 열적 및 광학적 특성을 갖는 레티클을 제공하는 것이다. 동일한 것이 본 발명에 따른 펠리클에도 적용된다.
도 1은 본 발명에 따른 투사 노광 장치의 개략도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 레티클 2: 렌즈 시스템
3: 대물렌즈 4: 웨이퍼
5: 냉각 시스템 10: 지지체
11: 구조물 12: 위치설정 장치
13, 14: 플레이트 20: 광다발
21: 엑시머 레이저 22: 편광기
50: 유체 51, 52: 가이드 시스템
상기 목적은 청구항 제 1 항 또는 2 항 중 어느 한 항에 따른 레티클에 의해 달성된다. 그에 따르면, 결정 지지체의 축 방향은 레티클 표면 내부에서 열 팽창이 균일하도록 배치된다. 결정축이 정확히 수직으로 배치되면, 균일한 열 팽창이 이상적으로 이루어진다. 그러나, 예컨대 제조 기술에 기인한 편차가 그것으로 인한 불균일한 열 팽창이 허용될 수 있을 정도로 허용될 수 있다. 청구항 제 3항에 제시된 5。의 허용 오차는 중요하지 않은 편차의 정도를 나타낸다.
MgF2는 바람직한 단축 결정 물질이다.
청구항 제 4 항 및 5 항에 따른 냉각 장치에 의해, 레티클의 열 팽창으로 인한 마이크로 리소그래픽 이미지화의 장애가 보다 감소될 수 있다.
상기와 같이 형성된 레티클을 청구항 제 6 항 또는 7 항에 따른, 방사방향으로 편광된 빛을 제공하는 발광 시스템을 포함하는 노광장치내에 조립하면, 광학 특성의 최적화가 이루어진다. 따라서, 결정에서의 굴절이 더 이상 방향에 의존하지 않는다. 전술한 것이 광학축과 결정축 사이의 편차에 대한 허용 오차에 적용된다. 따라서, 청구항 제 3 항 내지 5 항의 특징을 수용한 청구항 제 8 항에 따른 바람직한 실시예가 주어진다.
즉, 100-200 nm 광 파장에서 투명한 레티클이 노광 장치에 제공되며, 상기 레티클에서는 열 팽창의 비등방성 및 광 굴절이 중요하지 않고 열 팽창의 절대값이 가장 통상적인 비교 물질인 CaF2(9.4 x 10-6/K) 의 1/2 이다.
레티클의 본 발명에 따른 또다른 실시예는 청구항 제 9 항 내지 11 항에 제시된다. 여기서는 적합한 냉각에 의한 해결책이 제시된다.
청구항 제 12 항은 플루오르화물 결정, 바람직하게는 CaF2또는 BaF2또는 MgF 로 이루어진 펠리클의 본 발명에 따른 실시예를 제시한다.
본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참고로 구체적으로 설명하면 하기와 같다.
예컨대 157 nm 의 파장을 가진 DUV 엑시머 레이저 (21) 가 렌즈 시스템 (2) 과 함께 발광 시스템을 형성한다. 상기 발광 시스템은 독일 특허 공개 제 195 35 392 A 호에 따른 방사방향 편광기 (22) 를 포함한다. 따라서, 방사상 편광 (벡터 PL및 PR로 표시됨) 및 광학축 (A) 을 가진 광다발 (20) 이 발생된다.
상기 광다발은 투명한 지지체 (10) 상에 예컨대 크롬으로 이루어진 비투과 구조물 (11) 을 가진 레티클 (1) 을 비춘다. 여기서, 상기 레티클은 MgF2로 형성되며, 그것의 주축은 광학축 (A) 의 방향으로 배치된다. 구조물 (11) 은 투사 대물렌즈 (3), 예컨대 거울 대물렌즈에 의해 웨이퍼 (4) 상에 이미지화된다. 웨이퍼 (4) 는 지지장치 (41) 상에 배치된다. 구조물 (11) 은 투사 대물렌즈 (3) 를 향한 지지체 (10) 의 측면상에 배치되는데, 그 이유는 지지체 (10) 가 고유의 이미지화 광선 경로에 배치되지 않기 때문이다. 레티클 (1) 은 위치설정 장치 (12) 에 고정된다.
레티클 (1) 은 적합한 투명도를 가진 재료, 예컨대 CaF2, BaF2또는 동일한 배향의 MgF2로 이루어진 2 개의 평면 평행한 커버 플레이트 (펠리클) (13, 14) 사이에 배치된다. 상기 커버 플레이트 (13, 14) 는 가이드 시스템 (51, 52) 및 냉각 시스템 (5) 에 접속된다. 따라서, 레티클 (1) 은 유체 (50), 바람직하게는 가스, 특히 바람직하게는 헬륨에 의해 세척될 수 있다. 이로 인해, 구조물 (11) 로 상이하게 채워지거나 또는 광다발 (20) 에 의해 상이한 세기로 비춰지는 레티클 (1) 영역 사이의 효과적인 온도 보상 및 전체적으로 냉각 및 온도 안정화가 이루어질 수 있다. 바람직하게는 실시예에서와 같이 레티클 (1) 의 전방면 및 후방면의 역류 냉각이 이루어진다.
플루오르화물 결정으로 이루어진 펠리클 (13, 14) 은 바람직하게는 다른 물질로 이루어진 레티클과 함께 유체 냉각을 하면서 또는 유체 냉각 없이 사용된다.
제조는 전형적으로 및/또는 이온 빔에 의해 폴리싱된, 111-배향된 결정 플레이트를 기초로 한다.
본 발명에 따른 레티클, 펠리클 및 시스템은 콘택 노광장치에도 적합하다.
발광 광다발의 방사방향 편광 없이도 본 발명에 따른 레티클이 사용될 수 있다. 광의 원형 편광이 도입되면, 복굴절의 모든 효과가 광학축 (A) 에 대해 회전 대칭으로 그리고 여러번 허용될 수 있다.
본 발명에 따라 100-200 nm 의 파장 범위에 적합하고 개선된 열적 및 광학적 특성을 갖는 레티클 및 펠리클이 제공된다.

