KR20020052982A

KR20020052982A - 포토마스크 블랭크 및 포토마스크

Info

Publication number: KR20020052982A
Application number: KR1020010083996A
Authority: KR
Inventors: 데쯔시 쯔까모또; 히데오 가네꼬; 다모쯔 마루야; 유끼오 이나즈끼; 쯔또무 시나가와; 사또시 오까자끼
Original assignee: 카나가와 치히로; 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2000-12-26
Filing date: 2001-12-24
Publication date: 2002-07-04
Anticipated expiration: 2021-12-24
Also published as: TW533334B; EP1220034B1; JP4088742B2; EP1220034A2; DE60106186T2; KR100619661B1; EP1220034A3; JP2002196475A; US6727027B2; US20020115003A1; DE60106186D1

Abstract

본 발명은 노광광이 투과되는 투명 기판상에 한층 이상의 차광막과 한층 이상의 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크에서, 상기 투명 기판과 차광막 또는 반사 방지막 사이에 시드층을 형성함과 동시에 이 시드층을 산소, 질소 및 탄소중 1종 이상을 포함하는 크롬으로 이루어지는 재료로 형성한 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크에 관한 것이다.

본 발명의 시드층을 갖는 포토마스크 및 마스크 블랭크는 투명 기판상에 형성된 시드층상에 차광막 및 반사 방지막을 형성하면 막의 성장이 미세한 입상 성장이 되고, 표면 조도가 작은 마스크 블랭크를 얻을 수 있고, 또한 결함 검사 및 회로 패턴 검사에 있어서도 고감도 검출이 가능해지므로 고품질의 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 얻을 수 있고 또한 반도체 회로의 미세화, 고집적화에 충분히 대응할 수 있다.

Description

포토마스크 블랭크 및 포토마스크 {Photomask Blank and Photomask}

본 발명은 반도체 집적 회로 및 고밀도 집적 회로 등의 제조 공정에서 사용되는 포토마스크 블랭크 및 포토마스크에 관한 것이다.

LSI, VLSI 등의 고밀도 반도체 집적 회로, CCD (전하 결합 장치) 및 LCD (액정 표시 장치)용 칼라 필터, 자기 헤드 등의 미세 가공에는 포토마스크를 사용한 포토 리소그래피 기술이 이용되고 있다.

이 미세 가공에는 석영 유리, 알루미노실리케이트 유리 등의 투명한 기판 상에 일반적으로 크롬막으로 이루어지는 차광막을 스퍼터링 또는 진공 증착 등으로 형성한 포토마스크 블랭크를 사용하여, 이 차광막에 소정의 패턴을 형성한 것을 포토마스크로 사용하고 있다.

이 경우, 크롬계의 차광막은 광 반사율이 크고, 피노광물인 반도체 기판에서 반사된 광이 투영 렌즈를 통해 포토마스크에서 반사하고 다시 반도체 기판에 되돌아가는 것을 방지하기 위해 차광막의 표면, 표면 및 이면에 반사 방지막을 통상적으로 형성하고 있다.

이러한 포토마스크에 사용되는 마스크 블랭크의 구조로서, 합성 석영 기판 상에 차광막을 스퍼터링 또는 진공 증착 등으로 형성하고, 또한 흔히 차광막으로 사용하는 크롬막의 표층부에는 실리콘 웨이퍼에서 반사된 노광광이 재차 반사되는 것을 방지하는 반사 방지막을 설치하고 있는 것 (2층 구조막)이나 기판측에도 반사 방지막을 설치하는 것 (3층 구조막) 등이 있고, 종래의 기판측의 반사 방지막으로서 크롬 탄화물 및 크롬 질화물을 함유하는 크롬 탄화 질화물막을, 차광막으로서 크롬막을, 표면측의 반사 방지막으로서 크롬 산화물 및 크롬 질화물을 함유하는 크롬 산화 질화물막을 순차 적층한 포토마스크 블랭크가 제안되고 있다 (일본 특허 공개 소 62-37385호 공보). 또한 반사 방지막으로서 CrON을 사용한 것 (일본 특허 공개 소 61-46821호 공보, 일본 특허 공개 소 62-27387호 공보), CrN을 사용한 것 (일본 특허 공개 소 62-27386호 공보, 일본 특허 공개 소 62-27387호 공보) 등이 제안되어 있다. 또한 질화 크롬을 사용한 단층막 (일본 특허 공개 평 4-1339호 공보) 등도 제안되어 있다.

