KR20140103696A - 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조된 경화성 핫멜트 필름 - Google Patents

인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조된 경화성 핫멜트 필름 Download PDF

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Abstract

경화성 핫멜트 필름을 제공하는 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 발광 반도체 장치용으로 사용되는 경화성 핫멜트 필름이 제공된다. 인광체를 함유하는 상기 조성물은 반 경화에 의해 실온에서 비점착성 필름을 제공하고, 상기 필름은 목적하는 형태를 제조하기에 용이하다. 제조된 필름은 실온에서 지지체 기판으로부터 떼어내어 발광 반도체 장치 상으로 이송시키는 것이 용이하다. 적층된 필름은, 용융된 후, 가열에 의해 경화되어 상기 장치 표면에 대한 우수한 영구적 접착성을 제공한다.

Description

인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조된 경화성 핫멜트 필름{PHOSPHOR-CONTAINING CURABLE SILICONE COMPOSITION AND CURABLE HOTMELT FILM MADE THEREFROM}
본 발명은 경화성 핫멜트 필름을 형성할 수 있는 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조되고 발광 반도체 장치용으로 사용되는 경화성 핫멜트 필름에 관한 것이다.
경화성 실리콘 조성물은 이들의 우수한 특성, 예를 들어, 내열성 및 내한성, 전기 절연성, 내후성, 발수성, 투명성 등에 대해 공지되어 있다. 이러한 특성에 기인하여, 상기 조성물은 여러 산업 분야에서 다양하게 적용된다. 상기 조성물이 이들의 색상 변화 및 물리적 특성의 악화와 관련하여 다른 유기 재료보다 우수하기 때문에, 이러한 조성물은 광학 부품용 재료로서의 용도로서 기대될 수 있다. 예를 들어, 미국 특허 공개 공보 제2004/116640A1호는 알케닐-함유 실리콘 수지, 오가노하이드로겐폴리실록산, 및 첨가 반응 촉매로 구성된 발광 다이오드(LED)용 광학 실리콘 수지 조성물을 개시한다.
LED 분야에서, 파장 전환용으로서의 인광체의 용도는 널리 알려져 있다. 내부에 인광체가 분산된 액체 경화성 실리콘 조성물을 LED 칩 위에 분배시킨 후 경화시키는 방법이 일반적으로 사용된다. 인광체를 함유하는 경화된 실리콘 층을 갖는 LED 칩의 적용은 LED 칩으로부터의 발광을 청색 발광에서 백색 발광으로의 전환을 가능하게 한다. 그러나, 이러한 방법은 주로 인광체 분산액에서 균일성 부족에 의해 유발되는 색상 변화(color variation)에 문제를 갖는다. 이러한 균일한 분산액을 달성하기 위해, 인광체-함유 시트가 연구 중이고, 예를 들어, 미국 특허 공개 공보 제2008/308828A1호는 인광체-함유 접착성 실리콘 조성물 및 상기 조성물로부터 형성된 조성물 시트를 개시하고 있지만, 이 방법은 시트 제조시 시트의 변형 및 텍스처된(textured) LED 칩 표면에 대한 접착 불량 등의 다른 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 완전한 경화를 위한 잔류성 하이드로실릴화 반응성을 갖는 핫멜트 필름을 형성할 수 있는 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물을 제공하는 것이다. 그리고, 본 발명의 다른 목적은 발광 반도체 장치용으로 사용되는 핫멜트 필름을 제공하는 것이다.
발명의 설명
인광체-함유 경화성 실리콘 조성물은,
(A) 하기 평균 단위 화학식 (1):
(R1R2 2SiO1 /2)a(R2 3SiO1 /2)b(R2 2SiO2 /2)c(R2SiO3 /2)d(SiO4 /2)e(R3O1 /2)f (1)
(여기서, R1은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기이고; R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, R2 중의 40 mol% 이상은 아릴기이고; R3은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고; "a"는 0.1 내지 0.4의 수이고, "b"는 0 내지 0.3의 수이고, "c"는 0 내지 0.3의 수이고, "d"는 0.4 내지 0.9의 수이고, "e"는 0 내지 0.2의 수이고, "f"는 0 내지 0.05의 수이고, 단, "a" 내지 "e"의 합은 1이다)
로 제시되는 오가노폴리실록산 수지(A-1) 78 내지 99 질량%;
하기 평균 단위 화학식 (2):
(R5 3SiO1 /2)g(R4R5SiO2 /2)h(R5 2SiO2 /2)i(R5SiO3 /2)j(SiO4 /2)k(R6O1 /2)l (2)
(여기서, R4는 탄소수 2 내지 10의 알케닐기이고; R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, R5 중의 40 mol% 이상은 아릴기이고; R6은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹이고; "g"는 0 내지 0.2의 수이고, "h"는 0.05 내지 0.3의 수이고, "i"는 0 내지 0.3의 수이고, "j"는 0.4 내지 0.9의 수이고, "k"는 0 내지 0.2의 수이고, "l"은 0 내지 0.05의 수이고, 단, "g" 내지 "k"의 합은 1이다)
로 제시되는 오가노폴리실록산 수지(A-2) 1 내지 7 질량% 및
하기 평균 화학식 (3):
R7 3SiO-(R7 2SiO)n-SiR7 3 (3)
(여기서, R7은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, 분자 중의 2개 이상의 R7은 알케닐기이고, R7 중의 30 mol% 이상은 아릴기이고; "n"은 4 내지 100의 정수이다)
으로 제시되는 오가노폴리실록산(A-3) 0 내지 15 질량%로 이루어진 알케닐기-관능성 오가노폴리실록산;
(B) 성분 (A) 중의 하나의 알케닐기당 0.5 내지 10개의 규소원자-결합된 수소원자를 제공하는 양의, 분자 내에서 2개의 수소원자 각각이 규소원자들에 직접 결합된 오가노하이드로겐폴리실록산;
(C) 상기 조성물의 하이드로실릴화를 수행하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매; 및
(D) 성분 (A), (B) 및 (C)의 합 100 질량부당 25 내지 400 질량부의 양의 인광체를 포함한다.
본 발명의 경화성 핫멜트 필름은 상기 조성물의 하이드로실릴화 반응의 부분 진행으로서 제공된다.
