KR20170064379A - 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
도 4는 화합물 6의 파장 270nm에서의 LTPL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 5는 화합물 6의 파장 271nm에서의 PL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 6은 화합물 6의 UV 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 7은 화합물 7의 파장 352nm에서의 LTPL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 8는 화합물 7의 파장 273nm에서의 PL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 9는 화합물 7의 UV 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 10은 화합물 11의 파장 270nm에서의 LTPL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 11은 화합물 11의 파장 270nm에서의 PL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 12는 화합물 11의 UV 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 13은 화합물 12의 파장 352nm에서의 LTPL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 14는 화합물 12의 파장 273nm에서의 PL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 15는 화합물 12의 UV 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 16은 화합물 13의 파장 359nm에서의 LTPL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 17은 화합물 13의 파장 284nm에서의 PL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 18은 화합물 13의 UV 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 19는 화합물 16의 파장 354nm에서의 LTPL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 20은 화합물 16의 파장 354nm에서의 PL 측정 그래프를 나타낸 것이다.
도 21은 화합물 16의 UV 측정 그래프를 나타낸 것이다.
200: 양극
300: 유기물층
301: 정공 주입층
302: 정공 수송층
303: 발광층
304: 정공 저지층
305: 전자 수송층
306: 전자 주입층
400: 음극
Claims (9)
- 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기이고,
Ar1은 N, O 및 S 중 적어도 1종을 포함하고, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
R1 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 C1 내지 C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기, 또는 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성하고,
R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar1은 하기 화학식 2 내지 6 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 헤테로고리 화합물:
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
상기 화학식 2 내지 6에서,
X1 내지 X4 중 적어도 하나는 N, O 또는 S이고, 나머지는 CR12 이며,
X5 내지 X10 중 적어도 하나는 N, O 또는 S이고, 나머지는 CR13 이며,
X11 내지 X14 중 적어도 하나는 N, O 또는 S이고, 나머지는 CR14 이며,
X15 및 X16 중 적어도 하나는 N, O 또는 S이고, 나머지는 CR15 이며,
X17 및 X18 중 적어도 하나는 N, O 또는 S이고, 나머지는 CR16 이며,
R12 내지 R16은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 C1 내지 C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기, 또는 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성하고,
R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R6은 -(L2)m-(Z)n이고,
L2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌이며,
Z는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
m은 0 내지 5의 정수이며,
n은 1 내지 3의 정수인 것을 특징으로 하는 헤테로고리 화합물. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R5, 및 R7 내지 R11은 수소 또는 중수소인 것을 특징으로 하는 헤테로고리 화합물.
- 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 5 중 어느 하나의 항에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
- 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 전달층, 전자 수송층, 전하 생성층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 전달층, 전자 수송층 및 전하 생성층 중 적어도 한 층이 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층 중 하나의 층이 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
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