KR20130104867A - 고유연성을 가지는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드를 기반으로 하는 투명전도성 필름 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 제조방법은 간단하면서도 친화경적인 투명전도성 필름을 제조하는 것이 가능하므로, 터치스크린, 유기 발광 다이오드, 평판 디스플레이, 태양전지 등의 제조에 유용하게 이용될 수 있다.
Description
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 위에 코팅된 산화 그라핀 층의 표면을 관찰한 SEM 사진이다(a: 기판 위의 산화 그라핀 층; b: 산화 그라핀 층의 단면; c: 산화 그라핀 층의 AFM 이미지; 및 d: 산화 그라핀 층의 3D 위상 AFM 이미지).
도 3은 본 발명에 따른 은 나노와이어의 SEM 사진이다(a: 폴리올 공정으로 합성된 은 나노와이어; b: 산화 그라핀 층 위의 은 나노와이어 네트워크; c: 열처리 전 은 나노와이어; 및 d: 열처리 후의 은 나노와이어).
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 다양한 기판 위에 코팅된 산화 그라핀 층의 SEM 사진이다(a: 석영 기판; b: 유리 기판, c: 석영 기판 위의 산화 그라핀/은 나노와이어 네트워크 하이브리드 필름; 및 d: 유리 기판 위의 산화 그라핀/은 나노와이어 네트워크 하이브리드 필름).
도 5는 본 발명에 따른 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 필름의 열처리 효과를 도식화하여 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 필름의 XP 스펙트라이다(a: C 1s XP 스펙트라; 및 b: Ag 3d XP 스펙트라).
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 다양한 기판 위의 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 필름의 UV-Vis 스펙트라이다(a: 석영 기판; b: 유리 기판; 및 c: PET 기판).
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 다양한 기판 위의 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 필름의 550 ㎚에서의 투광도 및 시트저항을 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명에 따른 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 필름의 벤딩 횟수에 대한 시트저항을 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명에 따른 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 필름의 열처리 전후의 기계적 안정성을 확인한 사진이다.
| 종류 | 시트저항 (Ω/sq) |
투과도 (%) |
σDC/σOP | 참고문헌 | |||
| 환원된 산화그라핀 |
화학적 환원 | 11300 | 87 | 0.29 | Zhu et al, APL 95, 103104 |
||
| 화학적 환원 | 30000 | 80 | 0.05 | Liu et al, Nanotechnology 20, 465605 |
|||
| 고온 | 5 K-1 M | 80 | 0.63 | Wu et al, APL 92, 263302 |
|||
| 고온 | 100-1000 | 80 | 1.6 | Becerril et al, ACS Nano 2, 463 |
|||
| 고온 | 8000 | 70 | 0.132 | Zhao etal, Electrochimica Acta, 55, 491 |
|||
| 고온 | 800 | 82 | 1.5 | Wu et al, ACS Nano, 4, 43 |
|||
| 화학적 환원 + 고온 |
100000 | 65 | 0.022 | Eda et al, Nature Nanotechnology, 3, 270 |
|||
| 화학적 환원 + 고온 |
11×106 | 95 | 0.03 | Kim et al, Langmuir, 25, 11302 |
|||
| 화학적 환원 + 고온 |
70000 | 65 | 0.011 | Eda et al, APL 92, 233305 |
|||
| 랭뮤어- 블로젯 증착 |
화학적 환원 + 고온 |
459 | 90 | 7.29 | Qingbin et al, ACS NANO, 5, 6039-6051 | ||
| 온도 | 4×106 | 95 | 0.0018 | Kim et al. Adv. Mater. 2010, 22, 1954 |
|||
| 팽창(with DMF) | 1.5×105 | 92 | 0.03 | Li et al. Nature Nanotechnol. 2008, 3, 538 |
|||
| 용액팽창 | 팽창(with DMF) | 5000 | 90 | 0.697 | Blake et al, Nano Letters, 8, 1704 |
||
| 팽창(with NaCl) | 2000 | 75 | 0.6 | Green et al , Nano Letters, 9,4031 |
|||
| 팽창(with DMF) | 8000 | 83 | 0.18 | Li et al, Nature Nanotechnology, 3, 538 |
|||
| CVD | Cu 기판 | 200 | 85 | 11.13 | Cai et al, APL 95, 123115 |
||
| Cu 기판 | 350 | 90 | 9.96 | Li et al, Nano Letters, 9,4359 |
|||
| Ni 기판 | 280 | 80 | 4.6 | Kim et al, Nature 457, 706 |
|||
| Ni 기판 | 770-1000 | 90 | 4.53 | Reina et al, Nano Letters, 9, 30 |
|||
| Ni 기판 | 1350-210 | 91-72 | 5.0 | Wang et al, APL, 95, 063302 |
|||
| 은 나노와이어 | 분사 | 33 | 85 | 75-350 | Anuj et al, Nanotechnology, 22 | ||
| 막대코팅 | 175 | 75 | 7.16 | Cai-Hong et al, Nano Res letter, 6, 75 | |||
| 건식 전이 | 10 | 85 | 222 | Anuj et al, Nano Res 3, 564-573 | |||
| 산화그라핀/은 나노와이어 | 하이브리드 | 150 | 87 | 20.9-90 | 본 발명 | ||
Claims (12)
- 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름.
