KR20120121852A - 온도 측정 장치, 온도 교정 장치 및 온도 교정 방법 - Google Patents

온도 측정 장치, 온도 교정 장치 및 온도 교정 방법 Download PDF

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KR20120121852A
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고오다이 히가시
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Abstract

열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 있어서, 상기 열 처리 기구의 온도를 간이한 방법으로 적절하게 교정한다. 온도 교정 장치의 온도 검사 지그(10)는, 열 처리판 상에 적재되는 피처리 웨이퍼(70)와, 피처리 웨이퍼(70) 상에 설치된 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)를 갖고 있다. 휘트스톤 브리지 회로(71)는, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되는 4개의 측온 저항체(72)와, 접촉자(41)가 접촉하는 4개의 콘택트 패드(73)를 갖고 있다. 온도 교정 장치의 제어부에서는, 휘트스톤 브리지 회로(71)가 평형 상태로 되도록, 즉 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 되도록, 열 처리판의 온도를 조절한다.

Description

온도 측정 장치, 온도 교정 장치 및 온도 교정 방법{TEMPERATURE MEASURING DEVICE, TEMPERATURE CALIBRATING DEVICE AND TEMPERATURE CALIBRATING METHOD}
본 발명은, 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 대해, 상기 열 처리 기구의 온도를 측정하기 위한 온도 측정 장치, 당해 온도 측정 장치를 구비하고, 상기 열 처리 기구의 온도를 교정하기 위한 온도 교정 장치 및 당해 온도 교정 장치를 사용한 온도 교정 방법에 관한 것이다. 또한, 여기서 말하는 교정이란, 열 처리 기구의 온도를 계측하고, 당해 열 처리 기구의 온도를 원하는 값으로 조절하는 것을 의미한다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 도포한 후의 가열 처리(프리 베이킹 처리), 레지스트막에 소정의 패턴을 노광한 후의 가열 처리(포스트 익스포져 베이킹 처리), 노광된 레지스트막을 현상한 후의 가열 처리(포스트 베이킹 처리) 등의 다양한 열 처리가 행해지고 있다. 또한, 이들 가열 처리 후에 웨이퍼의 온도를 조절하는 열 처리도 행해지고 있다. 또한, 에칭 처리나 성막 처리 등의 플라즈마 처리에 있어서도, 웨이퍼의 온도를 조절하는 열 처리가 행해지고 있다.
상술한 열 처리는, 예를 들어 열 처리 장치에 있어서 소정의 온도로 설정된 열 처리판 상에 웨이퍼를 적재하여 행해진다. 그리고, 이 열 처리를 적절하게 행하기 위해서는, 열 처리판 상의 웨이퍼의 온도 분포를 사전에 계측하고, 당해 계측 결과에 기초하여 열 처리판의 온도를 적절하게 보정하는 것이 중요하다. 따라서, 종래, 이 열 처리에 있어서의 웨이퍼의 온도를 계측하는 것이 행해지고 있다.
이러한 웨이퍼의 온도의 계측에는, 복수의 온도 센서와, 당해 복수의 온도 센서의 센서 출력을 출력 신호로서 출력하는 접점이 웨이퍼 표면에 설치된 웨이퍼형 온도 센서를 사용하는 것이 제안되어 있다. 이러한 경우, 열 처리 장치의 내부에 설치된 접촉자를 웨이퍼 상의 접점에 접촉시킨다. 접점으로부터의 출력 신호는, 접촉자를 통해서 열 처리 장치의 외부에 설치된 데이터 관리부에 출력된다. 그리고, 데이터 관리부에서는, 출력 신호에 기초하여, 웨이퍼의 온도가 판별된다(특허 문헌 1).
일본 특허 출원 공개 제2007-187619호 공보
그러나, 상술한 특허 문헌 1의 웨이퍼형 온도 센서 상에서는, 복수의 온도 센서는 개별로 접점과 접속되어 있기 때문에, 각 온도 센서의 저항값이 모두 측정된다. 이러한 경우, 데이터 관리부에 있어서 관리되는 데이터, 즉 계측되는 온도의 수가 매우 많아진다. 그렇게 하면, 이들 온도의 계측 결과에 기초하여 열 처리판의 온도를 조절하는 경우, 당해 온도의 제어가 매우 복잡한 것으로 된다. 따라서, 열 처리판의 온도 조절에 개선의 여지가 있었다.
또한, 무선식의 계측 장치를 사용한 경우라도, 상기 특허 문헌 1과 마찬가지로, 웨이퍼 상에 설치된 복수의 온도 센서의 저항값이 모두 측정되므로, 열 처리판의 온도 제어가 매우 복잡해진다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 있어서, 상기 열 처리 기구의 온도를 간이한 방법으로 적절하게 교정하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 대해, 상기 열 처리 기구의 온도를 측정하기 위한 온도 측정 장치이며, 기판과, 상기 기판 상에 설치되고, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되는 복수의 측온 저항체를 구비한 휘트스톤 브리지 회로를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 온도 측정 장치의 기판 상에 형성된 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 즉, 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 오프셋 전압이 제로가 되도록, 열 처리 기구의 온도를 조절할 수 있다. 이러한 경우, 오프셋 전압이 제로가 되므로, 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 복수의 측온 저항체의 저항값, 즉 당해 측온 저항체에 의해 계측되는 기판의 온도가 동등해진다. 따라서, 본 발명에 따르면, 기판을 수평면 내에서 균일하게 열 처리하도록, 열 처리 기구의 온도를 적절하게 조절할 수 있다. 그리고, 이와 같이 온도 조절된 열 처리 기구에 의해, 후속하는 기판에 대한 열 처리를 적절하게 행할 수 있다.
