KR20020002281A - 다이내믹 전압 복원기의 보호 - Google Patents

다이내믹 전압 복원기의 보호 Download PDF

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Abstract

다이내믹 전압 복원기 (1) 내의 단락회로는, 전압원 컨버터 (3) 및 에너지축적 커패시터 뱅크 (2) 내에서 전류와 전압을 영구히 감시하는 단락회로 검출유닛 (9) 에 의해 즉시 검출된다.
검출하자마자, 전압원 컨버터 (3) 의 가용한 모든 반도체의 파이어링과 결과 전류 스트레스를 전압원 컨버터 (3) 내에 가능한 고르게 분포시키는 것을 포함하는 커패시터 뱅크 (2) 의 신속한 방전이 개시된다.
비싼 퓨즈를 사용하여 높은 단락회로 전류를 차단하는 대신에, 이 전류들은 컨버터 내에서 검출되어 고르게 분포된다.

Description

다이내믹 전압 복원기의 보호{PROTECTION OF A DYNAMIC VOLTAGE RESTORER}
본 발명은 내부 단락회로의 경우에 열적 또는 기계적 손상에 대하여 다이내믹 전압 복원기를 보호하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 그 방법을 수행하는 다이내믹 전압 복원기에 관한 것이다.
다이내믹 전압 복원기는 전압원 컨버터의 수단에 의하여 직렬전압을 주입함으로써, 전압 딥(dip) 또는 전압 스웰(swell) 등의 AC 시스템에서 단기간의 외란(disturbances)을 보상하기 위하여 설계된다. 그러한 외란 동안에 외부 전원과 독립적이기 위해서는 커패시터 뱅크들로 배열된 커다란 에너지축적 장치가 필요하다.
"다이내믹 전압 복원기에 대한 요구조건과 해결책, 케이스 연구" (P.Dahler, R. Affolter; IEEE PES 2000, Singapore) 는 정격이 4 MVA 부하와 보상능력이 150 ms 지속시간의 38 % 3 상 딥으로 명시되는 다이내믹 전압 복원기에 대하여 기술하고 있다. 이 컨버터는 종래의 2 레벨 토폴로지에 기초를 두었다. 적당한 정격 때문에, 245 mF/2200 V 의 에너지축적 커패시터 뱅크이면 충분했고, 퓨즈를 사용하는 종래의 보호개념이 이용되었다.
다음의 설계예는 매우 높은 정격을 갖는 다이내믹 전압 복원기의 사양에 기초한다.
보호할 부하: SGN= 15 MVW cos(ф) = 0.9
보상할 최악의 전압 딥: △ UG= 35 % 3 상 딥 500 ms
대규모 응용에 촛점을 두었을 때는, EP 0,969,586 에 기술된 것과 같은 중립점 클램프(NPC) 회로 토폴로지가 선호하는 해결책이다. 이들 파라미터의 AC 전압 딥을 보상할 수 있기 위해서는 하기의 주 데이터와의 DC 링크가 필요하다.
DC 링크 전압: Ud = ±5200 V (고장(fault)의 시작에서 공칭(nominal))
Ud = ±2400 V (고장(fault)의 끝에서 최소)
총 커패시턴스: CD= 237 mF (5200 V)
축적된 에너지: ED= 3.2 MJ (5200 V)
그렇게 큰 커패시터 뱅크를 가지고, 전압원 컨버터와 함께 주지의 DC 링크 보호문제는 극적으로 두드러진다. 뱅크의 설계와 그 보호개념은, 하기의 내부 고장 이벤트들에서 어떤 열적 또는 기계적 손상도 생기지 않는다는 것을 보장해야한다.
- DC 링크의 일측 (중간점에 대해 + 또는 -) 또는 DC 링크 전체 (+ 에서 -)에 대해 "파이어 쓰루(fire through)" 조건을 가져오는 전압원 컨버터 내의 반도체 고장(semiconductor failure),
- 커패시터 뱅크 또는 전압원 컨버터 내의 DC 버스바 (DC busbar)(중간점에 대해 + 또는 - / + 또는 -) 에 대한 단락회로,
- 개별 커패시터 캔의 내부 또는 외부 단락회로, 및
- 커패시터 뱅크 또는 전압원 컨버터 내의 접지 고장 (Ground fault) 들이다.
