KR20070100628A

KR20070100628A - 리소그래피용 펠리클

Info

Publication number: KR20070100628A
Application number: KR1020070000950A
Authority: KR
Inventors: 토루 시라사키
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2006-04-07
Filing date: 2007-01-04
Publication date: 2007-10-11
Anticipated expiration: 2027-01-04
Also published as: TW200745742A; EP1843201A1; EP1843201A8; EP1843201B1; US20120244477A1; US20070238030A1; KR101164460B1; TWI337688B

Abstract

리소그래피시에, 경사입사광의 광투과율이, 리소그래피 조작에 있어서 허용할 수 있는 범위를 넓힌 리소그래피용 펠리클을 제공한다.

ArF 엑시머 레이저광을 사용한 리소그래피에 사용되는 펠리클로서, 그 펠리클막 두께가 수직입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께인 경우에, 그 펠리클막의 막두께가 400㎚이하인 것을 특징으로 한다.

또한 그 펠리클막이 경사입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 경우에, 경사입사의 각도가 13.4도인 것, 그리고, 그 펠리클막의 막두께가 600㎚이하이며, 특히 그 펠리클막의 막두께가 560∼563㎚, 또는 489∼494㎚, 또는 418∼425㎚, 또는 346∼355, 또는 275∼286㎚, 또는 204∼217㎚인 것이 바람직하다.

Description

리소그래피용 펠리클{PELLICLE FOR LITHOGRAPHY}

도1은 실시예1의 펠리클막의 투과율의 입사각 의존성을 나타내는 그래프이다.

도2는 실시예2의 펠리클막의 투과율의 입사각 의존성을 나타내는 그래프이다.

도3은 실시예3의 펠리클막의 투과율의 입사각 의존성을 나타내는 그래프이다.

도4는 실시예4의 펠리클막의 투과율의 입사각 의존성을 나타내는 그래프이다.

도5는 실시예5의 펠리클막의 투과율의 입사각 의존성을 나타내는 그래프이다.

도6은 실시예6의 펠리클막의 투과율의 입사각 의존성을 나타내는 그래프이다.

도7은 비교예1의 펠리클막의 투과율의 입사각 의존성을 나타내는 그래프이다.

본 발명은 리소그래피용 펠리클, 특히 LSI, 초LSI 등의 반도체 디바이스 또는 액정표시판 등을 제조할 때의 먼지막이로서 사용되는 리소그래피용 펠리클, 특히 고해상도를 필요로 하는 노광에 있어서 사용되는 200㎚이하의 자외광 노광에 사용되는 리소그래피용 펠리클에 관한 것이다.

종래, LSI, 초LSI 등의 반도체 디바이스 또는 액정표시판 등의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판에 광을 조사해서 패터닝을 하는 것이지만, 이 경우에 사용하는 노광 원판에 먼지가 부착되어 있으면, 이 먼지가 광을 흡수하거나, 광을 반사시켜 버리므로, 전사된 패터닝이 변형되거나, 엣지가 까칠하게 되어 버려, 치수, 품질, 외관 등이 손상되어, 반도체장치나 액정표시판 등의 성능이나 제조 수율의 저하를 초래한다는 문제가 있었다.

이 때문에, 이들 작업은 통상 클린룸에서 행해지지만, 이 클린룸내에서도 노광 원판을 항상 정상으로 유지하는 것이 어려우므로, 노광 원판의 표면에 먼지막이를 위한 노광용의 광을 잘 통과시키는 펠리클을 점착하는 방법이 행해지고 있다.

이 경우, 먼지는 노광 원판의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클막 위에 부착되므로, 리소그래피시에 초점을 노광 원판의 패턴 상에 맞춰 두면, 펠리클 상의 먼지는 전사에 무관계로 되는 이점이 있다.

