KR20090077889A - Esd 방지 커넥터 - Google Patents

Esd 방지 커넥터 Download PDF

Info

Publication number
KR20090077889A
KR20090077889A KR1020097004820A KR20097004820A KR20090077889A KR 20090077889 A KR20090077889 A KR 20090077889A KR 1020097004820 A KR1020097004820 A KR 1020097004820A KR 20097004820 A KR20097004820 A KR 20097004820A KR 20090077889 A KR20090077889 A KR 20090077889A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
connector
housing
spring
serial bus
electrically conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020097004820A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101058204B1 (ko
Inventor
쥬니어. 패트리시오 콜란테스
로버트 씨. 밀러
스티븐 티. 스프로우스
드하발 패릭
Original Assignee
샌디스크 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/465,049 external-priority patent/US7416419B2/en
Priority claimed from US11/465,045 external-priority patent/US7581967B2/en
Application filed by 샌디스크 코포레이션 filed Critical 샌디스크 코포레이션
Publication of KR20090077889A publication Critical patent/KR20090077889A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101058204B1 publication Critical patent/KR101058204B1/ko
Assigned to 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 reassignment 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 권리의 전부이전등록 Assignors: 샌디스크 코포레이션
Assigned to 샌디스크 테크놀로지스 아이엔씨. reassignment 샌디스크 테크놀로지스 아이엔씨. 권리의 전부이전등록 Assignors: 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/648—Protective earth or shield arrangements on coupling devices, e.g. anti-static shielding  
    • H01R13/658—High frequency shielding arrangements, e.g. against EMI [Electro-Magnetic Interference] or EMP [Electro-Magnetic Pulse]
    • H01R13/6581—Shield structure
    • H01R13/6582—Shield structure with resilient means for engaging mating connector
    • H01R13/6583—Shield structure with resilient means for engaging mating connector with separate conductive resilient members between mating shield members
    • H01R13/6584—Shield structure with resilient means for engaging mating connector with separate conductive resilient members between mating shield members formed by conductive elastomeric members, e.g. flat gaskets or O-rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/648—Protective earth or shield arrangements on coupling devices, e.g. anti-static shielding  
    • H01R13/658—High frequency shielding arrangements, e.g. against EMI [Electro-Magnetic Interference] or EMP [Electro-Magnetic Pulse]
    • H01R13/6581—Shield structure
    • H01R13/6582—Shield structure with resilient means for engaging mating connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R2201/00—Connectors or connections adapted for particular applications
    • H01R2201/06—Connectors or connections adapted for particular applications for computer periphery

Landscapes

  • Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
  • Cable Accessories (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)

Abstract

전기 도전성(electrically conductive) 하우징(housing)을 가진 범용직렬버스(universal serial bus; USB) 플래시(flash) 메모리 유닛은, 하우징과 범용직렬버스의 커넥터의 금속 쉘(shell) 간에 전기 도전성이며 낮은 저항(low-resistance)인 경로(pathway)를 제공하는 스프링을 포함하여, 정전기 전하가 상기 하우징 내의 전자 요소(component)들을 통해 방전되는 대신, 상기 하우징으로부터 상기 금속 쉘로 바로 방전될 수 있다.