본 발명의 주 목적은 컨버터 또는 커패시터 뱅크 내의 단락회로의 경우에, 전압원 컨버터와 큰 에너지축적 커패시터 뱅크를 포함하는 다이내믹 전압 복원기를 열적 또는 기계적 손상에 대해 보호하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 그 방법을 수행하는 다이내믹 전압 복원기에 관한 것이다.
첨부한 도면과 함께 후술하는 발명의 실시예의 상세한 설명에 의하여 본 발명을 설명한다.
도 1 은 전압원 컨버터 및 에너지축적 커패시터 뱅크를 구비한 다이내믹 전압 복원기를 도시하는 개요도이다.
도 2 는 2 개의 서브뱅크를 갖는 도 1 의 에너지축적 커패시터 뱅크를 도시하는 상세도이다.
도 3 은 단락회로인 경우에 도 2 의 2 개의 서브뱅크 중 하나를 도시하는 상세도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 다이내믹 전압 복원기 2 : 에너지축적 커패시터 뱅크
3 : 전압원 컨버터 4 : 주입 변압기
6 : 충전 유닛 7 : 필터
8 : 게이트 제어 유닛 9 : 단락회로 검출유닛
B : 문턱값 검출장치 CCan :커패시터 캔
F : 퓨즈 G : 그리드
L : 부하 LS: 스너버 리액터
R : 캔 저항 R1: 스타포인트 저항
RM: 문턱값 검출 저항 S1, S2: 서브뱅크
Ud : DC 링크 전압, 커패시터 캔 전압 δUB: AC 부스트 전압
UG: 그리드 전압 UL: 부하 전압
URM: 스타포인트 전압
이들 및 다른 목적들은 후술하는 청구된 발명에 의해 달성된다.
컨버터 또는 커패시터 뱅크 내의 단락회로는 다이내믹 전압 복원기 내에서 전류 및/또는 전압을 영구히 모니터하는 단락회로 검출유닛에 의해 즉시 검출된다. 검출하자마자, 정규의 커패시터 뱅크 방전을 포함하는 커패시터 뱅크의 정규 오프 시퀀스, 또는 컨버터의 가용한 모든 반도체의 파이어링 (보호 파이어링) 및 컨버터내에 가능한 고르게 분포시키는 것을 포함하는 커패시터 뱅크의 신속한 방전이 개시된다. 단락회로 전류는 컨버터 내에서 검출되고 고르게 분포되기 때문에, 높은 단락회로 전류를 차단하기 위한 비싼 퓨즈는 필요하지 않게 된다.
커패시터 캔의 각 스트링에 직렬로 연결된 적어도 하나의 캔 저항 때문에, 보호 파이어링의 결과로서 생기는 전류 스트레스는 반도체의 서지능력 (surge capability) 내에서 유지된다.
캔 저항들은 비싼 고전류 퓨즈의 필요성을 제거하는데, 이 고전류 퓨즈는 컨버터 또는 에너지축적 장치 내에서 단락회로 후에 대체되어야 했다. 이 저항들은 또한 매우 높은 기계적인 힘에 대한 위험을 줄여주므로, 구성노력을 위한 비용을 낮추어 준다.
실시예
도 1 에 나타낸 바와 같이, 다이내믹 전압 복원기 (1) 는 전압원 컨버터 (3) 의 수단에 의하여 직렬전압 (δUB) 을 주입함으로써, 전압 딥(dip) 또는 전압 스웰(swell) 등의 AC 시스템 (그리드 (G), 그리드 전압 (UG), 부하 (L), 부하전압 (UL)) 에서 단기간의 외란을 보상하기 위하여 설계된다. 중간점 클램프 전압원 컨버터 (3) 가 짝수차수 하모닉스 없이 AC 전압 (δUB) 을 발생시키기 위해서, DC 링크 단자에서 균형잡힌 바이폴라 DC 전압 (±Ud) (예를 들면, ±2600 V) 이 전체 부스트 구간 동안에(예를 들면, 500 ms) 필요하다. 이것은 에너지축적 커패시터 뱅크 (2) 에 의해 제공된다.