또한, 기판 상의 복수의 영역에 있어서 온도를 측정하려고 하면, 복수의 측온 저항체가 필요하게 되므로, 종래의 방법을 사용하면, 당해 측온 저항체의 수에 따른 복수 개소의 온도가 계측된다. 그렇게 하면, 이들 복수의 파라미터를 사용하여 열 처리 기구의 온도가 조절되게 된다. 이에 대해, 본 발명에 따르면, 열 처리 기구의 온도를 조절하기 위해 사용하는 파라미터는, 휘트스톤 브리지 회로의 오프셋 전압의 1개뿐이다. 따라서, 본 발명에 따르면, 간이한 제어로 열 처리 기구의 온도를 조절할 수 있다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는, 소정의 저항값을 갖는 고정 저항체를 구비하고 있어도 된다. 또한, 고정 저항체란, 온도 변화에 대하여, 저항값의 변화가 제로, 혹은 저항값의 변화를 무시할 수 있는 만큼 작은 것을 말한다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 대해, 상기 열 처리 기구의 온도를 교정하기 위한 온도 교정 장치이며, 기판과, 상기 기판 상에 설치되고, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되는 복수의 측온 저항체를 구비한 휘트스톤 브리지 회로와, 상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 된다고 함은, 당해 휘트스톤 브리지 회로의 중점간의 전위차가 제로가 되는 상태를 말하고, 즉 휘트스톤 브리지 회로의 오프셋 전압이 제로가 되는 상태를 말한다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고, 상기 제어부는, 복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
상기 제어부는, 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 소정의 값으로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다. 이러한 경우, 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 측온 저항체의 저항값을 소정의 값으로 할 수 있다. 따라서, 기판을 소정의 온도로 균일하게 열 처리하도록, 열 처리 기구의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 이러한 경우라도, 열 처리 기구의 온도를 조절하기 위한 파라미터는, 휘트스톤 브리지 회로의 오프셋 전압과 전류값의 2개이므로, 종래보다도 간이한 제어로 열 처리 기구의 온도를 조절할 수 있다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고, 상기 제어부는, 복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 동등해지도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는, 소정의 저항값을 갖는 고정 저항체를 구비하고 있어도 된다.
상기 제어부는, 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서 다른 개소의 오프셋 전압을 측정하고, 각각의 경우에 있어서 당해 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고, 복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로는, 지그재그 형상, 격자 형상, 또는 연속해서 사행 형상으로 배치되어 있어도 된다.
상기 열 처리 기구는, 복수의 영역으로 구획되고, 당해 영역마다 온도 조절 가능해도 된다.
또한 다른 관점에 의한 본 발명은, 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 대해, 온도 교정 장치를 사용하여 상기 열 처리 기구의 온도를 교정하는 온도 교정 방법이며, 기판과, 상기 기판 상에 설치되고, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되는 복수의 측온 저항체를 구비한 휘트스톤 브리지 회로로 구성되는 상기 온도 교정 장치를 사용하여, 상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고, 복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 소정의 값으로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고, 복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 동등해지도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
상기 휘트스톤 브리지 회로는, 소정의 저항값을 갖는 고정 저항체를 구비하고 있어도 된다.
상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서 다른 개소의 오프셋 전압을 측정하고, 각각의 경우에 있어서 당해 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
상기 열 처리 기구는, 복수의 영역으로 구획되고, 상기 영역마다 상기 열 처리 기구의 온도를 조절해도 된다.
본 발명에 따르면, 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 있어서, 상기 열 처리 기구의 온도를 간이한 방법으로 적절하게 교정할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 온도 교정 장치와 열 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 2는 열 처리판의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 3은 온도 검사 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 4는 휘트스톤 브리지 회로의 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 5는 온도 검사 지그의 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 6은 다른 실시 형태에 따른 온도 검사 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 7은 다른 실시 형태에 따른 휘트스톤 브리지 회로의 배치를 도시하는 설명도.
도 8은 다른 실시 형태에 따른 온도 검사 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 9는 다른 실시 형태에 따른 온도 검사 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 10은 다른 실시 형태에 따른 온도 검사 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 11은 다른 실시 형태에 따른 온도 검사 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 온도 교정 장치(1)와, 당해 온도 교정 장치(1)가 적용되는 열 처리 장치(2)의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 온도 교정 장치(1)는, 열 처리 장치(2)에 대하여 후술하는 열 처리 기구로서의 열 처리판(50)의 온도의 조절을 행하고, 당해 열 처리판(50)에 적재되는 온도 검사 지그(10)를 갖고 있다. 또한, 열 처리 장치(2)는, 열 처리판(50) 상에 기판으로서의 웨이퍼(W)를 적재하여, 당해 웨이퍼(W)의 열 처리를 행한다.
