KR20170094714A - 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 - Google Patents

화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20170094714A
KR20170094714A KR1020160015840A KR20160015840A KR20170094714A KR 20170094714 A KR20170094714 A KR 20170094714A KR 1020160015840 A KR1020160015840 A KR 1020160015840A KR 20160015840 A KR20160015840 A KR 20160015840A KR 20170094714 A KR20170094714 A KR 20170094714A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
compound
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020160015840A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102098986B1 (ko
Inventor
차용범
홍성길
김민준
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020160015840A priority Critical patent/KR102098986B1/ko
Publication of KR20170094714A publication Critical patent/KR20170094714A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102098986B1 publication Critical patent/KR102098986B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D279/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom and one sulfur atom as the only ring hetero atoms
    • C07D279/10—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines
    • C07D279/14—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D279/18—[b, e]-condensed with two six-membered rings
    • C07D279/22—[b, e]-condensed with two six-membered rings with carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D235/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
    • C07D235/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D235/04—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
    • C07D235/06—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached in position 2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D265/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom and one oxygen atom as the only ring hetero atoms
    • C07D265/28—1,4-Oxazines; Hydrogenated 1,4-oxazines
    • C07D265/34—1,4-Oxazines; Hydrogenated 1,4-oxazines condensed with carbocyclic rings
    • C07D265/38—[b, e]-condensed with two six-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D279/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom and one sulfur atom as the only ring hetero atoms
    • C07D279/10—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines
    • C07D279/14—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D279/18—[b, e]-condensed with two six-membered rings
    • C07D279/34—[b, e]-condensed with two six-membered rings with hetero atoms directly attached to the ring sulfur atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/06—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
    • H01L51/0071—
    • H01L51/5012—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • H01L2924/12044—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자{COMPOUND AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
국제 특허 출원 공개 제2003-012890호
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하고자 한다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X는 O, S 또는 SO2이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기이며,
R1 내지 R8 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나이고, 나머지는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 시아노기; 에스테르기; 카보닐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
[화학식 5]
Figure pat00005
[화학식 6]
Figure pat00006
[화학식 7]
Figure pat00007
[화학식 8]
Figure pat00008
[화학식 9]
Figure pat00009
상기 화학식 2 내지 9에 있어서,
Ar3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
Ar3' 및 Ar3”는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
R은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
n은 0 내지 4의 정수이고, n이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하며,
m은 0 내지 5의 정수이고, m이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하며,
p는 0 내지 7의 정수이고, p이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하다.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에 사용되어, 유기 전자 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 전자 소자(10)를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 전자 소자(11)를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 대표적인 전자주개(electron-donor)인 S, O, 및 N 등을 포함함으로써, 전자가 풍부한 코어 구조를 가진다. 또한 페노티아진(phenothiazine), 페노옥사진(phenoxazine) 등의 코어의 독특한 입체적 배열로 인해 결정화도가 낮아 무정형 형태를 지니며, 이것은 소자를 제작하거나 작동할 때 줄열에 의한 소자의 열화를 막아 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.
또한, N 원자가 포함된 헤테로고리기들은 높은 전자친화도를 가지고 있기 때문에 전자받개로 많이 이용되고 있다. 이러한 치환기들을 연결하여 녹색 발광층이나 전자수송층, 전자주입층으로 사용하여 OLED 소자 내에서 홀(hole)과 전자의 균형을 맞추어서 최대의 효율을 낼 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 페노티아진 5,5-디옥사이드(phenothiazine 5,5-dioxide)는 페노티아진(phenothiazine)을 산화시켜서 제조할 수 있는데, 이 경우, UV 파장을 짧게하여 블루 쉬프트(Blue shift)되어 청색발광이나 정공수송층, 전자억제층에 사용될 수 있다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서,