본 발명의 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물은 경화되어, 하이드로실릴화 반응의 부분 완료에 의한 완전한 경화를 위한 잔류성 하이드로실릴화 반응성을 갖는 핫멜트 필름을 형성할 수 있다. 본 발명의 경화성 핫멜트 필름은 경화되어, 반도체 장치에 대한 우수한 영구적 접착성을 갖는 제품으로 될 수 있다
본 발명의 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물은 (A) 알케닐기-관능성 오가노폴리실록산, (B) 분자 내에서 2개의 수소원자 각각이 규소원자들에 직접 결합된 오가노하이드로겐폴리실록산, (C) 하이드로실릴화 촉매, 및 (D) 인광체를 포함하고, 여기서, 성분 (A)는 성분 (A-1), (A-2) 및 (A-3)으로 이루어진다.
성분 (A-1)은 성분 (A)의 염기 성분으로서 작용하는 오가노폴리실록산 수지이다. 성분 (A-1)은 하기 평균 단위 화학식 (1)로 제시된다:
(R1R2 2SiO1 /2)a(R2 3SiO1 /2)b(R2 2SiO2 /2)c(R2SiO3 /2)d(SiO4 /2)e(R3O1 /2)f (1)
상기 평균 단위 화학식 (1)에서, R1은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기이고; R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, R2 중의 40 mol% 이상은 아릴기이고; R3은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고; "a"는 0.1 내지 0.4의 수이고, "b"는 0 내지 0.3의 수이고, "c"는 0 내지 0.3의 수이고, "d"는 0.4 내지 0.9의 수이고, "e"는 0 내지 0.2의 수이고, "f"는 0 내지 0.05의 수이고, 단, "a" 내지 "e"의 합은 1이다.
R1의 알케닐기는 바람직하게는 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 더욱 바람직하게는 탄소수 2 내지 3의 알케닐기이고, 이의 예로서 비닐, 알릴, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐 및 사이클로헥세닐기가 포함된다. R2의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이고, 이의 예로서 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸 및 헥실기가 포함된다. R2의 사이클로알킬기는 바람직하게는 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 더욱 바람직하게는 사이클로헥실기이다. R2의 아릴기는 바람직하게는 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 더욱 바람직하게는 페닐기이고, 이의 예로서 페닐, 토릴, 크실릴, 1-나프틸 및 2-나프틸기가 포함된다. R3의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸 또는 에틸기이고, 이의 예로서 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸 및 헥실기가 포함된다. 하첨자 "a", "b", "c", "d", "e" 및 "f"는 바람직하게는 각각 0.2 내지 0.3, 0 내지 0.15, 0 내지 0.15, 0.6 내지 0.8, 0 내지 0.1, 및 0 내지 0.03의 수이다.
성분 (A) 중의 성분 (A-1)의 양은 78 내지 99 질량%, 바람직하게는 80 내지 97 질량%이다.
성분 (A-1)의 양이 78 질량% 이상이어야 본원 조성물로부터 제조되는 필름의 접착력을 향상시킬 수 있고, 99 질량% 이하이어야 필름의 박리력을 향상시킬 수 있다.
성분 (A-2)는 재료 강화 및 접착력 개선을 위한 첨가제로서 작용하는 또다른 오가노폴리실록산 수지이다. 성분 (A-2)는 하기 평균 단위 화학식 (2)로 제시된다:
(R5 3SiO1 /2)g(R4R5SiO2 /2)h(R5 2SiO2 /2)i(R5SiO3 /2)j(SiO4 /2)k(R6O1 /2)l (2)
상기 평균 단위 화학식 (2)에서, R4는 탄소수 2 내지 10의 알케닐기이고; R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, R5 중의 40 mol% 이상은 아릴기이고; R6은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고; "g"는 0 내지 0.2의 수이고, "h"는 0.05 내지 0.3의 수이고, "i"는 0 내지 0.3의 수이고, "j"는 0.4 내지 0.9의 수이고, "k"는 0 내지 0.2의 수이고, "l"은 0 내지 0.05의 수이고, 단, "g" 내지 "k"의 합은 1이다.
R4의 알케닐기는 바람직하게는 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 더욱 바람직하게는 탄소수 2 내지 3의 알케닐기이고, 이의 예로서는 R1에 대해 상기 예시된 바와 같다. R5의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이고, 이의 예로서는 R2에 대해 상기 예시된 바와 같다. R5의 사이클로알킬기는 바람직하게는 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 더욱 바람직하게는 사이클로헥실기이다. R5의 아릴기는 바람직하게는 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 더욱 바람직하게는 페닐기이고, 이의 예로서는 R2에 대해 상기 예시된 바와 같다. R6의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸 또는 에틸기이고, 이의 예로서는 R3에 대해 상기 예시된 바와 같다. 하첨자 "g", "h", "i", "j", "k" 및 "l"은 바람직하게는 각각 0 내지 0.2, 0.05 내지 0.2, 0 내지 0.2, 0.6 내지 0.8, 0 내지 0.1, 및 0 내지 0.03의 수이다
성분 (A) 중의 성분 (A-2)의 양은 1 내지 7 질량%, 바람직하게는 1 내지 5 질량%이다.
성분 (A-2)의 양이 1 질량% 이상이어야 본원 조성물로부터 제조되는 필름이 비점착성으로 되어 박리력을 향상시킬 수 있고, 7 질량% 이하이어야 필름의 균열 없이 접착력을 개선시킬 수 있다.
성분 (A-3)은 재료 모듈러스 제어용 임의의 첨가제로서 작용하는 오가노폴리실록산이다. 성분 (A-3)은 하기 평균 화학식 (3)으로 제시된다:
R7 3SiO-(R7 2SiO)n-SiR7 3 (3)
상기 평균 화학식 (3)에서, R7은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, 분자 중의 2개 이상의 R7은 알케닐기이고, R7 중의 30 mol% 이상은 아릴기이고; "n"은 4 내지 100의 정수이다.