그러나 고밀도 반도체 집적 회로의 미세화, 고집적화에 따라 포토마스크 블랭크의 결함 검사나 회로 패턴 검사에 있어서 검출 감도가 높은 검사가 행하여 지게 되고 차광막 및 반사 방지막은 보다 높은 막질의 균일성이 요구되고 있다.

그러나 포토마스크는 패턴을 정확하게 전사하기 위해서는 기판의 평탄이 강력하게 요구되지만 아무리 평탄한 기판을 사용하여도 크롬계막을 형성하면, 특히 2층 구조의 막에서는 차광막이 기판 표면에서 큰 입상으로 성장하는 특징이 있기 때문에, 표면 상태는 악화되는 경향이 있다. 현재의 결함 검사 및 회로 패턴 검사에서는 반사광 및 투과광에 의한 검사가 일반적이지만 고감도의 검사로는 막표면의 상태, 면 거칠음을 결함으로 검출하는 경우가 있기 때문에 고감도의 검사가 행해질 수 없다는 등의 문제점이 있다.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로 투명 기판과 차광막 또는 반사 방지막 사이에 시드층을 형성함으로써 막질의 균일성을 얻을 수 있고 결함 검사 및 회로 패턴 검사에서도 고감도 검출이 가능해지고 소망하는 미세한 패턴을왜곡없이 정확하게 형성할 수 있는 것이 가능한 고성능 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 포토마스크 블랭크의 단면도이다.

도 2는 도 1의 포토마스크의 단면도이다.

도 3은 본 발명의 또다른 실시예에 관한 포토마스크 블랭크의 단면도이다.

도 4는 도 3의 포토마스크의 단면도이다.

도 5는 포토마스크의 제조 방법을 나타낸 설명도이고, (A)는 레지스트막을 형성한 상태, (B)는 레지스트막을 패터닝한 상태, (C)는 건식 에칭 또는 습식 에칭한 상태, (D)는 레지스트막이 제거된 상태의 개략 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1, 11:기판

2, 13:차광막

3, 12:시드층

4, 14:반사 방지막

15:레지스트막

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 투명 기판상에 한층 이상의 차광막과 한층 이상의 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크 및 포토마스크에 있어서, 투명 기판과 차광막 또는 반사 방지막 사이에 시드층을 형성함으로써, 차광막 또는 반사 방지막의 표면 평탄도가 높고, 균일한 막질의 포토마스크 블랭크 및 포토마스크가 얻어지는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.

즉, 본 발명은 하기의 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공한다.

청구항 1:

노광광이 투과하는 투명 기판상에 적어도 한층 이상의 차광막과 한층 이상의 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 투명 기판과 차광막 또는 반사 방지막 사이에 시드층을 형성함과 동시에 이 시드층을 산소, 질소 및 탄소 중 1종 이상을 포함하는 크롬으로 이루어지는 재료로 형성한 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.

청구항 2:

제1항에 있어서, 상기 차광막 또는 반사 방지막이 산소, 질소 및 탄소 중 1종 이상을 포함하는 크롬으로 이루어지는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.

청구항 3:

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 시드층의 두께를 0.5 내지 10 nm로 하는 포토마스크 블랭크.

청구항 4:

제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 포토마스크 블랭크의 표면 조도 (RMS)를 0.9 nm 이하로 하는 포토마스크 블랭크.

청구항 5:

제1항 내지 제4항 중 어느 한항에 기재된 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.