전압원 컨버터 (3) 에 직접적으로 연결된 커패시터들은 최소화되고, 적당한 DC 전압 균형을 보장하기에 충분하지 못하다. 그러므로 주 커패시터 뱅크 (2) 의 일부분은 전압원 컨버터 (3) 의 중간점에 연결된 공통 중간점을 갖는 서브뱅크 (S2) 로 구성되어야 한다. 여기서 이용되고 도 2 에 도시된 설계예에서, 전체 커패시터 뱅크 (2) 의 절반부가 이런식으로 배열되어 있다. 이것은 부가적인 능동 밸런싱작용이 없이 컨버터 제어의 수단에 의하여, 다이내믹 전압 복원기 (1) 의 동작을 허용하고, 그 결과 전압원 컨버터 (3) 의 스위칭 주파수가 증가하게 된다.
커패시터 뱅크를 위하여 사용되는 개별 커패시터 캔 (CCan) 은 다음의 주 데이터를 갖는다.
CCanN= 5. 17 mF UCanN= 2600 V 드라이 (dry) 타입, 자기회복작용
다른 서브뱅크 (S1) 는 2 개의 직렬연결된 커패시터 캔 (CCan) 의 병렬 스트링으로 구성되어 있다. 2 개의 직렬연결된 커패시터 캔 사이의 중간점은 기본적으로 플로우팅 (floating) 되어 있다.
서브뱅크 (S2) 는 서브뱅크 (S1) 와 같은 식으로 배열되어 있다. 유일한 차이는 중간점이 개별 고전압 저전류 퓨즈 (F) 를 통하여 전압원 컨버터 (3) 의 중간점과 연결되는 스타포인트 (star point) 이다.
낮은 옴저항 (R) 이 각 커패시터 캔 (CCan) 에 직렬로 연결되어 있다. 그것의 에너지 흡수능력은, 최대 DC 전압 (2800 V) 에서 하나의 커패시터 캔 (CCan) 에 축적되어 있는 에너지보다 약간 높다. 그 저항값은 전압원 컨버터 (3) 가 빠른 이머전시 방전 (기계적으로뿐만 아니라 열적으로) 의 경우에 일어나는 전류서지에 견딜 수 있도록 선택되어진다. 이 저항들은 또한 다이내믹 전압 복원기의 전압 부스팅 이벤트의 경우에 얼마간의 에너지를 소비하므로, 5 - 10 % 범위에서 필요한 뱅크 커패시턴스의 증가가 필요하다.
전압원 컨버터 (3) 내에서, 반도체 (IGCT, 역병렬 다이오드 또는 NPC 다이오드) 의 고장 또는 그와 관련된 파이어링 (firing) 제어 (게이트 유닛 (8), 제어 전자장치) 는 커패시터 뱅크 DC 링크의 절반부 또는 전체의 DC 링크 사이에서 단락회로를 의미하는 조건을 통하여 파이어 (fire) 에 이르게 한다. 반대의 작용이 없으면, 결과 전류서지는 루프에 있는 모든 반도체의 열적인 고장 손상과 심각한 기계적 파괴를 야기시킨다.
종래의 보호접근은 커패시터 캔과 직렬로 또는 캔의 그룹과 직렬로 퓨즈를 설치하는 것이다. 하지만 이 해결책은 단일의 반도체 고장의 경우에, 많은 퓨즈가 대체되어야 한다는 결과를 가질 수 있다.
이 고장에 대한 본 발명의 전략은 보호 파이어링 (protection firing) 이라 불린다. 고장은 15 ㎲ 내에 단락회로 검출유닛 (9) 의 수단에 의해 검출된다. 검출은 스너버 리액터 (Ls) 에 부착된 측정 와인딩 (winding) 에 의한 전류의 모니터링에 근거를 두고 있다. 이 고장의 검출에 이어서, 전류 스트레스를 가능한 고르게 분포시키기 위하여 모든 가용한 전압원 컨버터 브랜치는 파이어 (fire) 된다. 캔 저항 (R) 의 저항값은 반도체의 서지능력 (surge capability) 내에서 (R 은 1Ω과 5Ω사이) 결과 스트레스를 유지하도록 선택된다. 또한, 기계적인 힘도 허용할 수 있는 한계 내에서 유지된다.
커패시터 뱅크 (2) 내에 축적된 에너지의 주요 부분은 모든 캔 저항 (R) 에 고르게 분포된다. 그들의 에너지 흡수능력은 이 전류 스트레스에 견디도록 설계된다.
