KR20140077449A - 유기 전계 발광 표시 패널 - Google Patents

유기 전계 발광 표시 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20140077449A
KR20140077449A KR1020120146277A KR20120146277A KR20140077449A KR 20140077449 A KR20140077449 A KR 20140077449A KR 1020120146277 A KR1020120146277 A KR 1020120146277A KR 20120146277 A KR20120146277 A KR 20120146277A KR 20140077449 A KR20140077449 A KR 20140077449A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical compensation
compensation layer
refractive index
layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020120146277A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101970567B1 (ko
Inventor
최성훈
김관수
이세희
박수일
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120146277A priority Critical patent/KR101970567B1/ko
Publication of KR20140077449A publication Critical patent/KR20140077449A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101970567B1 publication Critical patent/KR101970567B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널은 기판 상에 형성되는 제1 전극과; 상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극과; 상기 제2 전극 상에 고굴절율을 가지는 제1 광학 보상층, 저굴절율을 가지는 제2 광학 보상층, 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층을 이용하여 다층 구조로 형성되는 광학 보상층을 구비하며, 상기 제3 광학 보상층은 상기 제1 광학 보상층을 이루는 재질과 상기 제2 광학 보상층을 이루는 재질이 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 전계 발광 표시 패널{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL}
본 발명은 유기 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널에 관한 것이다.
최근 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 대두되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 유기 전계 발광 표시 장치(Electro-Luminescence : EL) 등이 있다. 이 중 유기 전계 발광 표시 장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 백라이트가 불필요하므로 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정이 단순하며, 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트비(contrast ratio) 등의 뛰어난 특징이 있어 차세대 평면 디스플레이로서 적합하다.
특히, 유기 전계 발광 표시 장치는 애노드 전극으로부터의 정공과 캐소드 전극으로부터의 전자가 발광층 내에서 결합되어 생성된 여기자가 다시 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
이러한 유기 전계 발광 표시 장치의 유기 발광층에서 생성한 광이 외부로 모두 추출되지 못하고 대부분의 광이 내부 전반사에 의해 손실되어 유기 발광층에서 생성된 광의 약 1/4 정도만 외부로 방출되므로 광효율이 낮은 문제점이 있다.
따라서, 최근에는 유기 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 다양한 방법이 요구되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 유기 발광층에서 생성된 광을 효율적으로 추출하여 광효율을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널은 기판 상에 형성되는 제1 전극과; 상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극과; 상기 제2 전극 상에 고굴절율을 가지는 제1 광학 보상층, 저굴절율을 가지는 제2 광학 보상층, 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층을 이용하여 다층 구조로 형성되는 광학 보상층을 구비하며, 상기 제3 광학 보상층은 상기 제1 광학 보상층을 이루는 재질과 상기 제2 광학 보상층을 이루는 재질이 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 광학 보상층은 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층, 상기 저굴절율을 가지는 상기 제2 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 상기 제3 광학 보상층 및 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 광학 보상층은 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층, 상기 저굴절율을 가지는 상기 제2 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 상기 제3 광학 보상층, 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층, 상기 저굴절율을 가지는 상기 제2 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 상기 제3 광학 보상층 및 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 광학 보상층은 2~4의 고굴절율을 가지며, 상기 제2 광학 보상층은 1~1.9의 저굴절율을 가지며, 제3 광학 보상층은 상기 제1 광학 보상층의 고굴절율보다 낮고 상기 제2 광학 보상층의 저굴절율보다 낮은 1.05~2.85의 중굴절율을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 광학 보상층의 중굴절율은 상기 제1 및 제2 광학 보상층 각각을 이루는 재질의 혼합비에 따라 결정되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 광학 보상층은 상기 제2 및 제3 광학 보상층보다 두께가 얇은 것을 특징으로 한다.
본 발명은 굴절율이 서로 다른 제1 내지 제3 광학 보상층을 이용하여 다층 구조로 형성된 광학 보상층을 구비한다. 이에 따라, 본원 발명은 제1 내지 제3 광학 보상층의 굴절율 차이에 의한 제1 내지 제3 광학 보상층의 반사율이 증가되므로 전면 발광 유기 발광 표시 패널의 효율을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 광학 보상층을 상세히 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 광학 보상층을 형성하기 위한 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 효율을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널은 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터와 접속된 발광셀과, 광학 보상층(140) 및 전면 실링층(130)을 구비한다.