본 발명의 시드층을 갖는 포토마스크 블랭크 및 포토마스크에 의하면, 투명 기판상의 시드층이 차광막 또는 반사 방지막의 성장핵이 되어 시드층상의 차광막 및 반사 방지막의 성장이 미세한 입상 성장으로 되어 결과적으로 표면 조도가 작은 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 얻을 수 있다.

이하, 본 발명에 대해 더욱 자세히 설명한다.

본 발명의 포토마스크 블랭크는 도 1, 3에 나타낸 바와 같이 노광광이 투과하는 투명 기판 (1)상에 적어도 한층의 차광막 (2)와 적어도 한층의 반사 방지막 (4)를 가지고, 상기 투명 기판 (1)과 차광막 (2) 또는 반사 방지막 (4) 사이에 시드층 (3)을 형성함과 동시에, 이 시드층 (3)이 산소, 질소 및 탄소의 적어도 1종을 포함하는 크롬으로 이루어지는 재료로 형성한 것을 특징으로 하고, 이에 따라 포토마스크 블랭크의 표면 평탄도가 향상되는 것이다.

이 경우, 도 1에 나타낸 바와 같이, 시드층 상에 차광막이 한층, 반사 방지막이 한층인 3층 구조의 경우, 기판 상에 시드층, 이 시드층 상에 차광막, 또한 차광막 상에 반사 방지막을 순차 형성하는 것이 바람직하다.

또한 도 3에 나타낸 바와 같이, 시드층 상에 차광막이 한층, 반사 방지막이 2층인 4층 구조의 포토마스크 블랭크인 경우, 기판 상에 시드층, 이 시드층 상에 제1 반사 방지막, 이 제1 반사 방지막 상에 차광막, 또한 차광막 상에 제2의 반사 방지막을 순차 형성하는 것이 바람직하다.

여기서, 막 형성에 사용하는 기판으로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 석영, 알루미노실리케이트 유리, 불화칼슘, 불화마그네슘 등이 바람직하다.

본 발명에 있어서는, 이 기판상에 시드층을 형성한다. 상기 시드층으로서는 산소, 질소, 탄소를 적어도 1종 포함하는 크롬으로 이루어지는 재료가 적합하고, 예를 들면 크롬 산화물, 크롬 질화물, 크롬 산화질화물, 크롬 산화탄화물, 크롬 산화질화탄화물 등을 들 수 있지만, 특히 크롬 산화탄화물, 크롬 산화질화탄화물이 바람직하다.

이 경우, 시드층 중의 크롬량은, 25 내지 60 원자％, 특히 30 내지 50 원자％로 하는 것이 바람직하다. 크롬 산화질화물의 경우, 질소량은 2 내지 50 원자％, 특히 10 내지 30 원자％, 산소량은 5 내지 60 원자％, 특히 20 내지 50 원자％가 바람직하고, 크롬 산화탄화물의 경우, 탄소량은 2 내지 50 원자％, 특히 5 내지 25 원자％, 산소량은 5 내지 60 원자％, 특히 20 내지 50 원자％가 바람직하다. 또한 크롬 탄화질화산화물의 경우, 질소량은 2 내지 50 원자％, 특히 5 내지 25 원자％, 탄소량은 2 내지 50 원자％, 특히 5 내지 25 원자％, 산소량은 5 내지 60 원자％, 특히 20 내지 50 원자％가 바람직하다.

상기 시드층의 막 두께로서는, 초기의 성장핵이 될 수 있는 필요 최소한의 두께 0.5 nm 내지 10 nm인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.5 nm 내지 5 nm 이다. 막 두께가 0.5 nm 미만이면 표면 조도의 개선 효과가 없고, 10 nm 보다 두꺼워도 개선 효과는 변하지 않고, 오히려 막 형성 시간이 길어져 생산성이 저하되는 경우가 생긴다.

이 시드층의 막 형성 방법은 타겟으로서 크롬을 사용한 반응성 스퍼터링법에 의해 기판측상에 형성할 수 있는 것이다.