이 펠리클은 광을 잘 통과시키는 니트로셀룰로오스, 초산셀룰로오스 등으로 이루어지는 투명한 펠리클막을 알루미늄, 스테인레스, 폴리에틸렌 등으로 이루어지는 펠리클 프레임의 상부에 펠리클막의 양용매를 도포하고, 바람에 의해 건조시켜 서 접착하거나(특허문헌1 참조), 아크릴수지(특허문헌2 참조)나 에폭시수지(특허문헌3 참조), 또한 비정질 불소계 중합체(특허문헌4 참조) 등의 접착제로 접착하고, 펠리클 프레임의 하부에는 폴리부텐 수지, 폴리초산비닐 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지 등으로 이루어지는 점착층 및 점착층을 보호하는 이형층(세퍼레이터)을 접착해서 구성되어 있다.

최근, 리소그래피의 해상도는 점차 높아져 오고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 파장이 짧은 광이 광원으로서 서서히 이용되어져 오고 있다.

구체적으로는 자외광[g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머레이저(248㎚)]으로 이행하고 있으며, 최근에서는 ArF 엑시머레이저(193㎚)가 사용되기 시작했다.

리소그래피에 사용되는 광의 단파장화에 의해, 광의 에너지가 커져 오고 있으므로, KrF, ArF 레이저에 대해서는 펠리클막의 재료는 보다 레이저광 내성이 큰 투명 불소수지가 사용되어져 오고 있다(특허문헌3, 특허문헌4 참조).

최근, ArF 엑시머레이저를 이용해서 더욱 미세한 가공을 행하기 위해서, 액침노광장치를 사용하는 검토가 시작되고 있다(특허문헌5 참조). 노광장치의 대물렌즈와 실리콘 웨이퍼 사이를 액체로 채움으로써, 보다 높은 NA를 실현하고, 그 결과, 보다 높은 해상도를 얻고 있다.

대물렌즈와 실리콘 웨이퍼간의 액체가 순수인 경우, NA의 이론한계는 1.44정도이지만, 실제로는 렌즈 등의 제약으로부터 실용상의 NA의 한계는 1.3정도가 된다라고 생각되어지고 있다.

이렇게 노광장치가 고NA화되면, 펠리클을 투과하는 광도 주변부는 경사입사 의 각도가 커지고, 노광장치에 따라서도 다소 다르지만, NA가 1인 경우에서 최대 경사입사각은 약 15도, NA가 1.3인 경우에서 약 19도까지 커진다.

펠리클의 투과율은 일반적으로 수직입사광에 대해서 최대 투과율이 되도록 설계되어, 제조되고 있지만, 경사입사의 각도(수직입사광과 경사입사광이 이루는 각도)가 커짐에 따라 투과율이 저하되어 간다. 일반적으로 이용되고 있는 ArF 펠리클의 막두께는 약 830㎚이지만, 수직입사광에 대해서 약 100%의 투과율을 나타내는 것이어도, 15도의 경사입사광선에 대해서는 약 96%, 19도의 경사입사에 대해서는 약 92%로 투과율은 매우 낮아진다.

펠리클의 투과율이 낮아지면, 특히, 입사각에 의해 서서히 낮아지면, 노광시의 조사 불균일의 원인으로 되어, 리소그래피의 품질저하로 연결된다. 또 투과율이 낮아진다라는 것은, 그만큼 펠리클막면에서의 반사가 증가한다는 것이며, 플레어 등의 문제가 생기고, 이것도 리소그래피의 품질저하로 연결된다. 또 펠리클막면에서 반사된 광이 산란광으로 되어, 노광장치내의 불필요한 장소에 광이 닿게 되어 재료의 열화 등의 문제가 생길 가능성이 있다.

특허문헌3에서는, 「포토마스크용 방진 커버」의 「평균 광선 투과율」이 검토되고 있지만, 여기에서 검토되는 광선의 파장은 「240∼500㎚」의 범위이며, 또한, 경사입사광선의 광투과율에 관해서는 검토되어 있지 않다.