Description

ESD 방지 커넥터{CONNECTOR WITH ESD PROTECTION}
일반적으로 본 발명은 착탈가능형(removable) 비휘발성(nonvolatile) 메모리 장치(device)에 관한 것이며, 특히 다른 전자 시스템과 인터페이스(interface)하기 위한 표준화된 커넥터를 구비한 비휘발성 메모리 장치들의 사용 및 그 구조에 관한 것이다.
비휘발성 메모리 카드들을 포함한 전자 회로 카드들이 수많은 잘 알려진 표준들에 따라 상업적으로 구현되어 왔다. 메모리 카드는 개인용 컴퓨터(personal computer), 셀룰러 폰(cellular phone), PDA(Personal Digital Assitants), 디지털 스틸 카메라(digital stil camera), 디지털 동영상 카메라(digital movie camera), 휴대형 음악 재생장치(portable audio player) 및 대용량의 데이터를 저장하는 다른 호스트 전자 장치(host electronic device)에 사용된다. 일반적으로 이러한 메모리 카드들은 재프로그래밍이 가능한(re-programmable) 비휘발성 반도체 메모리 셀 어레이(memory cell array), 및 상기 카드가 연결된 호스트와 인터페이스하며 상기 메모리 셀 어레이의 동작을 제어하는 제어기(controller)를 구비한다. 동종의 카드 중 몇몇은 그러한 종류의 카드들을 수용(accept)하도록 설계된 호스트 카드 슬롯(host card slot)에서 서로 교체(interchange)될 수 있다. 그러나, 많은 전자 카드 표준들이 발전하면서 여러가지 점에서 상호 호환되지 않는 서로 다른 종류의 카드들이 만들어지게 되었다. 일반적으로 어느 하나의 표준에 따라 만들어진 카드는 다른 표준의 카드와 동작하도록 설계된 호스트에서는 사용될 수 없다. 메모리 카드 표준은 PC 카드, CompactFlash™ 카드 (CF™ 카드), SmartMedia™ 카드, MultiMediaCard (MMC™), Secure Digital (SD) 카드, miniSD™ 카드, 가입자 인증 모듈(Subscriber Identity Module; SIM), Memory Stick™, Memory Stick Duo 카드, TransFlash™ 메모리 모듈 표준 등을 포함한다.
또한, 작은, 휴대형의(hand-held) 재프로그래밍 가능한 비휘발성 메모리들이 범용직렬버스(USB) 커넥터를 통하여 컴퓨터 또는 다른 종류의 호스트와 인터페이스 되도록 개발되어 왔다. 이 메모리들은 특히 위와 같은 메모리 카드들 중 하나를 위한 수납구(receptacle) 슬롯이 없는 경우에, 자신의 개인용 컴퓨터 전면부에 1개 이상의 사용가능한 USB 커넥터들을 지니고 있는 사용자들에게 아주 편리하다. 또한 이러한 장치들은 USB 수납구를 지닌, 휴대용 장치들을 포함한 다양한 호스트 시스템 간 데이터를 전송하는데 매우 유용하다. USB 인터페이스의 기계적 및 전기적 세부 사항들은 2000년 4월 27일자의 "Universal Serial Bus Specification" 리비전 2.0에 기술되어 있다. 일반적으로 USB 커넥터는 핀들을 포함하는 개구(opening)를 둘러싸고 있는 금속 쉘로 특징지어지며, 상기 금속 쉘은 USB 수납구에 삽입될 때 접지된다. 상표명 "Cruzer®"로서 SanDisk사로부터 출시된, 상업적으로 이용가능한 몇가지 종류의 USB 플래시 드라이브 제품들이 있다. 일반적으로 USB 플래시 드라이브는 위에 설명된 메모리 카드들에 비해 더 크며, 다른 형상를 지닌다.