스퍼터링법으로서는 직류 (DC) 전원을 사용한 것이어도 고주파 (RF) 전원을 사용한 것일 수 있고, 또한 전자관 스퍼터링 방식일 수도, 통상의 방식일 수도 있지만, DC 스퍼터링쪽이 기구가 단순한 점에서 바람직하다. 또한 전자관을 이용한 쪽이 막 형성 속도가 빠르고, 생산성이 향상된다는 점에서 바람직하다. 또 막 형성 장치는 통과형이어도 낱장형이어도 상관없다.

구체적으로는, 시드층으로서 크롬 산화탄화물 (CrCO)막을 막 형성할 경우, 스퍼터링 가스로서 CH₄, CO₂, CO 등의 탄소를 포함하는 가스와, CO₂, O₂등의 산소를 포함하는 가스 1종 이상을 도입하거나, 이들에 Ar, Ne, Kr 등의 불활성 가스를 혼합한 가스를 사용할 수 있다. 특히 스퍼터링 가스로서 CO₂또는 CO₂과 불활성 가스의 혼합 가스를 사용하면 안전하고, CO₂가스는 산소 등 보다 반응성이 낮기 때문에, 챔버 내에 광범위하게 균일하게 가스가 들어갈 수 있고, 막 형성되는 CrCO막의막질이 균일해지는 점에서 바람직하다. 도입 방법으로서는 각각 챔버 내에 도입할 수 있다.

시드층으로서 크롬 산화질화탄화물 (CrCON)막을 막 형성할 경우, 스퍼터링 가스로서 CH₄, CO₂, CO 등의 탄소를 포함하는 가스와, CO₂, O₂등의 산소를 포함하는 가스와, N₂, NO 등의 질소를 포함하는 가스의 1종 이상을 도입하거나 이들에 Ar, Ne, Kr 등의 불활성 가스를 혼합한 가스를 사용할 수 있다. 특히 스퍼터링 가스로서 CO₂와 N₂또는 CO₂와 N₂와 불활성 가스의 혼합 가스를 사용하면 안전하고, CO₂가스는 산소 등보다 반응성이 낮기 때문에, 챔버 내에 광범위하게 균일하게 가스가 들어갈 수 있어 막 형성되는 CrCON막의 막질이 균일해지는 점에서 바람직하다. 도입 방법으로서는 각각 챔버 내에 도입할 수 있다.

타겟으로서는 크롬 단체 뿐만 아니라 크롬이 주성분인 것이면 좋고, 산소, 질소, 탄소 중 어느 하나를 포함하는 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소를 조합한 것을 크롬에 첨가한 타겟을 사용할 수 있다.

또한 상기한 바와 같이 시드층을 형성할 경우, 저압, 고전력에 스퍼터링이 바람직하다. 저압, 고전력의 조건하에서는, 스퍼터링 입자의 에너지가 커지고 기판에 대하여 비스듬히 입사하는 스퍼터링 입자가 감소한다. 이 때문에 사영 효과가 억제되고, 표면 조도가 작은 시드층의 막 형성을 할 수 있다. 이 경우, 압력은 0.1 내지 1.0 Pa, 특히 0.25 내지 0.32 Pa로 하는 것이 좋고, 전력은 3.9 내지 11.0 w/cm², 특히 7.0 내지 9.0 w/cm²으로 하는 것이 좋다.

또한 상기 차광막 및 반사 방지막으로서는 산소, 질소, 탄소의 적어도 1종을 포함하는 크롬계 재료가 적합하고, 예를 들면 크롬 산화물, 크롬 질화물, 크롬 산화질화물, 크롬 산화탄화물, 크롬 산화질화탄화물 등을 들 수 있지만, 특히 크롬 산화탄화물, 크롬 산화질화탄화물이 바람직하다. 이들의 조성은 공지된 조성으로 할 수 있다.

또한 차광막의 두께는 10 내지 150 nm, 특히 50 내지 80 nm인 것이 바람직하고, 반사 방지막의 두께는 10 내지 100 nm, 특히 20 내지 40 nm로 하는 것이 바람직하다.