열 처리 장치(2)는, 도 1에 도시하는 바와 같이 측면에 온도 검사 지그(10) 또는 웨이퍼(W)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성된 처리 용기(20)를 갖고 있다. 처리 용기(20) 내에는, 상측에 위치하여 연직 방향으로 승강 이동 가능한 덮개 부재(30)와, 하측에 위치하여 덮개 부재(30)와 일체로 되어 처리실(K)을 형성하는 열판 수용부(31)가 설치되어 있다.
덮개 부재(30)는, 대략 원통 형상을 갖고 있다. 덮개 부재(30)의 하면 외주부에는 돌기부(40)가 형성되고, 당해 돌기부(40)가 열판 수용부(31)와 접촉하여 처리실(K)이 형성되게 되어 있다. 또한, 덮개 부재(30)의 하면에는, 연직 하방으로 연신하는, 예를 들어 포고핀 등의 접촉자(41)가 복수 설치되어 있다. 접촉자(41)에는, 도전성을 갖는 재료가 사용된다. 복수의 접촉자(41)는, 온도 검사 지그(10)의 후술하는 콘택트 패드(73)에 대응(대향)하여 배치되어 있다. 또한, 덮개 부재(30)의 상면 중앙부에는, 배기부(42)가 설치되어 있다. 처리실(K) 내의 분위기는, 배기부(42)로부터 균일하게 배기된다.
열판 수용부(31)는, 열 처리판(50)을 수용하여 열 처리판(50)의 외주부를 보유 지지하는 고리 형상의 보유 지지 부재(51)와, 그 보유 지지 부재(51)의 외주를 둘러싸는 대략 통 형상의 서포트 링(52)을 구비하고 있다.
열 처리판(50)은, 도 2에 도시하는 바와 같이 복수, 예를 들어 4개의 열판 영역(R1, R2, R3, R4)로 구획되어 있다. 열 처리판(50)은, 예를 들어 평면에서 보아 4등분으로 구획되어 있다. 즉, 열판 영역(R1, R2, R3, R4)은, 각각 중심각이 90도의 부채 형상을 갖고 있다.
열 처리판(50)의 각 열판 영역(R1 내지 R4)에는, 전기 공급에 의해 발열되는 히터(53)가 개별로 내장되고, 각 열판 영역(R1 내지 R4)마다 가열할 수 있다. 각 열판 영역(R1 내지 R4)의 히터(53)의 발열량은, 후술하는 제어부(100)에 의해 조절되어 있다. 제어부(100)는, 히터(53)의 발열량을 조절하여, 각 열판 영역(R1 내지 R4)의 온도를 소정의 온도로 제어할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 열 처리판(50)의 하방에는, 온도 검사 지그(10) 또는 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(60)이 설치되어 있다. 승강 핀(60)은, 승강 구동 기구(61)에 의해 연직 방향으로 승강할 수 있다. 열 처리판(50)의 중앙부 부근에는, 열 처리판(50)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(62)이 형성되어 있다. 승강 핀(60)은, 열 처리판(50)의 하방으로부터 상승하여 관통 구멍(62)을 통과하고, 열 처리판(50)의 상방으로 돌출할 수 있게 되어 있다.
다음에, 온도 교정 장치(1)의 구성에 대해서 설명한다. 온도 교정 장치(1)는, 도 1에 도시하는 바와 같이 열 처리판(50) 상에 적재되는 온도 검사 지그(10)를 갖고 있다. 온도 검사 지그(10)는, 도 3에 도시하는 바와 같이 기판으로서의 피처리 웨이퍼(70)를 갖고 있다. 피처리 웨이퍼(70)는, 웨이퍼(W)와 동일 재료, 예를 들어 실리콘으로 구성되고, 웨이퍼(W)와 동일한 평면 형상을 갖고 있다. 또한, 정확한 온도를 측정하기 위해, 피처리 웨이퍼(70)는 실제의 웨이퍼(W)와 동일한 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지 않고, 형상, 재질 등이 다르더라도 상관없다. 예를 들어, LED용 고방열 기판을 사용할 수도 있다. 이 기판은 베이스 기판으로서, Al 혹은 Cu 등의 금속이 사용되고 있으므로, 내열성도 높고, 고열 전도성에 의해 고온 환경 하에서도 피처리 웨이퍼(70)의 휘어짐이 문제가 되지 않는다.
피처리 웨이퍼(70) 상에는, 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)가 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)는, 피처리 웨이퍼(70)의 대략 전체면에 걸쳐서 지그재그 형상으로 배치되어 있다. 각 휘트스톤 브리지 회로(71)는, 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이 4개의 측온 저항체(72)와 4개의 콘택트 패드(73)가 배선(74)에 의해 전기적으로 접속된 구성을 갖고 있다. 또한, 이들 측온 저항체(72), 콘택트 패드(73), 배선(74)은, 예를 들어 피처리 웨이퍼(70)에 포토리소그래피 처리를 행함으로써 일괄하여 형성된다. 또한, 피처리 웨이퍼(70)가 도체인 경우에는, 이들 소자가 형성되기 전에, 표면에 충분한 절연 가공을 행하면 된다.