(특허문헌1)일본 특허공개 소58-219023호 공보

(특허문헌2)미국특허 제4861402호 명세서

(특허문헌3)일본 특허공고 소63-27707호 공보

(특허문헌4)일본 특허공개 평7-168345호 공보

(특허문헌5)국제공개 WO99/49504

본 발명은, 상기 사정을 감안하여, 리소그래피시에, 경사입사광의 광투과율이, 리소그래피 조작에 있어서 허용할 수 있는 범위를 넓힌 리소그래피용 펠리클을 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명의 펠리클은, ArF 엑시머 레이저광을 사용한 리소그래피에 사용되는 펠리클로서, 그 펠리클막 두께가 수직입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께인 경우에, 그 펠리클막의 막두께가 400㎚이하인 것을 특징으로 한다.

또한 그 펠리클막이 경사입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 경우에, 경사입사의 각도가 13.4도인 것, 그리고, 그 펠리클막의 막두께가 600㎚이하이며, 특히 그 펠리클막의 막두께가 560∼563㎚, 또는 489∼494㎚, 또는 418∼425㎚, 또는 346∼355㎚, 또는 275∼286㎚, 또는 204∼217㎚인 것이 바람직하다.

펠리클은, 일반적으로 단파장의 광에 대해서 사용되므로, 그 파장의 광에 대해서 최대 투과율이 나오도록 설계되어, 제조된다. 광의 간섭효과에 의해, 막두께를 제어함으로써 어느 정도의 막두께로 투과율이 극대치를 취하는 것이 알려져 있다. 막두께가 얇은 쪽이 막재료에 의한 산란 등이 감소되므로 투과율이 높지만, 한 편으로 막두께가 두꺼운 쪽이 막의 기계적 강도가 향상되어 취급이 용이해진다. 현재의 ArF 레이저용 펠리클의 경우, 그 양자의 균형으로 인해, 일반적으로 그 막두께는 830㎚정도로 제어되어 있다.

그러나, 위에 기재한 바와 같이, 이 막두께에 있어서는, 수직입사에 대해서 최대 투과율이 나오도록 막두께가 설정되어 있으므로, 수직입사광에 대해서는 거의 100%의 투과율을 나타내지만, 입사각의 증대에 따라 투과율은 저하되고, 전술한 바와 같이, 19도의 경사입사광에 대해서는 약 92%의 투과율밖에 없어, 고NA 노광장치에서 사용하기에는 문제가 있다.

상기의 문제를 해소하기 위해서, 발명자는, 그 펠리클막 두께가 수직입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께인 조건하에서 펠리클막 두께와 경사입사광의 투과율의 관계를 예의 검토한 결과, 그 펠리클막의 막두께를 400㎚이하로 함으로써, 수직입사광에 대해서는 거의 100%의 투과율을 갖고, 또한, 19도의 경사입사광에 대해서도 98%이상의 투과율을 갖는 것을 발견했다.

요컨대, ArF 레이저광의 펠리클막에의 입사각이 0도~19도의 범위에 걸쳐 98%이상의 투과율을 갖는 펠리클을 제공할 수 있는 것이다.

또한 펠리클막의 막두께를 수직입사광에 대해서 최대 투과율을 나타내도록 막두께를 제어하는 것으로 바꾸어서, 펠리클막의 막두께를 ArF 레이저광의 수직입사가 아니라, 경사입사에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 함으로써 투과율의 입사각 의존성을 작게 할 수 있다. 특히 펠리클막의 막두께를 13.4도의 경사입사 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 함으로써, 수직입사 광에 대한 투과율은 저하되지만, 19도까지의 경사입사광에 대한 투과율은 향상되고, 입사각이 0∼19도의 범위에서의 경사입사에 대해서 투과율의 입사각 의존성을 최소로 할 수 있는 것을 발견했다.

또한, 펠리클막의 막두께를 13.4도의 경사입사 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 할 때에, 펠리클막의 막두께를 600㎚이하로 함으로써, 수직입사 및 최대 19도까지의 경사입사에 대해서 투과율이 98%를 넘는 높은 투과율을 갖는 펠리클막을 제조할 수 있어, 상기의 문제가 발생하지 않게 되는 것을 발견했다.