Claims (12)

  1. 투명한 단축 결정으로 이루어진 지지체 (10) 를 가진 레티클에 있어서, 결정의 주축 (A) 이 레티클 (1) 의 표면에 대해 거의 수직으로 놓이는 것을 특징으로 하는 레티클.
  2. 지지체 (10) 로서 MgF2상에 구성된 레티클에 있어서, MgF2의 주축 (A) 이 레티클 표면 (1) 에 대해 거의 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  3. 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 주축이 레티클 (1) 의 표면에 대해 ± 5。 의 편차로 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  4. 제 1 항 내지 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각 장치 (5, 13, 14, 50, 51, 52) 가 제공되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 냉각 장치 (5, 13, 14, 50, 51, 52) 가 유체 (50) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  6. 지지체 (10) 로서 플루오르화 마그네슘을 가진 레티클 (1) 및 발광 시스템 (2) 을 포함하는 마이크로 리소그래피의 노광 장치에 있어서, 발광 시스템 (2) 이 방사방향으로 편광된 광 (20, PL, RR) 을 제공하고, 플루오르화 마그네슘의 결정 주축은 거의 레티클 (1) 의 광학축 (A) 의 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  7. 발광 시스템 (2), 투명한 단축 결정으로 이루어진 지지체 (10) 를 가진 레티클 (1) 을 포함하는 마이크로 리소그래피의 노광 장치에 있어서, 발광 시스템이 방사방향으로 편광된 광 (20, PL, PR) 을 제공하고, 지지체 (10) 의 주축이 거의 레티클 (1) 의 광학축 (A) 의 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제 6 항 또는 7 항에 있어서, 제 3 항 내지 5 항 중 어느 한 항에 따른 레티클을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  9. 결정으로 이루어진 지지체 (10) 를 가진 레티클 (1) 에 있어서, 유체 냉각이 이루어지는 것을 특징으로 하는 레티클.
  10. 제 9 항에 있어서, 적어도 하나의 플레이트 (13, 14) 가 레티클 (1) 에 평행하게 배치되고 레티클 (1) 과 플레이트 (13, 14) 사이에 유체 (50) 가 흐르는 것을 특징으로 하는 레티클.
  11. 제 10 항에 있어서, 플레이트 (13, 14) 가 결정, 특히 CaF2또는 MgF2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레티클.
  12. 플루오르화물 결정, 특히 CaF2, BaF2또는 MgF2로 이루어진 펠리클 (13, 14).
KR1019990006261A 1998-03-02 1999-02-25 결정-지지체를가진레티클및펠리클 Abandoned KR19990077475A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19808461A DE19808461A1 (de) 1998-03-02 1998-03-02 Retikel mit Kristall-Trägermaterial
DE19808461.7 1998-03-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990077475A true KR19990077475A (ko) 1999-10-25

Family

ID=7859199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990006261A Abandoned KR19990077475A (ko) 1998-03-02 1999-02-25 결정-지지체를가진레티클및펠리클

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6825913B1 (ko)
EP (1) EP0940718A3 (ko)
JP (1) JPH11316455A (ko)
KR (1) KR19990077475A (ko)
DE (1) DE19808461A1 (ko)
TW (1) TW538305B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6544693B2 (en) * 2001-01-26 2003-04-08 Advanced Micro Devices, Inc. Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle
US6593035B1 (en) 2001-01-26 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle using polymer films
EP1248148A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-09 Asm Lithography B.V. Lithographic patterning means with protective layer
US6566626B2 (en) 2001-07-03 2003-05-20 Laserglass Ltd. Method and apparatus for generating color images in a transparent medium
US20080186466A1 (en) * 2005-04-12 2008-08-07 Sirat Gabriel Y Element for defocusing tm mode for lithography
DE102009036953A1 (de) 2009-08-11 2011-02-24 Süss Micro Tec Lithography GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Konstanthalten der Maskenabmessungen in der Maskenebene bei der Lithografie
JP2013502063A (ja) 2009-08-11 2013-01-17 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マスクの大きさを一定に維持するための方法および装置
CN103080840B (zh) * 2010-06-25 2016-01-27 Asml荷兰有限公司 光刻设备和方法
WO2014067802A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Asml Holding N.V. Patterning device support, lithographic apparatus, and method of controlling patterning device temperature