R7의 알케닐기는 바람직하게는 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 더욱 바람직하게는 탄소수 2 내지 3의 알케닐기이고, 이의 예로서는 R1에 대해 상기 예시된 바와 같다. R7의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이고, 이의 예로서는 R2에 대해 상기 예시된 바와 같다. R7의 사이클로알킬기는 바람직하게는 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 더욱 바람직하게는 사이클로헥실기이다. R7의 아릴기는 바람직하게는 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 더욱 바람직하게는 페닐기이고, 이의 예로서는 R2에 대해 상기 예시된 바와 같다. 하첨자 "n"은 바람직하게는 4 내지 50의 정수이다.
성분 (A) 중의 성분 (A-3)의 양은 0 내지 15 질량%, 바람직하게는 2 내지 10 질량%이다.
성분 (A-3)의 양이 15 질량% 이하이어야 본원 조성물로부터 제조되는 필름이 점착성이기 때문에 생기는 필름의 변형을 방지하여 박리를 쉽게 할 수 있고 경화된 재료의 경도를 높일 수 있다.
성분 (B)는 분자 내에서 2개의 수소원자 각각이 규소원자들에 직접 결합된 오가노하이드로겐폴리실록산으로서, (A)성분인 알케닐기-관능성 오가노폴리실록산과 하이드로실릴화 반응에 의하여 조성물을 경화시키는 가교제로서 본원 조성물에 포함된다. 이 성분 중의 유기 그룹은 바람직하게는 알킬, 사이클로알킬 및 아릴기이고, 더욱 바람직하게는 메틸 및 페닐기이다.
이 성분의 예는 하기에 제공된다. 하기 화학식들에서, "x"는 0 내지 50의 정수이고, "y"는 1 내지 20의 정수이고, "z"는 1 내지 10의 정수이고, "p"는 0 내지 10의 정수이고, "q"는 0 내지 10의 정수이다.
HMe2SiO(Me2SiO)xSiMe2H
HMe2SiO(MePhSiO)ySiMe2H
HMe2SiO(Ph2SiO)zSiMe2H
HMePhSiO(Ph2SiO)pSiMePhH
HPh2SiO(Ph2SiO)qSiPh2H
상기 조성물 중의 성분 (B)의 양은, 성분 (A) 중의 하나의 알케닐기당 0.5 내지 10개, 바람직하게는 0.7 내지 2개의 규소원자-결합된 수소원자를 제공하는 양이다.
성분 (B)의 양이, 성분 (A) 중의 하나의 알케닐기당 0.5개 이상이어야 경화 반응이 진행되어 실리콘 경화물을 얻을 수 있고, 10개 이하이어야 미반응의 SiH기가 경화물 중에 다량으로 잔존함으로 인해 생기는 경화물의 물성이 경시적으로 변화되는 문제점을 방지할 수 있다.
성분 (C)는 성분 (B)의 규소-결합된 수소원자와 성분 (A)에 함유된 알케닐기 사이의 하이드로실릴화를 촉진시키기 위해 사용되는 하이드로실릴화 촉매이다. 성분 (C)는 백금계 촉매, 로듐계 촉매 또는 팔라듐계 촉매를 포함할 수 있다. 백금계 촉매가 조성물의 경화를 상당히 촉진시키기 때문에 바람직하다. 백금계 촉매는 백금-알케닐실록산 착물, 백금-올레핀 착물 또는 백금-카보닐 착물로 예시될 수 있고, 이들 중에서 백금-알케닐실록산 착물이 바람직하다. 상기 알케닐실록산은 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸 디실록산; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐 사이클로테트라실록산; 에틸, 페닐기로 치환된 메틸기를 일부로서 갖는 상기한 알케닐실록산인 치환된 알케닐실록산; 또는 아릴, 헥세닐 또는 유사한 치환기로 치환된 비닐기를 일부로서 갖는 상기한 알케닐실록산인 치환된 알케닐실록산으로 예시될 수 있다. 백금-알케닐실록산 착물의 안정성 측면에서, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸 디실록산의 사용이 바람직하다. 안정성의 추가의 개선을 위해, 상기한 알케닐실록산 착물은 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸 디실록산, 1,3-디알릴-1,1,3,3-테트라메틸 디실록산, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라페닐 디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐 사이클로테트라실록산, 또는 유사한 알케닐실록산, 디메틸실록산 올리고머, 또는 기타 오가노실록산 올리고머와 결합될 수 있다. 알케닐실록산이 가장 바람직하다.
성분 (C)는 조성물을 경화시키기에 충분한 양으로 첨가된다. 보다 구체적으로, 이 성분은, 질량 단위로, 조성물의 질량당 이 성분의 금속 원자가 0.01 내지 500 ppm, 바람직하게는 0.01 내지 100 ppm, 가장 바람직하게는 0.01 내지 50 ppm의 양이 되도록 첨가된다. 성분 (C)의 첨가량이 권장량의 하한치 이상이어야 조성물이 충분한 정도로 경화될 수 있다. 한편, 첨가량이 권장량의 상한치 이하로 포함되어야 조성물의 경화 생성물의 착색을 방지할 수 있다.
