KR20170037616A - 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법 및 스테이션 - Google Patents

기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법 및 스테이션 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 저장을 목적으로 한 볼륨의 경계를 짓는 벽을 구비하는 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법으로서, 상기 운반 박스(3)의 적어도 하나의 내벽이 10000 파스칼보다 낮은 기체 압력에서 처리 가스의 플라즈마에 노출되는 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계(103; 105)를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 운반 박스의 처리용 스테이션에 관한 것이다.

Description

기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법 및 스테이션{METHOD AND STATION FOR TREATMENT OF A PLASTIC TRANSPORT BOX FOR CONVEYANCE AND ATMOSPHERIC STORAGE OF SUBSTRATES}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 또는 포토마스크 등과 같은 기판의 반송(搬送) 및 대기(大氣) 저장을 위한 플라스틱 운반 박스로서, 사전에 액체로 청소될, 예를 들어 순수로 세척될 가능성이 있는 것인 플라스틱 운반 박스의 처리 방법에 관한 것이다.
운반 및 저장 박스는, 하나 이상의 기판을 운반 및 저장하기 위한 폐쇄된 공간으로서, 기판(들)을 사용/운반 환경으로부터 분리하는 대기압 상태인 것인 공간을 획정한다.
반도체 제조 산업에서, 운반 및 저장 박스는, 반도체 웨이퍼 또는 포토마스크 등과 같은 기판이, 하나의 툴로부터 다른 툴로 운반될 수 있게 하거나, 또는 이들 기판이 두 제조 단계 사이에서 저장될 수 있게 한다.
이러한 타입의 박스는 특히, 하기의 세 가지 타입의 표준 웨이퍼 운반 및 저장 박스: 전면 개방형인 FOUP(전면 개방 통합 포드)과 FOSB(전면 개방 수송 박스), 및 바닥 개방형인 SMIF 포드(표준 기계식 인터페이스 포드); 오픈 카세트라고 지칭되는 박스; RSP(레티클 SMIF 포드)라고 지칭되는 표준 포토마스크 운반 및 저장 박스; 및 태양광 산업에서 사용되는 기판 운반 박스를 포함한다.
플라스틱, 일반적으로 폴리카보네이트 등과 같은 폴리머로 제조되는 상기한 박스는, 기체 HF, HCl, NH3 및 PGMEA 등과 같은, 제조 처리 가스에 의해 오염될 수 있는데, 이들 가스는 특히, 사전 제조 작업을 거친 반도체 웨이퍼에 의해 방출되는 것이다.
방출된 가스는 박스의 표면에 흡착될 수 있고, 그 후에 폴리머 안으로 확산될 수 있으며, 그 결과 오염 분자가 폴리머에 축적하게 될 수 있다. 그 후에, 상기한 오염 분자가 탈리될 수 있고, 상기한 박스들에 저장된 기판의 표면에 흡착될 수 있으며, 화학적으로 기판의 표면과 반응할 가능성이 있고, 이로써 기판의 표면에 결함이 생성될 가능성이 있다.
따라서, 상기한 박스를 탈이온수 등과 같은 액체로 세척함으로써 정기적으로 청소하는 대책이 마련되는데, 이로써 컨테이너의 표면의 오염 물질을 제거할 수 있게 된다. 그러나, 플라스틱 안으로 확산된 특정 오염 물질은 제거되지 않고, 이에 따라 잠재적 오염원으로 남는다.
또한, 상기한 세척 단계에 뒤이어 건조 단계가 이어지는데, 이 건조 단계는 매우 길 수 있고, 예를 들어 적외선으로 가열된 열풍의 대류에 의해 운반 박스가 가열되고 원심 분리되는 시기로서; 뒤이어 운반 박스를 외기 중에 두는 시기가 이어지는 시기를 포함하는 것이다. 구체적으로, 특히 청소 유체 잔류물 및 수증기는 반드시 제거되어야 하는 주요 오염 물질이다.
박스를 세척한 후 박스를 건조하는 방법으로서, 박스의 볼륨 내부의 오염 물질 제거를 향상시키는 대책이 특별히 마련되어 있는 방법이, 문헌 WO 2009/021941 A1에 알려져 있다. 상기 방법은, 대기보다 낮은 기체 압력과 적외선의 종합적 작용을 운반 박스가 받게 하는 것으로 구성된다. 적외선에 기인한 가열은, 폴리머의 두께로 확산된 오염 물질이, 효과적으로 탈리될 수 있게 하고, 이에 따라 오염 물질의 제거가 가속화될 수 있게 한다.