측온 저항체(72)는, 온도 변화에 대하여 저항값이 변화되는 저항체이며, 예를 들어 RTD(Resistance Temperature Detector)나 서미스터 등이 사용된다. 측온 저항체(72)는, 피처리 웨이퍼(70)의 온도의 측정점에 배치되어 있다.
콘택트 패드(73)에는, 도 5에 도시하는 바와 같이 열 처리판(50)의 온도 조절 시에 접촉자(41)가 접촉된다. 콘택트 패드(73)에는, 도전성을 갖는 재료, 예를 들어 알루미늄이 사용된다. 도 4에 도시하는 바와 같이 4개의 콘택트 패드(73)는 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 정점부에 배치되어 있다. 그리고, 직렬하는 2개의 측온 저항체(72, 72)의 양단부에 설치된 한 쌍의 콘택트 패드(73a, 73a)는, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 전압을 인가하기 위해 사용된다. 또한, 직렬하는 2개의 측온 저항체(72, 72)의 중간점에 설치된 한 쌍의 콘택트 패드(73b, 73b)는, 당해 콘택트 패드(73b, 73b) 사이의 전압을 측정하기 위해 사용된다. 즉, 콘택트 패드(73b, 73b)는, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 오프셋 전압을 측정하기 위해 사용된다. 또한, 도 4 중의 화살표는, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 전압을 인가하였을 때의 전류를 나타내고 있다.
또한, 배선(74)에는, 콘택트 패드(73)와 마찬가지로, 예를 들어 알루미늄이 사용된다.
또한, 온도 교정 장치(1)는, 도 1에 도시하는 바와 같이 열 처리 장치(2)의 외부에 설치된 제어부(100)를 갖고 있다. 제어부(100)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 예를 들어 프로세서, 메모리, 앰프, 스위치 등을 구비한 계측 회로를 갖고 있다. 이 계측 회로에 의해, 제어부(100)는, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 오프셋 전압 등을 계측할 수 있다. 또한, 제어부(100)는, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 예를 들어 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 오프셋 전압에 기초하여, 열 처리판(50)의 온도[히터(53)의 발열량]를 조절하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(100)에 인스톨된 것이어도 된다. 또한, 열 처리 장치(2) 자체가, 열 처리판(50)의 온도를 조절하는 온도 조절 기구를 갖고 있는 경우는, 제어부(100)는, 계측한 온도에 기초하여, 당해 온도 조절 기구를 제어하는 것이어도 된다. 열 처리 장치(2)가 갖는 기능에 따라서, 적절하게 대응하면 된다.
다음에, 이상과 같이 구성된 온도 교정 장치(1)를 사용하여, 열 처리 장치(2)의 열 처리판(50)의 온도를 조절하는 방법에 대해서 설명한다.
우선, 온도 검사 지그(10)가, 열 처리 장치(2)에 반입된다. 온도 검사 지그(10)는, 미리 상승하여 대기하고 있었던 승강 핀(60)에 전달된다. 그 후, 승강 핀(60)이 하강하여, 온도 검사 지그(10)가 열 처리판(50) 상에 적재된다. 이때, 열 처리판(50)의 각 열판 영역(R1 내지 R4)은, 제어부(100)에 의해 미리 정해진 초기 온도로 조절되어 있다. 그 후, 덮개 부재(30)가 소정의 위치로 하강하여, 당해 덮개 부재(30)가 폐쇄된다. 그리고, 소정의 시간, 열 처리판(50) 상에 적재된 온도 검사 지그(10)의 피처리 웨이퍼(70)에 대하여 열 처리가 행해진다.
한편, 열 처리판(50) 상에 적재된 온도 검사 지그(10)의 콘택트 패드(73)에는, 접촉자(41)가 접촉하고 있다. 그리고, 피처리 웨이퍼(70)에 대한 열 처리가 종료되면, 당해 피처리 웨이퍼(70) 상의 콘택트 패드(73a, 73a)에 접촉자(41)를 통해서 소정의 전압이 인가된다. 계속해서, 콘택트 패드(73b, 73b)로부터 접촉자(41)를 통해서 제어부(100)에, 측정 결과의 신호가 출력된다. 이렇게 하여 제어부(100)에서는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압[콘택트 패드(73b, 73b) 사이의 전압]이 측정된다. 그리고, 제어부(100)에서는, 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 되도록, 열 처리판(50)의 온도의 조절이 행해진다. 즉, 제어부(100)는, 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 되도록, 열 처리판(50)의 온도를 열판 영역(R1 내지 R4)마다 조절한다.
또한, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 된다고 함은, 당해 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 4개의 측온 저항체(72)의 저항값이 동등해진다고 하는 것이다. 즉, 휘트스톤 브리지 회로(71)가 설치된 피처리 웨이퍼(70)의 온도가 균일해진다고 하는 것이다. 따라서, 모든 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 되면, 피처리 웨이퍼(70) 전체적으로 온도가 균일해진다.