Figure pat00010
및
Figure pat00011
는 연결되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아민기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 실릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00012
본 명세서에 있어서, 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00013
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00014
,
Figure pat00015
,
Figure pat00016
,
Figure pat00017
,
Figure pat00018
,
Figure pat00019
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X는 O, S, 및 SO2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X는 SO2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 트리페닐기, 치환 또는 비치환된 피렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 트리페닐기, 피렌기, 안트라세닐기, 크리세닐기, 또는 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기가 치환된 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기가 치환된 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 페난트레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 페난트레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기가 치환된 페난트레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페난트레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기가 치환된 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기가 치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R8 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나이고, 나머지는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 시아노기; 에스테르기; 카보닐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
[화학식 2]
Figure pat00020
[화학식 3]
Figure pat00021
[화학식 4]
Figure pat00022
[화학식 5]
Figure pat00023
[화학식 6]
Figure pat00024
[화학식 7]
Figure pat00025
[화학식 8]
Figure pat00026
[화학식 9]
Figure pat00027
상기 화학식 2 내지 9에 있어서,
Ar3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
Ar3' 및 Ar3”는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
R은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
n은 0 내지 4의 정수이고, n이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하며,
m은 0 내지 5의 정수이고, m이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하며,
p는 0 내지 7의 정수이고, p이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R8 중 적어도 하나는 상기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3, Ar3', 및 Ar3”는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 트리페닐기, 치환 또는 비치환된 피렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 트리페닐기, 피렌기, 안트라세닐기, 크리세닐기, 또는 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 비페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기가 치환된 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 터페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기가 치환된 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 트리페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 트리페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기가 치환된 트리페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 트리페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기가 치환된 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 안트라세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 크리세페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 크리세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기가 치환된 크리세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 크리세닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기가 치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 페닐기가 치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3은 디벤조퓨란, 또는 디벤조티오펜이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3', 및 Ar3”는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3', 및 Ar3”는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기, 또는 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R은 수소; 중수소; 또는 C1 내지 C20의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R은 수소; 중수소; 또는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure pat00028
[화학식 1-2]
Figure pat00029
[화학식 1-3]
Figure pat00030
상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서, Ar1 및 R1 내지 R8의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3 및 R6 중 적어도 하나는 상기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3은 상기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6은 상기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3 및 R6은 상기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R8 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1 내지 8-1 및 화학식 9 중에서 선택되는 어느 하나이다.
[화학식 2-1]
Figure pat00031
[화학식 3-1]
Figure pat00032
[화학식 4-1]
Figure pat00033
[화학식 5-1]
Figure pat00034
[화학식 6-1]
Figure pat00035
[화학식 7-1]
Figure pat00036
[화학식 8-1]
Figure pat00037
[화학식 9]
Figure pat00038
상기 화학식 2-1 내지 8-1에서 Ar3, Ar3', Ar3”, R, n, m 및 p의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure pat00039
