KR20090054879A

KR20090054879A - 환경광원 감지 기능을 가진 ｌｃｄ와 그 처리 방법

Info

Publication number: KR20090054879A
Application number: KR1020080019800A
Authority: KR
Inventors: 야-샹 타이; 한-칭 호; 치아-핀 쳉
Original assignee: 네이셔널 치아오 텅 유니버시티
Priority date: 2007-11-27
Filing date: 2008-03-03
Publication date: 2009-06-01
Also published as: TWI358570B; TW200923476A; US20090135333A1; JP2009128902A

Abstract

본 발명은 환경광원 감지(ambient light sense) 기능을 가진 LCD와 그 처리 방법에 관한 것으로서, 축전기(capacitor)를 박막 트랜지스터(Transistor)에 결합하고, 축전기의 전위가 전하 감소에 의해 그 상태가 전환될 때 필요한 상태 전환 시간을 계산한 후, 다시 그 상태 전환 시간을 기반으로 환경광원의 강도를 계산하는 방법에 관한 것이다. 더욱 자세하게는 본 발명은 박막 트랜지스터, 축전기, 센스 스위치 등을 포함하며 환경광원의 변화에 따라 박막 트랜지스터의 누전류가 변화하고 이로 인해 축전기의 전위 상태 전환에 필요한 시간이 변화하며, 센스 스위치가 축전기의 전위를 데이터 감지선으로 전송시킴으로써 해당 상태 전환 시간에 의해 환경광원 센스의 강도를 계산해 내게 된다. 본 발명인 LCD 장치는 복수 개의 축전기, 복수 개의 센스 스위치 및 하나의 프로세스 모듈을 포함하고 있다.

환경광원 감지, 환경광원

Description

환경광원 감지 기능을 가진 ＬＣＤ와 그 처리 방법{LCD WITH AMBIENT LIGHT SENSE FUNCTION AND METHOD THEREOF}

본 발명은 LCD에 관한 것으로서, 특히 환경광원 감지(ambient light sense) 기능을 가진 LCD와 그 처리 방법에 관한 것이다.

현재 정보화 사회에서 전자 디스플레이 장치는 이미 산업 현장 및 일반 가정에서 매우 보편적으로 사용되어 사용자의 각종 전자 기기들을 서로 연결해주는 매체 역할을 하고 있다. 그 중 가장 대표적인 것이 LCD인데, 이는 무게가 가볍고 전력 소모량이 적어 일생 생활에 없어서는 안될만큼 중요하게 되었다. 이러한 LCD의 주요 구성품은 광원을 제공하는 백라이트 모듈, 액정층 및 액정 편향각도를 조절하는 수많은 박막 트랜지스터 등을 포함한다. 여기서, 박막 트랜지스터는 전기장 효과 트랜지스터(FET)의 일종이며, 그 제조 방식으로는 우선 기판 상에 반도체의 동작층(active layer), 유전층(dielectric layer), 금속전극층 등과 같은 각종 다른 박막을 침적시키는 방식을 사용하였다. 또한, 박막 트랜지스터는 부피가 작고 가벼 운 이점 때문에 LCD 상에 가장 보편적으로 사용되고 있다.

하지만, 노트북의 예를 들어 설명하면 노트북에 사용되는 LCD 장치, 즉 모니터 장치의 경우, 전기소모율이 노트북 전체의 전기소모율의 삼분의 일 이상을 차지하며, 현재 이러한 모니터 장치의 전기소모율을 낮추는 것이 노트북 업계의 가장 시급한 공통 과제로 대두되고 있다. 즉, 기존의 제조 방법을 그대로 답습하는 것은 진부적이므로, 이에 대해 새로운 방법을 연구 개발해야 할 필요가 있다. 그 대표적인 예로 모니터의 밝기의 경우, 주변 환경이 지나치게 밝을 때 모니터가 상대적으로 어두워지는 현상을 방지하기 위해 과거에는 항상 일정한 밝기 강도를 유지하였는데, 이러한 방식은 첫째 전기소모량이 높고 둘째 모니터가 지나치게 밝아 사용자의 눈에 부담이 된다는 단점을 가지고 있었다. 따라서, 전기를 절약하기 위해 새로운 방식의 LCD 모니터에서는 환경 광원의 밝기에 따라 자신의 발광 강도를 변화시키는 방식을 채택하여, 사용자가 가장 적합한 상태의 밝기로 화면을 접할 수 있게 하였다. 다시 말하면, 새로운 방식의 LCD 모니터는 환경 광원의 밝기에 따라 자신의 발광 강도를 변화시켜 충분한 밝기의 모니터를 제공함과 동시에 사용자의 눈에 부담을 덜어주는 방식을 채택하였다.