박막 트랜지스터는 게이트 전극(106), 발광셀의 제1 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 드레인 전극(110)과 마주하는 소스 전극(108), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(106)과 중첩되게 형성되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(114) 사이에 형성된 오믹접촉층(116)을 구비한다.
이러한 박막트랜지스터 상에는 무기 절연 물질의 무기 보호막(118)과, 유기 절연물질의 유기 보호막(128)이 순차적으로 형성된다. 유기 보호막(128)은 박막트랜지스터가 형성된 기판(101)을 평탄화시키기 위해 형성되며, 무기 보호막(118)은 게이트 절연막(112), 소스 및 드레인 전극(108,110) 각각과 유기 보호막(128)과의 계면 안정성을 향상시키기 위해 형성된다.
발광셀은 유기 보호막(128) 위에 형성된 제1 전극(122)과, 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기 발광층(124)과, 유기 발광층(124) 위에 형성된 제2 전극(126)으로 구성된다.
유기 발광층(124)은 제1 전극(122) 위에 적층된 정공 관련층(124a), 발광층(124b), 전자 관련층(124c) 순으로 또는 역순으로 구성된다. 이러한 유기 발광층(124)은 각 발광 영역을 구분하도록 형성된 뱅크 절연막(102)에 의해 마련된 뱅크홀(104) 내에 형성된다.
제1 전극(122)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하는 화소 컨택홀(120)을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(110)과 전기적으로 접속된다. 이러한 제1 전극(122)은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명한 도전 물질 및 인듐 틴 옥사이드(ITO) 등과 같은 투명한 도전 물질이 적층된 구조로 형성된다. 여기서, 제1 전극(122)에 포함된 불투명한 도전 물질은 유기 발광층(124)에서 생성되어 기판(101) 쪽으로 진행하는 광을 제2 전극(126) 쪽으로 반사시키는 역할을 한다.
제2 전극(126)은 유기 발광층(124) 상에 형성된다. 이러한 제2 전극(126)은 ITO등과 같은 투명한 도전 물질로 형성됨으로써 유기 발광층(124)에서 생성된 광이 제2 전극(126)을 통해 상부로 방출된다.
전면 실링층(130)은 외부로부터 유입되는 수분이나 산소의 침투를 차단함으로써 신뢰성을 향상시키는 역할을 한다. 이러한 전면 실링층(130)에 포함된 다수의 박막층들(142,144,146,148)은 광학 보상층(140)보다 두꺼운 수~수백 ㎛로 형성됨으로써 광의 간섭에 의한 공진 현상에 영향을 미치지 않는 영역이다.
광학보상층(140)은 유기 발광층(124)에서 생성된 광의 파장마다 최대 보강 간섭이 발생하도록 하여 유기 발광층(124)에서 생성된 광이 효율적으로 외부를 향해 방출할 수 있도록 한다. 즉, 광학 보상층(140)은 유기 발광층(124)에서 생성된 광 중에서 광학 보상층(140)을 투과하지 못하는 일정 세기 이하의 광을 반사시킨다.
구체적으로, 광학 보상층(140)은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 광학 보상층(142,144,146)을 포함하는 다층 구조로 형성된다.
제1 광학 보상층(142)은 2~4의 고굴절율을 가지며, 광학 보상층(140)의 최하층과 최상층에 위치한다. 이러한 제1 광학 보상층(142)은 ZnTe, ZnSe, Sb2S3, SnS 또는 SnS2 등의 고굴절 고흡수 물질로 형성된다. 여기서, 고굴절고흡수 물질로 형성되는 제1 광학 보상층(142)은 제2 및 제3 광학 보상층(144,146)보다 두께가 얇게 형성된다. 이에 따라, 제1 광학 보상층(142)의 흡수율이 낮아지므로 유기 발광층(124)에서 생성된 광이 제1 광학 보상층(142)에서 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
제2 광학 보상층(144)은 1~1.9의 저굴절율을 가지며, 제3 광학 보상층(146)들 사이에 위치한다. 이러한 제2 광학 보상층(144)은 저굴절 저흡수의 유기물 또는 무기물로 형성된다. 저굴절 저흡수의 유기물으로는 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, CBP 또는 Alq3 등이 이용되며, 저굴절 저흡수의 무기물으로는 LiF 또는 MgF2 등이 이용된다.