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00063
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
Figure pat00077
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 일반식 1 및 2와 같이 코어 구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치, 또는 개수는 당기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.
[일반식 1]
Figure pat00078
[일반식 2]
Figure pat00079
구체적으로, 상기 일반식 1은 상기 화학식 1의 코어구조에서 R3 또는 R6의 위치에 치환기를 결합시키기 위한 중간반응의 예시이고, 상기 일반식 2는 상기 화학식 1의 코어구조에서 R3 및 R6의 위치에 치환기를 결합시키기 위한 중간반응의 예시를 기재한 것일 뿐, 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 치환기의 종류 및 위치를 변경할 수 있다. 구체적인 제조방법은 후술하기로 한다.
또한, 필요에 따라 상기 화학식 2 내지 9와 같은 치환기를 결합시킬 수 있다. 예컨대, 상기 일반식 1에서 만들어진 구조에 하기와 같은 일반식 1-1의 추가반응을 통해, 상기 화학식 2 내지 7 과 대응되는 화합물을 생성할 수 있다.
[일반식 1-1]
Figure pat00080
상기 일반식 1-1에서 X, Ar1, 및 Ar3 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. 상기 일반식 1-1에서, 치환기 2' 내지 7' 를 이용하여, 본 명세서의 화학식 2 내지 7과 대응되는 2" 내지 7"의 구조를 각각 합성할 수 있다.
치환기는 당기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다. 예컨대, 상기 일반식 1, 2, 및 1-1과 같이 치환기를 연결시킬 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 유기 전자 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 전자 소자의 대표 적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자차단층, 정공차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 전자 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 전자 소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
이하에서는 유기발광소자에 대하여 예시한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층을 포함하고, 상기 전자차단층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 전자차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 상기 2층 이상의 전자수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함되는 경우, 상기 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아미노기, 카바졸릴기 또는 벤조카바졸릴기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층이 전자수송층인 경우, 상기 전자수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 일 예에 따르면 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 전자수송층은 LiQ를 더 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 발광층(40) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(10)의 구조가 예시 되어 있다. 상기 도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
도 2에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 정공주입층(60), 정공수송층(70), 전자차단층(80), 발광층(40), 전자수송층(90), 전자주입층(100) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 2는 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자차단층은 정공주입층으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자주입층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
상기 발광층의 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 화합물, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층의 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
본 명세서에 따른 화합물은 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
상기 일반식
Figure pat00081
1 및 일반식 2는 상기 화학식 1의 코어 구조에서 여러 위치에 치환기를 결합시키는 중간반응이며, 이하에서 제조예 및 실험예를 통하여 본 명세서의 합성예를 상세하게 설명한다.
< 실시예 >
< 제조예 1> 하기 화합물 1-1의 제조
Figure pat00082
상기 일반식 1에서 X = S이고, Ar1-Cl로 클로로벤젠을 사용하여 상기 일반식 1과 동일한 방법으로 화합물 A를 제조하였다. 상기 화합물 A(15.5g, 57mmol)와 2-브로모-1,10-페난쓰롤린(25.14g, 63mmol)을 테트라하이드로퓨란(300ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(198mg, 2mmol)을 넣은 후, 2시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 여과했다. 여과한 흰색의 고체를 에틸아세테이트와 에탄올로 각각 1번씩 세척하여 상기 화합물 1-1(23.5g, 수율 88%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 454
< 제조예 2> 하기 화합물 1-2의 제조
Figure pat00083
상기 일반식 1에서 X = S이고, Ar1-Cl로 2-클로로나프탈렌을 사용하여 상기 일반식 1과 동일한 방법으로 화합물 B를 제조하였다. 상기 화합물 B (12.5g, 43mmol)와 2-클로로-4-(나프탈렌-2-일)퀴나졸린 (21.38g, 47mmol)을 테트라하이드로퓨란(500ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(240ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(249mg, 2mmol)을 넣은 후, 8시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 여과했다. 여과한 흰색의 고체를 에틸아세테이트와 에탄올로 각각 1번씩 세척하여 상기 화합물 1-2(18.75g, 수율 75%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 580
< 제조예 3> 하기 화합물 1-3의 제조
Figure pat00084
상기 화합물 A (10.0g, 30mmol)와 2-클로로-4-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)퀴나졸린 (13.41g, 33mmol)을 테트라하이드로퓨란(600ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(280ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(176mg, 2mmol)을 넣은 후, 8시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 여과했다. 여과한 흰색의 고체를 에틸아세테이트 300ml로 세척하여 상기 화합물 1-3(15.64g, 수율 90%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 569
< 제조예 4> 하기 화합물 1-4의 제조
Figure pat00085
상기 제조예 1에서 2-브로모-1,10-페난쓰롤린 대신 (4-브로모페닐)디페닐포스핀옥사이드를 사용한 것을 제외하고, 상기 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-4를 제조하였다.
MS[M+H]+= 552
< 제조예 5> 하기 화합물 1-5의 제조
Figure pat00086
상기 제조예 1에서 2-브로모-1,10-페난쓰롤린 대신 2-브로모벤조[d]옥사졸을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-5를 제조하였다.
MS[M+H]+= 393