그 중 환경 광원을 감지하는 방법에 관해 미국특허출원 제7218048호를 참조해보면 다음과 같다. 도 1은 상기 특허안의 전자 디스플레이 장치의 구조를 나타낸 구조도이며, 그 내용을 참조해 보면 광원 감지 다이오드, PIN 다이오드를 광원 감지 부품으로 사용하여 각기 다른 강도의 광원 하에서 각기 다른 강도의 누전류를 생성할 수 있게 하였으며, 이러한 특징을 이용하여 LCD 모니터의 밝기를 주변의 밝 기에 따라 조절할 수 있게 하였다. 하지만, 이때 발생되는 누전류의 수치가 약 10-8암페어이며, 도 2에 나타난 바와 같이 외부전류가 이렇게 미소한 수치의 신호까지 감지할 수가 없어 밝기를 조절할 수 없었다. 이를 보완하기 위해 도 3에 나타난 바와 같이 다수 개의 광원 감지 다이오드를 병렬로 연결한, 즉 병렬 연결된 다수 트랜지스터를 이용해 전류량을 누적시키는 방식을 사용하였다. 하지만, 이 방식 역시 모니터 상에 디스플레이를 위한 부위를 제외한 기타 다른 부위의 크기가 증가하고, 상대적으로 제조 원가가 상승하는 단점을 가지고 있었다.

전술된 종래 방식의 장치가 가진 단점에 기초하여 이를 해결하기 위해 본 발명자는 다년 간의 연구 개발과 종합적인 실무 경험을 바탕으로 본 발명인 환경광원 감지 기능을 가진 LCD와 그 처리 방법을 제시하게 되었다.

본 발명은 새로운 처리 방법의 환경광원 감지 기능을 가진 LCD를 제공함으로써, 종래 LCD 장치 제조 방법이 가진 부피가 지나치게 커지고 제조 원가가 상승되는 문제점을 해결하는데 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 환경광원 감지 기능을 가진 LCD와 그 처리 방법을 제공하여 박막 트랜지스터에 적용시키며, 이는 우선 축전기를 박막 트랜지스터의 소스(source)에 결합시키고, 상기 축전기의 부하를 상기 박막 트랜지스터의 누전류에 따라 감소시키며, 다시 상기 축전기의 전위가 전하 감소에 의해 그 상태가 전환될 때 필요한 상태 전환 시간을 계산한 후, 다시 그 상태 전환 시간을 기반으로 환경 광원의 강도를 계산하는 방식으로 구성된다.

또한, 본 발명은 환경광원 감지 회로를 제공하여 화소 구조상에 적용시키며, 이는 박막 트랜지스터, 축전기, 센스 스위치 등을 포함한다. 여기서, 해당 박막 트랜지스터의 누전류 크기와 환경광원의 강도는 서로 정비례하며, 해당 축전기의 한 끝은 상기 박막트랜지스터의 소스(source)와 연결 결합되고 다른 한 끝은 접지가 되며, 해당 센스 스위치는 상기 박막 트랜지스터의 소스와 데이터 감지선 사이에 연결 결합된다. 한편, 환경광원이 변화하면 그에 따라 상기 박막트랜지터의 누전류도 변화하고, 그 결과 축전기의 전위가 고전위에서 저전위 상태로 변화할 때 필요 한 상태 전환 시간에도 변화가 생기게 된다. 이때, 상기 센스 스위치가 축전기의 전위를 데이터 감지선으로 전송하면 외부회로는 해당 축전기의 상태 전환 시간을 기반으로 환경광원의 강도를 계산한다.

또한, 본 발명은 환경광원에 따라 조명모듈의 밝기 강도를 조정할 수 있는 LCD를 제공하며, 이는 복수 개의 축전기, 복수 개의 센스 스위치, 하나의 프로세스 모듈을 포함한다. 여기서, 해당 복수 개의 축전기는 상기 LCD 상의 복수 개의 화소와 서로 연결 결합되고, 상기 복수 개의 센스 스위치는 상기 복수 개의 축전기와 상기 데이터 감지선 사이에 연결 결합되어 상기 축전기들의 전위 변화를 감지하며, 상기 하나의 프로레스 모듈은 상기 축전기들 전위가 고전위에서 저전위로 전환되는데 필요한 시간을 기반으로 환경광원의 강도를 계산하고, 상기 계산된 환경광원을 기반으로 조명모듈의 밝기 강도를 조정한다.