제3 광학 보상층(146)은 제1 광학 보상층(142)의 고굴절율보다 낮고 제2 광학 보상층(144)의 저굴절율보다 낮은 1.05~2.85의 중굴절율을 가지며, 제1 및 제2 광학 보상층(142,144) 사이에 위치한다. 이러한 제3 광학 보상층(146)은 제1 광학 보상층(144)의 고굴절 고흡수 물질과 제2 광학 보상층(142)의 저굴절 저흡수물질이 혼합되어 형성된다. 특히, 제3 광학 보상층(146)은 수학식 1과 같이 제1 광학 보상층(142)의 고굴절 고흡수 물질과 제2 광학 보상층(144)의 저굴절 저흡수물질의 혼합비에 따라 굴절율이 결정된다.
Figure pat00001
수학식 1에서 n1,n2,n3 각각은 제1 내지 제3 광학 보상층(142,144,146) 각각의 굴절율을, x는 제1 광학 보상층(142)의 비율을, y는 제2 광학 보상층(144)의 비율을 나타낸다.
이러한 제1 및 제3 광학 보상층(142,146) 간의 굴절율 차이, 제2 및 제3 광학 보상층(144,146) 간의 굴절율의 차이에 의해 광학 보상층(140)을 투과하지 못하는 광은 제1 및 제3 광학 보상층(142,146)의 계면과, 제2 및 제3 광학 보상층(144,146)의 계면과, 제1 광학 보상층(142)과 외부의 공기층의 계면에서 반사된다. 반사된 광은 공기층과 제1 전극(122) 사이에 위치하는 계면들에서 반복하여 반사되어 다른 반사광 또는 유기 발광층(124)에서 발생된 광과 보강 간섭이 일어나는 경우 그 세기가 증가하여 다시 광학 보상층(140)을 투과하게 된다.
이와 같이, 본원 발명은 제1 내지 제3 광학 보상층(142,144,146)을 굴절율을 다르게 형성하므로, 제1 내지 제3 광학 보상층(142,144,146) 간의 굴절율 차이로 인해 제1 내지 제3 광학 보상층(142,144,146)의 계면 사이에서 투과 반사현상이 발생되며, 그 투과 반사에 의한 간섭 현상이 일어나 공진 향상효과를 얻을 수 있다.
도 3는 도 2에 도시된 광학 보상층을 생성하기 위한 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3에 도시된 증착 장치는 가이드 레일(158)과, 가이드 레일(158)을 따라 왕복운동하는 몸체(156)와, 몸체(156) 내에 위치하는 제1 및 제2 증착원(152,154)을 구비한다.
제1 증착원(152)은 몸체(156)의 양측에 위치하며 고굴절 고흡수 물질을 제1 방출영역(HA)만큼 방출하므로 기판(101) 상에 고굴절고흡수 물질이 증착된다.
제2 증착원(154)은 제1 증착원들(152) 사이에 위치하며, 저굴절 저흡수 물질을 제2 방출 영역(LA)만큼 방출하므로 기판(101) 상에 저굴절저흡수 물질이 증착된다.
이 때, 제1 및 제2 방출 영역(HA,LA)은 일정 영역 중첩되므로 고굴절 고흡수 물질과 저굴절저흡수물질이 혼합되는 혼합영역(MA)이 형성된다.
