KR20160077456A

KR20160077456A - 투명전극 및 투명전극 제조방법

Info

Publication number: KR20160077456A
Application number: KR1020140187042A
Authority: KR
Inventors: 김종웅; 곽민기; 김영민
Original assignee: 전자부품연구원
Priority date: 2014-12-23
Filing date: 2014-12-23
Publication date: 2016-07-04
Anticipated expiration: 2034-12-23
Also published as: KR101724336B1

Abstract

전기전도성이 우수하고, 전하주입효율이 높은 투명전극 및 투명전극 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 투명전극은 지지기판, 지지기판 상에 위치하는 전하이송전극층 및 전하이송전극층 상에 위치하는 전하주입전극층을 포함하고, 전하이송전극층 및 전하주입전극층은 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩되어 있다.

Description

투명전극 및 투명전극 제조방법{Transparent electrode and manufacturing method thereof}

본 발명은 투명전극 및 투명전극 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전기전도성이 우수하고, 전하주입효율이 높은 투명전극 및 투명전극 제조방법에 관한 것이다.

투명전극으로는 일반적으로 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO)이 사용되어 왔다. 그런데 산화인듐주석은 대표적인 희소 소재로 가격이 높아 최종제품의 가격 경쟁력을 저해하는 요인으로 지적되어 왔다. 따라서 ITO를 사용하지 않거나 다른 소재로 대체하는 것은 큰 관심을 받고 있는 실정이다.

ITO 전극을 대체하기 위한 시도로서, 은(Ag)를 필두로 한 나노와이어 기술은 ITO 필름의 낮은 전기전도도 및 취약한 특성으로 인하여 터치패널, OPV 등 태양전지, 각종 전자 회로의 배선전극 및 OLED 제조 분야에서 크게 각광받고 있다. 금속나노와이어의 경우, 특유의 고전도도와 큰 종횡비의 형상에 기인하여 투명전극으로 활용 시 고투과-고전도도를 양립할 수 있어 특히 주목받고 있다. 또한, 금속 특유의 우수한 유연성으로 인해 차세대 유연 디스플레이 또는 전자부품 개발에의 활용 가능성이 높다고 평가되어 왔다.

금속나노와이어 특유의 고투과성과 고전도성은 나노와이어의 고종횡비에 기인한다. 도 1은 종래 나노와이어를 이용한 전극을 나타낸 도면이다. 금속나노와이어는 적은 분포 밀도만으로도 퍼콜레이트형 네트워크(percolated network)을 형성할 수 있으므로, 도 1에서와 같이 넓은 비어있는 영역(vacant area)이 존재하여도 높은 전기전도성을 나타낼 수 있고, 이에 따라 고투과 전극 형성이 가능하다. 이러한 금속 나노와이어를 이용하여 제조된 투명전극은 대개 약 90%의 투과율을 나타내면서 50ohm/sq 이하의 전도도를 보이므로 높은 성능지수(figure of merit)을 나타낸다.

그러나, 이러한 금속 나노와이어 기반 전극의 특징은 터치패널 또는 촉각센서 등 커패시턴스를 센싱 패러미터로 활용하는 디바이스의 제조에는 매우 적합하지만, 전류의 흐름으로 구동이 결정되는 소자들, 예를 들어 유기발광소자(organic light emitting diodes, OLED) 및 유기태양전지(organic photovoltaic cell, OPV) 등에는 적용이 어려울 수 있다. 이는 금속나노와이어가 분포 밀도가 작기 때문에 전하주입이 가능한 면적이 작기 때문이다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 전기전도성이 우수하고, 전하주입효율이 높은 투명전극 및 투명전극 제조방법을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극은 지지기판, 지지기판 상에 위치하는 전하이송전극층 및 전하이송전극층 상에 위치하는 전하주입전극층을 포함하는 전극으로서, 전하이송전극층 및 전하주입전극층은 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩되어 있다.

전하이송전극층은 금속나노와이어를 포함할 수 있고, 전하주입전극층은 전도성 고분자를 포함할 수 있다.

지지기판은 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyether imide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성 에폭시수지 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다.

전하이송전극층은 지지기판 내에 전체가 임베딩되고, 전하주입전극층은 지지기판 내에 상면을 제외하고 임베딩될 수 있다.