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 환경광원 감지 기능을 가진 LCD와 그 처리 방법은 다음과 같은 장점을 가지고 있다.

(1) 감지 면적을 효과적으로 줄일 수 있고,

(2) 전원소모율을 줄일 수 있으며,

(3) 디지털 신호를 출력시킬 수 있고,

(4) 제조 원가를 낮출 수 있다.

상기와 같은 본 발명은, 현행 제조 공정 상에 사용되는 박막 트랜지스터를 환경광원 감지기로 사용할 수 있는 효과가 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명은, 감지 면적을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명은, 전기소모율을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명은, 제조 원가를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명은, 디지털 신호를 출력할 수 있는 효과가 있다.

이하, 본 발명의 기술적 특징과 달성하고자 하는 목적에 관한 더욱 자세한 이해를 돕고자, 참고 도면을 참조하여 본 발명에 따른 환경광원 감지 기능을 가진 LCD와 그 처리 방법에 관한 비교적 우수한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이때, 보다 쉽게 설명하기 위해 본 실시예 중의 동일한 부품에는 동일한 부호를 사용하였다.

도 4는 본 발명에 따른 환경광원 감지 방법의 순서를 나타낸 일실시예 흐름도이다.

우선, 축전기를 박막 트랜지스터의 소스에 연결 결합한다(S10). 이때, 상기 박막 트랜지스터의 누전류는 상기 환경광원의 강도와 정비례한다.

이어서, 상기 축전기의 전하를 상기 박막 트랜지스트의 누전류에 의해 감소시키고(S20), 상기 축전기의 전위가 전하 감소에 따라 고전위에서 저전위로 그 상태가 전환될 때 필요한 상태 전환 시간을 계산한다(S30).

이후, 상기 계산된 상태 전환 시간의 길이에 따라 환경광원의 강도를 계산한 다(S40).

이를 다시 설명하면, 본 발명에 따른 환경광원 감지 방법은 현재 사용되는 패널 제작 방법을 사용해 제작된 박막 트랜지스터 부품를 이용하는 것으로서, 우선 전하를 축전기 상에 저장하고, 다시 상기 박막 트랜지스터가 각기 다른 강도의 광원 하에서 각기 다른 크기의 누전류를 방출하는 특성을 이용해 축전기 중의 전하를 방출하는 데 필요한 시간에 변화를 발생시킨다. 즉, 환경광원이 비교적 강할 때는 축전기의 전위 상태 전환 시간이 비교적 짧아지게 된다. 이때, 패널 상의 스캔라인을 구동시키는 시간 순서에 따라 전기회로를 구동시켜 전위 상태 전환 신호를 감지하며, 그 결과 환경광원의 강도를 감지하는 목적을 달성할 수 있게 된다. 본 발명에 따른 환경광원 감지 방법에서 사용된 부품은 별도의 제작 과정을 추가할 필요없이 현행 부품 제작 과정으로도 제작할 수 있으며, 그 결과 제작 과정의 변동 없이 낮은 제조 원가로 제작할 수 있다는 장점이 있다.

여기서, 비교적 우수한 실시예를 참조하면, 본 발명에 따른 환경광원 감지 방법은 테이터 감지선을 통해 축전기의 전위를 감지하며, 이때 축전기의 전위 신호를 디지털 신호로 바꾸기 위해 로직 게이트(logic gate)를 데이터 감지선 상에 연결 설치하였다. 즉, 축전기의 전위는 우선 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)로 보내진 후, 다시 데이터 감지선 상으로 전송되어진다. 또한, 보다 선명하고 판독하기 좋은 신호를 전송하기 위해 상기 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)는 반전 증폭기를 사용할 수 있다. 또한, 데이터 감지선과 축전기 사이에는 센스 스위치를 연결 설치할 수 있으며, 액정 패널의 기존 스캔라인 신호를 이용하여 순서대로 상기 복 수 개의 센스 스위치를 작동시켜 상기 데이터 감지선이 차례로 상기 복수 개의 축전기 전위 신호를 감지할 수 있게 한다. 또한, 상기 박막 트랜지스터의 누전류와 환경광원 사이의 비교적 우수한 연결 상태 유지를 위해, 본 실시예의 박막 트랜지스터 상에 비정질실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터 혹은 폴리실리콘(poly-Si: polysilicon) 박막 트랜지스터를 사용하였다.