이상과 같이 열 처리판(50)의 온도가 조절되면, 승강 핀(60)을 상승시켜, 온도 검사 지그(10)가 열 처리 장치(2)로부터 반출된다. 이렇게 하여, 열 처리판(50)의 온도가 조절된다.
또한, 1회의 온도 조절로 모든 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압을 제로로 할 수 없는 경우는, 복수회의 온도 조절을 행한다. 즉, 피처리 웨이퍼(70)의 열 처리, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압의 측정 및 열 처리판(50)의 온도 조절이 반복 행해져, 모든 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압을 제로로 한다.
이상의 실시 형태에 따르면, 피처리 웨이퍼(70) 상에 형성된 휘트스톤 브리지 회로(71)가 평형 상태로 되도록, 즉, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 오프셋 전압이 제로가 되도록, 열 처리판(50)의 온도가 조절된다. 이러한 경우, 오프셋 전압이 제로가 되므로, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 4개의 측온 저항체(72)의 저항값, 즉 이들 측온 저항체(72)에 의해 계측되는 피처리 웨이퍼(70)의 온도가 동등해진다. 게다가, 피처리 웨이퍼(70) 상의 모든 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 오프셋 전압이 제로가 되므로, 이들의 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 피처리 웨이퍼(70)의 온도가 동등해진다. 따라서, 본 실시 형태에 따르면, 피처리 웨이퍼(70)를 수평면 내에서 균일하게 열 처리하도록, 열 처리판(50)의 온도를 적절하게 조절할 수 있다. 바꿔 말하면, 본 실시 형태는, 열 처리판(50)의 온도 조절 시에, 피처리 웨이퍼(70)의 온도의 면내 균일성을 확보할 수 있으면 되고, 절대적인 온도 조절이 불필요한 경우에 특히 유용하다. 열 처리판(50)의 설정 출력은, 본래, 신뢰할 수 있는 것이지만, 시간의 경과에 수반하여, 출력값이 변동되는 개체가 나오는 것은 실제의 현장에서는 흔히 있는 일이다. 이러한 경우에는, 면내의 균일성이 확보된 시점에서, 온도 조절이 충분히 이루어졌다고 간주할 수 있다.
또한, 휘트스톤 브리지 회로(71)는 4개의 측온 저항체(72)를 구비하고 있기 때문에, 종래의 방법을 사용하면, 4군데의 온도가 계측된다. 그렇게 하면, 이들 4개의 파라미터를 사용하여 열 처리판(50)의 온도가 조절되게 된다. 이에 대해, 본 실시 형태에 따르면, 열 처리판(50)의 온도를 조절하기 위해 사용하는 파라미터는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압의 1개뿐이다. 이와 같이 본 실시 형태에 따르면 파라미터수가 적기 때문에, 간이한 제어로 열 처리판(50)의 온도를 조절할 수 있다. 따라서, 열 처리판(50)의 히터(53)에 걸리는 부하를 작게 할 수 있는 동시에, 열 처리판(50)의 온도 조절을 단시간에 행할 수 있다.
여기서, 측온 저항체의 저항값의 측정을 행할 때에, 통상 사용되고 있는 2선 접속식이나 4선 접속식을 사용한 경우, 1개의 측온 저항체에 대하여 2개 또는 4개의 콘택트 패드(2개 또는 4개의 배선)가 설치된다. 이에 대해, 본 실시 형태의 휘트스톤 브리지 회로(71)에서는, 4개의 측온 저항체(72)에 대하여 4개의 콘택트 패드(73)[4개의 배선(74)]가 설치되어 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따르면, 콘택트 패드(73)의 수나 배선(74)의 개수를 감소시킬 수 있다.
또한, 열 처리판(50)은 복수의 열판 영역(R1 내지 R4)으로 구획되고, 각 열판 영역(R1 내지 R4)에 개별로 히터(53)가 내장되어 있다. 이로 인해, 각 열판 영역(R1 내지 R4)마다 온도를 조절할 수 있어, 열 처리판(50)의 온도 조절을 보다 엄밀하게 행할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 열 처리판(50)의 온도 조절을 행하는 파라미터로서, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 오프셋 전압이 사용되고 있었지만, 이 오프셋 전압에 더하여, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 전류값을 사용해도 된다.
이러한 경우, 열 처리 장치(2)에 있어서, 열 처리판(50) 상에 적재된 온도 검사 지그(10)에 열 처리를 행한 후, 당해 온도 검사 지그(10)에 있어서의 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압에 더하여, 당해 휘트스톤 브리지 회로(71)의 전류값이 측정된다. 그리고, 제어부(100)에서는, 모든 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 되는 동시에, 휘트스톤 브리지(71)의 전류값이 소정의 값으로 되고, 또한 모든 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 전류값이 동등해지도록, 열 처리판(50)의 온도가 조절된다.