성분 (D)는 인광체로서, 본원 발명의 조성물로부터 제조되는 필름의 파장변환을 실현하기 위하여 조성물에 포함된다. 인광체는 특별히 제한되지 않고, 당해 분야에 공지된 임의의 것들을 포함할 수 있다. 하나의 양태에서, 인광체는 호스트(host) 재료 및 활성화제, 예를 들어, 구리-활성화된 황화아연 및 은-활성화된 황화아연으로부터 제조된다. 적합한 비제한적인 호스트 재료는 아연, 카드뮴, 망간, 알루미늄, 규소, 또는 각종 희토류 금속의 산화물, 질화물 및 산화질화물, 황화물, 셀렌화물, 할로젠화물 또는 실리케이트를 포함한다. 추가의 적합한 인광체로서는 Zn2SiO4:Mn(규산아연광); ZnS:Ag+(Zn,Cd)S:Ag; ZnS:Ag+ZnS:Cu+Y2O2S:Eu; ZnO:Zn; KCl; ZnS:Ag,Cl 또는 ZnS:Zn; (KF,MgF2):Mn; (Zn,Cd)S:Ag 또는 (Zn,Cd)S:Cu; Y2O2S:Eu+Fe2O3, ZnS:Cu,Al; ZnS:Ag+Co-on-Al2O3;(KF,MgF2):Mn; (Zn,Cd)S:Cu,Cl; ZnS:Cu 또는 ZnS:Cu,Ag; MgF2:Mn; (Zn,Mg)F2:Mn; Zn2SiO4:Mn,As; ZnS:Ag+(Zn,Cd)S:Cu; Gd2O2S:Tb; Y2O2S:Tb; Y3Al5O12:Ce; Y2SiO5:Ce; Y3Al5O12:Tb; ZnS:Ag,Al; ZnS:Ag; ZnS:Cu,Al 또는 ZnS:Cu,Au,Al; (Zn,Cd)S:Cu,Cl+(Zn,Cd)S:Ag,Cl; Y2SiO5:Tb; Y2OS:Tb; Y3(Al,Ga)5O12:Ce; Y3(Al,Ga)5O12:Tb; InBO3:Tb; InBO3:Eu; InBO3:Tb+InBO3:Eu; InBO3:Tb+InBO3:Eu+ZnS:Ag; (Ba,Eu)Mg2Al16O27; (Ce,Tb)MgAl11O19; BaMgAl10O17:Eu,Mn; BaMg2Al16O27:Eu(II); BaMgAl10O17:Eu,Mn; BaMg2Al16O27:Eu(II),Mn(II); Ce0.67Tb0.33MgAl11O19:Ce,Tb; Zn2SiO4:Mn,Sb2O3; CaSiO3:Pb,Mn; CaWO4(회중석); CaWO4:Pb; MgWO4; (Sr,Eu,Ba,Ca)5(PO4)3Cl;
Sr5Cl(PO4)3:Eu(II); (Ca,Sr,Ba)3(PO4)2Cl2:Eu; (Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu; Sr2P2O7:Sn(II); Sr6P5BO20:Eu; Ca5F(PO4)3:Sb; (Ba,Ti)2P2O7:Ti; 3Sr3(PO4)2.SrF2:Sb,Mn; Sr5F(PO4)3:Sb,Mn; Sr5F(PO4)3:Sb,Mn; LaPO4:Ce,Tb; (La,Ce,Tb)PO4;(La,Ce,Tb)PO4:Ce,Tb; Ca3(PO4)2.CaF2:Ce,Mn; (Ca,Zn,Mg)3(PO4)2:Sn; (Zn,Sr)3(PO4)2:Mn; (Sr,Mg)3(PO4)2:Sn; (Sr,Mg)3(PO4)2:Sn(II); Ca5F(PO4)3:Sb,Mn; Ca5(F,Cl)(PO4)3:Sb,Mn; (Y,Eu)2O3; Y2O3:Eu(III); Mg4(F)GeO6:Mn; Mg4(F)(Ge,Sn)O6:Mn; Y(P,V)O4:Eu; YVO4:Eu; Y2O2S:Eu; 3.5 MgOㆍ0.5 MgF2ㆍGeO2 :Mn; Mg5As2O11:Mn; SrAl2O7:Pb; LaMgAl11O19:Ce; LaPO4:Ce; SrAl12O19:Ce; BaSi2O5:Pb; SrFB2O3:Eu(II); SrB4O7:Eu; Sr2MgSi2O7:Pb; MgGa2O4:Mn(II); Gd2O2S:Tb; Gd2O2S:Eu; Gd2O2S:Pr; Gd2O2S:Pr,Ce,F; Y2O2S:Tb; Y2O2S:Eu; Y2O2S:Pr; Zn(0.5)Cd(0.4)S:Ag; Zn(0.4)Cd(0.6)S:Ag; CdWO4; CaWO4; MgWO4; Y2SiO5:Ce;YAlO3:Ce; Y3Al5O12:Ce; Y3(Al,Ga)5O12:Ce; CdS:In; ZnO:Ga; ZnO:Zn; (Zn,Cd)S:Cu,Al; ZnS:Cu,Al,Au; ZnCdS:Ag,Cu; ZnS:Ag; 안트라센, EJ-212, Zn2SiO4:Mn; ZnS:Cu; NaI:Tl; CsI:Tl; LiF/ZnS:Ag; LiF/ZnSCu,Al,Au, 및 이의 조합이 포함되지만, 이에 제한되지 않는다.
성분 (D)는 성분 (A), (B) 및 (C)의 합 100 질량부당 25 내지 400 질량부의 양으로 첨가된다.
성분 (D)는 성분 (A), (B) 및 (C)의 합 100 질량부당 25 질량부 이상의 양으로 첨가되어야 필름의 파장변환 효과를 얻을 수 있고, 400 질량부 이하의 양으로 첨가되어야 조성물 경화체의 기계적 강도를 손상시키지 않을 수 있다.
필요한 경우, 상기 조성물은 임의 성분, 예를 들어, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 또는 유사한 알킨 알코올; 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인, 또는 유사한 엔인계 화합물; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐 사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐 사이클로테트라실록산, 벤조트리아졸 또는 유사한 반응 억제제를 포함할 수 있다. 상기한 반응 억제제가 사용될 수 있는 양과 관련하여 특별한 제한은 없지만, 상기 반응 억제제를 성분 (A) 내지 (D)의 합 100 질량부당 0.0001 내지 5 질량부의 양으로 첨가할 것이 권장된다.