도 5는 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 구조를 나타낸 일실시예 구조도이다. 그 내용을 참조해보면, 본 전기회로는 화소 구조에 적용되며, 그 구성으로 입력전압(100), 스캔라인(200), 데이터 감지선(300), 광원 감지 트랜지스터(400), 축전기(500) 및 센스 스위치(600)를 포함한다. 각 부위의 연결 관계는 도5에 나타난 바와 같으며 자세한 설명은 생략하기로 한다.

여기서, 상기 스캔라인(200)이 상기 광원 감지 박막 트랜지스터(400)를 작동시키면, 상기 입력전압(100)은 상기 축전기(500)의 전위(Vc)를 고전위로 상승시킨다. 또한, 상기 스캔라인(200)이 상기 광원 감지 박막 트랜지스터 (400)를 정지시키면, 상기 광원 감지 박막 트랜지스터(400)는 환경광원이 비추는 상태에서 누전류를 생성시킨다. 이때, 생성된 누전류의 크기는 상기 환경광원의 크기와 정비례하며 해당 누전류는 축전기(500) 내에 저장된 전하를 소모하게 된다. 이로 인해, 상기 축전기(500)의 전위(Vc)는 내려가게 된다.

한편, 상기 센스 스위치(600)는 이러한 전위(Vc)의 변화 상황을 데이터 감지선(300)으로 전송하며, 이때 외부회로는 상기 전위(Vc)가 고전위 상태에서 저전위 상태로 변화하는데 필요한 시간을 기반으로 환경광원의 강약을 계산한다. 여기서, 상술된 광원 감지 박막 트랜지스터(400)는 더욱 우수한 환경광원 감지 효과를 얻기 위해 비정질실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터 혹은 폴리실리콘(poly-Si) 박막 트랜지스터를 사용하였다.

도 6은 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 구조를 나타낸 다른 일실시예 구조도이다. 이때, 도 6에서는 상기 축전기(500)와 상기 센스 스위치(600) 사이에 반전 증폭기(700)를 연결 설치하였으며, 해당 반전 증폭기(700)를 통해 상기 축전기(500)의 전위(Vc)가 반전 및 증폭되어 더욱 간단하고 정확한 디지털 신호로 전환되기 때문에 외부회로가 환경광원의 강도를 판단할 때 더욱 편리해진다는 장점을 가지게 된다.

도 7은 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 화소 구조를 나타낸 일실시예 구조도이다. 여기서, 상기 센스 스위치(600)는 박막 트랜지스터 스위치(610)로 구성될 수 있으며, 상기 센스 스위치(600) 앞에 상기 증폭 트랜지스터(620)를 연결 설치하여 출력전압(Vout)을 증폭시킬 수도 있다.

도 8은 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 화소 구조를 나타낸 다른 일실시예 구조도이다. 여기서, 상기 반전 증폭기(700)는 P형 박막 트랜지스터(710)와 N형 박막 트랜지스터(720)로 구성되며, 그 원리는 본 기술 영역에 통상적인 지식을 가진 자라면 쉽게 이해할 수 있는 내용이므로, 여기서 자세한 설명은 생략하기로 한다. 상기 센스 스위치(600)는 박막 트랜지스터 스위치(610)로 구성되며, 두 번째 스캔라인(220)의 통제를 받게 된다. 이러한 구조를 살펴보면, 본 실시예에서 사용하는 모든 부품들은 현재의 제조 설비로도 생산이 가능함을 알 수 있다. 또한, 상 기 액정 모니터의 스캔신호는 순서대로 첫 번째 스캔라인(210)과 두 번째 스캔라인(220)으로 전송되며, 다시 순서대로 상기 광원 감지 박막 트랜지스터(400)와 박막 트랜지스터 스위치(610)를 작동시키게 된다. 그 결과 상기 테이터 감지선(300)이 출력전압(Vout)의 파형을 순서대로 수신할 수 있게 된다.

도 9는 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 파형을 나타낸 일실시예 사시도이다. 그 내용을 참조해보면, 상기 데이터 감지선(300)은 스캔신호를 기본 주파수로 사용하여 출력전압 신호의 전위 상태 전환 시간의 길이를 계산한다. 예를 들어 설명하면, 강한 빛이 비추는 상태에서 상기 출력전압(Vout)은 기본 주파수 내에서 고전위에서 저전위 상태로 전환하게 되고, 그와 반대로 약한 빛이 비추는 상태에서 상기 출력전압(Vout)은 2-3개의 기본 주파수를 거친 후 비로서 상태 전환을 하게 된다.