본 실시 형태에 따르면, 피처리 웨이퍼(70) 상의 모든 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 측온 저항체(72)의 저항값을 동등하게 소정의 값으로 할 수 있다. 따라서, 피처리 웨이퍼(70)를 소정의 온도로 균일하게 열 처리하도록, 열 처리판(50)의 온도를 조절할 수 있다. 이러한 경우라도, 열 처리판(50)의 온도를 조절하기 위한 파라미터는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압과 전류값의 2개이므로, 종래보다도 간이한 제어로 열 처리판(50)의 온도를 조절할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에 있어서, 제어부(100)에는, 예를 들어 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 전류값과 피처리 웨이퍼(70)의 온도의 관계를 나타내는 테이블(도시하지 않음)이 기록되어 있어도 된다. 이러한 경우, 제어부(100)에서는, 측정된 휘트스톤 브리지 회로(71)의 전류값에 기초하여, 상기 테이블을 사용하여, 피처리 웨이퍼(70)의 온도가 계측된다. 이에 의해, 열 처리 후의 피처리 웨이퍼(70)의 절대 온도를 파악할 수 있다.
또한, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서, 4개의 측온 저항체(72) 중 1개를, 소정의 저항값을 갖는 고정 저항체로 치환해도 된다. 고정 저항체란, 온도 변화에 대하여, 저항값의 변화가 제로, 혹은 저항값의 변화를 무시할 수 있는 만큼 작은 것을 말한다. 예를 들어, 1개의 1385Ω을 갖는 고정 저항체와, 3개의 Pt1000[측온 저항체(72)]으로 구성된 휘트스톤 브리지 회로(71)를 준비한다. Pt1000은 100℃일 때의 저항값이 1385Ω이 되는 것을 알 수 있다. 이러한 경우, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 되도록 제어하는 것뿐이며, 남는 3개의 측온 저항체(72)가 1385Ω이 되게 된다. 즉, 이 3개의 측온 저항체(72)가 100℃로 제어되어 있는 것으로 된다. 고정 저항체가 배치된 개소의 온도를 측정할 수 없게 되어 버리지만, 전류값을 측정하지 않고, 절대적인 온도 제어도 가능하게 된다. 따라서, 열 처리판(50)이 제어되어야 할 온도가 미리 결정되어 있는 경우에, 이 방법은 매우 유효하다. 또한, 고정 저항체로 치환할 수 있는 수는, 1개로 한정되지 않고, 2개 이상이어도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이 제로가 된 것으로써, 4개의 측온 저항체(72)의 각각의 저항이 동일해졌다고 간주하고 있다. 그러나, 실제로는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 좌측 2개의 측온 저항체(72)가 서로 동일한 저항값을 갖고, 우측 2개의 측온 저항체(72)가 서로 동일한 저항값을 갖고 있으면, 좌측과 우측의 측온 저항체(72)에 의해 저항값이 다르더라도, 오프셋 전압은 제로가 되어 버린다. 예를 들어, 좌측의 2개가 1000Ω, 우측의 2개가 980Ω의 경우이다. 이와 같은 경우에 있어서는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 좌측과 우측에 의해 온도가 다름에도 불구하고, 4개 모두 동일한 온도라고 인식되어 버릴 우려가 있다. 이러한 사태의 발생을 회피하는 방법으로서, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압의 측정 개소를 바꾸는 것이 유효하다. 우선, 오프셋 전압의 측정 및 오프셋 전압이 제로가 되도록 제어를 행한다. 여기까지의 제어는, 상기의 실시예에서 설명한 바와 같다. 여기서, 피처리 웨이퍼(70) 상의 콘택트 패드(73a, 73a, 73b, 73b)에 접촉자(41)를 접촉한 상태 그대로, 제2회째의 오프셋 전압의 측정을 행한다. 지금까지는 콘택트 패드(73a, 73a)의 사이에 전압을 인가하고 있었지만, 이번은 콘택트 패드(73b, 73b)의 사이에 전압을 인가한다. 계속해서, 콘택트 패드(73a, 73a)로부터 접촉자(41)를 통해서, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압[콘택트 패드(73a, 73a) 사이의 전압]을 측정한다. 여기서, 제2회째의 오프셋 전압[콘택트 패드(73a, 73a) 사이의 전압]도 제로이면, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서, 4개의 측온 저항체(72)는 모두 동일한 온도인 것으로 된다. 또한, 이 제2회째의 오프셋 전압의 측정은, 임의의 타이밍으로 설정된다. 제1회째의 오프셋 전압을 측정한 후에 바로 행해도 되고, 오프셋 전압이 제로가 되도록 설정된 후, 확인하기 위해 제2회째의 오프셋 전압의 측정을 행해도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 피처리 웨이퍼(70) 상에 있어서, 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)는 지그재그 형상으로 배치되어 있었지만, 당해 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)의 배치는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 도 6에 도시하는 바와 같이 피처리 웨이퍼(70) 상에 있어서, 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)는 격자 형상으로 배치되어 있어도 된다. 또한, 예를 들어 도 7에 도시하는 바와 같이 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)가 연속해서 배치되고, 도 8에 도시하는 바와 같이 피처리 웨이퍼(70) 상에 있어서, 이들 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71)가 사행되어 배치되어 있어도 된다. 모든 경우에 있어서도, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압, 혹은 오프셋 전압 및 전류값에 기초하여, 피처리 웨이퍼(70)를 균일하게 열 처리하도록, 열 처리판(50)의 온도를 조절할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태의 복수의 콘택트 패드(73)는 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 정점부에 배치되어 있었지만, 예를 들어 도 9에 도시하는 바와 같이 복수의 콘택트 패드(73)는, 피처리 웨이퍼(70)의 주연부를 따라서 연속해서 배치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 휘트스톤 브리지 회로(71)에 있어서의 정점부에는, 2개의 배선(74)에 접속된 금속 패드(110)가 배치된다. 그리고, 각 금속 패드(110)와 각 콘택트 패드(73)는, 배선(111)에 의해 접속되어 있다. 금속 패드(110)와 배선(111)에는, 도전성을 갖는 재료, 예를 들어 알루미늄이 사용된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 금속 패드(110)에는 접촉자(41)가 접촉되지 않기 때문에, 당해 금속 패드(110)를 생략하여, 배선(74)과 배선(111)을 직접 접속해도 된다.