단기간의 발진(전압원 컨버터 커패시터에 가까이 결합되어 있기 때문에 ms- 범위) 을 무시하면, 커패시터 뱅크의 방전이 기본적으로 시상수 (τPF) 를 가지고 지수함수적으로 일어나며, 여기서, R = 2.1 Ω (캔 저항), CD = 237 mF (총 뱅크 커패시턴스), N = 96 (뱅크당 병렬 스트링의 총 수) 이다.
커패시터 뱅크 (3) 에 대하여 DC 버스바 양단의 단락회로 (이것은 일어날 가능성이 매우 적음) 는 반도체 고장과 매우 유사하다.
전체의 뱅크 양단에 고장 (fault) 이 발생하면, 전체의 방전이 발생한다 (시상수는 약 12 ms). 캔 저항 (R) 때문에, 축적 에너지의 적은 부분만이 고장 플래쉬 (fault flash) 로 소비된다. 이 사실 (적은 에너지와 짧은 방전시간) 은 결과손상을 제한된 값으로 유지한다.
고장은 DC 링크 전압을 감시함으로써 검출된다. 전략으로서, 정규의 스위치 오프 시퀀스 (정규의 DC 방전, AC 바이패스 등) 가 개시된다. 하지만, 이러한 작용은 실재 고장 시나리오에 영향을 미치지 않는다는 것을 알아야 한다.
커패시터 캔 기술의 자기회복 성질은 개별 커패시터 캔의 내부 단락회로의 가능성을 매우 적게 만든다. 그러나, 그것은 보호고려에서 완전히 배제되어서는 안된다. 개별 커패시터 캔의 외부 단락회로는 커패시터 뱅크 내에서 작은 동물의 방문이나 공구분실에 의해 발생할 수 있다.
이 고장은 2 개의 서브뱅크에 기본적으로 다른 영향을 미치며, 따라서 분리하여 처리하여야 한다.
플로우팅 중간점을 갖는 서브뱅크 (S1) 의 하나의 커패시터 캔 양단에 단락회로가 발생했을 경우, 동일한 직렬 스트링의 건강한 캔 (healthy can) 의 전압 스트레스는 2 배가 될 것이다 (공칭 DC 전압에서 2600 V 대신에 5200 V 또는 최대 DC 전압에서 2800 V 대신에 5600 V). 전압 스트레스의 상승은 다음의 시상수 (τC) 를 가지고 지수함수적이 될 것이다.
이 고장 경우를 검출하기 위한 특수한 회로가 개발되었다. 도 2 에 따르면, 서브뱅크 (S1) 은 2 개의 절반부로 나눌 수 있다. 고 옴저항 (R1 = 1MΩ) 에 의해 각 절반부 서브뱅크에 대해 스타포인트가 형성된다. 이들 2 개의 스타포인트 사이의 전압 (URM) 은 문턱값 검출장치 (B) 에 의해 감시된다. 정규의 동작 동안, 이 전압은 근사적으로 0 이다. 도 3 에 도시된 바와 같이, 캔 단락회로의 경우에, 영향을 받은 스타포인트의 전위는 점프하게 되고, 전압 (UM) 은 순간적으로 URM값으로 점프하고, 시상수 (τC) 에 따라 순간값의 두 배인 정상상태값 (URMstat) 로 점프하게 된다.
검출을 위한 정상상태와 순간적인 전압 레벨은 근사적으로 다음과 같으며, 여기서 N = 23 (절반 서브뱅크당 스트링의 수), Ud = 2600 V (캔당 고장전 전압), R1= 1 MΩ(캔고장 측정저항(Umax = 3 kV, Pmax = 10 W), RM= 120 kΩ(문턱값 검출장치 (B) 의 입력저항) 이다.
고장의 검출에 대해 2 개의 가능한 조치가 취해질 수 있다.
- URM(t) > URM의 신속한 검출 후 곧바로 보호 파이어링을 개시한다. 신속한 방전 때문에 영향을 받은 스트링의 건강한 캔은 중대한 과전압에 직면하지 않게 된다.
- 정규의 DC 뱅크 방전을 포함하는 정규의 오프 시퀀스를 개시한다. 이 경우에, 영향을 받은 스트링의 건강한 캔은 정규의 방전 시상수에 따라 1 s 내지 10 s 의 시간범위에서 어느정도의 과전압에 직면하게 된다. 방전 시상수는 합당한 비용과 더불어, 가능한 짧게 설계할 것이 권장된다.