필요한 경우, 접착성-부여제를 조성물의 접착성을 개선시키기 위해 본 발명의 조성물에 첨가할 수 있다. 이러한 제제는 상기한 성분 (A)와 (B)와 상이하고, 분자당 하나 이상의 규소-결합된 알콕시기를 함유하는 유기 규소 화합물을 포함할 수 있다. 이 알콕시기는 메톡시, 에톡시, 프로폭시 및 부톡시기로 제시될 수 있다. 메톡시기가 가장 바람직하다. 유기 규소 화합물의 상기한 규소-결합된 알콕시기 이외의 치환기도 또한 사용될 수 있다. 이러한 기타 치환기의 예는 다음과 같다: 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소기, 예를 들어, 상기한 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기; 3-글리시독시프로필기, 4-글리시독시부틸기, 또는 유사한 글리시독시알킬기; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸기, 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필기 또는 유사한 에폭시사이클로헥실기; 4-옥시라닐부틸기, 8-옥시라닐옥틸기 또는 유사한 옥시라닐알킬기, 또는 기타 에폭시-함유 1가 유기 치환기; 3-메타크릴옥시프로필기, 또는 유사한 아크릴-함유 1가 유기 치환기; 및 수소원자 등이 있다. 이들 치환기들 중 하나 이상이 하나의 분자에 함유될 수 있다. 에폭시-함유 및 아크릴-함유 1가 유기 치환기가 가장 바람직하다. 상기한 유기 규소 화합물이 성분 (A) 및 (B)와 반응하는 치환기, 특히 규소-결합된 알케닐기 및 규소-결합된 수소원자로서의 상기 치환기를 함유하는 것이 권장된다. 각종 재료에 대한 우수한 접착력을 위해, 상기한 분자당 하나 이상의 에폭시-함유 1가 기를 갖는 유기 규소 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 화합물의 예는 오가노실란 화합물 및 오가노실록산 올리고머이다. 상기한 오가노실란 올리고머는 직쇄, 부분 분지된 직쇄, 분지쇄, 사이클릭 및 네트형 분자 구조를 가질 수 있다. 직쇄, 분지쇄 및 네트형 구조가 바람직하다. 다음은 상기한 유기 규소 화합물의 예이다: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 또는 유사한 실란 화합물; 한 분자에 하나 이상의 규소-결합된 알케닐기, 하나 이상의 규소-결합된 수소원자, 또는 하나 이상의 규소-결합된 알콕시기를 갖는 실록산 화합물; 하나 이상의 규소-결합된 알콕시기를 갖는 실란 화합물; 하나 이상의 규소-결합된 알콕시기를 갖는 실란 또는 실록산 화합물과, 하나의 분자에 하나 이상의 규소-결합된 하이드록실기 및 하나 이상의 규소-결합된 알케닐기를 갖는 실록산 화합물과의 혼합물; 화학식
Figure pat00001
의 실록산 화합물(여기서, k, m 및 p는 양수이다); 및 화학식
Figure pat00002
의 실록산 화합물(여기서, k, m, p 및 q는 양수이다) 등이 있다. 상기 조성물 중의 접착성-부여제의 함량과 관련하여 특별한 제한은 없지만, 이를 성분 (A)와 (B)의 합 100 질량부당 0.01 내지 10 질량부의 양으로 사용하는 것이 권장된다.
본 발명의 목적에 모순되지 않는 범위 내에서, 상기한 임의 성분은 또한 실리카, 유리, 알루미나, 산화아연, 또는 기타 무기 충전제; 분말화 폴리메타크릴레이트 수지, 또는 기타 미세한 유기 수지 분말; 뿐만 아니라 내열성 제제, 염료, 안료, 난연제, 용매 등을 포함할 수 있다.
25℃에서의 조성물의 점도와 관련하여 제한이 없지만, 조성물의 점도는 100 내지 1,000,000 mPaㆍs, 바람직하게는 500 내지 50,000 mPaㆍs의 범위 내인 것이 권장된다. 상기 조성물 점도가 권장된 하한치 이상이어야 조성물 경화체의 기계적 강도를 손상시키지 않을 수 있고, 반면 점도가 권장된 상한치 이하이어야 조성물의 취급성 및 작업성을 손상시키지 않을 수 있다.
가시광(589 nm)에서, 본 발명의 조성물은 1.5 이상의 굴절률(25℃에서)을 갖는다. 상기 조성물을 경화시켜 수득된 경화 생성물을 통하는 빛의 투과도(25℃에서)는 80% 이상인 것이 권장된다. 상기 조성물의 굴절률이 1.5 미만이고, 경화 생성물을 통하는 투광도가 80% 미만이면, 본 조성물의 경화체로 피복된 반도체 부품을 갖는 반도체 장치에 충분한 신뢰성을 제공하는 것이 불가능하다. 굴절률은, 예를 들어, 아베 굴절계(Abbe refractometer)를 사용하여 측정할 수 있다. 아베 굴절계에 사용되는 광원의 파장을 변화시켜 임의의 파장에서의 굴절률을 측정할 수 있다. 추가로, 굴절률은 또한 분광 광도계를 사용하여 광학 경로 1.0 mm를 갖는 조성물의 경화체를 측량함으로써 측정할 수 있다.
본 발명의 조성물은 실온에서 또는 가열에 의해 경화된다. 그러나, 경화 공정을 촉진시키기 위해, 가열이 권장된다. 가열 온도는 50 내지 200℃ 범위이다. 본 발명의 조성물은 전기 및 전자 장치 부품용 접착제, 포팅제, 보호제, 피복제 또는 언더필러제(underfiller agent)로서 사용될 수 있다. 특히, 조성물이 높은 투광도를 갖기 때문에, 이를 광학 장치의 반도체 부품용 접착제, 포팅제, 보호제 또는 언더필러제로서 사용하는 것이 적합하다.
이하, 본 발명의 경화성 핫멜트 필름을 보다 상세히 기술한다. 필름 두께는 통상적으로 1 내지 500 ㎛, 바람직하게는 10 내지 300 ㎛ 범위 내이다. 필름은 필름 제조 공정, 예를 들어, 다이싱(dicing), 픽업(pick-up) 및 이송 후 박리를 위해 실온에서 덜 점착성인 것이 바람직하다. 필름은 기판에 대한 우수한 접착성 및 기판 표면에서의 우수한 습윤성을 달성하기 위해 경화 전에 용융될 필요가 있다.
본 발명의 경화성 핫멜트 필름은 조성물의 반 경화(half curing)로 제조된다. 반 경화 정도는 하이드로실릴화 반응의 전환율로 결정된다. 반응 전환율은 편리하게는 DSC 측정으로 확인된다. 반 경화를 위한 반응 전환율은 바람직하게는 80 내지 90%이다. 필름 제조는 상기한 경화성 조성물의 압축 성형, 캐스팅 성형 및 사출 성형, 용매로 희석된 상기 조성물 용액의 슬롯(slot) 피복 및 바(bar) 피복을 포함하는 다수의 방식으로 수행된다. 우수한 핫멜트 특성을 수득하기 위해, 온도 및 공정 시간은 적절하게 선택될 필요가 있다.