전하이송전극층 또는 전하주입전극층은 기판 상에 2층이상 형성될 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 지지기판, 지지기판 상에 위치하는 전하주입전극층; 및 전하주입전극층 상에 위치하는 전하이송전극층;을 포함하는 투명전극으로서, 전하주입전극층 및 전하이송전극층은 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩된 투명전극이 제공된다.

본 발명의 또다른 측면에 따르면, 제조기판상에 전하주입전극층을 형성하는 단계; 전하주입전극층 상에 전하이송전극층을 형성하는 단계; 전하이송전극층 상에 지지기판을 형성하되, 전하주입전극층 및 전하이송전극층을 지지기판이 임베딩하도록 형성하는 단계; 및 제조기판을 제거하는 단계;를 포함하는 투명전극 제조방법이 제공된다.

지지기판을 형성하는 단계는, 지지기판이 전하주입전극층의 전체 및 전하이송전극층 중 상면을 제외하고 임베딩되도록 형성하도록 수행될 수 있다.

본 투명전극 제조방법에서는 전하이송전극층을 형성하는 단계 후에, 전하주입전극층 및 전하이송전극층을 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 지지기판은 전하주입전극층 및 전하이송전극층의 패터닝된 영역을 채우면서 형성될 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 투명전극을 전하이송전극층 및 전하주입전극층으로 형성하여 이를 기판 상에 임베딩하고, 전하주입전극층이 외부로 노출된 상태로 형성하여 전하주입기능이 있는 전하주입전극층과 전하주입이 필요한 소자, 예를 들어, OLED 또는 OPV 셀에 유용하게 사용되는 효과가 있다.

또한, 지지기판에 고분자 수지를 사용하여 전하이송전극층 및 전하주입전극층을 임베딩함으로써 투명전극을 제조할 수 있어서, 플렉서블한 투명전극을 롤-투-롤방식에 의하여 대량생산이 가능한 효과가 있다.

도 1은 종래 나노와이어를 이용한 전극을 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 투명전극 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다.
도 8은 전도성 고분자층의 표면사진이고, 도 9는 전도성 고분자층상에 형성된 나노와이어층의 표면사진이며, 도 10은 지지기판에 임베딩된 상태의 전도성 고분자층의 노출된 상면의 표면사진이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 전극을 나타낸 도면이고, 도 12는 도 11의 전극의 전도성 고분자층 및 나노와이어층의 단면사진이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 투명전극 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다. 이하, 도 2내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 투명전극 및 투명전극 제조방법을 설명하기로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극은 지지기판, 지지기판 상에 위치하는 전하이송전극층 및 전하이송전극층 상에 위치하는 전하주입전극층을 포함하는 전극으로서, 전하이송전극층 및 전하주입전극층은 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩되어 있다.

투명전극은 2이상의 전극층을 포함한다. 투명전극은 전하의 이송효율이 높은 전하이송전극층과 전하를 주입하는 전하주입전극층을 포함할 수 있다. 이에 따라 투명전극이 사용될 소자나 디바이스에 따라 유용하게 사용될 수 있다. 투명전극이 터치패널이나 촉각센서와 같이 커패시턴스 변화를 감지하는 전극으로 사용되는 경우, 전하이송전극층과 같이 전하이송에 효율적인 전극층을 포함하여 사용될 수 있고, 투명전극이 OLED 또는 OPV와 같이 전하주입면적에 따라 소자의 성능이 발현되는 예를 들어 발광량이 높아지거나 낮아지는 경우, 전하주입전극층과 같이 전하주입에 효율적인 전극층을 포함하고 있어 사용될 수 있다.

즉, 전하이송전극층은 외부전원 등에 의해 주입된 전하의 이송이 활발한 전극층으로서 전기전도성이 높은 재료물질로 구현되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 전하이송전극층은 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 금속은 전기전도성이 높으므로 전하이송전극층에는 적당하나 본 발명에 따른 투명전극을 형성하기에는 불투명하므로 금속층 자체가 사용되는 것 보다는 금속박막층으로 사용되거나 더 바람직하게는 금속나노와이어가 사용되는 경우 높은 전기전도성을 갖으면서도 투명성이 보장될 수 있다.