일반적으로 착탈가능형 메모리 유닛들(카드, USB 플래시 드라이브들 및 다른 유닛들)은 표준화된 커넥터를 구비한다. 몇몇 경우에, 이러한 커넥터들은 손상될 가능성이 있다. 커넥터를 보호하기 위하여 이러한 커넥터를 덮는 덮개가 사용될 수 있다. 그러나 이러한 덮개가 메모리 유닛으로부터 분리될 수 있는 경우에는, 덮개는 쉽게 분실되거나 손상될 수 있다. 대안 중 한가지는, 보호를 위해 메모리 유닛의 하우징 내부로 후퇴되는(retracted) 커넥터를 제공하는 것이다. 이러한 유닛의 예로, SanDisk사의 Cruzer® Titanium USB flash drive가 있다. 물리적인 보호를 제공하기 위해서, 플래시 드라이브의 하우징은 강철, 스테인레스 스틸, 알루미늄, 티타늄, 아연, 적합한 합금 또는 임의의 다른 적합한 금속으로 만들어진다.
전진후퇴가능한(retractable) 커넥터를 구비한 유닛은 일반적으로 사용자가 상기 커넥터를 후퇴 위치(retracted position)와 전진 위치(extended position) 사이에서 수동으로 슬라이딩(sliding)할 수 있도록 하는 특징을 그 커넥터의 하우징 바깥쪽에 구비한다. 후퇴 위치에서, 커넥터는 하우징 내에 담겨있으며, 하우징에 의해 보호 받는다. 전진 위치에서, 커넥터는 하우징의 개구(opening)를 통해 전진되어 수납구로 끼워질 수 있다. 일반적으로 이러한 개구는 커넥터보다 다소 크게 만들어지는바, 커넥터 둘레에는 커넥터가 아주 큰 마찰력이나 결합력(binding) 없이 자유롭게 전진 또는 후퇴될 수 있도록 해주는 약간의 틈이 있다.
일상적인 환경에서, 정전기 방전(Electrostatic Discharge; ESD) 문제를 야기할 수 있는 도전성 하우징에 정전기 전하가 발생될 수 있다. ESD는 도전성 하우징 또는 상기 하우징과 전기적 접촉을 하는 본체(body)에서 발생하는 일시적 전 하(Transient charge)의 방전(discharge)이며, 이는 하우징이 그라운드(ground)에 비하여 더 높은 전위를 갖게하는 바, 방전을 위한 접지 경로를 필요로 하게 한다. 따라서 많은 전기/전자 시스템들이 ESD 방지 회로들을 갖추고 있다. 이러한 회로들은 도전성 하우징에서 발생할 수 있는 의도되지 않은 일시적 전하가 메모리 시스템의 민감한 구성요소들로 점프해 가는 것을 방지하며, 따라서 메모리 장치의 손상이나 고장을 방지한다. ESD 방지를 설계하는 한가지 방법은 커넥터의 금속 쉘을 통해 섀시(chassic) (PC) 접지로의 접지 경로를 제공하는 것이다.
커넥터와 하우징 사이에 제공되는 도전성 스프링이 하우징과 커넥터의 금속 쉘 간에 전기 도전성 경로(electrically conductive pathway)를 제공한다. 따라서 상기 하우징과 상기 금속 쉘은 동일한 전위를 유지한다. 커넥터가 수납구에 접속되었을 때, 금속 쉘은 접지되며, 하우징 상의 임의의 전하는 도전성 스프링을 통해 도전성 쉘로 방전된다. 이러한 방식으로, 메모리 시스템은 정전기 방전으로 인한 손상으로부터 보호된다. 하나의 예로, 도전성 스프링은 커넥터의 금속 쉘과 일체로(integrally) 형성될 수 있다.
본 발명의 추가적인 양상들, 이점들, 특징들 및 다양한 양상들에서의 세부 사항들은 후술되는 본 발명의 구현예의 설명에 포함될 것이며, 그러한 기재는 첨부의 도면과 함께 고려되어야 한다.