실시예
본 발명의 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 경화성 핫멜트 필름은 실시예 및 비교예를 참조하여 보다 상세히 추가로 기술된다. 화학식에서, Me, Ph, Vi 및 Ep는 각각 메틸기, 페닐기, 비닐기 및 3-글리시독시프로필기에 상응한다.
[실시예 1]
경화성 실리콘 조성물은, 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.85(HO1/2)0.002의 오가노폴리실록산 수지 68.5 질량부, 평균 단위 화학식 (MeViSiO2 /2)0.10(Me2SiO2 /2)0.15(PhSiO3 /2)0.75(HO1 /2)0.003의 오가노폴리실록산 수지 3.1 질량부, 평균 화학식 ViMe2SiO-(MePhSiO)15-SiMe2Vi의 오가노폴리실록산 3.2 질량부, 화학식 HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H의 오가노하이드로겐폴리실록산 23.10 질량부, 과량의 디실록산 중의 백금-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 착물(백금 함량은 4.5 질량%이다) 0.01 질량부, 1-에티닐사이클로헥산-1-올 0.06 질량부, 및 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1 /2)0.20(MeEpSiO2 /2)0.20(PhSiO3 /2)0.60의 에폭시-관능성 오가노폴리실록산 수지 2.0 질량부를 혼합하여 제조하였다.
수득된 조성물 30 질량부에 70 질량부의 YAG 인광체(Intematix NYAG4454) 및 20 질량부의 메시틸렌을 첨가하고, 혼합물을 균일한 혼합물이 수득될 때까지 덴탈(Dental) 교반기로 교반하였다. 용액을 PET 필름 상에 100 ㎛ 두께로 피복한 다음, 100℃에서 15분 동안 가열하였다. DSC 측정으로 측정된 반응 전환율은 82%이었다. 수득된 필름을 PET 필름으로부터 박리시키고, 규소 웨이퍼 상에 위치시킨 다음, 150℃에서 30분 동안 가열하였다. PET 필름 상에 지지된 필름은 비점착성(tackfree)이었고, 교차-절단 시험 결과는 필름의 부착 면적의 90%가 규소 웨이퍼의 표면에 잘 부착되었음을 나타냈다. 별도로 제조된 완전히 경화된 재료의 듀로미터 D 경도는 58이었다.
[실시예 2]
경화성 실리콘 조성물은, 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.85(HO1/2)0.002의 오가노폴리실록산 수지 69.3 질량부, 평균 단위 화학식 (MeViSiO2 /2)0.10(Me2SiO2 /2)0.15(PhSiO3 /2)0.75(HO1 /2)0.003의 오가노폴리실록산 수지 1.1 질량부, 평균 화학식 ViMe2SiO-(MePhSiO)15-SiMe2Vi의 오가노폴리실록산 4.0 질량부, 화학식 HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H의 오가노하이드로겐폴리실록산 23.0 질량부, 과량의 디실록산 중의 백금-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 착물(백금 함량은 4.5 질량%이다) 0.01 질량부, 1-에티닐사이클로헥산-1-올 0.06 질량부, 및 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1 /2)0.20(MeEpSiO2 /2)0.20(PhSiO3 /2)0.60의 에폭시-관능성 오가노폴리실록산 수지 2.5 질량부를 혼합하여 제조하였다.
수득된 조성물 30 질량부에 70 질량부의 YAG 인광체(Intematix NYAG4454) 및 20 질량부의 메시틸렌을 첨가하고, 혼합물을 균일한 혼합물이 수득될 때까지 덴탈 교반기로 교반하였다. 용액을 PET 필름 상에 100 ㎛ 두께로 피복한 다음, 100℃에서 15분 동안 가열하였다. DSC 측정으로 측정된 반응 전환율은 86%이었다. 수득된 필름을 PET 필름으로부터 박리시키고, 규소 웨이퍼 상에 위치시킨 다음, 150℃에서 30분 동안 가열하였다. PET 필름 상에 지지된 필름은 비점착성 고체이었고, 어떠한 균열 및 변형 없이 나이프로 작은 단편으로 절단되었다. 교차-절단 시험 결과는 필름의 부착 면적의 100%가 규소 웨이퍼의 표면에 잘 부착되었음을 나타냈다. 별도로 제조된 완전히 경화된 재료의 듀로미터 D 경도는 56이었다.
[실시예 3]
경화성 실리콘 조성물은, 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.85(HO1/2)0.002의 오가노폴리실록산 수지 66.5 질량부, 평균 단위 화학식 (MeViSiO2 /2)0.10(Me2SiO2 /2)0.15(PhSiO3 /2)0.75(HO1 /2)0.003의 오가노폴리실록산 수지 3.0 질량부, 평균 화학식 ViMe2SiO-(MePhSiO)15-SiMe2Vi의 오가노폴리실록산 6.1 질량부, 화학식 HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H의 오가노하이드로겐폴리실록산 22.2 질량부, 과량의 디실록산 중의 백금-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 착물(백금 함량은 4.5 질량%이다) 0.01 질량부, 1-에티닐사이클로헥산-1-올 0.06 질량부, 및 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1 /2)0.20(MeEpSiO2 /2)0.20(PhSiO3 /2)0.60의 에폭시-관능성 오가노폴리실록산 수지 2.0 질량부를 혼합하여 제조하였다.
수득된 조성물 30 질량부에 70 질량부의 YAG 인광체(Intematix NYAG4454) 및 20 질량부의 메시틸렌을 첨가하고, 혼합물을 균일한 혼합물이 수득될 때까지 덴탈 교반기로 교반하였다. 용액을 PET 필름 상에 100 ㎛ 두께로 피복한 다음, 100℃에서 15분 동안 가열하였다. DSC 측정으로 측정된 반응 전환율은 85%이었다. 수득된 필름을 PET 필름으로부터 박리시키고, 규소 웨이퍼 상에 위치시킨 다음, 150℃에서 30분 동안 가열하였다. PET 필름 상에 지지된 필름은 비점착성 고체이었고, 어떠한 균열 및 변형 없이 나이프로 작은 단편으로 절단되었다. 교차-절단 시험 결과는 필름의 부착 면적의 100%가 규소 웨이퍼의 표면에 잘 부착되었음을 나타냈다. 별도로 제조된 완전히 경화된 재료의 듀로미터 D 경도는 55이었다.