전하이송전극층에 사용될 수 있는 금속나노와이어는 나노단위의 와이어 형태의 금속 나노와이어일 수 있다. 예를 들면, 금속나노와이어는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 또는 알루미늄(Al) 나노와이어일 수 있고, 이들의 조합으로 이루어진 코어쉘 와이어(core-shell wire)일 수 있다.

전하주입전극층은 외부전원등에 의해 주입된 전하를 외부의 소자 등으로 주입하는 효율이 높은 전극층을 의미한다. 전하이송전극층의 경우, 예를 들어 전기전도성이 높은 금속나노와이어를 이용하여 전하이송효율은 높일 수 있으나 금속나노와이어의 고투명도를 위해 분포밀도가 낮아 전하를 주입하는 면적이 작을 수 밖에 없어 전하주입전극층으로는 적절치 않다. 즉, 전하주입전극층은 전기전도성 이외에도 전체 면적을 고려하여 균일하고 넓게 전하주입이 가능한 재료를 포함하여 전하주입효율을 높일 것이 필요하다.

예를 들어 전도성 고분자의 경우, 전기전도성은 금속나노와이어보다는 10배 내지 100배 이하로 낮으나, 이러한 전도성 고분자를 바인더 용액과 혼합하여 층을 형성하는 경우, 전도성 고분자가 형성된 층 전체에 균일하게 분포하고 있을 수 있다. 그에 따라 전하주입이 필요한 소자와의 접촉면의 전체에 걸쳐 균일하게 전도성 고분자가 분포한다면 접촉면 전체에 걸친 전하 주입이 가능하므로 전하주입효율이 높은 전하주입전극층으로 구현될 수 있다.

전하주입전극층에 사용될 수 있는 전도성 고분자로는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT)와 같은 전도성 고분자가 사용될 수 있는데, PEDOT:PSS(polystyrene sulfonate)형태로 사용될 수 있고 일반적으로 바인더 수지와의 혼합액 형태로 도포되어 전하주입전극층으로 형성될 수 있다.

이외에도, 전하주입전극층에는 그래핀, 탄소나노튜브, 또는 전도성페이스트 등 전도성 물질로서 전하주입이 효과적인 물질들이 사용될 수 있다.

전하이송전극층이 일종의 선형 전도체(line conductor)이고, 전하주입전극층은 면형 전도체인 경우, 전하이송전극층에서는 전하의 이동이 활발하게 되고, 전하주입전극층에서는 전면에 걸쳐 전하가 이동할 수 있어 면 전체에 걸친 전하주입이 가능하게 된다.

전하이송전극층 및 전하주입전극층은 지지기판에 적어도 일부가 임베딩된 형태로 형성된다. "임베딩된 형태"는 이하 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

지지기판은 전하이송전극층 및 전하주입전극층이 임베딩된 상태로 투명전극을 구성하는 요소인데, 지지기판은 특히 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyether imide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성 에폭시수지 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다. 이들 수지의 경우, 지지기판으로 사용되면서 전하이송전극층 및 전하주입전극층을 임베딩시킨 후 경화단계를 거칠 수 있다. 즉, 전하이송전극층 및 전하주입전극층에 패터닝이 수행된 경우 및 전하이송전극층에 금속나노와이어가 사용된 경우 패터닝된 영역과 금속나노와이어의 비어있는 영역을 지지기판으로서 전술한 수지물질을 사용하여 채워넣은 뒤, 이를 경화시켜 투명전극을 형성할 수 있다. 경화는 수지의 종류에 따라 열 또는 UV경화가 가능하다.

이러한 투명전극을 제조하는 방법에 대하여 도 2 내지 도 7을 참조하여 이하 더 설명하기로 한다. 도 2에서는 제조기판(110)상에 전하주입전극층(120)을 형성하고 있다. 전하주입전극층(120)은 지지기판(140) 내에 임베딩되기 위하여 제조기판(110)의 상면 전체를 덮지 않고, 일부에만 형성된다. 전하주입전극층(120)에는 바인더에 혼합된 전도성 고분자, 예를 들면 수용액상의 PEDOT:PSS가 사용될 수 있다.