그러나, 현재로서는, 방법의 유효성을 더 향상시키고 그 기간을 줄이는 것이 더 바람직할 것이다.
이러한 목적으로, 본 발명의 하나의 대상은, 기판의 저장을 목적으로 한 볼륨의 경계를 짓는 벽을 구비하는 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법으로서, 상기 운반 박스의 적어도 하나의 내벽이 10000 파스칼보다 낮은 기체 압력에서 처리 가스의 플라즈마에 노출되는 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법이다.
상기 플라즈마 처리 단계는, 오염 분자를 제거하기 위해, 화학적 또는 기계적 작용을 통해, 상기 운반 박스의 내벽의 표면이 처리될 수 있게 한다. 구체적으로, 플라스틱 운반 박스의 표면에 부착된 분자의, 기계적 작용을 통한, 분리를 촉진하는 에너지를 상기 플라즈마가 전달한다. 또한, 발생된 이온화 종이 오염물과 반응하여 오염물의 제거를 촉진시킬 수 있기 때문에, 상기 플라즈마가 화학 작용을 가질 수 있다. 따라서, 운반 박스 내의 플라즈마 발생은, 간단한 진공 가열 운전에 비해, 표면의 오염 물질 제거가 가속화될 수 있게 한다.
상기 처리 방법은, 하기의 특징들 중 하나 이상 또는 이들의 하나 이상의 조합을 가질 수 있는 것이고:
- 상기 플라즈마 처리 단계에서, 적어도 운반 박스의 내벽은 50℃보다 높은 온도, 예컨대 70℃로 가열되고; 이에 따라, 운반 박스의 내벽의 표면 및 볼륨의 오염 물질 제거가 동시에 향상되는 특징;
- 상기 플라즈마 처리 단계에서, 기체 압력은 1000 파스칼 내지 0.1 파스칼로 이루어지는 특징;
- 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계에서, 처리 가스는 아르곤 등과 같은 희가스로부터, 또는 산소, 질소 또는 수증기 등과 같은 반응성 가스로부터 선택되는 특징;
- 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계에서, 플라즈마는 소정 기간 동안, 수회 번갈아 점화 및 소화되고; 플라즈마의 이온화 종과 물질의 충돌에 기인할 가능성이 있는 운반 박스의 플라스틱의 열화, 또는 이온화 종에 의한 화학 에칭 및 플라즈마에 의한 UV의 발생에 기인할 가능성이 있는 플라스틱의 노화를 방지하는 것이, 간헐 플라즈마를 통해 가능해지는 특징;
- 상기 처리 방법은, 10000 파스칼보다 낮은 기체 압력과 50℃보다 높은 온도로의 가열의 종합적 작용을 적어도 운반 박스의 내벽이 받게 되는 비플라즈마 처리 단계를 포함하는 것으로서;
- 상기 비플라즈마 처리 단계에서, 기체 압력은 상기 플라즈마 처리 단계에서의 기체 압력보다 낮고;
- 상기 비플라즈마 처리 단계에서, 기체 압력은 100 파스칼보다 낮으며;
- 상기 처리 방법은, 플라즈마 처리 단계가 선행되는 비플라즈마 처리 단계를 포함하고;
- 상기 처리 방법은, 플라즈마 처리 단계가 후속되는 비플라즈마 처리 단계를 포함하며; 후속 플라즈마 처리 단계는, 예를 들어 운반 박스가 처리 이전보다 덜 탈리하거나 운반 박스의 내벽이 처리 이전보다 더 흡착하도록, 표면의 접촉각을 변경함으로써, 운반 박스의 표면이 조절되는 것을 허용할 수 있고; 그리고
- 상기 처리 방법은, 사전 플라즈마 처리 단계가 선행되고 후속 플라즈마 처리 단계가 후속되는, 비플라즈마 처리 단계를 포함하고, 상기 사전 및 후속 플라즈마 처리 단계의 플라즈마는 서로 다르다.