이 경우 펠리클막의 막두께를 13.4도의 경사입사 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 함으로써, 수직입사광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 하는 경우와 비교해서, 입사각이 0∼19도의 범위에서의 경사입사에 대해서 투과율이 98%를 넘는 높은 투과율을 갖는 펠리클막을 보다 두꺼운 막두께로 제조할 수 있고, 막의 기계적 강도가 보다 높고, 투과율의 입사각 의존성이 작은 펠리클을 제공할 수 있다.

구체적으로는, 펠리클막의 막두께를 560∼563㎚, 또는 489∼494㎚, 또는 418∼425㎚, 또는 346∼355㎚, 또는 275∼286㎚, 또는 204∼217㎚의 각 범위로 제어함으로써, 입사각이 0∼19도에 대해서 98%이상의 투과율을 갖는 펠리클을 제조할 수 있다.

(실시예)

이하, 본 발명의 실시예를 나타낸다.

[실시예1]

환상구조를 갖는 퍼플루오로에테르 중합체, 사이톱 CTX-S(아사히가라스(주)제 상품명)를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 3% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 850rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 폈다. 그 후 실온에서 30분간 건조후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포시킨 알루미늄 프레임을 붙이고, 막만을 박리시켜 펠리클막으로 했다.

표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 프레임(외치수:149mm×122mm×5.8mm)의 상면에 막접착제를, 하면에 마스크 점착제를 도포했다. 그 후 막접착제측을 알루미늄 프레임에 취한 펠리클막에 붙이고, 프레임의 외주의 막을 절단해서 펠리클을 완성시켰다.

완성된 펠리클의 막두께를 측정한 결과 277㎚였다. 이 막두께는 ArF 레이저(파장 193㎚)의 수직입사광에 대해서 극대 투과율이 되는 막두께였다.

이 펠리클의 투과율의 입사각 의존성을 측정한 결과, 수직입사(입사각 0도)에서 99.9%, 10도의 경사입사에서 99.8%, 19도의 경사입사에서 98.6%로 입사각이 커짐에 따라 투과율은 저하되지만, 0∼19도의 전체 입사각에 대해서 98%이상이라는 높은 투과율을 나타냈다. 이 경우의 투과율의 각도 의존성을 도1에 나타낸다.

[실시예2]

환상구조를 갖는 퍼플루오로에테르 중합체, 사이톱 CTX-S(아사히가라스(주)제 상품명)를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 5% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 835rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 폈다. 그 후 실온에서 30분간 건조후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 붙이고, 막만을 박리시켜 펠리클막으로 했다.

표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 프레임(외치수:149mm×122mm×5.8mm)의 상면에 막접착제를, 하면에 마스크 점착제를 도포했다. 그 후 막접착제측을 알루미늄 프레임에 취한 펠리클막에 붙이고, 프레임의 외주의 막을 절단시켜 펠리클을 완성시켰다.

완성된 펠리클의 막두께를 측정한 결과 842㎚였다. 이 막두께는 ArF 레이저(파장 193㎚)의 13.4도의 경사입사광에 대해서 극대 투과율이 되는 막두께였다.

이 펠리클의 투과율의 입사각 의존성을 측정한 결과, 수직입사(입사각 0도)에서 97.0%, 경사입사의 10도에서 99.1%, 13.4도에서 99.7%, 19도에서 97.0%와, 막두께를 수직입사로 극대 투과율이 되도록 정한 경우(비교예1)에 비해, 최저 투과율이 97%로 되어, 투과율의 각도 의존성은 매우 작았다. 이 경우의 투과율의 각도 의존성을 도2에 나타낸다.

[실시예3]

환상구조를 갖는 퍼플루오로에테르 중합체, 사이톱 CTX-S(아사히가라스(주)제 상품명)를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 4% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 900rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 폈다. 그 후 실온에서 30분간 건조후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 붙이고, 막만을 박리해 펠리클막으로 했다.

완성된 펠리클의 막두께를 측정한 결과 421㎚였다. 이 막두께는 ArF 레이저(파장 193㎚)의 13.4도의 경사입사광에 대해서 극대 투과율이 되는 막두께였다.