커패시터 캔 (CCAN) 이 짧은 시간 동안 두 배의 전압을 견디도록 설계된다면, 이 두번째 전략이 권장된다.
영향을 받은 스트링의 2 개의 캔 저항은, 전압원 컨버터 내의 반도체 고장이나 DC 버스바 양단의 단락회로의 경우에 흡수되는 에너지의 약 2 분의 1 을 흡수하게 된다.
퓨즈된 중간점을 갖는 서브뱅크 (S2) 내의 커패시터 캔 단락회로의 경우, 서브뱅크의 동일한 측의 모든 건강한 캔들은 고장 (fault) 에 공급할 것이다. 중간점 연결에 퓨즈가 없다면, 서브뱅크의 영향을 받은 측은 완전히 방전하게 된다. 축적 에너지 (Ud= 2600 V 에서 약 0.8 MJ) 의 대부분이 고장난 캔의 캔 저항 (R) 에서 소비된게 된다. 이 큰 에너지 펄스는 이웃에 예기치 못한 손상의 결과로 캔 저항 (R) 을 파괴시킬 수 있다.
퓨즈 (F) 는 이 방전 루프를 선택적으로 차단하도록 설계된다. 이것은 고장난 캔과 그에 대응하는 퓨즈는 그런 이벤트 후에 대체된다는 것을 의미한다.
방전 루프의 성공적인 차단 후에, 영향을 받은 직렬스트링의 건강한 캔들은 은 또한 2 배의 전압 스트레스에 직면하게 된다. 플로우팅 중간점 서브뱅크 (S1) 에 대해 말한 모든 것은 지금 여기서도 또한 유효하다.
DC 링크의 중간점은 전압원 컨버터에서 고 옴저항 (예컨데, 200 Ω) 을 통하여 접지된다. 이 개념은 시스템 (커패시터 뱅크 또는 전압원 컨버터) 의 어느 위치에서도 접지고장의 경우 어떤 위험한 전류도 흐르지 않는다는 것을 보장한다. 게다가, 중간점에서 어떠한 퓨즈도 차단되지 않을 것이다.
접지에 대한 세 개의 DC 링크 단자 (+, -, 0) 모두의 전위는 감시된다. 접지고장의 경우, 모든 전위는 균형잡힌 조건으로부터 상당히 벗어날 것이다. 이 경우에는 정규의 오프 시퀀스 (정규의 DC 방전, AC 바이패스 등) 가 개시된다. 주목할 것은, 이 고장의 경우에는 신속한 조치가 필요하지 않다는 것이다.
중간점의 접지고장은 가능성이 매우 작으며, 만일 발생하더라도 시스템의 동작에 영향을 주지 않는다. 이 경우에 대하여 걱정할 문제는 다른 위치에서 제 2 의 접지고장이 중대한 고장전류를 야기시킬 수 있다는 것이다. 그러나 DC 버스바 양단의 단락회로의 경우에 대하여 기술한 보호는, 이 2 배 우연성의 경우에도 적용이 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 단락회로 검출유닛에 의해 컨버터 또는 커패시터 뱅크 내의 단락회로를 신속히 검출하고 커패시터 뱅크의 신속한 방전을 개시함으로써, 다이내믹 전압 복원기를 열적 또는 기계적 손상에 대해 보호할 수 있다. 단락회로 전류는 컨버터 내에서 검출되고 고르게 분포되기 때문에, 높은 단락회로 전류를 차단하기 위한 비싼 퓨즈는 필요하지 않게 된다. 커패시터 캔의 각 스트링에 직렬로 연결된 적어도 하나의 캔 저항 때문에, 보호 파이어링의 결과로서 생기는 전류 스트레스는 반도체의 서지능력 내에서 유지된다.

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 커패시터 캔 (CCAN) 을 구비하는 에너지축적 커패시터 뱅크 (2) 및 각각이 적어도 한 쌍의 반도체를 포함하는 적어도 2 개의 컨버터 브랜치를 구비하는 전압원 컨버터 (3) 를 포함하는 다이내믹 전압 복원기를, 상기 컨버터 (3) 또는 상기 커패시터 뱅크 (2) 내에서 단락회로가 있는 경우에 열적 또는 기계적 손상에 대해서 보호하는 방법으로서,
    단락회로를 검출하기 위하여 상기 컨버터 (3) 내에서의 전류 및/또는 상기 커패시터 뱅크 (2) 내에서의 전압을 감시하는 단계;
    상기 단락회로를 검출하자마자 상기 커패시터 뱅크 (2) 의 방전을 개시하는 단계; 및
    모든 커패시터 캔 (CCAN) 을 방전하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기의 보호방법.