도 10은 본 발명에 따른 LCD의 구조를 나타낸 일실시예 구조도이다. 그 내용을 참조해보면, 본 발명에 따른 LCD는 프로세스 모듈(810), 조명모듈(820), 패널(900), 데이터 감지선(300), 약간의 센스 스위치(600), 약간의 축전기(500) 및 약간의 화소(830)를 포함한다.

일반적으로 잘 알려진 사실처럼 패널(900)은 자체적으로 상당히 많은 화소 구조를 구비하고 있으며, 사용자는 제작 공정상의 필요성과 제작 원가를 고려하여 부분 혹은 모든 화소(830)를 상기 축전기(500)와 센스 스위치(600) 상에 연결 설치한다. 상기 화소(830) 내의 박막 트랜지스터가 환경광원 하에서 누전류를 생성시킬 때, 해당 누전류가 끊임없이 축전기(500)의 부하를 소모함에 따라 상기 축전 기(500)의 전위는 하강하게 된다.

상기 프로세스 모듈(810)은 순서대로 상기 센스 스위치(600)를 작동시켜 상기 축전기(500)의 전위 신호를 상기 데이터 감지선(300)으로 전송한다. 또한, 상기 프로세스 모듈(810)은 상기 데이터 감지선(300)을 통해 환경광원의 강약을 의미하는 축전기 전위 상태 전환 시간을 수신한 후, 백라이트 모듈 등과 같은 조명 모듈(820)의 강도를 조절하여 전기소모량을 줄이는 효과를 얻을 수 있게 된다. 또한, 상기 축전기(500)의 전위 신호의 정확도를 높임과 동시에 상술한 전위 상태 전환 시간을 디지털화하기 위해 신호를 증폭시키게 되는데 이러한 과정을 위해 상기 반전 증폭기(700) 등과 같은 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)를 상기 축전기(500)에 연결 설치할 수 있다.

도 11은 본 발명에 따른 시뮬레이션 파형도로서, 각기 다른 강도의 환경광원 상태에서 TFT 트랜지스터 누전류의 크기를 시뮬레이션한 결과이다.

도 12는 본 발명의 실시예의 실제 측정 파형도로서, 첫 번째 스캔라인 신호와 출력전압 신호 작동한 후, 각기 다른 강도의 환경광원 상태에서 TFT 트랜지스터 누전류의 크기 상태를 실제 측정한 결과이다.

본 발명은 박막 트랜지스터의 누전류의 크기와 환경광원의 강도가 정비례하는 특징을 이용하여 환경광원의 변화를 감지하지만, 여기에 국한되지 않고 박막 트랜지스터의 누전류의 크기와 환경광원의 강도가 반비례하는 특징을 가지고 있는 경우에도 본 발명에 따른 환경광원 감지 기능을 수행할 수 있다. 즉, 본 발명은 박막 트랜지스터의 누전류를 이용해 환경광원을 감지하게 되는 기본 이념 범주를 벗어나 지 않고 전술한 비교적 우수한 실시예에서 비정질실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터 혹은 폴리실리콘(poly-Si) 박막 트랜지스터를 사용하여 상기 박막 트랜지스터를 구성하였지만, 본 발명의 범위는 여기에 국한되지 않는다.

이상 상술한 내용은 단지 본 고안의 특징과 장점 등을 상세히 설명하기 위해 비교적 우수한 실시예를 예로 들어 설명한 것으로 본 특허 신청의 범위는 이에 국한되지 않고, 본 특허 신청 정신과 범주를 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 기타 변형 등의 과정을 통한 경우에도 본 특허 신청 범위에 모두 포함된다.

도 1은 종래의 전자 디스플레이 장치의 구조를 나타낸 구조도이다.

도 2는 종래의 전자 디스플레이 장치의 누전류를 나타낸 사시도이다.

도 3은 종래의 전자 디스플레이 장치의 일부를 나타낸 사시도이다.

도 5는 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 구조를 나타낸 일실시예 구조도이다.

도 6은 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 구조를 나타낸 다른 일실시예 구조도이다.

도 7은 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 화소 구조를 나타낸 일실시예 구조도이다.

도 8은 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 화소 구조를 나타낸 다른 일실시예 구조도이다.

도 9는 본 발명에 따른 환경광원 감지 회로의 파형을 나타낸 일실시예 사시도이다.