이 펠리클의 투과율의 입사각 의존성을 측정한 결과, 수직입사(입사각 0도)에서 99.1%, 경사입사의 10도에서 99.8%, 13.4도에서 99.9%, 19도에서 99.1%로 투과율의 각도 의존성도 적고, 0∼19도의 전체 입사각에 대해서 99%이상의 높은 투과율을 나타냈다. 이 경우의 투과율의 각도 의존성을 도3에 나타낸다.

[실시예4]

환상구조를 갖는 퍼플루오로에테르 중합체인 사이톱 CTX-S(아사히가라스(주)제 상품명)를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 5% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 845rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 폈다. 그 후 실온에서 30분간 건조후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 붙이고, 막만을 박리해서 펠리클막으로 했다.

완성된 펠리클의 막두께를 측정한 결과 835㎚였다. 이 막두께는 ArF 레이저(파장 193㎚)의 약 8도의 경사입사에 대해서 극대 투과율이 되는 막두께였다.

이 펠리클의 투과율의 입사각 의존성을 측정한 결과, 0도의 경사입사에서 99.2%, 8도의 경사입사에서 99.7%, 12도의 경사입사에서 99.2%로 되었다.

약 8도의 경사입사광에 대해서 극대 투과율이 되도록 펠리클막을 제작함으로써, 0도~12도의 입사각범위에서의 최저투과율이 99.2%로 되고, 막두께를 수직입사로 극대 투과율이 되도록 정한 경우(비교예1)의 0도~12도의 입사각범위에서의 최저투과율 97.8%와 비교하여, 최저 투과율이 높게 되고, 각도 의존성이 작았다. 이 경우의 투과율의 각도 의존성을 도4에 나타낸다.

[실시예5]

환상구조를 갖는 퍼플루오로에테르 중합체인 사이톱 CTX-S(아사히가라스(주)제 상품명)를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 5% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 834rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 폈다. 그 후 실온에서 30분간 건조후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 붙이고, 막만을 박리시켜 펠리클막으로 했다.

완성된 펠리클의 막두께를 측정한 결과 846㎚였다. 이 막두께는 ArF 레이저 (파장 193㎚)의 15.2도 경사입사에 대해서 극대 투과율이 되는 막두께였다.

이 펠리클의 투과율의 입사각 의존성을 측정한 결과, 10도의 경사입사에서 98.4%, 15도의 경사입사에서 99.7%, 19도의 경사입사에서 98.4%로 되었다.

15.2도의 경사입사광에 대해서 극대 투과율이 되도록 펠리클막을 제작함으로써, 10도~19도의 경사입사광에 대한 최저투과율은 98.4%로 되고, 막두께를 수직입사에서 극대 투과율이 되도록 정한 경우(비교예1)의 10도~19도의 경사입사광에 대한 최저 투과율 92%와 비교해서, 최저 투과율이 높게 되고, 투과율의 각도 의존성은 매우 작았다. 이 경우의 투과율의 각도 의존성을 도 5에 나타낸다.

[실시예6]

사이톱 CTX-S(아사히가라스(주)제)를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 3% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 845rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 폈다. 그 후 실온에서 30분간 건조후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 붙이고, 막만을 박리해서 펠리클막으로 했다.

완성된 펠리클의 막두께를 측정한 결과 281㎚였다. 이 막두께는 ArF 레이저(파장 193㎚)의 13.4도의 경사입사광에 대해서 극대 투과율이 되는 막두께였다.

이 펠리클의 투과율의 입사각 의존성을 측정한 결과, 수직입사(입사각 0도)에서 99.4%, 경사입사의 10도에서 99.5%, 19도에서 99.4%로 되고, 막두께를 수직입사에서 극대 투과율이 되도록 정한 경우(실시예1)와 비교하여, 0도~19도의 입사각범위에서의 최저 투과율이 99.4%로 되어, 최저 투과율이 높게 되고, 투과율의 각도 의존성도 작았다. 이 경우의 투과율의 각도 의존성을 도6에 나타낸다.