< 제조예 6> 하기 화합물 1-6의 제조
Figure pat00087
상기 일반식 1에서 X = O이고, Ar1-Cl로 클로로벤젠을 사용하여 상기 일반식 1과 동일한 방법으로 화합물 C를 제조하였다. 상기 화합물 C (11.8g, 37mmol)와 2-브로모-1-(나프탈렌-2-일)-1H-벤조[d]이미다졸(15.52g, 40mmol)을 테트라하이드로퓨란(300ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(212mg, 2mmol)을 넣은 후, 3시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 여과했다. 여과한 흰색의 고체를 에틸아세테이트 400ml 세척하여 상기 화합물 1-6(17.85g, 수율 86%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 502
< 제조예 7> 하기 화합물 1-7의 제조
Figure pat00088
상기 일반식 1에서 X = O이고, Ar1-Br로 4-브로모비페닐을 사용하여 상기 일반식 1과 동일한 방법으로 화합물 D를 제조하였다. 상기 화합물 D (10.42g, 36mmol)와 2-브로모-1-(나프탈렌-2-일)-1H-벤조[d]이미다졸 (18.22g, 40mmol)을 테트라하이드로퓨란(300ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(208mg, 2mmol)을 넣은 후, 7시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 여과했다. 여과한 흰색의 고체를 에틸아세테이트 400ml 세척하여 상기 화합물 1-7(17.45g, 수율 82%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 590
< 제조예 8> 하기 화합물 1-8의 제조
Figure pat00089
상기 일반식 1에서 X = O이고, Ar1-Cl로 2-클로로나프탈렌을 사용하여 상기 일반식 1과 동일한 방법으로 화합물 E를 제조하였다. 상기 화합물 E (15.11g, 44mmol)와 2-클로로-1-(디벤조[b,d]티오펜-2-일)-1H-벤조[d]이미다졸 (20.96g, 48mmol)을 테트라하이드로퓨란(600ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(280ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(253mg, 2mmol)을 넣은 후, 8시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 여과했다. 여과한 흰색의 고체를 에틸아세테이트 300ml로 세척하여 상기 화합물 1-8(24.05g, 수율 89%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 619
< 제조예 9> 하기 화합물 1-9의 제조
Figure pat00090
상기 제조예 7에서 2-브로모-1-(나프탈렌-2-일)-1H-벤조[d]이미다졸 대신 2-클로로-1,10-페난쓰롤린을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-7을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-9를 제조하였다.
MS[M+H]+= 514
< 제조예 10> 하기 화합물 1-10의 제조
Figure pat00091
상기 제조예 7에서 2-브로모-1-(나프탈렌-2-일)-1H-벤조[d]이미다졸 대신 (4-브로모페닐)디페닐포스핀옥사이드를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-7을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-10을 제조하였다.
MS[M+H]+= 612
< 제조예 11> 하기 화합물 1-11의 제조
Figure pat00092
상기 제조예 7에서 2-브로모-1-(나프탈렌-2-일)-1H-벤조[d]이미다졸 대신 2-브로모벤조[d]옥사졸을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-7을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-11을 제조하였다.
MS[M+H]+= 469
< 제조예 12> 하기 화합물 1-12의 제조
Figure pat00093
상기 일반식 1의 step 1에서 X = SO2, Ar1-Br로 2Naphthyl-Br을 사용하면 상기 화합물 F를 얻을 수 있다. 상기 화합물 F (12.5g, 40mmol)와 2-클로로-4-(나프탈렌-2-일)퀴나졸린(21.38g, 43mmol)을 테트라하이드로퓨란(500ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(240ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(262mg, 2.1mmol)을 넣은 후, 5 시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 걸렀다. 걸러진 흰색의 고체를 에틸아세테이트와 에탄올로 각각 1번씩 세척하여 상기 화합물 1-12(17.54g, 수율 72%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 612
< 제조예 13> 하기 화합물 1-13의 제조
Figure pat00094
상기 일반식 1 step 1에서 X = SO2, Ar1-Br로 Phenyl-Br을 사용하면 상기 화합물 G를 얻을 수 있다. 상기 화합물 G (16.15g, 33.43mmol)와 2-클로로-4-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)퀴나졸린(10.00g, 30.41mmol)을 테트라하이드로퓨란(300ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(150ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(161mg, 0.3mmol)을 넣은 후, 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 걸렀다. 걸러진 흰색의 고체를 에틸아세테이트와 에탄올로 각각 1번씩 세척하여 상기 화합물 1-13(16.47g, 수율 82%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 601
< 제조예 14> 하기 화합물 1-14의 제조
Figure pat00095
상기 제조예 13 에서 2-클로로-4-(나프탈렌-2-일)퀴나졸린 대신 2-브로모-1,10-페난트롤린을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-13을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-14를 제조하였다.
MS[M+H]+= 486
< 제조예 15> 하기 화합물 1-15의 제조
Figure pat00096
상기 제조예 13 에서 2-클로로-4-(나프탈렌-2-일)퀴나졸린 대신 (4-브로모페닐)디페닐포스핀옥사이드를 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-13를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-15를 제조하였다.
MS[M+H]+= 584
< 제조예 16> 하기 화합물 1-16의 제조
Figure pat00097
상기 제조예 13 에서 2-클로로-4-(나프탈렌-2-일)퀴나졸린 대신 2-브로모벤조[d]옥사졸을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-13를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-16을 제조하였다.
MS[M+H]+= 425
< 제조예 17> 하기 화합물 1-17의 제조
Figure pat00098
상기 일반식 2 step 1에서 X = O, Ar1-Br로 Phenyl-Br을 사용하면 상기 화합물 G를 얻을 수 있다. 상기 화합물 G (50.21g, 95mmol)와 (4-브로모페닐)디페닐포스핀옥사이드(11.78g, 43mmol)를 테트라하이드로퓨란(300ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(250mg, 2mmol)을 넣은 후, 3시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 여과했다. 여과한 흰색의 고체를 에틸아세테이트 450ml로 세척하여 상기 화합물 1-17(25.15g, 수율 91%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 668
< 제조예 18> 하기 화합물 1-18의 제조
Figure pat00099
상기 제조예 17에서 (4-브로모페닐)디페닐포스핀옥사이드 대신 2-브로모벤조[d]티아졸을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-17 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-18을 제조하였다.
MS[M+H]+= 526
< 실험예 1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.