전하주입전극층(120) 상에는 전하이송전극층(130)이 형성된다. 도 3에서는 전하이송전극층(130)은 금속나노와이어로 형성하는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

전하주입전극층(120)은 전하이송전극층(130)과 함께 필요한 형상의 전극패턴을 위해 패터닝될 수 있다(도 4참조). 전하주입전극층(120) 및 전하이송전극층(130)은 별개로 패터닝될 수 있고, 또는 동시에 패터닝될 수도 있다. 동시에 패터닝을 하기 위하여는 동시패터닝이 가능하도록 전하주입전극층(120)의 바인더나 수용액의 성분을 조절할 수 있다. 또는 전하주입전극층 및 전하이송전극층은 형성시에 인쇄공정을 통해 형성되어 별도의 패터닝 공정이 불필요할 수 있다.

패터닝된 전하주입전극층(120) 및 전하이송전극층(130)의 상면 및 측면을 덮도록 지지기판(140)이 형성된다(도 5참조). 지지기판(140)은 고분자 수지로 형성될 수 있어서, 경화되지 않은 액상 또는 반고형의 고분자 수지를 도 5와 같이 지지기판(140) 형상으로 전하주입전극층(120) 및 전하이송전극층(130)을 덮을 수 있다. 이 경우, 지지기판(140)이 되는 고분자 수지는 패터닝 영역을 채우고, 만약 전하이송전극층(130)이 나노와이어인 경우에는 나노와이어의 비어있는 영역을 채우게 된다. 고분자 수지가 패터닝 영역 및 비어있는 영역을 채우면, 고분자 수지를 경화시켜 지지기판(140)을 형성할 수 있다. 제조기판(110)을 제거하면, 도 6과 같은 전하주입전극층(120) 및 전하이송전극층(130)이 지지기판(140)에 임베딩된 투명전극(100)을 얻게 된다.

도 7에는 도 6의 투명전극(100)의 A-A' 단면도가 도시되어 있는데, 전술한 바와 같이 지지기판(140)은 전하이송전극층(130)의 내부를 채우고, 전하이송전극층(130) 및 전하주입전극층(120)의 패터닝된 영역을 채우면서 형성된다. 또한, 전하주입전극층(120)의 상면을 노출(상면 및 하면은 상대적인 의미로 사용되었으며, 전하주입전극층의 전하주입대상과의 접촉면이 될 적어도 일면이 외부로 노출된다는 의미이다)시키면서 측면 및 하면은 지지기판(140) 내부에 임베딩된 상태이다.

도 8은 전도성 고분자층의 표면사진이고, 도 9는 전도성 고분자층상에 형성된 나노와이어층의 표면사진이며, 도 10은 지지기판에 임베딩된 상태의 전도성 고분자층의 노출된 상면의 표면사진이다. 본 발명에 따라, 투명전극을 전하주입전극층은 PEDOT:PSS를 사용하고, 전하이송전극층은 은나노와이어를 사용하였으며, 지지기판으로는 폴리이미드를 사용하여 투명전극을 제조하면서 각각의 표면에 대한 SEM 표면사진을 얻었다. 제조기판으로는 전하주입전극층의 표면조도를 낮추기 위해 유리기판을 사용하였다.

도 8에서는 PEDOT:PSS층의 표면, 도 9는 PEDOT:PSS층에 형성된 은나노와이어층, 그리고, 도 10은 폴리이미드 기판을 적용한 후 유리기판으로부터 분리된 면의 PEDOT:PSS 층의 표면이 나타나있다. 도 10의 PEDOT:PSS 층의 표면은 유리기판의 표면조도가 전사되어 도 8의 PEDOT:PSS층의 표면조도보다 낮은 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 투명전극은 표면조도를 적절히 조절하기 위해 제조기판을 적절히 사용할 수 있고, 제조된 투명전극에는 제조기판이 제거되기 때문에 제조기판은 반드시 박형이거나 플렉서블할 필요없이 전하주입전극층의 특성을 향상시킬 수 있거나 용이하게 분리되는 것이면 사용될 수 있다. 예를 들어, 제조기판은 유리기판, 실리콘기판, PET기판 또는 PES기판일 수 있다.