본 명세서에서 참조된 모든 특허, 특허 출원, 문헌, 매뉴얼, 표준, 사양서 및 다른 공개문헌(publications)등은 모든 목적들을 위하여 그 전체로서 본 명세서에 통합된다.
도 1은 본 발명의 구현에 따른 전진후퇴가능한 USB 커넥터를 구비한 착탈가능형 플래시 메모리 유닛을 도시한다.
도 2는 커넥터가 장착된 슬라이딩가능한 PCB를 포함한, 도1의 착탈가능형 플래시 메모리 유닛의 단면도를 도시한다.
도 3A는 슬라이딩을 통해 커넥터가 후퇴한 상태에서의, 전기 도전성 스프링을 구비한 도1의 착탈가능형 플래시 메모리 유닛의 단면도를 도시한다.
도 3B는 상기 커넥터가 전진된 상태에서의 도 3A의 착탈가능형 플래시 메모리의 단면도를 도시한다.
도 4A는 두 개의 스프링을 구비한 도 1의 USB 커넥터의 금속 쉘을 도시한다.
도 4B는 도 4A의 상기 금속 쉘의 측면도를 도시한다.
도 4C는 도 4A의 상기 금속 쉘의 평면도를 도시한다.
도 1은 하우징(101)으로부터 전진된, 전진후퇴가능한 USB 커넥터(103)를 구비한 착탈가능형 플래시 메모리 유닛(플래시 드라이브)(100)의 예를 도시한다. 본 예에서 하우징(101)은 도전성 금속(예를 들면, 구리 합금이나 강철)으로 만들어진다. 하우징(101)은 금속으로 된 상부 덮개과 금속으로 된 하부 덮개가 함께 결합되어 이루어진다. 다른 구성들 또한 가능하며, 하우징은 절연성 요소들을 다소 구비하고 있더라도 도전성인 것으로 간주될 수 있다. 하우징(101)의 개구는 커넥터(103)가 하우징(101)으로부터 전진되어 수납구에 플러그인 될 수 있도록 해준다. 일반적으로 USB 규격에 따른 적당한 수납구들이 개인용 컴퓨터 및 다른 장치들에 제공된다.
도 2는 착탈가능형 플래시 메모리 유닛(100)의 X-Y 평면(도 1)으로의 단면도를 도시한다. USB 커넥터(103)는 일 종단이 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board; PCB)(205)에 장착되어 있다. 제어기(202)와 메모리(201) 또한 PCB (205)에 장착되어 있다. 제어기(202)와 메모리(201)는 본 발명에서 메모리 시스템을 구성한다. 경우에 따라서는 추가적인 구성요소들이 메모리 시스템의 일부로서 PCB(205)에 장착될 수 있다. USB 커넥터(103)는 전기적 전도체(conductor) (도시되지 않음)를 통해 제어기(202)에 연결되며, 제어기(202)와 플래시 메모리(201) 또한 서로 연결된다. 도 2는 하우징(101) 내의 공간(207)을 도시하는 바, PCB(205)는 하우징 내부로 슬라이딩될 수 있다. PCB(205)가 뒤로 슬라이딩되어 공간(207)을 차지할 때, 커넥터(103)는 PCB와 함께 슬라이딩되어 하우징(101) 내부로 후퇴된다.
도 3A는 착탈가능형 플래시 메모리 유닛(100) 일부분에 대한 수직 단면도(도 1의 x축에 대해서 수직인 평면을 따라 자른)를 보인다. 도 1 및 도 2와는 달리, 도 3A는 하우징(101) 내의 후퇴 위치에 있는 커넥터(103)를 도시한다. 도 3A는 커넥터(103)로부터 연장(extension)되어 하우징(101)과 접촉하는 스프링(310)을 도시한다. 이 예에서, 스프링(310)은 도전성 금속으로 이루어지므로 커넥터(103)와 하우징(101) 사이에는 전기 도전성 경로가 형성된다. 이 전기 도전성 경로는 바람직한 ESD 방지를 제공한다. 다른 예로, 도전성 스프링은 다른 형태가 될 수 있는데, 예를 들면 커넥터의 바닥 또는 측면으로부터 연장되거나 하우징으로부터 연장되는 형 태일 수 있다. 본 예에서는 커넥터(103)가 후퇴 위치에 있을 때 스프링(310)이 하우징(101)과 접촉하지만, 다른 예에서는 전진 위치에 있는 경우에만 스프링이 하우징과 접촉할 수도 있다.