이러한 제1 및 제2 증착원들(152,154)은 몸체(156)의 이동에 따라서 이동하면서 증착 공정을 진행한다. 즉, 제1 및 제2 증착원들(152,154)이 기판(101)의 일측에서부터 증착을 수행하면서 타측으로 이동하게 된다. 이에 따라, 기판(101) 상에는 도 2에 도시된 바와 같이 고굴절고흡수 물질로만 이루어진 제1 광학 보상층(142)과, 고굴절고흡수 물질과 저굴절저흡수물질이 혼합된 제3 광학 보상층(144)과, 저굴절저흡수물질로만 이루어진 제2 광학 보상층(144)과, 고굴절고흡수 물질과 저굴절저흡수물질이 혼합된 제3 광학 보상층(144)과, 고굴절고흡수 물질로만 이루어진 제1 광학 보상층(142)이 순차적으로 형성된다.
한편, 상기와 같이 기판(101)의 일측에서 타측으로 제1 및 제2 증착원들(152,154)이 이동하면서 증착한 후, 기판(101)의 타측에서 일측으로 다시 되돌아오면서 증착공정이 이루어지면, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 광학 보상층(142), 제3 광학 보상층(146), 제2 광학 보상층(144), 제3 광학 보상층(146), 제2 광학 보상층(144), 제1 광학 보상층(142), 제1 광학 보상층(142), 제3 광학 보상층(146), 제2 광학 보상층(144), 제3 광학 보상층(146), 제2 광학 보상층(144), 제1 광학 보상층(142)이 순차적으로 적층된 구조의 광학 보상층(140)이 형성된다.
한편, 도 3에서는 제1 및 제2 증착원들(152,154)을 가지는 몸체(156)가 가이드 레일(158)을 따라 이동하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 제1 및 제2 증착원들(152,154)을 가지는 몸체(156)가 고정된 상태에서 기판(101)이 이동할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 광학 보상층의 두께에 따른 효율을 설명하기 위한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 단층 구조의 광학 보상층이 700Å의 두께로 형성된 비교예의 경우, 3.32cd/A의 효율을 나타낸다.
반면에 서로 다른 굴절율을 가지는 제1 내지 제3 광학 보상층(142,144,146)을 이용하여 다층 구조로 이루어진 광학 보상층(140)의 총 두께가 300~550Å의 두께로 형성되는 실시 예의 경우, 비교예보다 높은 3.389~3.728cd/A의 효율을 얻을 수 있어 비교예보다 최대 12%효율이 향상된다.
한편, 본원 발명은 적색 발광셀, 녹색 발광셀 및 청색 발광셀 각각에서 발광하는 적색광, 녹색광 및 청색광의 광특성 및 파장 등을 고려하여 최대 보강 간섭이 발생되도록 각 발광셀별로 다층 구조의 광학 보상층(140)의 두께를 다르게 형성할 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
122 : 제1 전극 124 : 유기 발광층
126 : 제2 전극 130 : 전면 실링층
140 : 광학 보상층

Claims (6)

  1. 기판 상에 형성되는 제1 전극과;
    상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층과;
    상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극과;
    상기 제2 전극 상에 고굴절율을 가지는 제1 광학 보상층, 저굴절율을 가지는 제2 광학 보상층, 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층을 이용하여 다층 구조로 형성되는 광학 보상층을 구비하며,
    상기 제3 광학 보상층은 상기 제1 광학 보상층을 이루는 재질과 상기 제2 광학 보상층을 이루는 재질이 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 보상층은
    상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층, 상기 저굴절율을 가지는 상기 제2 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 상기 제3 광학 보상층 및 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 보상층은
    상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층, 상기 저굴절율을 가지는 상기 제2 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 상기 제3 광학 보상층, 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 제3 광학 보상층, 상기 저굴절율을 가지는 상기 제2 광학 보상층, 상기 중굴절율을 가지는 상기 제3 광학 보상층 및 상기 고굴절율을 가지는 상기 제1 광학 보상층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
  4. 제 1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 제1 광학 보상층은 2~4의 고굴절율을 가지며, 상기 제2 광학 보상층은 1~1.9의 저굴절율을 가지며, 제3 광학 보상층은 상기 제1 광학 보상층의 고굴절율보다 낮고 상기 제2 광학 보상층의 저굴절율보다 낮은 1.05~2.85의 중굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 광학 보상층의 중굴절율은 상기 제1 및 제2 광학 보상층 각각을 이루는 재질의 혼합비에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 광학 보상층은 상기 제2 및 제3 광학 보상층보다 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
KR1020120146277A 2012-12-14 2012-12-14 유기 전계 발광 표시 패널 Active KR101970567B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120146277A KR101970567B1 (ko) 2012-12-14 2012-12-14 유기 전계 발광 표시 패널

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120146277A KR101970567B1 (ko) 2012-12-14 2012-12-14 유기 전계 발광 표시 패널

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140077449A true KR20140077449A (ko) 2014-06-24
KR101970567B1 KR101970567B1 (ko) 2019-04-19

Family

ID=51129384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120146277A Active KR101970567B1 (ko) 2012-12-14 2012-12-14 유기 전계 발광 표시 패널