또한 본 발명의 포토마스크 블랭크의 막 구성으로서는 시드층 상에 Cr계의 2층막 또는 3층막 뿐만 아니라, 4층막 구조로 할 수도 있다. 또한 노광 파장의 위상을 변화시키는 위상 시프트막을 조합할 수 있다. 또한, 투과형 뿐만 아니라 반사형 마스크에도 적용시킬 수 있다.

또한 이와 같이 시드층, 차광막 및 차광막을 적층시킨 포토마스크 블랭크의 표면 조도 (RMS)는 0.9 nm 이하로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.7 nm 이하이다. 이 표면 조도는 시드층을 상술한 바와 같이 형성함으로써 달성할 수 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 본 발명의 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴 형성함으로써, 도 2, 4에 나타낸 바와 같은 시드층과 차광막과 반사 방지막으로 이루어지는 3층, 4층 구조의 포토마스크를 얻을 수 있다.

구체적으로는, 본 발명의 포토마스크 블랭크를 사용하여 도 2에 표시한 포토마스크를 제조할 경우는 도 5 (A)에 나타낸 바와 같이, 투명 기판 (11) 상에 시드층 (12), 그 위에 차광막 (13), 차광막 (13) 상에 반사 방지막 (14)를 순차 형성한 후, 반사 방지막 (14) 상에 레지스트막 (15)을 형성하고 도 5 (B)에 나타낸 바와 같이, 레지스트막 (15)를 패터닝하고, 또한 도 5(C)에 나타낸 바와 같이, 시드층 (12), 차광막 (13) 및 반사 방지막 (14)를 건식 에칭 또는 습식 에칭한 후, 도 5(D)에 나타낸 바와 같이, 레지스트막 (15)를 박리하는 방법이 채용될 수 있다. 이 경우 레지스트막의 도포, 패터닝 (노광, 현상), 레지스트막의 제거는 공지된 방법에 의해서 행할 수 있다.

본 발명의 포토마스크는 포토마스크 블랭크의 표면 평탄도가 높고, 결함 검사 및 회로 패턴 검사에 있어서도 고감도 검출이 가능하고 원하는 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있고 또한 반도체 집적 회로 장치 등에 있어서의 고집적화에 충분히 대응할 수 있는 것이다.

<실시예>

이하, 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 구체적으로 설명하지만 본 발명이 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다.

[실시예 1]

6"의 석영 기판 상에 금속 크롬 타겟을 사용하여, 스퍼터링 가스로서 Ar 32 sccm, 반응성 스퍼터링 가스로서 CO₂1.0 sccm, N₂18 sccm 넣어, 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 7.1 w/cm², DC 스퍼터링법으로 CrCON을 3 nm의 시드층으로 막 형성하였다.이 CrCON의 막 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr가 48 원자％, C가 9 원자％, O가 17 원자％, N이 26 원자％ 포함되어 있었다.

이 시드층 (CrCON 막) 상에 Cr를 타겟으로 하여, Ar를 32 sccm, CO₂을 0.7 sccm, N₂를 1 sccm 넣어, 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 6.6 w/cm², DC 스퍼터링법으로 CrCON을 70 nm 막 형성하였다. 이 CrCON의 막 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr가 63 원자％, C가 8 원자％, O가 20 원자％, N이 9 원자％ 포함되어 있었다.

또한 이 CrCON 막상에 Cr를 타겟으로 하여, Ar를 32 sccm, CO₂를 14 sccm, N₂를 10 sccm 넣어, 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 6.6 w/cm², 120 ℃, DC 스퍼터링법으로 CrCON을 25 nm 막 형성하였다. 이 CrCON의 막 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr가 42 원자％, C가 5 원자％, O가 43 원자％, N이 10 원자％ 포함되어 있었다.

얻어진 막의 표면 조도 (RMS)를 AFM (Digital Instrument사 제조 NanoScope IIIa)에 의한 1 ㎛ ×1 ㎛의 표면 조도를 측정하였더니 0.395 nm 이었다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

<실시예 2>

6"의 석영 기판상에 금속 크롬 타겟을 사용하여, 스퍼터링 가스로서 Ar 32 sccm, 반응성 스퍼터링 가스로서 CO₂1.0 sccm, N₂18 sccm 넣어, 방전 중의 가스압0.3 Pa, 7.1 w/cm², DC 스퍼터링법으로 CrCON을 3 nm의 시드층으로 막 형성하였다. 이 CrCON의 막 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr이 48 원자％, C가 9 원자％, O가 17 원자％, N이 26 원자％ 포함되어 있었다.