[HAT]
Figure pat00100
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 N-([1,1'-비페닐]-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민: HTL (400Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
[HTL]
Figure pat00101
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
[BH]
Figure pat00102
[BD]
Figure pat00103
[LiQ]
Figure pat00104
상기 발광층 위에 제조예 1에서 제조한 화합물 1-1과 상기 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 내지 5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 2>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 3>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-3을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 4>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-4를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 5>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-5를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 6>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-6을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 7>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-7을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 8>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-8을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 9>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-9를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 10>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-10을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 11>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-11을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 12>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-12를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 13>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-13을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 14>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-14를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 15>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-15를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 16>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-16을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 17>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-17을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 18>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 상기 화합물 1-18을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 비교예 1>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 하기 ET1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET1]
Figure pat00105
< 비교예 2>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 하기 ET2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET2]
Figure pat00106
< 비교예 3>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 하기 ET3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET3]
Figure pat00107
< 비교예 4>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 하기 ET4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET4]
Figure pat00108
< 비교예 5>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 하기 ET5의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET5]
Figure pat00109
< 비교예 6>
상기 실험예 1에서 화합물 1-1 대신 하기 ET6의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET6]
Figure pat00110
실험예 1 내지 18 및 비교예 1 내지 6에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다.
구분 화합물 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)
실험예 1 화합물 1-1 3.86 5.04 (0.138, 0.126)
실험예 2 화합물 1-2 3.75 5.15 (0.139, 0.124)
실험예 3 화합물 1-3 3.85 5.51 (0.138, 0.127)
실험예 4 화합물 1-4 3.77 5.22 (0.137, 0.125)
실험예 5 화합물 1-5 3.83 5.19 (0.136, 0.126)
실험예 6 화합물 1-6 3.82 5.18 (0.136, 0.127)
실험예 7 화합물 1-7 3.84 5.27 (0.136, 0.125)
실험예 8 화합물 1-8 3.85 5.51 (0.138, 0.127)
실험예 9 화합물 1-9 3.77 5.22 (0.137, 0.122)
실험예 10 화합물 1-10 3.83 5.19 (0.136, 0.127)
실험예 11 화합물 1-11 3.82 5.18 (0.136, 0.127)
실험예 12 화합물 1-12 3.85 5.51 (0.138, 0.126)
실험예 13 화합물 1-13 3.77 5.22 (0.137, 0.125)
실험예 14 화합물 1-14 3.83 5.19 (0.136, 0.127)
실험예 15 화합물 1-15 3.82 5.18 (0.136, 0.127)
실험예 16 화합물 1-16 3.77 5.22 (0.137, 0.125)
실험예 17 화합물 1-17 3.83 5.19 (0.136, 0.127)
실험예 18 화합물 1-18 3.76 5.25 (0.136, 0.126)
비교예 1 ET1 4.42 3.85 (0.136, 0.130)
비교예 2 ET2 4.38 3.94 (0.136, 0.126)
비교예 3 ET3 4.20 4.09 (0.135, 0.125)
비교예 4 ET4 4.19 4.26 (0.135, 0.130)
비교예 5 ET5 4.25 4.24 (0.135, 0.125)
비교예 6 ET6 4.34 4.11 (0.135, 0.127)
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 실험예 1 내지 18과 비교예 1 내지 6을 비교하면, Ar1이 알킬기인 경우(비교예 2, 비교예4), 본원 발명 화학식1의 코어와 치환체 사이에 연결기를 가지는 경우(비교예 1, 비교예3, 비교예 5) 보다 본 발명에 다른 화합물은 전자 수송 및 주입 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.
10, 11: 유기 발광 소자
20: 기판
30: 제1 전극
40: 발광층
50: 제2 전극
60: 정공주입층
70: 정공수송층
80: 전자차단층
90: 전자수송층
100: 전자주입층