본 발명의 다른 대상은, 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 운반 박스의 처리용 스테이션으로서:
- 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 적어도 하나의 내벽을 수용하기에 적합한 밀봉 챔버;
- 상기 밀봉 챔버에 연결된 펌핑 수단; 및
- 적어도 하나의 적외선 소스
를 포함하고, 플라즈마 소스와, 앞서 기술된 것과 같은 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법을 구현하도록, 상기 펌핑 수단, 상기 적외선 소스 및 상기 플라즈마 소스를 제어하기에 적합한 프로세싱 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 스테이션이다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은, 사실상 비제한적이고, 첨부된 도면과 관련하여 예로서 주어지는, 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다:
- 도 1은 처리 스테이션의 개략도를 보여주고;
- 도 2는 플라스틱 운반 박스를 처리하기 위한 방법의 여러 단계를 보여주는 흐름도이며;
- 도 3은 하나의 처리 방법에서 플라즈마의 점화 시기 및 소화 시기를 갖는 간헐 플라즈마의 예를 개략적으로 보여주고;
- 도 4a는 처리 방법의 예시적인 실시형태를 보여주며;
- 도 4b는 처리 방법의 다른 예시적인 실시형태를 보여주고;
- 도 4c는 처리 방법의 다른 예시적인 실시형태를 보여주며;
- 도 5a는 처리 방법의 다른 예시적인 실시형태를 보여주고;
- 도 5b는 처리 방법의 다른 예시적인 실시형태를 보여주며;
- 도 5c는 처리 방법의 다른 예시적인 실시형태를 보여주고; 그리고
- 도 6은 처리 방법의 다른 예시적인 실시형태를 보여준다.
상기한 도면들에서, 동일한 요소들에는 동일한 참조 부호들이 표시되어 있다. 처리 방법의 단계들에는 100부터 번호가 매겨져 있다.
도 1은, 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 운반 박스의 처리용의 예시적인 스테이션(1)을 보여준다.
처리 스테이션(1)은, 적어도 하나의 플라스틱 운반 박스(3)의 적어도 하나의 벽을 수용하기에 적합한 밀봉 챔버(2), 상기 밀봉 챔버(2)에 연결된 펌핑 수단(4), 적어도 하나의 적외선 소스(5), 플라즈마 소스(6) 및 프로세싱 유닛(7)을 포함한다.
상기 플라스틱 운반 박스는, 반도체 웨이퍼, 태양광 산업용의 포토마스크 또는 박막 등과 같은 기판의 저장을 목적으로 한 내부 볼륨의 경계를 짓는 벽을 포함한다. 이는 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 수단입니다. 운반 박스(3)의 하나의 벽은, 예를 들어 중공형의 주변 엔빌로프(도 1) 또는 박스를 형성하기 위해 중공형의 주변 엔빌로프(3)에 결합되는 덮개(도시 생략)이고, 내벽은 기판의 저장을 목적으로 한 내부 볼륨을 획정하는 것이다.
상기 운반 박스는 특히, FOUP, FOSB, SMIF 포드, RSP, 또는 "오픈 카세트" 등과 같은 표준 운반 인클로저 또는 태양광 패널 기판용 운반 인클로저일 수 있다.
플라스틱 운반 박스는 예를 들어, 폴리카보네이트 등과 같은 폴리머로 제조된다.
처리 스테이션(1)은, 청소 박스로부터 상기 처리 스테이션(1)으로 운반 박스를 반송하기 위한 수단을 포함하는, 운반 박스 습식 청소용 툴에 연결될 수 있다.
프로세싱 유닛(7)은, 도 2에 도시된 바와 같은, 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법(100)을 구현하기 위해, 펌핑 수단(4), 하나 이상의 적외선 소스(5) 및 플라즈마 소스(6)를 제어하도록 구성될 수 있다.
처리 방법(100)은, 운반 박스(3)의 적어도 하나의 벽이 10000 파스칼(또는 100 mbar)보다 낮은 기체 압력에서 처리 가스의 플라즈마에 노출될 수 있도록, 상기 적어도 하나의 벽이 밀봉 챔버(2) 내에 놓이는, 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계(103; 105)를 포함하는 것으로, 상기 운반 박스(3)의 내벽은, 예를 들어 (단계 101에서와 같이) 사전에 탈이온수로 세척될 가능성이 있는 것이다.
적어도 운반 박스(3)의 벽의 내부면은 플라즈마에 노출된다.
처리 가스의 기체 압력은, 예를 들어 1000 Pa(또는 10 mbar) 내지 0.1 Pa(또는 10-3 mbar)로 이루어진다. 운반 박스 또는 개방형 운반 박스의 하나의 벽은, 운반 박스가 진공 하에 놓일 때, 운반 박스의 벽이 변형되지 않도록, 밀봉 챔버(2) 내에 놓인다.