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101970567B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180001982A (ko) * 2016-06-28 2018-01-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20190074046A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02245702A (ja) * 1989-03-20 1990-10-01 Hitachi Ltd 反射防止膜及びその製作方法
KR20040047670A (ko) * 2002-11-26 2004-06-05 닛토덴코 가부시키가이샤 유기 전기 발광 소자, 면 광원 및 표시 장치
JP2005003707A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Asahi Glass Co Ltd 反射防止体およびこれを用いたディスプレイ装置
JP2006106715A (ja) * 2004-09-13 2006-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 反射防止フィルム、偏光板、および液晶表示装置
KR20060042728A (ko) * 2004-11-10 2006-05-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
JP2007188100A (ja) * 2001-08-07 2007-07-26 Fujifilm Corp 反射防止フィルム、偏光板、および画像表示装置
KR20080083070A (ko) * 2001-04-10 2008-09-12 후지필름 가부시키가이샤 반사방지 필름, 편광판, 및 이미지 디스플레이용 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02245702A (ja) * 1989-03-20 1990-10-01 Hitachi Ltd 反射防止膜及びその製作方法
KR20080083070A (ko) * 2001-04-10 2008-09-12 후지필름 가부시키가이샤 반사방지 필름, 편광판, 및 이미지 디스플레이용 장치
JP2007188100A (ja) * 2001-08-07 2007-07-26 Fujifilm Corp 反射防止フィルム、偏光板、および画像表示装置
KR20040047670A (ko) * 2002-11-26 2004-06-05 닛토덴코 가부시키가이샤 유기 전기 발광 소자, 면 광원 및 표시 장치
JP2005003707A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Asahi Glass Co Ltd 反射防止体およびこれを用いたディスプレイ装置
JP2006106715A (ja) * 2004-09-13 2006-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 反射防止フィルム、偏光板、および液晶表示装置
KR20060042728A (ko) * 2004-11-10 2006-05-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180001982A (ko) * 2016-06-28 2018-01-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20190074046A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20220163915A (ko) * 2017-12-19 2022-12-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101970567B1 (ko) 2019-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10720596B2 (en) Organic light emitting display panel
KR102934612B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR101739499B1 (ko) 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법과 디스플레이 장치
US9640782B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US10446798B2 (en) Top-emitting WOLED display device
KR20240134065A (ko) 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
KR101504117B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치
KR101939366B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US9818973B2 (en) Display device
US20120256218A1 (en) Organic light emitting diode display
US9949336B2 (en) Organic light emitting diode device having electrode with Ag—Mg alloy
CN104009186A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR20150052490A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102042534B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법
US8610149B2 (en) Organic light emitting diode display
US20230105196A1 (en) Display device
KR20120061396A (ko) 유기 발광 표시 장치
US12426430B2 (en) Display device that improves light extraction efficiency from light emitting element by functioning as a mirror
KR101970567B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 패널
CN105226203A (zh) 有机发光二极管器件、包含其的显示器及其制作方法
US10276834B2 (en) Organic light-emitting device
KR102673970B1 (ko) 유기발광 표시장치 그 제조방법
KR20170079645A (ko) 유기발광소자
KR101535236B1 (ko) 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP4942223B2 (ja) 有機ｅｌ装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 8