도 3B는 도3A와 동일한 시점(view)에서의, 그러나 커넥터(103)가 하우징(101)으로부터 뻗어나온(protrude) 전진 위치에 있는 상태에서의 플래시 메모리 유닛(100)의 일부를 도시한다. 스프링은 모서리(320)을 따라 하우징(101)에 접촉하는 것으로 도시된다. 커넥터(103)가 앞쪽으로 슬라이딩됨에 따라 스프링(301)은 모서리(320)에 의해 눌리며, 변형될 수 있다. 스프링(310)은 탄성력 있게 변형되므로, 커넥터(103)가 후퇴된 상태로 되돌아올 때 스프링(310)은 이전 상태로 돌아간다. 스프링(310)은 변형되면서 모서리(320)를 눌러 하우징(101)과, 낮은 저항의 금속 대 금속(metal-to-metal) 접촉을 형성한다. 따라서, 전진 위치에 있을 때, 커넥터(103)는 전기 도전성의, 낮은 저항 경로를 통해 하우징(101)에 연결된다. 또한, 후퇴 위치 및 후퇴 위치와 전진 위치 사이의 모든 위치들에서, 스프링(310)은 커넥터(103)과 하우징(101) 사이의 연결을 유지해준다. 이는 하우징(101) 내에 있는 전자 요소들을 통과하는 경로에 비해 더 낮은 저항을 갖는 정전기 방전 경로를 제공한다. 커넥터(103)가 수납구에 삽입되었을 때, 하우징(101)에서 발생한 임의의 정전기 전하는 하우징(101)으로부터 커넥터(103)로 바로 방전된다. 플래시 메모리 유닛(100)이 사용중 일 때, 커넥터(103)는 수납구 내에 있고, 커넥터 (103)의 금속 쉘은 섀시 접지에 연결된다. 따라서, 체내에 정전기 전하를 지닌 사람이 하우징(101)과 접촉했을 때, 정전기 전하는 하우징(101) 내의 전자 요소를 통과하지 않 고 하우징(101)으로부터 커넥터(103)로 방전된다. 스프링(310)이 정전기 방전을 위한 대안적인 경로를 제공하므로, 전류는 하우징(101) 내의 요소들을 통하여 방전되는 대신, 낮은 저항 경로를 통해 커넥터(103)로 바로 방전된다. 본 예에서, 스프링(310)은 커넥터(103)가 전진 위치에 있을 때, 후퇴 위치에 있을 때, 그리고 모든 중간적인 위치에 있을 때에도 항상 전기 도전성이 낮은 저항 경로를 유지한다.
설명된 예에서, 커넥터(103)는 PCB(205)에 장착되어 있으므로, 커넥터(103)는 PCB(205)와 분리되어 움직일 수 없다. 그러나 다른 구현예에서는 USB 커넥터가 메모리 시스템의 다른 구성요소 중 일부 또는 전부에 대해 독립적으로 움직일 수 있을 것이며, 항상 PCB에 장착되는 것은 아닐 수 있다. 본 발명은 PCB에 장착된 커넥터로 제한되지 않는다.
스프링은 하우징(101) 또는 커넥터(103)상에 만들어질 수 있다. 대안적으로, 도전성 경로를 제공하기 위한 스프링을 가지고 있는 추가적인 구조가 부가될 수 있다. USB 커넥터에 있어서, 커넥터가 수납구에 접속되었을 때, 일반적으로 상기 커넥터의 금속 쉘이 접지 경로를 제공한다. 일반적으로 이 금속 쉘은 데이터 전송을 위한 핀들을 구비한 중앙의 개구를 감싸는(wrap around) 금속판으로 구성되어 있다. 본 예에서, 스프링(310)은 커넥터(103)의 금속 쉘과 일체로 형성된다. 즉, 스프링(310)은 커넥터(103)의 금속 쉘을 형성하는 것과 같은 금속판으로부터 형성된다.