도 10은 본 발명에 따른 LCD의 구조를 나타낸 일실시예 구조도이다.

도 11은 본 발명에 따른 시뮬레이션 파형도이다.

도 12는 본 발명의 실시예의 실제 측정 파형도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

100: 입력전압 200: 스캔라인(scanline)

210: 첫 번째 스캔라인 220: 두 번째 스캔라인

300: 데이터 감지선 400: 광원 감지 박막 트랜지스터

500: 축전기 600: 센스 스위치

610: 박막 트랜지스터 스위치 620: 신호 증폭 트랜지스터

700: 반전 증폭기(Inverting Amplifier)

710: P형 박막 트랜지스터 720: N형 반막 트랜지스터

810: 프로세스 모듈 820: 조명 모듈

830: 화소 900: 패널

Claims

박막 트랜지스터에 적용되는 환경광원 감지 방법에 있어서,

축전기를 상기 박막 트랜지스터의 소스(source)에 결합하는 단계;

상기 축전기의 부하를 상기 박막 트랜지스터의 누전류에 따라 감소시키는 단계;

상기 축전기의 전위가 전하 감소에 의해 상태가 전환될 때 필요한 상태 전환 시간을 계산하는 단계; 및

상기 계산된 상태 전환 시간을 기반으로 환경 광원의 강도를 계산하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 축전기 상에 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)를 설치하여 상기 축전기의 전위를 디지털 신호로 전환시키도록 하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 방법.
제 2 항에 있어서,

상기 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)는 반전 증폭기를 사용하는 것을 특징 으로 하는 환경광원 감지 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 축전기 상에 데이터 감지선을 설치하여 상기 축전기의 전위를 출력하도록 하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 방법.
제 4 항에 있어서,

상기 축전기와 상기 데이터 감지선 사이에 센스 스위치를 설치하여, 상기 축전기의 전위를 감지하도록 하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 박막 트랜지스터는 비정질실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터 혹은 폴리실리콘(poly-Si) 박막 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 방법.
화소 구조에 적용되는 환경광원 감지 회로에 있어서,

누전류의 크기가 환경광원의 강도와 서로 정비례하는 박막 트랜지스터;

한 끝은 상기 박막 트랜지스터의 소스와 연결 결합되며, 다른 한 끝은 접지되는 축전기; 및

상기 박막 트랜지스터의 소스와 데이터 감지선 사이에 연결되는 센스 스위치

를 포함하고,

상기 박막트랜지스터의 누전류는 환경광원이 변화함에 따라 변화하여, 상기 축전기의 전위가 고전위에서 저전위 상태로 변화할 때 필요한 상태 전환 시간을 변화시키고,

상기 센스 스위치는 상기 축전기의 전위를 상기 데이터 감지선으로 전송하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 회로.
제 7 항에 있어서,

상기 축전기와 상기 센스 스위치 사이에 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)를 연결 설치하여, 상기 축전기의 전위를 디지털 신호로 전환시키도록 하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 회로.
제 8 항에 있어서,

상기 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)는 반전 증폭기로 구성되는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 회로.
제 7 항에 있어서,

상기 박막 트랜지스터는 비정질실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터 혹은 폴리실리콘(poly-Si) 박막 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 환경광원 감지 회로.
환경광원에 따라 조명모듈의 밝기를 조절할 수 있는 LCD에 있어서,

상기 LCD의 복수 개의 화소에 연결 설치되는 복수 개의 축전기;

상기 축전기의 전위를 감지하기 위해 상기 축전기와 하나의 데이터 감지선 사이에 연결 설치되는 복수 개의 센스 스위치; 및

상기 축전기의 전위 상태 전환 상에 필요한 전위 상태 전환 시간을 기반으로 환경광원의 강도를 계산하여, 상기 조명모듈의 밝기를 조절하는 프로세스 모듈

을 포함하는 것을 특징으로 하는 LCD.
제 11 항에 있어서,

상기 축전기와 상기 센스 스위치 사이에 복수 개의 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)를 설치하여, 상기 약간의 축전지의 전위를 디지털 신호로 전환하도록 하는 것을 특징으로 하는 LCD.
제 12 항에 있어서,

상기 로직 NOT 게이트(logic NOT gate)는 반전 증폭기를 사용하는 것을 특징으로 하는 LCD.
제 11 항에 있어서,

상기 조명모듈은 백라이드 모듈로 구성되는 것을 특징으로 하는 LCD.