플라즈마 처리 단계(103; 105)는, 오염 분자를 제거하기 위해, 화학적 작용을 통해 또는 기계적 작용을 통해, 운반 박스(3)의 내벽의 표면이 처리될 수 있게 한다. 구체적으로, 플라스틱 운반 박스의 표면에 부착된 분자의, 기계적 작용을 통한, 분리를 촉진하는 에너지를 상기 플라즈마가 전달한다. 또한, 발생된 이온화 종이 오염물과 반응하여 오염물의 제거를 촉진시킬 수 있기 때문에, 상기 플라즈마가 화학 작용을 가질 수 있다. 따라서, 운반 박스에서의 플라즈마 발생은, 간단한 진공 가열 운전에 비해, 표면의 오염 물질 제거가 가속화될 수 있게 한다.
플라즈마는, 예컨대 ICP, RF, 마이크로파, 또는 용량형 소스 등의 플라즈마 소스(6)에 의해 발생된다.
밀봉 챔버(2)는, 플라즈마 처리 단계(103; 105)에서 적어도 하나의 처리 가스를 도입하기 위해, 처리 가스 도입용의 적어도 하나의 장치(8)를 포함한다. 처리 가스는 아르곤 등과 같은 희가스로부터, 또는 산소, 질소 또는 수증기 등과 같은 반응성 가스로부터 선택될 수 있다.
충분한 에너지가 제공된 희가스 플라즈마의 경우, 이온화 종은 이온 스퍼터링 작용을 가질 수 있는데, 예를 들면, 플라스틱 운반 박스(3)의 내벽의 표면에 충돌하는 이온은, 충격을 받는 물질의 표면으로부터 분자를 빼낸다.
반응성 가스 플라즈마의 경우, 생성된 이온화 종은, 플라스틱의 표면에서 분자와 반응하기 쉬운데, 예를 들면, 산소는 특히 레지스트 잔류물을 제거하는 데 사용되고, 수소는 탄소-함유 오염물 및 산을 제거하는 데 사용됨에 따라, 운반 박스를 진공 하에 간단히 가열하는 것을 통해, 보다 높은 효력이 달성된다.
게다가, 처리 가스 도입용의 장치(8)도 또한, 운반 박스가 처리된 이후에, 밀봉 챔버(2)를 대기압으로 통기하기 위해, 건조 질소 등과 같은 클린 가스를 도입하는 데 사용될 수 있다.
예시적인 일 실시형태에 따르면, 플라즈마는 소정 기간 동안, 수회 번갈아 점화 및 소화된다. 이러한 교번은 주기적이거나 부분적으로 주기적일 수 있다. 플라즈마가 간헐적으로 발생되는 상기 소정 기간은, 플라즈마 처리 단계(103; 105)의 기간의 전체이거나 일부일 수 있다. 예를 들어, 그리고 도 3에 도시 된 바와 같이, 플라즈마 처리 단계(103)에서 플라즈마는 일단 점화되고, 소화된 후, 재점화된다.
플라즈마의 이온화 종과 물질의 충돌에 기인할 가능성이 있는 운반 박스의 플라스틱의 열화, 또는 이온화 종에 의한 화학 에칭 및 플라즈마에 의한 UV의 발생에 기인할 가능성이 있는 플라스틱의 노화를 방지하는 것이, 간헐 플라즈마를 통해 가능해진다.
게다가, 적어도 운반 박스(3)의 내벽을, 플라즈마에 노출시킴과 동시에, 50℃보다 높은 온도, 예컨대 약 70℃로 가열하는 것이 가능하다. 따라서, 운반 박스(3)의 내벽의 표면 및 볼륨의 오염 물질 제거가 동시에 향상된다. 또한, 플라즈마와 동시에 운반 박스(3)의 벽을 가열함으로써, 상기 처리 방법이 매우 낮은 압력[약 0.1 Pa (10-3 mbar)의 압력]의 플라즈마 처리 단계(105)로 시작되는 경우에 특히 발생할 수 있는, 수증기 등과 같은 기체종의 응결 또는 응고의 위험이 감소된다. 그러나, 플라스틱 운반 박스의 질적 저하가 일어날 수 있는, 허용 온도 한계, 예를 들어 100℃ 밑으로, 온도가 유지된다.