도 4A는 하우징(101) 내에 설치되기 전의 커넥터(103)의 금속 쉘(430)을 도시한다. 도 4A는 금속 쉘(430)로부터 연장되어 있는 스프링(310) 및 스프링(432)을 도시한다. (스프링 432는 이전의 도면들에서는 도시되지 않는다) 스프링(310)과 스프링 (432)은 모두 동일한 용도로서의 역할을 한다. 다른 예에서는 상이한 개수의 스프링들이 사용될 수 있다. 어떤 경우에는 하나의 스프링으로 충분한 반면에, 다른 경우에는 둘, 셋 또는 그보다 많은 스프링들이 사용될 것이다. 스프링들은 금속 쉘(430)의 어떤 면에도 위치할 수 있다. 도 4A는 금속 쉘(430)로부터 형성된 스프링(310)을 도시한다. 스프링(310)은 길이방향으로(longitudinally) (도 1의 Y 방향을 따라서) 신장(elongation)되어 있는, 금속 쉘(430)로부터의 가늘고 긴 금속조각(strip)이다. 스프링(310)은 금속 쉘(430)의 나머지 부분과 일 종단(one end)이 접착된 상태로 유지된다. 다른 끝은 금속 쉘(430)로부터 위로 구부러져서 금속 쉘(430)의 상단 표면 위로 연장된다. 따라서, 하우징의 개구가 표준 크기로 된 커넥터를 위한 틈을 제공하더라도, 스프링(310)은 그 간격을 메우고(bridge the gap) 전기 도전성 경로를 유지하도록 충분히 연장된다. 스프링(310)은 탄성력 있게 변형되므로 반복되는 동작 내내 하우징(101)과 충분한 접촉을 유지하며, 커넥터(103)의 이동을 방해하지 않는다. 스프링은 임의의 적합한 형상으로 형성될 수 있으며, 직선형(straight) 또는 곡선형(curved)일 수 있다. 스프링을 커넥터의 금속 쉘과 일체로 형성하는 것은 상기 커넥터와 상기 하우징 사이에 전기 도전성이며 낮은 저항인 경로를 생성하는 단순하며 신뢰성 있는 구조를 제공한다.
도 4B는 금속 쉘(430)의 측면도를 보인다. 스프링(310)은 금속 쉘(430)의 상부 표면으로부터 위로 0.75mm 연장(extension)되어 있다. 스프링은 금속 쉘(430)과 하우징(101) 사이의 간격을 메우는데 충분하도록 연장된다. 그러나, 스프링은 상이 한 하우징에 대해서 상이한 양만큼이 연장되도록 구성될 수 있으며 본 도면들의 치수는 예시적인 것에 불과하다.
도 4C는 금속 쉘(430)의 평면도를 도시한다. 스프링들(310, 432)은 길이방향으로 6.75mm 연장되며, 1.0mm의 폭을 지닌것으로 도시된다. 다른 치수들 또한 사용될 수 있다. 예를 들어, 1mm보다 큰 폭을 갖는 단일의 스프링이 또한 사용될 수 있으며, 충분히 낮은 저항을 제공할 것이다.
다른 예로서, 하우징이나 커넥터와 관련되어 움직이는 다른 도전성 요소 또는 하우징으로의 충분한 연결을 제공하기 위하여, 유사한 스프링들이 USB 커넥터가 아닌 다른 커넥터들에 부가될 수 있다. 다양한 형태의 메모리 카드 및 다른 전자 장치들에 구비된 커넥터들이 예로서 포함된다. 본 발명은 USB 커넥터로 제한되지 않으며, 다른 표준들에 따른 커넥터들에도 사용될 수 있다. 예를 들면, 적절한 경우, FireWire 커넥터에도 이와 유사하게 스프링들이 제공될 수 있을 것이다.
본 발명의 다양한 양상들이 구현예들 및 그것들의 변형들과 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 첨부된 청구항들의 최대 범위 내에서 보호받을 수 있음이 이해될 것이다.