여기서, 온도 검사 지그(10)가 열 처리 장치(2)에 반입되었을 때, 예를 들어 피처리 웨이퍼(70)가 소정의 위치로부터 수평면 내에서 회전한 상태로 열 처리판(50) 상에 적재되는 경우가 있다. 이러한 경우에서도, 콘택트 패드(73)가 피처리 웨이퍼(70)의 주연부를 따라서 연속해서 배치되어 있으므로, 콘택트 패드(73)에 접촉자(41)를 확실하게 접촉시킬 수 있다. 이로 인해, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이나 전류값을 확실하게 측정할 수 있어, 열 처리판(50)의 온도를 적절하게 조절할 수 있다.
또한, 측온 저항체(72)로부터 이격한 피처리 웨이퍼(70)의 주연부에 콘택트 패드(73)가 배치되어 있으므로, 당해 콘택트 패드(73)에 접촉자(41)가 접촉되었을 때에, 당해 접촉자(41)의 접촉에 의해 측온 저항체(72)가 온도 변화의 영향을 받지 않는다. 따라서, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이나 전류값을 보다 확실하게 측정할 수 있다.
이상의 실시 형태에 있어서, 도 10에 도시하는 바와 같이 복수의 휘트스톤 브리지 회로(71) 중 하나의 휘트스톤 브리지 회로를 기준 휘트스톤 브리지 회로(120)로 해도 된다. 기준 휘트스톤 브리지 회로(120)는, 4개의 측온 저항체(72) 대신에, 4개의 기준 저항체(121)를 갖고 있다. 기준 저항체(121)는, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되지 않고, 또한 측온 저항체(72)의 저항값과 소정량 이상, 예를 들어 300Ω 이상 해리된 저항값을 갖고 있다. 또한, 기준 휘트스톤 브리지 회로(120)는, 4개의 콘택트 패드(73) 대신에, 4개의 기준 콘택트 패드(122)를 갖고 있다. 그리고, 복수의 콘택트 패드(73)와 기준 콘택트 패드(122)는, 피처리 웨이퍼(70)의 주연부를 따라서 연속해서 배치되어 있다. 또한, 기준 휘트스톤 브리지 회로(120)의 다른 구성은, 상기 실시 형태에 있어서의 휘트스톤 브리지 회로(71)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
이상과 같이 기준 저항체(121)는, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되지 않고, 또한 측온 저항체(72)의 저항값과 소정량 이상 해리된 저항값을 갖고 있으므로, 피처리 웨이퍼(70)를 열 처리 중에 측정되는, 측온 저항체(72)의 저항값과 기준 저항체(121)의 저항값을 구별할 수 있다. 이에 의해, 제어부(100)에 있어서, 열 처리판(50)에 대한 기준 저항체(121)의 위치를 파악할 수 있으므로, 다른 측온 저항체(72)의 위치를 파악할 수 있어, 열 처리판(50) 상의 피처리 웨이퍼(70)의 수평면 내에 있어서의 위치도 파악할 수 있다. 즉, 기준 저항체(121) 및 측온 저항체(72)의 위치와, 열 처리판(50)의 열판 영역(R1 내지 R4)을 대응시킬 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따르면, 열 처리판(50)의 온도 조절을 열판 영역(R1 내지 R4)마다 적절하게 행할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이나 전류값을 측정할 때, 온도 검사 지그(10)의 콘택트 패드(73)에 접촉자(41)를 접촉시켰지만, 본 발명은 휘트스톤 브리지 회로(71)를 갖는 다양한 온도 검사 지그(10)에 적용할 수 있다.
예를 들어 도 11에 도시하는 바와 같이, 유선식의 온도 검사 지그(10)를 사용해도 된다. 온도 검사 지그(10)의 콘택트 패드(73)는, 배선(130)을 통해서 플렉시블 케이블(131)에 접속되어 있다. 또한, 플렉시블 케이블(131)은, 제어부(100)에 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이나 전류값을 측정할 때, 콘택트 패드(73)에 접촉자(41)를 접촉시킬 필요가 없다. 이로 인해, 콘택트 패드(73)를 생략하여, 배선(74)과 배선(111)을 직접 접속해도 된다. 또한, 덮개 부재(30)의 하면에 설치된 접촉자(41)도 생략해도 된다.