또한, 10000 파스칼보다 낮은 기체 압력과 50℃보다 높은 온도, 예컨대 약 70℃로의 가열의 종합적 작용에, 플라스틱 운반 박스(3)의 내벽이 노출되고 플라즈마를 이용하지 않는, 비플라즈마 처리 단계(104)를 포함하는, 처리 방법(100)에 대한 대책이 마련될 수 있다.
비플라즈마 처리 단계(104)는 특히, 운반 박스의 볼륨의 기체 제거가 강조되는 것을 허용한다. 구체적으로는, 플라즈마가 없어서 그리고 운반 박스(3)의 벽이 가열되기 때문에, 예를 들어 기체 압력을, 플라즈마 처리 단계(103; 105)에서 운반 박스(3)의 벽이 받게 되는 것보다 낮은 기체 압력으로 더 하락시킴으로써, 기체 제거를 가속하는 것이 가능하다. 비플라즈마 처리 단계(104)에서, 기체 압력은 예컨대 100 Pa (또는 1 mbar)보다 낮고, 예를 들어 100 Pa (또는 1 mbar) 내지 10-4 Pa (10-6 mbar)로 이루어진다.
운반 박스(3)의 내벽을 적외선에 노출시키는 것을 통해, 플라스틱 운반 박스는 플라즈마 처리 단계(103; 105) 또는 비플라즈마 처리 단계(104)에서 가열될 수 있다. 적외선은, 제거되는 하나 이상의 오염물 분자의 하나 이상의 흡수 파장 부근에서 최대 강도를 갖는 발광 스펙트럼을 갖는 것이 바람직하다.
적외선은 진폭 변조될 수 있는 것이 바람직하다. 진폭 변조된 적외선은, 플라스틱 운반 박스의 재료 온도가 온도 설정값 부근에 유지되는 것을 허용하고, 적외선의 발광 스펙트럼은 개별적으로 제어된다. 따라서 방사선은, 제거되는 수계 오염물 분자에 우선적으로 작용하도록 선택될 수 있다. 적외선은 또한, 적정 온도에 도달하는 데 걸리는 시간을 감소시키기 위해, 처리되는 표면을 적정 온도가 되게 하는, 연속 초기 단계를 포함할 수 있고, 이에 따라 실질적으로 처리 시간을 단축시킬 수 있다.
처리 방법(100)에서 복수의 구성이 가능하다.
도 4a에 도시된 제1 예에 따르면, 처리 방법은, 가열을 이용하지 않는 플라즈마 처리 단계(103)가 선행되는 비플라즈마 처리 단계(104)를 포함한다.
도 4b에 도시된 제2 예에 따르면, 비플라즈마 처리 단계(104)는, 가열을 이용하지 않는 플라즈마 처리 단계(103)가 후속된다. 후속 플라즈마 처리 단계는, 예를 들어 운반 박스가 처리 이전보다 덜 탈리하거나 운반 박스(3)의 내벽이 처리 이전보다 더 흡착하도록, 표면의 접촉각을 변경함으로써, 운반 박스의 표면이 조절되는 것을 허용할 수 있다.
또한, 도 3과 도 4c에 도시된 바와 같이, 사전 플라즈마 처리 단계(103)로서, 비플라즈마 처리 단계(104)가 후속되고, 후속 플라즈마 처리 단계(103')가 후속되는 사전 플라즈마 처리 단계를 포함하는, 처리 방법(100)에 대한 대책이 마련될 수 있다. 사전 플라즈마 처리 단계(103)와 후속 플라즈마 처리 단계(103')의 플라즈마는 서로 다를 수 있고: 사전 플라즈마 처리 단계(103)와 후속 플라즈마 처리 단계(103')에서, 처리 가스, 기체 압력, 및/또는 플라즈마의 에너지는 서로 다를 수 있다.
게다가, 도 4a, 도 4b 및 도 4c에 도시된 사이클은 반복될 수 있고 및/또는 결합될 수 있다.
다른 예시적인 실시형태에 따르면, 플라즈마 처리 단계(105)에서 운반 박스(3)의 내벽이 가열된다. 이와 같이 가열이 이루어지는 플라즈마 처리 단계(105)는, 비플라즈마 처리 단계(104)가 후속(도 5a)되거나 비플라즈마 처리 단계가 선행(도 5b)될 수 있고, 또는 가열이 이루어지는 플라즈마 처리 단계(105)가 비플라즈마 처리 단계(104)를 선행 및 후속할 수 있다(도 4c).