Claims (22)

  1. 범용직렬버스(USB) 비휘발성 메모리 유닛을 형성하는 방법으로서,
    비휘발성 메모리 시스템을 형성하는 단계와;
    상기 비휘발성 메모리 시스템을 위한 전기 도전성(electrically conductive) 하우징을 형성하는 단계와;
    금속 쉘(shell)을 포함하는 범용직렬버스 커넥터를 형성하는 단계와;
    전기 도전성 스프링을 형성하는 단계와;
    상기 스프링이 상기 금속 쉘과 상기 하우징 사이에 전기 도전성 경로를 형성하도록, 상기 비휘발성 메모리 시스템과 상기 범용직렬버스 커넥터를 상기 하우징 내에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전기 도전성 스프링은 상기 금속 쉘과 일체로(integrally) 형성되는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 금속 쉘은 제1 방향으로 뻗어있는 중앙 개구의 둘레를 감싸는 금속판으로부터 형성되며, 상기 스프링은 상기 금속판의 일부에 의해 형성되며, 상기 일부 는 상기 제1 방향으로 신장(elongation)되어 있는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 스프링은 상기 중앙 개구으로부터 바깥쪽으로 연장(extension)되어 있는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  5. 착탈가능형(removable) 비휘발성 메모리 유닛을 형성하는 방법으로서,
    비휘발성 메모리 셀들의 어레이와 메모리 제어기를 포함하는 메모리 시스템을 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board; PCB) 위에 형성하는 단계와;
    커넥터를 상기 인쇄 회로 기판에 접착하는 단계와, 상기 커넥터는 상기 커넥터로부터 연장되어 있는 스프링을 구비하며,
    상기 스프링이 상기 전기 도전성 하우징에 접촉하도록 상기 인쇄 회로 기판을 전기 도전성 하우징 내에 위치시키는 단계로 이루어진 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판은 상기 전기 도전성 하우징 내에서의 일정한 이동 범위를 가지며, 상기 이동 범위는 상기 커넥터가 상기 하우징 내에 있는 제1 위치 및 상기 커넥터가 적어도 부분적으로 상기 하우징 밖에 있는 제2 위치로부터 연장되는 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 스프링은 상기 제1 위치, 및 상기 제1 위치와 상기 제2 위치 사이의 중간 위치들에서 상기 전기 도전성 하우징과 접촉을 유지하는 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 커넥터는 범용직렬버스인 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 범용직렬버스 커넥터는 금속 쉘을 포함하며, 상기 스프링은 상기 금속 쉘과 일체로 된 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 커넥터는 상기 커넥터로부터 연장되는 적어도 한 개 이상의 추가적인 스프링을 구비하는 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  11. 범용직렬버스(USB) 비휘발성 메모리 유닛으로서,
    플래시 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 비휘발성 메모리 시스템과;
    상기 플래시 메모리 시스템을 둘러싸는 전기 도전성 하우징과;
    상기 플래시 메모리 시스템에 연결되는 범용직렬버스 커넥터와, 상기 범용 직렬버스 커넥터는 상기 도전성 하우징에 대하여 후퇴 위치(retracted position)와 전진 위치(extended position) 사이에서 움직일 수 있으며;
    상기 범용직렬버스 커넥터와 상기 도전성 하우징 간의 전기 도전성 경로를 형성하기 위한, 상기 범용직렬버스 커넥터와 상기 도전성 하우징 사이에 연장되어 있는 도전성 스프링을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 스프링은 상기 USB 커넥터와 일체인 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛.
  13. 제2 항에 있어서,
    상기 스프링은 상기 USB 커넥터의 금속 쉘의 일부로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛의 형성 방법.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 커넥터가 상기 전진 위치, 상기 후퇴 위치 및 상기 전진 위치와 상기 후퇴 위치 사이의 모든 위치에 있을 때, 상기 스프링이 상기 하우징과 상기 커넥터 간에 전기 도전성 경로를 형성하는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리 시스템은 인쇄 회로 기판 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 커넥터는 상기 인쇄 회로 기판에 장착되어 있고, 상기 인쇄 회로 기판은 상기 커넥터와 함께 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 범용직렬버스 비휘발성 메모리 유닛.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 범용직렬버스가 상기 전진 위치에 있을 때, 상기 범용직렬버스 커넥터와 상기 도전성 하우징 간에 적어도 하나의 추가적인 전기 도전성 경로를 형성하기 위하여, 상기 범용직렬버스 커넥터와 상기 도전성 하우징 사이에 연장되어 있는 적어도 한 개 이상의 추가적인 도전성 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 범용직 렬버스 비휘발성 메모리 유닛.
  18. 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛으로서,
    반도체 전자 기판(substrate) 상의 비휘발성 메모리 셀 어레이와;
    상기 반도체 전자 기판 주위를 둘러싼 전기 도전성 하우징과;
    다수의 핀들을 구비한 커넥터와, 상기 커넥터는 상기 비휘발성 메모리 셀의 어레이와 통신하며, 제1 위치에서 상기 하우징 내부로 후퇴되고, 제2 위치에서 상기 하우징으로부터 전진되며;
    전기 도전성 경로를 형성하는 스프링을 포함하며, 상기 전기 도전성 경로는 상기 하우징과 상기 커넥터의 일부를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 커넥터는 범용직렬버스 커넥터인 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 커넥터의 상기 일부는 금속 쉘이고, 상기 스프링은 상기 금속 쉘과 일체로 된 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛.
  21. 제11 항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리 셀의 어레이는 플래시 메모리 어레이를 형성하는 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛.
  22. 제11 항에 있어서,
    상기 반도체 회로 기판과 상기 커넥터는 인쇄 회로 기판에 장착된 것을 특징으로 하는 착탈가능형 비휘발성 메모리 유닛.
KR1020097004820A 2006-08-16 2007-08-02 Esd 방지 커넥터 Active KR101058204B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/465,045 2006-08-16
US11/465,049 2006-08-16
US11/465,049 US7416419B2 (en) 2006-08-16 2006-08-16 Methods for ESD protection
US11/465,045 US7581967B2 (en) 2006-08-16 2006-08-16 Connector with ESD protection
PCT/US2007/075067 WO2008021741A1 (en) 2006-08-16 2007-08-02 Connector with esd protection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090077889A true KR20090077889A (ko) 2009-07-16
KR101058204B1 KR101058204B1 (ko) 2011-08-22