[비교예 1]
경화성 실리콘 조성물은, 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.85(HO1/2)0.002의 오가노폴리실록산 수지 66.3 질량부, 평균 화학식 ViMe2SiO-(MePhSiO)15-SiMe2Vi의 오가노폴리실록산 8.8 질량부, 화학식 HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H의 오가노하이드로겐폴리실록산 24.3 질량부, 과량의 디실록산 중의 백금-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 착물(백금 함량은 4.5 질량%이다) 0.01 질량부 및 1-에티닐사이클로헥산-1-올 0.06 질량부를 혼합하여 제조하였다.
수득된 조성물 30 질량부에 70 질량부의 YAG 인광체(Intematix NYAG4454) 및 20 질량부의 메시틸렌을 첨가하고, 혼합물을 균일한 혼합물이 수득될 때까지 덴탈 교반기로 교반하였다. 용액을 PET 필름 상에 100 ㎛ 두께로 피복한 다음, 100℃에서 15분 동안 가열하였다. DSC 측정으로 측정된 반응 전환율은 85%이었다. 수득된 필름을 PET 필름으로부터 박리시키고, 규소 웨이퍼 상에 위치시킨 다음, 150℃에서 30분 동안 가열하였다. PET 필름 상에 지지된 필름은 점착성이었고, 나이프에 의한 작은 단편으로의 절단은 필름의 변형을 유도하였고 필름이 나이프에 부착되었다. 교차-절단 시험 결과는 필름의 부착 면적의 100%가 규소 웨이퍼의 표면에 잘 부착되었음을 나타냈다. 별도로 제조된 완전히 경화된 재료의 듀로미터 D 경도는 45이었다.
[비교예 2]
경화성 실리콘 조성물은, 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.85(HO1/2)0.002의 오가노폴리실록산 수지 67.6 질량부, 평균 단위 화학식 (MeViSiO2 /2)0.10(Me2SiO2 /2)0.15(PhSiO3 /2)0.75(HO1 /2)0.003의 오가노폴리실록산 수지 5.5 질량부, 평균 화학식 ViMe2SiO-(MePhSiO)15-SiMe2Vi의 오가노폴리실록산 3.2 질량부, 화학식 HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H의 오가노하이드로겐폴리실록산 24.3 질량부, 과량의 디실록산 중의 백금-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 착물(백금 함량은 4.5 질량%이다) 0.01 질량부 및 1-에티닐사이클로헥산-1-올 0.06 질량부를 혼합하여 제조하였다.
수득된 조성물 30 질량부에 70 질량부의 YAG 인광체(Intematix NYAG4454) 및 20 질량부의 메시틸렌을 첨가하고, 혼합물을 균일한 혼합물이 수득될 때까지 덴탈 교반기로 교반하였다. 용액을 PET 필름 상에 100 ㎛ 두께로 피복한 다음, 100℃에서 15분 동안 가열하였다. DSC 측정으로 측정된 반응 전환율은 86%이었다. 수득된 필름을 PET 필름으로부터 박리시키고, 규소 웨이퍼 상에 위치시킨 다음, 150℃에서 30분 동안 가열하였다. PET 필름 상에 지지된 필름은 비점착성이었지만, 나이프에 의한 작은 단편으로의 절단은 필름의 균열을 유도하였다. 교차-절단 시험 결과는 필름의 부착 면적의 50%의 낮은 비율로 규소 웨이퍼의 표면에 잘 부착되었음을 나타냈다. 별도로 제조된 완전히 경화된 재료의 듀로미터 D 경도는 62이었다.
[비교예 3]
경화성 실리콘 조성물은, 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.85(HO1/2)0.002의 오가노폴리실록산 수지 61.5 질량부, 평균 단위 화학식 (MeViSiO2 /2)0.10(Me2SiO2 /2)0.15(PhSiO3 /2)0.75(HO1 /2)0.003의 오가노폴리실록산 수지 2.6 질량부, 평균 화학식 ViMe2SiO-(MePhSiO)15-SiMe2Vi의 오가노폴리실록산 13.1 질량부, 화학식 HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H의 오가노하이드로겐폴리실록산 20.7 질량부, 과량의 디실록산 중의 백금-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 착물(백금 함량은 4.5 질량%이다) 0.01 질량부, 1-에티닐사이클로헥산-1-올 0.06 질량부, 및 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1 /2)0.20(MeEpSiO2 /2)0.20(PhSiO3 /2)0.60의 에폭시-관능성 오가노폴리실록산 수지 2.0 질량부를 혼합하여 제조하였다.
수득된 조성물 30 질량부에 70 질량부의 YAG 인광체(Intematix NYAG4454) 및 20 질량부의 메시틸렌을 첨가하고, 혼합물을 균일한 혼합물이 수득될 때까지 덴탈 교반기로 교반하였다. 용액을 PET 필름 상에 100 ㎛ 두께로 피복한 다음, 100℃에서 15분 동안 가열하였다. DSC 측정으로 측정된 반응 전환율은 82%이었다. 수득된 필름을 PET 필름으로부터 박리시키고, 규소 웨이퍼 상에 위치시킨 다음, 150℃에서 30분 동안 가열하였다. PET 필름 상에 지지된 필름은 점착성이었고, 나이프에 의한 작은 단편으로의 절단은 필름의 변형을 유도하였고, 필름이 나이프에 부착되었다. 교차-절단 시험 결과는 필름의 부착 면적의 100%가 규소 웨이퍼의 표면에 잘 부착되었음을 나타냈다. 별도로 제조된 완전히 경화된 재료의 듀로미터 D 경도는 44이었다.