이러한 경우, 온도 검사 지그(10)는 열 처리 장치(2)의 내부에 배치되고, 제어부(100)는 열 처리 장치(2)의 외부에 배치된다. 그리고, 이 상태에서 피처리 웨이퍼(70)에 열 처리가 행해져, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이나 전류값이 측정된다.
또한, 본 실시 형태의 유선식의 온도 검사 지그(10)에 있어서, 계측 회로는 제어부(10)에 설치되어 있었지만, 당해 계측 회로를 피처리 웨이퍼(70) 상에 설치해도 된다.
또한, 온도 검사 지그(10)에는, 무선식의 온도 검사 지그를 사용해도 된다. 이러한 경우, 제어부(100)에 설치되어 있었던 계측 회로(도시하지 않음)는 피처리 웨이퍼(70) 상에 설치된다. 그리고, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압이나 전류값은, 계측 회로로부터 무선으로 제어부(100)에 출력된다.
이상과 같이 유선식 또는 무선식의 온도 검사 지그(10)의 어느 하느를 사용한 경우에서도, 휘트스톤 브리지 회로(71)의 오프셋 전압, 혹은 오프셋 전압 및 전류값에 기초하여, 피처리 웨이퍼(70)를 균일하게 열 처리하도록, 열 처리판(50)의 온도를 조절할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 열 처리판(50)은, 4개의 열판 영역(R1 내지 R4)으로 구획되어 있었지만, 그 수는 임의로 선택할 수 있다. 또한, 열 처리판(50)의 열판 영역(R1 내지 R4)의 형상도 임의로 선택할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태의 열 처리 장치(2)에 있어서 행해지는 열 처리는, 예를 들어 포토리소그래피 처리에 있어서의 열 처리이어도 되고, 에칭 처리나 성막 처리 등의 플라즈마 처리에 있어서의 열 처리이어도 된다. 이 경우에 웨이퍼(W)에 이동하는 열은, 열 처리판(50)으로부터의 열에 한정되지 않고, 에칭 가스나 플라즈마로부터의 전열도 포함하게 된다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
1 : 온도 교정 장치
2 : 열 처리 장치
10 : 온도 검사 지그
30 : 덮개 부재
41 : 접촉자
50 : 열 처리판
70 : 피처리 웨이퍼
71 : 휘트스톤 브리지 회로
72 : 측온 저항체
73 : 콘택트 패드
100 : 제어부
120 : 기준 휘트스톤 브리지 회로
121 : 기준 저항체
122 : 기준 콘택트 패드
131 : 플렉시블 케이블
R1 내지 R4 : 열판 영역
W : 웨이퍼

Claims (17)

  1. 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 대해, 상기 열 처리 기구의 온도를 측정하기 위한 온도 측정 장치이며,
    기판과,
    상기 기판 상에 설치되고, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되는 복수의 측온 저항체를 구비한 휘트스톤 브리지 회로를 갖는 것을 특징으로 하는, 온도 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는, 소정의 저항값을 갖는 고정 저항체를 구비하는 것을 특징으로 하는, 온도 측정 장치.
  3. 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 대해, 상기 열 처리 기구의 온도를 교정하기 위한 온도 교정 장치이며,
    기판과,
    상기 기판 상에 설치되고, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되는 복수의 측온 저항체를 구비한 휘트스톤 브리지 회로와,
    상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고,
    상기 제어부는, 복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 소정의 값으로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고,
    상기 제어부는, 복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 동등해지도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  7. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는, 소정의 저항값을 갖는 고정 저항체를 구비하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  8. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서 다른 개소의 오프셋 전압을 측정하고, 각각의 경우에 있어서 당해 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  9. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고,
    복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로는, 지그재그 형상, 격자 형상, 또는 연속해서 사행 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  10. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 열 처리 기구는, 복수의 영역으로 구획되고, 당해 영역마다 온도 조절 가능한 것을 특징으로 하는, 온도 교정 장치.
  11. 열 처리 기구를 사용하여 기판을 소정의 온도로 열 처리하는 열 처리 장치에 대해, 온도 교정 장치를 사용하여 상기 열 처리 기구의 온도를 교정하는 온도 교정 방법이며,
    기판과,
    상기 기판 상에 설치되고, 온도 변화에 따라서 저항값이 변화되는 복수의 측온 저항체를 구비한 휘트스톤 브리지 회로로 구성되는 상기 온도 교정 장치를 사용하여,
    상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고,
    복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 소정의 값으로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 방법.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는 복수 설치되고,
    복수의 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서의 전류값이 동등해지도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 방법.
  15. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로는, 소정의 저항값을 갖는 고정 저항체를 구비하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 방법.
  16. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 휘트스톤 브리지 회로에 있어서 다른 개소의 오프셋 전압을 측정하고, 각각의 경우에 있어서 당해 휘트스톤 브리지 회로가 평형 상태로 되도록, 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 방법.
  17. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 열 처리 기구는, 복수의 영역으로 구획되고,
    상기 영역마다 상기 열 처리 기구의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 온도 교정 방법.
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