Family

ID=38698245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097004820A Active KR101058204B1 (ko) 2006-08-16 2007-08-02 Esd 방지 커넥터

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP2054976B1 (ko)
JP (1) JP4864140B2 (ko)
KR (1) KR101058204B1 (ko)
AT (1) ATE459114T1 (ko)
DE (1) DE602007004997D1 (ko)
TW (1) TWI369924B (ko)
WO (1) WO2008021741A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101316777B1 (ko) * 2012-05-17 2013-10-23 주식회사 트렌스시스템 마이크로 5핀을 갖는 유에스비 메모리
KR20210031290A (ko) 2019-09-11 2021-03-19 주식회사 엘지화학 보호소자 통합형 커넥터

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201323599Y (zh) * 2008-12-22 2009-10-07 深圳华为通信技术有限公司 一种无线数据终端设备
US8335087B2 (en) 2008-12-22 2012-12-18 Huawei Device Co., Ltd. Method and apparatus for improving radio performance of wireless data terminal device
TWI483195B (zh) * 2010-03-16 2015-05-01 Toshiba Kk Semiconductor memory device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0698865B2 (ja) * 1986-02-21 1994-12-07 株式会社東芝 メモリカード
JPH03101291U (ko) * 1990-02-02 1991-10-22
JPH05197850A (ja) * 1992-01-21 1993-08-06 Toshiba Corp データ記録担体およびそのデータ記録担体を使用する電子装置
US6210216B1 (en) * 1999-11-29 2001-04-03 Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. Two port USB cable assembly
JP2001244016A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Fujitsu Takamisawa Component Ltd カード型周辺装置
US6776658B2 (en) * 2002-08-06 2004-08-17 Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. Cable end connector
CN2585308Y (zh) * 2002-10-25 2003-11-05 互亿科技股份有限公司 兼具防水和导光性能的资讯装置
US6676419B1 (en) * 2003-02-13 2004-01-13 Asia Vital Components Co., Ltd. Portable storing device with universal serial bus
US7511233B2 (en) * 2004-08-04 2009-03-31 Pocrass Alan L Flash memory drive with integrated male and female connectors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101316777B1 (ko) * 2012-05-17 2013-10-23 주식회사 트렌스시스템 마이크로 5핀을 갖는 유에스비 메모리
KR20210031290A (ko) 2019-09-11 2021-03-19 주식회사 엘지화학 보호소자 통합형 커넥터

Also Published As

Publication number Publication date
DE602007004997D1 (de) 2010-04-08
TWI369924B (en) 2012-08-01
ATE459114T1 (de) 2010-03-15
JP2010501097A (ja) 2010-01-14
EP2054976B1 (en) 2010-02-24
JP4864140B2 (ja) 2012-02-01
EP2054976A1 (en) 2009-05-06
TW200818991A (en) 2008-04-16
KR101058204B1 (ko) 2011-08-22
WO2008021741A1 (en) 2008-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7581967B2 (en) Connector with ESD protection
US7416419B2 (en) Methods for ESD protection
US7152801B2 (en) Memory cards having two standard sets of contacts
US7959448B1 (en) Flash memory device with slidable contact module
US6402529B2 (en) Card connector
US20090190277A1 (en) ESD Protection For USB Memory Devices
US8636526B2 (en) Connector receptacles having contact protection during improper insertion of a card
KR101058204B1 (ko) Esd 방지 커넥터
US7410370B2 (en) Electrical connector with ESD grounding clip
US7102891B1 (en) Circuit module having interconnects for connecting functioning and non-functioning add ons and method therefor
US6642614B1 (en) Multi-functional memory chip connector
CN101499139A (zh) 电子卡
US6231356B1 (en) Grounding clip for computer peripheral cards
US6902435B1 (en) Electrical connector adapted for use with different electronic cards
CN100399634C (zh) 卡用槽式连接器
US7529098B2 (en) Electronic card formed of a printed circuit board
US7810235B2 (en) Method of making an electrical connector with ESD grounding clip
WO2008083167A1 (en) Electrical connector with esd grounding clip
CN100377430C (zh) 连接器
US8465308B2 (en) Connector having self-wiping contacts
CN108808288A (zh) 卡连接器
WO1998021693A1 (en) Electrostatic discharge protection for digital media
KR20060109743A (ko) 정전기 방전을 방지하는 휴대용 메모리 장치
KR20140060606A (ko) 두 종류의 유에스비 플러그가 구비된 유에스비 메모리 모듈
WO2009077645A1 (en) Connector structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R17-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160720

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170719

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180718

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190718

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 14

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 15

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 15