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5023595B1 (ko) * 1970-03-19 1975-08-08
GB2139781B (en) * 1983-05-13 1986-09-10 American Telephone & Telegraph Mask structure for vacuum ultraviolet lithography
US4604292A (en) 1985-04-26 1986-08-05 Spire Corporation X-ray mask blank process
US4735877A (en) * 1985-10-07 1988-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Lithographic mask structure and lithographic process
JP2642637B2 (ja) * 1987-08-18 1997-08-20 三井石油化学工業 株式会社 防塵膜
JPH02166447A (ja) 1988-12-20 1990-06-27 Fujitsu Ltd 露光用マスクおよびその製造方法
US5088006A (en) 1991-04-25 1992-02-11 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing
US5168001A (en) * 1991-05-20 1992-12-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Perfluoropolymer coated pellicle
JP2945201B2 (ja) * 1992-01-31 1999-09-06 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP2796005B2 (ja) * 1992-02-10 1998-09-10 三菱電機株式会社 投影露光装置及び偏光子
US5536604A (en) * 1992-07-17 1996-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask
JP3244869B2 (ja) * 1993-06-29 2002-01-07 キヤノン株式会社 露光装置
KR0166612B1 (ko) * 1993-10-29 1999-02-01 가나이 쓰토무 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로
JP3089153B2 (ja) * 1993-12-13 2000-09-18 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用ペリクル
JP3445685B2 (ja) * 1994-08-11 2003-09-08 三井化学株式会社 マスク保護装置
US5590148A (en) * 1994-08-24 1996-12-31 Duke University Birefringent beamsplitter for high power lasers and laser applications
JP3290861B2 (ja) * 1995-09-18 2002-06-10 株式会社東芝 露光用マスクとパターン形成方法
US5935733A (en) * 1996-04-05 1999-08-10 Intel Corporation Photolithography mask and method of fabrication
JPH1131647A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 投影露光装置
WO1999038040A1 (en) * 1998-01-22 1999-07-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Phase mask for manufacturing diffraction grating, and method of manufacture
US6197454B1 (en) * 1998-12-29 2001-03-06 Intel Corporation Clean-enclosure window to protect photolithographic mask
US6150060A (en) * 1999-01-11 2000-11-21 The Regents Of The University Of California Defect tolerant transmission lithography mask

Also Published As

Publication number Publication date
EP0940718A3 (de) 2001-09-05
TW538305B (en) 2003-06-21
US6825913B1 (en) 2004-11-30
DE19808461A1 (de) 1999-09-09
JPH11316455A (ja) 1999-11-16
EP0940718A2 (de) 1999-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5102492B2 (ja) 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
KR100689190B1 (ko) 편광보정기를가진광학시스템및그제조방법
EP2212729B1 (en) Polarizer enabling the compensation of time-dependent distribution changes in the illumination
Bloomstein et al. Lithography with 157 nm lasers
US7483121B2 (en) Microlithograph system
US8031326B2 (en) Illumination system or projection lens of a microlithographic exposure system
JP2005535939A (ja) 光学系の偏光収差を低減する構造および方法
JP2005521227A (ja) 立方晶系光学系における複屈折の補正
WO1999049366A1 (en) Photomask and projection exposure system
JP5510987B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置
US20080002172A1 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
KR19990077475A (ko) 결정-지지체를가진레티클및펠리클
KR20060028646A (ko) 분극 분배 방해 보상 교정 장치 및 이를 이용한 마이크로석판 인쇄 투영 렌즈
JP2009508170A5 (ko)
KR20040094389A (ko) Ｕｖ 마이크로리소그래피에서의 고유의 복굴절을 교정하기위한 방법 및 시스템
US7872731B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4822285B2 (ja) ガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置
EP1586946A2 (en) Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
US7099087B2 (en) Catadioptric projection objective
WO2003040785A1 (en) Optical element, method of manufacturing the optical element, optical system, exposure device, and method of manufacturing micro device
US10620542B2 (en) Optical system of a microlithographic projection exposure system or of a wafer inspection system
US20060238735A1 (en) Optical system of a projection exposure apparatus
TWI476439B (zh) 減少熱畸變之Ｗｙｎｎ－Ｄｙｓｏｎ成像系統
US7935947B2 (en) Glass composition for ultraviolet light and optical device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19990225

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20040120

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19990225

Comment text: Patent Application

N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20040813

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20051017

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20060126

NORF Unpaid initial registration fee
PC1904 Unpaid initial registration fee