도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 투명전극을 나타낸 도면이고, 도 12는 도 11의 투명전극의 전도성 고분자층 및 나노와이어층의 단면사진이다. 도 11에서는 폴리이미드 지지기판(240)에 임베딩된 PEDOT:PSS층(220)이 전극패턴화되어 도시되어 있고 은나노와이어층은 폴리이미드 지지기판(240)내에 전체가 임베딩되어 도면에 나타나지 않는다. 도 12에서는 도 11의 PEDOT:PSS 층(220)의 단면에서 은나노와이어층(230)이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다.

전술한 본 발명의 실시예에서는 전하주입전극층이 상면에 배치되고, 전하이송전극층은 지지기판의 내부에 전체가 임베딩된 것으로 언급되었으나, 전하이송전극층이 지지기판에서 외부로 노출되고, 전하주입전극층이 지지기판의 내부에 전체가 임베딩된 투명전극도 본 발명의 투명전극 제조방법과 유사한 방법에 따라 제조가능하다. 만약, 전하이송전극층이 외부로 노출되어 빠른 전기적 연결이 필요한 소자에 사용되는 경우라면, 전하주입전극층은 지지기판 내부로 인입되고, 전하이송전극층이 외부로 노출되어 기능하게 된다.

또한, 본 발명의 실시예에서는 전하주입전극층 및 전하이송전극층이 2층으로 구현된 것으로 설명하였으나 전하주입전극층이 2층이고, 전하이송전극층이 1층, 또는 전하이송전극층이 2층이고, 전하주입전극층이 1층인 경우와 같이 원하는 기능구현목적에 따라 3층 이상의 층으로 구현될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

100 투명전극
110 제조기판
120 전하주입전극층
130 전하이송전극층
140 지지기판
150 지지층
220 PEDOT:PSS층
230 은나노와이어층
240 폴리이미드 지지기판

Claims

지지기판,
상기 지지기판 상에 위치하는 전하이송전극층; 및
상기 전하이송전극층 상에 위치하는 전하주입전극층;을 포함하는 투명전극으로서,
상기 전하이송전극층 및 상기 전하주입전극층은 상기 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩된 투명전극.
청구항 1에 있어서,
상기 전하이송전극층은 금속나노와이어를 포함하는 투명전극.
청구항 1에 있어서,
상기 전하주입전극층은 전도성 고분자를 포함하는 투명전극.
청구항 1에 있어서,
상기 지지기판은,
폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyether imide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성 에폭시수지 및 이들의 조합으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 투명전극.
청구항 1에 있어서,
상기 전하이송전극층은 상기 지지기판 내에 전체가 임베딩되고,
상기 전하주입전극층은 상기 지지기판 내에 상면을 제외하고 임베딩된 것인투명전극.
청구항 1에 있어서,
상기 전하이송전극층 및 상기 전하주입전극층 중 적어도 하나는 2개 이상인 인투명전극.
지지기판,
상기 지지기판 상에 위치하는 전하주입전극층; 및
상기 전하주입전극층 상에 위치하는 전하이송전극층;을 포함하는 투명전극으로서,
상기 전하주입전극층 및 상기 전하이송전극층은 상기 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩된 투명전극.
제조기판 상에 전하주입전극층을 형성하는 단계;
상기 전하주입전극층 상에 전하이송전극층을 형성하는 단계;
상기 전하이송전극층 상에 지지기판을 형성하되, 상기 전하주입전극층 및 상기 전하이송전극층을 상기 지지기판이 임베딩하도록 형성하는 단계; 및
상기 제조기판을 제거하는 단계;를 포함하는 투명전극 제조방법.
청구항 8에 있어서,
상기 지지기판을 형성하는 단계는,
상기 지지기판이 상기 전하이송전극층의 전체 및 상기 전하주입전극층 중 상면을 제외하고 임베딩되도록 형성하도록 수행되는 투명전극 제조방법.
청구항 8에 있어서,
상기 전하이송전극층을 형성하는 단계 후에,
상기 전하주입전극층 및 상기 전하이송전극층을 패터닝하는 단계를 더 포함하고,
상기 지지기판은 상기 전하주입전극층 및 상기 전하이송전극층의 패터닝 영역을 채우면서 형성되는 것인 투명전극 제조방법.