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00111

    상기 화학식 1에 있어서,
    X는 O, S 또는 SO2이고,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기이며,
    R1 내지 R8 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나이고, 나머지는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 시아노기; 에스테르기; 카보닐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    [화학식 2]
    Figure pat00112

    [화학식 3]
    Figure pat00113

    [화학식 4]
    Figure pat00114

    [화학식 5]
    Figure pat00115

    [화학식 6]
    Figure pat00116

    [화학식 7]
    Figure pat00117

    [화학식 8]
    Figure pat00118

    [화학식 9]
    Figure pat00119

    상기 화학식 2 내지 9에 있어서,
    Ar3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
    Ar3' 및 Ar3”는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
    R은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    n은 0 내지 4의 정수이고, n이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하며,
    m은 0 내지 5의 정수이고, m이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하며,
    p는 0 내지 7의 정수이고, p이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00120

    [화학식 1-2]
    Figure pat00121

    [화학식 1-3]
    Figure pat00122

    상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서,
    Ar1 및 R1 내지 R8의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  3. 청구항 1에 있어서,
    R3 및 R6 중 적어도 하나는 상기 화학식 2 내지 9 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 내지 R8 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1 내지 8-1 및 화학식 9 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
    [화학식 2-1]
    Figure pat00123

    [화학식 3-1]
    Figure pat00124

    [화학식 4-1]
    Figure pat00125

    [화학식 5-1]
    Figure pat00126

    [화학식 6-1]
    Figure pat00127

    [화학식 7-1]
    Figure pat00128

    [화학식 8-1]
    Figure pat00129

    [화학식 9]
    Figure pat00130

    상기 화학식 2-1 내지 8-1 및 화학식 9에서,
    Ar3, Ar3', Ar3”, R, n, m 및 p의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  5. 청구항 1에 있어서,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 트리페닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 피렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기인 것인 화합물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure pat00131

    Figure pat00132

    Figure pat00133

    Figure pat00134

    Figure pat00135

    Figure pat00136

    Figure pat00137

    Figure pat00138

    Figure pat00139

    Figure pat00140

    Figure pat00141

    Figure pat00142

    Figure pat00143

    Figure pat00144

    Figure pat00145

    Figure pat00146

    Figure pat00147

    Figure pat00148

    Figure pat00149

    Figure pat00150

    Figure pat00151

    Figure pat00152

    Figure pat00153

    Figure pat00154

    Figure pat00155

    Figure pat00156

    Figure pat00157

    Figure pat00158

    Figure pat00159

    Figure pat00160

    Figure pat00161

    Figure pat00162

    Figure pat00163

    Figure pat00164

    Figure pat00165

    Figure pat00166

    Figure pat00167

    Figure pat00168

    Figure pat00169
  7. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  10. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  11. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층 또는 정공차단층을 포함하고, 상기 전자차단층 또는 정공차단층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  12. 청구항 7에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자주입, 전자수송층, 전자차단층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  13. 청구항 7에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 유기 전자 소자.
KR1020160015840A 2016-02-11 2016-02-11 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 Active KR102098986B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160015840A KR102098986B1 (ko) 2016-02-11 2016-02-11 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160015840A KR102098986B1 (ko) 2016-02-11 2016-02-11 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170094714A true KR20170094714A (ko) 2017-08-21
KR102098986B1 KR102098986B1 (ko) 2020-04-08