이 시드층 (CrCON 막) 상에 Cr를 타겟으로 하여, Ar를 32 sccm, CO₂을 14 sccm, N₂를 10 sccm 넣어, 방전 중인 가스압 0.3 Pa, 6.6 w/cm², DC 스퍼터링법으로 CrCON을 25 nm 막 형성하였다. 이 CrCON의 막 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr가 42 원자％, C가 5 원자％, O이 43 원자％, N이 10 원자％ 포함되어 있었다.

이 CrCON막상에 Cr을 타겟으로 하여, Ar를 32 sccm, CO₂을 0.7 sccm 넣어, 방전 중인 가스압 0.3 Pa, 6.6 w/cm², DC 스퍼터링법으로 CrCO를 70 nm 막 형성하였다. 이 CrCO의 막 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr가 69 원자％, C가 13 원자％, O가 18 원자％ 포함되어 있었다.

또한 이 CrCO 막상에 Cr를 타겟으로 하여, Ar를 32 sccm, CO₂를 14 sccm, N₂를 10 sccm 넣어, 방전 중인 가스압 0.3 Pa, 66 w/cm², DC 스퍼터링법으로 CrCON을 25 nm 막 형성하여, 크롬의 3층막을 형성하였다. 이 CrCON의 막 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr가 42 원자％, C가 5 원자 ％, O가 43 원자％, N이 10 원자％ 포함되어 있었다. 실시예 1과 동일하게 표면 조도를 측정하였더니 0.382 nm 이었다.

<비교예 1>

실시예 1에서 시드층을 형성하지 않은 것 이외는 실시예 1과 동일하게 막 형성하였다. 표면 조도는 1.446 nm 이었다.

<비교예 2>

실시예 2에서 시드층을 형성하지 않은 것 이외는 실시예 2와 동일하게 막 형성하였다. 표면 조도는 1.440 nm 이었다.

	시드층	표면 조도(nm)
실시예 1	있음	0.395
실시예 2	있음	0.382
비교예 1	없음	1.446
비교예 2	없음	1.440

표에서 밝혀진 바와 같이 시드층을 형성한 위에 차광막 또는 반사 방지막을 형성한 쪽의 표면 조도가 작고, 또한 AFM에 의한 표면 관찰로는 시드층이 있는 막은 입자가 갖추어진 막이 막 형성되어 있었다.

본 발명의 시드층을 갖는 포토마스크 및 마스크 블랭크로서는 투명 기판상에 형성된 시드층 상에 차광막 및 반사 방지막을 형성하면 막의 성장이 미세한 입상 성장으로 되어 표면 조도가 작은 마스크 블랭크를 얻을 수 있고 또한 결함 검사 및 회로 패턴 검사에서도 고감도 검출이 가능해져, 고품질의 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 얻을 수 있고, 한층 더 반도체 집적 회로의 미세화, 고 집적화에 충분히 대응할 수 있다.

Claims

노광광이 투과하는 투명 기판상에 한층 이상의 차광막과 한층 이상의 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 투명 기판과 차광막 또는 반사 방지막 사이에 시드층을 형성함과 동시에, 이 시드층을 산소, 질소 및 탄소 중 1종 이상을 포함하는 크롬으로 이루어지는 재료로 형성한 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
제1항에 있어서, 상기 차광막 또는 반사 방지막이 산소, 질소 및 탄소 중 1종 이상을 포함하는 크롬으로 이루어지는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 시드층의 두께를 0.5 내지 10 nm로 하는 포토마스크 블랭크.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 포토마스크 블랭크의 표면 조도 (RMS)를 0.9 nm 이하로 하는 포토마스크 블랭크.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.