[비교예1]

환상구조를 갖는 퍼플루오로에테르 중합체, 사이톱 CTX-S(아사히가라스(주)제 상품명)를 퍼플루오로트리부틸아민에 용해시킨 5% 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 적하하고, 스핀 코트법에 의해 850rpm으로 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상에 폈다. 그 후 실온에서 30분간 건조후, 180℃에서 건조시켜 균일한 막으로 했다. 이것에 접착제를 도포한 알루미늄 프레임을 붙이고, 막만을 박리해서 펠리클막으로 했다.

완성된 펠리클의 막두께를 측정한 결과 830㎚였다. 이 막두께는 ArF 레이저(파장 193㎚)의 수직입사광에 대해서 극대 투과율이 되는 막두께였다.

이 펠리클의 투과율의 입사각 의존성을 측정한 결과, 수직입사(입사각 0도)에서 99.7%로 높은 투과율을 나타내지만, 10도의 경사입사에서 98.7%, 19도의 경사입사에서 92.0%로 입사각이 커짐에 따라 서서히 투과율이 저하되고, 입사각이 12도 를 초과하면 투과율은 98%이하로 되어 버렸다. 이 경우의 투과율의 각도 의존성을 도7에 나타낸다.

본 발명에 의하면, 리소그래피시에, 펠리클 투과율의 입사각 의존성을 작게 할 수 있으므로, 반도체 디바이스 또는 액정표시판 등을 고효율로 제조할 수 있고, 또한, 액침노광 이용에도 크게 길이 열리도록 되므로, IT산업계에 공헌하는 바가 크다.

본 발명에 의하면, ArF 엑시머 레이저광을 사용한 리소그래피에 사용되는 펠리클에 있어서, 그 펠리클막 두께가 수직입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께인 경우에, 그 펠리클막의 막두께를 400㎚이하로 함으로써 수직입사 및 최대 19도까지의 경사입사에 대해서 투과율이 98%를 넘는 높은 투과율을 갖는 펠리클막을 제공하는 것이 가능하게 되었다.

또 펠리클막의 막두께를 수직입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 조정한 경우에는 입사각의 증대에 따라 투과율은 저하되지만, 펠리클의 막두께를 수직입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 조정하는 것은 아니고, 경사입사광에 대해서 극대 투과율을 갖도록 조정함으로써 펠리클 투과율의 입사각 의존성을 작게 할 수 있다. 특히 13.4도의 경사입사 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 함으로써, 경사입사 ArF 레이저광의 0도∼19도의 입사각 범위에 있어서 펠리클 투과율의 입사각 의존성을 최소한으로 할 수 있다. 이 경우 펠리클막의 막두께는 수직입사의 ArF 레이저광 에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께에 대해서 약 1.4% 두껍게 하도록 하면 좋다.

또한 펠리클막의 막두께를 13.4도의 경사입사 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께로 할 때에, 펠리클막의 막두께를 600㎚이하로 함으로써, 입사각 0∼19도에 대해서 투과율이 98%를 넘는 높은 투과율을 갖는 펠리클을 제공할 수 있다.

Claims

ArF 엑시머 레이저광을 사용한 리소그래피에 사용되는 펠리클로서, 그 펠리클막 두께가 수직입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 나타내는 막두께인 경우에, 그 펠리클막의 막두께가 400㎚이하인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
ArF 엑시머 레이저광을 사용한 리소그래피에 사용되는 펠리클로서, 그 펠리클막이 경사입사의 ArF 레이저광에 대해서 극대 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
제2항에 있어서, 상기 경사입사의 각도가 13.4도인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
제3항에 있어서, 상기 펠리클막의 막두께가 600㎚이하인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
제4항에 있어서, 상기 펠리클막의 막두께가 560∼563㎚, 또는 489∼494㎚, 또는 418∼425㎚, 또는 346∼355, 또는 275∼286㎚, 또는 204∼217㎚인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.