- 제 1항에 있어서,
상기 투명전도성 필름은 투과도가 80~90%일 때, 면저항이 40~200 Ω/□인 것이 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름.
- (1) 나노 두께의 산화 그라핀 필름을 제조하는 단계;
(2) 폴리비닐피롤리돈(PVP) 존재 하에 에틸렌글리콜을 이용하여 질산은을 환원시켜 은 나노와이어를 제조하는 단계; 및
(3) 상기 (2) 단계에서 제조한 은 나노와이어를 상기 (1) 단계에서 제조한 산화 그라핀 필름 위에 부착하는 단계;
(4) 상기 (3) 단계에서 제조된 은 나노와이어 네트워크를 포함하는 산화 그라핀 필름을 건조시켜 투명전도성 필름을 제조하는 단계; 및
(5) 상기 투명전도성 필름을 열처리(thermal annealing)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 나노 두께의 산화 그라핀 필름은 모세관 유동을 구동력으로 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 나노 두께의 그라핀 필름은,
(a) 천연 흑연을 동결건조하는 단계;
(b) 상기 동결건조된 천연 흑연을 초음파 처리를 통해 박리시켜 현탁액을 제조하는 단계; 및
(c) 상기 산화 그라핀 현탁액을 기판 위에 코팅하는 단계;를 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 (a) 단계에서는, 천연 흑연으로부터 현탁액을 제조하여 액체 질소로 동결시킨 후, -50℃, 0.04~0.05 mbar의 동결건조기에서 72시간 동안 동결건조하는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 (b) 단계에서는, 상기 (a) 단계에서 얻은 산화 그라핀 파우더를 증류수에 넣고 초음파처리를 통해 박리시켜 0.0001~0.0003중량% 농도의 산화 그라핀 현탁액을 제조하는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 (c) 단계에서는, 상기 (b) 단계에서 얻은 산화 그라핀 현탁액을 유리, 석영 및 폴리에틸렌프탈레이트(PET)에서 선택되는 어느 하나의 기판 위에 코팅 후 건조하여 10~50 ㎚ 두께의 산화 그라핀 필름을 얻는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 은 나노와이어는 폴리올 공정(polyol process)을 이용하여 제조하는 것이 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제9항에 있어서,
상기 은 나노와이어의 평균 길이는 1~10 ㎛이고, 평균 직경은 70~80 ㎚인 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 은 나노와이어는 상기 산화 그라핀 필름 위에 딥 코팅 방법을 이용하여 부착시키는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 투명전도성 필름은 산소분위기에서 150℃에서 30분간 열처리(thermal annealing)를 하는 것을 특징으로 하는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드 투명전도성 필름 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120026780A KR101324281B1 (ko) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 고유연성을 가지는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드를 기반으로 하는 투명전도성 필름 |
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| KR101324281B1 KR101324281B1 (ko) | 2013-11-01 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101324281B1 (ko) |
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| P11-X000 | Amendment of application requested |
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| P13-X000 | Application amended |
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|
| PG1501 | Laying open of application |
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|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
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| PR0701 | Registration of establishment |
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|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Fee payment year number: 1 St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 4 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170829 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
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| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
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| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180823 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 6 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
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| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
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| PN2301 | Change of applicant |
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|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301 |
|
| P14-X000 | Amendment of ip right document requested |
St.27 status event code: A-5-5-P10-P14-nap-X000 |
|
| P16-X000 | Ip right document amended |
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|
| Q16-X000 | A copy of ip right certificate issued |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Fee payment year number: 7 St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Not in force date: 20201026 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
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| P22-X000 | Classification modified |
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|
| P22-X000 | Classification modified |
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| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
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