  2. 2 개의 직렬연결된 커패시터 캔 (CCAN) 의 적어도 하나의 스트링의 적어도 하나의 서브뱅크 (S1, S2)를 구비한 에너지축적 커패시터 뱅크 (2) 로서, 상기 서브뱅크 (S1, S2) 가 직렬연결된 커패시터 캔 (CCAN) 의 2 개 이상의 스트링을 포함할 경우에는 이들 스트링은 병렬이고 이들 스트링의 중간점은 고저항값을 갖는 저항 (R1)에 의해 스타포인트(starpoint) 에 연결되어 있는 상기 커패시터 뱅크 (2), 및 각각이 적어도 한 쌍의 반도체를 포함하는 적어도 2 개의 컨버터 브랜치를 구비하는 전압원 컨버터 (3) 를 포함하는 다이내믹 전압 복원기를, 상기 컨버터 (3) 또는 상기 커패시터 뱅크 (2) 내에서 단락회로가 있는 경우에 열적 또는 기계적 손상에 대해서 보호하는 방법으로서,
    단락회로를 검출하기 위하여 상기 컨버터 (3) 내에서의 전류 및/또는 직렬연결된 커패시터 캔 (CCAN) 의 상기 스트링의 중간점의 전압을 감시하는 단계;
    상기 단락회로를 검출하자마자 상기 커패시터 뱅크 (2) 의 방전을 개시하는 단계; 및
    모든 커패시터 캔 (CCAN) 을 방전하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기의 보호방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 단락회로는 측정된 전류와 기준치 또는 다른 측정된 전류와의 비교에 의해 및/또는 측정된 전압과 기준치 또는 다른 측정된 전압과의 비교에 의해 검출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커패시터 캔 (CCAN) 의 상기 방전은 상기 컨버터 (3) 내의 모든 가용한반도체를 파이어링함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 적어도 하나의 커패시터 캔 (CCAN) 을 구비하는 에너지축적 커패시터 뱅크 (2); 및
    전압원 컨버터 (3) 를 포함하고,
    적어도 하나의 캔 저항 (R) 이 적어도 하나의 커패시터 캔 (CCAN) 에 직렬연결되어 있는 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 캔 저항 (R)은 1 Ω과 5 Ω사이의 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 커패시터 뱅크 (2) 는 적어도 하나의 서브뱅크 (S1, S2) 를 포함하고,
    상기 서브뱅크 (S1, S2) 는 2 개의 직렬연결된 커패시터 캔의 적어도 하나의 스트링을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 서브뱅크 (S2) 는 2 개의 직렬연결된 커패시터 캔의 적어도 2 개의 병렬 스트링을 포함하고,
    상기 스트링들의 상기 직렬연결된 커패시터 캔 (CCAN) 들 사이의 상기 중간점들은 퓨즈 (F) 에 의해 스타포인트로 연결된 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 서브뱅크 (S1, S2) 는 2 개의 직렬연결된 커패시터 캔의 적어도 2 개의 병렬 스트링을 포함하고,
    상기 스트링들의 상기 직렬연결된 커패시터 캔들 (CCAN) 사이의 상기 중간점들은 고저항치 저항 (R1) 에 의해 스타포인트로 연결된 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 서브뱅크 (S1, S2) 는 각각이 2 개의 직렬연결된 커패시터 캔의 적어도 2 개의 병렬 스트링을 포함하는 2 개의 절반부로 분할되고,
    상기 스트링들의 상기 직렬연결된 커패시터 캔들 (CCAN) 사이의 상기 중간점들은 고저항치 저항 (R1) 에 의해 스타포인트로 연결된 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 스타포인트는 단락회로 검출유닛 (9) 에 연결되어 있고,
    상기 단락회로 검출유닛은 서브뱅크 또는 서브뱅크의 절반부의 스타포인트의 전압을 기준전압 및/또는 다른 서브뱅크 또는 서브뱅크의 절반부의 스타포인트의 전압과 비교하는 수단 및 상기 서브뱅크의 커패시터 캔들 (CCAN) 의 방전을 개시하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이내믹 전압 복원기.
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