Family

ID=59757460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160015840A Active KR102098986B1 (ko) 2016-02-11 2016-02-11 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102098986B1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109336926A (zh) * 2018-10-23 2019-02-15 南京邮电大学 一类基于三苯基膦氧和咔唑衍生物的多功能有机发光材料
KR102080737B1 (ko) * 2019-05-29 2020-02-24 (주)피엔에이치테크 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN111253393A (zh) * 2020-02-05 2020-06-09 北京大学 长寿命三线态激子限域材料及其在oled器件中的应用
CN112239452A (zh) * 2020-10-14 2021-01-19 武汉尚赛光电科技有限公司 一种电子传输型杂蒽衍生物及其有机电致发光器件
CN112358473A (zh) * 2020-10-14 2021-02-12 武汉尚赛光电科技有限公司 一种杂蒽衍生物及其应用和有机电致发光器件
KR20210081549A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 한국교통대학교산학협력단 벤조옥사졸 유도체 및 이를 포함하는 형광재료
CN115028653A (zh) * 2022-06-02 2022-09-09 南京邮电大学 一种有机室温磷光材料及其应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003012890A2 (de) 2001-07-20 2003-02-13 Novaled Gmbh Lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
KR20140045368A (ko) * 2011-05-05 2014-04-16 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 화합물
CN103804372A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 海洋王照明科技股份有限公司 双极性蓝光磷光化合物及其制备方法和应用
CN104650066A (zh) * 2014-08-05 2015-05-27 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种绿光材料的制备及其有机发光器件
CN104725369A (zh) * 2015-03-25 2015-06-24 吉林奥来德光电材料股份有限公司 含二元吩噻嗪并咪唑类衍生物、制备方法及有机发光器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003012890A2 (de) 2001-07-20 2003-02-13 Novaled Gmbh Lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
KR20140045368A (ko) * 2011-05-05 2014-04-16 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 화합물
CN103804372A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 海洋王照明科技股份有限公司 双极性蓝光磷光化合物及其制备方法和应用
CN104650066A (zh) * 2014-08-05 2015-05-27 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种绿光材料的制备及其有机发光器件
CN104725369A (zh) * 2015-03-25 2015-06-24 吉林奥来德光电材料股份有限公司 含二元吩噻嗪并咪唑类衍生物、制备方法及有机发光器件

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109336926A (zh) * 2018-10-23 2019-02-15 南京邮电大学 一类基于三苯基膦氧和咔唑衍生物的多功能有机发光材料
KR102080737B1 (ko) * 2019-05-29 2020-02-24 (주)피엔에이치테크 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN112010840B (zh) * 2019-05-29 2024-04-26 株式会社P&Htech 有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置
CN112010840A (zh) * 2019-05-29 2020-12-01 株式会社P&H Tech 有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置
US11629142B2 (en) 2019-05-29 2023-04-18 P&h Tech Co., Ltd. Organic electroluminescent 3,6-disubstituted carbazole compounds and organic electroluminescent device including the same
KR20210081549A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 한국교통대학교산학협력단 벤조옥사졸 유도체 및 이를 포함하는 형광재료
CN111253393B (zh) * 2020-02-05 2022-01-25 北京大学 长寿命三线态激子限域材料及其在oled器件中的应用
CN111253393A (zh) * 2020-02-05 2020-06-09 北京大学 长寿命三线态激子限域材料及其在oled器件中的应用
CN112358473A (zh) * 2020-10-14 2021-02-12 武汉尚赛光电科技有限公司 一种杂蒽衍生物及其应用和有机电致发光器件
CN112239452B (zh) * 2020-10-14 2022-05-10 武汉尚赛光电科技有限公司 一种电子传输型杂蒽衍生物及其有机电致发光器件
CN112239452A (zh) * 2020-10-14 2021-01-19 武汉尚赛光电科技有限公司 一种电子传输型杂蒽衍生物及其有机电致发光器件
CN115028653A (zh) * 2022-06-02 2022-09-09 南京邮电大学 一种有机室温磷光材料及其应用
CN115028653B (zh) * 2022-06-02 2024-06-28 南京邮电大学 一种有机室温磷光材料及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR102098986B1 (ko) 2020-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101593368B1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101883591B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101934469B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101837896B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101784562B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101897907B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR20190084880A (ko) 유기 발광 소자
KR101940694B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101905970B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기전자소자
KR20170022940A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR102098986B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101864473B1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101922649B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101896151B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR20170109430A (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102511678B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20160002354A (ko) 카바졸 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101924137B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR102156464B1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20170121577A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101924108B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR102546868B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20170109503A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR102216769B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101856900B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

R15-X000 Change to inventor requested

St.27 status event code: A-3-3-R10-R15-oth-X000

R16-X000 Change to inventor recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R16-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 6