[비교예 4]
경화성 실리콘 조성물은, 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.85(HO1/2)0.002의 오가노폴리실록산 수지 69.3 질량부, 평균 단위 화학식 (MeViSiO2 /2)0.10(Me2SiO2 /2)0.15(PhSiO3 /2)0.75(HO1 /2)0.003의 오가노폴리실록산 수지 1.1 질량부, 평균 화학식 ViMe2SiO-(MePhSiO)15-SiMe2Vi의 오가노폴리실록산 4.0 질량부, 화학식 HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H의 오가노하이드로겐폴리실록산 17.4 질량부, 평균 단위 화학식 (Me2HSiO1 /2)0.60(PhSiO3 /2)0.40(HO1 /2)0.002의 오가노하이드로겐폴리실록산 수지 5.6 질량부, 과량의 디실록산 중의 백금-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 착물(백금 함량은 4.5 질량%이다) 0.01 질량부, 1-에티닐사이클로헥산-1-올 0.06 질량부, 및 평균 단위 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.20(MeEpSiO2/2)0.20(PhSiO3/2)0.60의 에폭시-관능성 오가노폴리실록산 수지 2.5 질량부를 혼합하여 제조하였다.
수득된 조성물 30 질량부에 70 질량부의 YAG 인광체(Intematix NYAG4454) 및 20 질량부의 메시틸렌을 첨가하고, 혼합물을 균일한 혼합물이 수득될 때까지 덴탈 교반기로 교반하였다. 용액을 PET 필름 상에 100 ㎛ 두께로 피복한 다음, 100℃에서 15분 동안 가열하였다. DSC 측정으로 측정된 반응 전환율은 85%이었다. 수득된 필름을 PET 필름으로부터 박리시키고, 규소 웨이퍼 상에 위치시킨 다음, 150℃에서 30분 동안 가열하였다. PET 필름 상에 지지된 필름은 비점착성이었지만, 나이프에 의한 작은 단편으로의 절단은 심각한 균열을 유도하였다. 교차-절단 시험 결과는 필름의 부착 면적의 30%의 낮은 비율로 규소 웨이퍼의 표면에 잘 부착되었음을 나타냈다. 별도로 제조된 완전히 경화된 재료의 듀로미터 D 경도는 76이었다.
발광 반도체 장치용으로 사용되는 경화성 핫멜트 필름을 형성할 수 있는 본 발명의 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물이 제공된다. 인광체를 함유하는 상기 조성물은 실온에서 반 경화에 의해 비점착성 필름을 형성할 수 있고, 상기 필름은 목적하는 형태를 제조하기에 용이하다. 제조된 필름은 실온에서 지지체 기판으로부터 떼어내어(pick up)하여 발광 반도체 장치 상에 이송시키는 것이 용이하다. 적층된 필름은, 용융된 후, 가열에 의해 경화되어 상기 장치 표면에 대한 우수한 영구적 접착성을 제공한다.

Claims (8)

  1. 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물로서,
    (A) 하기 평균 단위 화학식 (1):
    (R1R2 2SiO1 /2)a(R2 3SiO1 /2)b(R2 2SiO2 /2)c(R2SiO3 /2)d(SiO4 /2)e(R3O1 /2)f (1)
    (여기서, R1은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기이고; R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, R2 중의 40 mol% 이상은 아릴기이고; R3은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고; "a"는 0.1 내지 0.4의 수이고, "b"는 0 내지 0.3의 수이고, "c"는 0 내지 0.3의 수이고, "d"는 0.4 내지 0.9의 수이고, "e"는 0 내지 0.2의 수이고, "f"는 0 내지 0.05의 수이고, 단, "a" 내지 "e"의 합은 1이다)
    로 제시되는 오가노폴리실록산 수지(A-1) 78 내지 99 질량%;
    하기 평균 단위 화학식 (2):
    (R5 3SiO1 /2)g(R4R5SiO2 /2)h(R5 2SiO2 /2)i(R5SiO3 /2)j(SiO4 /2)k(R6O1 /2)l (2)
    (여기서, R4는 탄소수 2 내지 10의 알케닐기이고; R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, R5 중의 40 mol% 이상은 아릴기이고; R6은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹이고; "g"는 0 내지 0.2의 수이고, "h"는 0.05 내지 0.3의 수이고, "i"는 0 내지 0.3의 수이고, "j"는 0.4 내지 0.9의 수이고, "k"는 0 내지 0.2의 수이고, "l"은 0 내지 0.05의 수이고, 단, "g" 내지 "k"의 합은 1이다)
    로 제시되는 오가노폴리실록산 수지(A-2) 1 내지 7 질량% 및
    하기 평균 화학식 (3):
    R7 3SiO-(R7 2SiO)n-SiR7 3 (3)
    (여기서, R7은 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고, 단, 분자 중의 2개 이상의 R7은 알케닐기이고, R7 중의 30 mol% 이상은 아릴기이고; "n"은 4 내지 100의 정수이다)
    으로 제시되는 오가노폴리실록산(A-3) 0 내지 15 질량%로 이루어진 알케닐기-관능성 오가노폴리실록산;
    (B) 성분 (A) 중의 하나의 알케닐기당 0.5 내지 10개의 규소원자-결합된 수소원자를 제공하는 양의, 분자 내에서 2개의 수소원자 각각이 규소원자들에 직접 결합된 오가노하이드로겐폴리실록산;
    (C) 상기 조성물의 하이드로실릴화를 수행하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매; 및
    (D) 성분 (A), (B) 및 (C)의 합 100 질량부당 25 내지 400 질량부의 양의 인광체;
    를 포함하는, 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 반응 억제제를, 성분 (A)와 (B)의 합 100 질량부당 0.0001 내지 5 질량부의 양으로 추가로 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 접착성-부여제를, 성분 (A)와 (B)의 합 100 질량부당 0.01 내지 10 질량부의 양으로 추가로 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 경화성 핫멜트(hotmelt) 필름을 형성하기 위해 사용되는, 경화성 실리콘 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 따르는 조성물을 반 경화(half curing)시켜 제조되는 경화성 핫멜트 필름.
  6. 제5항에 있어서, 반 경화 이전에, 상기 조성물로부터의 경화 반응 전환율(cure reaction conversion)이 80 내지 90%인, 경화성 핫멜트 필름.
  7. 제5항에 있어서, 상기 필름으로부터 완전히 경화된 재료가 30 이상의 듀로미터(Durometer) D 경도를 나타내는, 경화성 핫멜트 필름.
  8. 제5항에 있어서, 발광 반도체 장치용으로 사용되는, 경화성 핫멜트 필름.
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