게다가, 도 5a, 도 5b 및 도 5c에 도시된 사이클은 반복될 수 있고 및/또는 결합될 수 있다.
또한, 다른 조합이 가능한 데, 예를 들어 처리 방법은, 가열을 이용하지 않는 제1 플라즈마 처리 단계(103)로서, 비플라즈마 처리 단계(104)가 후속되고, 가열을 이용하는 플라즈마 처리 단계(105)가 후속되는 제1 플라즈마 처리 단계를 포함할 수 있다(도 6).
다른 예에 따르면, 처리 방법은, 가열을 이용하는 제1 플라즈마 처리 단계(105)로서, 비플라즈마 처리 단계(104)가 후속되고, 가열을 이용하지 않는 플라즈마 처리 단계(103)가 후속되는 제1 플라즈마 처리 단계를 포함할 수 있다.
처리 방법은, 오염물 분자의 제거를 나타내는 파라미터가 측정되는 확인 단계(106)가 후속될 수 있고(도 2); 상기 파라미터가 운반 박스(3)의 벽으로부터의 충분한 탈리 레벨을 나타내는 기준값에 도달할 때, 상기 처리 방법은 정지될 수 있다. 예를 들어, 상기 파라미터는 밀봉 챔버(2) 내의 전체 기체 압력 또는 부분 기체 압력일 수 있다. 펌핑-제한된 진공 영역에서 측정된 전체 압력은, 밀봉 챔버(2)에서 탈리되는 플럭스로서, 주로 운반 박스의 기체 제거에 의해 유발되는 플럭스의 지표이다.
따라서, 플라즈마 표면 처리 단계에 의해, 오염물 분자의 제거가 향상되고 처리 기간이 줄어든다.

Claims (12)

  1. 기판의 저장을 목적으로 한 볼륨의 경계를 짓는 벽을 구비하는 기판의 반송(搬送) 및 대기(大氣) 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법으로서, 상기 운반 박스(3)의 적어도 하나의 내벽이 10000 파스칼보다 낮은 기체 압력에서 처리 가스의 플라즈마에 노출되는 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계(103; 105)를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 플라즈마 처리 단계(105)에서, 적어도 운반 박스(3)의 내벽은 50℃보다 높은 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플라즈마 처리 단계(103; 105)에서, 기체 압력은 1000 파스칼 내지 0.1 파스칼로 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계(103; 105)에서, 처리 가스는 아르곤 등과 같은 희가스로부터, 또는 산소, 질소 또는 수증기 등과 같은 반응성 가스로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 처리 단계(103; 105)에서, 플라즈마는 소정 기간 동안, 수회 번갈아 점화 및 소화되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 10000 파스칼보다 낮은 기체 압력과 50℃보다 높은 온도로의 가열의 종합적 작용에 적어도 운반 박스(3)의 내벽이 노출되는 비플라즈마 처리 단계(104)를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 비플라즈마 처리 단계(104)에서, 기체 압력은 플라즈마 처리 단계(103; 105)에서의 기체 압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 비플라즈마 처리 단계(104)에서, 기체 압력은 100 파스칼보다 낮은 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 처리 단계(103; 105)가 선행되는 비플라즈마 처리 단계(104)를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 처리 단계(103; 105)가 후속되는 비플라즈마 처리 단계(104)를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 사전 플라즈마 처리 단계(103; 105)가 선행되고 후속 플라즈마 처리 단계(103; 105)가 후속되는, 비플라즈마 처리 단계(104)를 포함하는 것을 특징으로 하고, 사전 및 후속 플라즈마 처리 단계(103; 105)의 플라즈마가 서로 다른 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  12. 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 운반 박스의 처리용 스테이션으로서:
    - 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 적어도 하나의 내벽을 수용하기에 적합한 밀봉 챔버(2);
    - 밀봉 챔버(2)에 연결된 펌핑 수단(4); 및
    - 적어도 하나의 적외선 소스(5)
    를 포함하고, 플라즈마 소스(6)와, 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 기판의 반송 및 대기 저장을 위한 플라스틱 운반 박스의 처리 방법을 구현하도록, 펌핑 수단(4), 적외선 소스(5) 및 플라즈마 소스(6)를 제어하기에 적합한 프로세싱 유닛(7)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스테이션.
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