KR20170096596A - 웨이퍼 이송을 위한 웨이퍼 리프트 링 시스템 - Google Patents

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Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 지지부는 기판을 지지하도록 배열된 내측 부분, 내측 부분을 둘러싸고 기판의 외측 에지를 지지하도록 배열된 리프트 링, 및 기판 지지부의 리프트 링 및 내측 부분 중 적어도 하나를 선택적으로 상승시키고 하강시킴으로써 내측 부분에 대해 리프트 링의 높이를 조정하기 위해 액추에이터를 제어하도록 구성된 제어기를 포함한다. 리프트 링의 높이를 조정하기 위해, 제어기는 선택적으로, 리프트 링으로의 기판의 이송 및 리프트 링으로부터 기판의 회수를 위한 이송 높이로 리프트 링의 높이를 조정하고, 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 높이로 리프트 링의 높이를 조정한다.

Description

웨이퍼 이송을 위한 웨이퍼 리프트 링 시스템{WAFER LIFT RING SYSTEM FOR WAFER TRANSFER}
본 개시는 기판 프로세싱 시스템의 기판 지지부로부터 기판 또는 웨이퍼를 리프팅하기 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경기술 설명은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제공하기 위한 것이다. 본 발명자들의 성과로서 본 배경기술 섹션에 기술되는 정도의 성과 및 출원시 종래 기술로서 인정되지 않을 수도 있는 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
기판 프로세싱 시스템은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 막을 에칭하도록 사용될 수도 있다. 기판 프로세싱 시스템은 통상적으로 프로세싱 챔버, 가스 분배 디바이스 및 기판 지지부 (예를 들어, 정전 척, 또는 ESC) 을 포함한다. 프로세싱 동안, 기판은 기판 지지부 상에 배치된다. 상이한 가스 혼합물들이 프로세싱 챔버 내로 도입될 수도 있고 RF (radio frequency) 플라즈마가 화학 반응들을 활성화하도록 사용될 수도 있다.
기판 지지부는 프로세싱 동안 기판 지지부로 그리고 기판 지지부로부터 이송을 위해 기판을 리프팅하고 하강시키기 위한 리프트 메커니즘을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하나 이상의 리프트 핀들은 기판 아래 기판 지지부에 배열될 수도 있다. 리프트 핀들은 기판 지지부에 대해 기판을 상승시키고 하강시키기 위해 기판의 하단 표면을 (예를 들어, 전기기계적으로, 공압적으로, 등) 인게이지하도록 선택적으로 제어된다.
기판 지지부는 기판을 지지하도록 배열된 내측 부분, 내측 부분을 둘러싸고 기판의 외측 에지를 지지하도록 배열된 리프트 링, 및 기판 지지부의 리프트 링 및 내측 부분 중 적어도 하나를 선택적으로 상승시키고 하강시킴으로써 내측 부분에 대해 리프트 링의 높이를 조정하기 위해 액추에이터를 제어하도록 구성된 제어기를 포함한다. 리프트 링의 높이를 조정하기 위해, 제어기는 선택적으로, 리프트 링으로의 기판의 이송 및 리프트 링으로부터 기판의 회수를 위한 이송 높이로 리프트 링의 높이를 조정하고, 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 높이로 리프트 링의 높이를 조정한다. 프로세싱 높이는 이송 높이보다 낮다.
기판 지지부를 동작시키는 방법은, 리프트 링을 제공하는 단계로서, 리프트 링은 기판의 내측 부분을 둘러싸고 기판의 외측 에지를 지지하도록 배열되는, 리프트 링을 제공하는 단계 및 리프트 링 및 기판 지지부의 내측 부분 중 적어도 하나를 선택적으로 상승시키고 그리고 하강시킴으로써 내측 부분에 대해 리프트 링의 높이를 조정하도록 액추에이터를 제어하는 단계를 포함한다. 리프트 링의 높이를 조정하는 단계는, 선택적으로 리프트 링으로의 기판의 이송 및 리프트 링으로부터 기판의 회수를 위한 이송 높이로 리프트 링의 높이를 조정하는 단계, 및 기판을 프로세싱을 위한 프로세싱 높이로 리프트 링의 높이를 조정하는 단계를 포함하고, 프로세싱 높이는 이송 높이보다 낮다.
본 개시의 추가 적용가능 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 명백해질 것이다. 상세한 기술 및 구체적인 예들은 단지 예시를 목적으로 의도되고, 본 개시의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않았다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부된 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시에 따른 예시적인 프로세싱 챔버의 기능적 블록도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 개시에 따른 리프트 링을 갖는 예시적인 기판 지지부들을 도시한다.
도 3은 본 개시에 따른 리프트 링을 갖는 예시적인 기판 지지부들의 단면을 도시한다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시에 따라 상승된 위치 및 하강된 위치의 예시적인 리프트 링을 도시한다.
도 5는 본 개시에 따른 예시적인 제어기를 도시한다.
도 6은 본 개시에 따른 기판을 이송하도록 리프트 링의 높이를 조정하기 위한 예시적인 방법의 단계들을 도시한다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사한 엘리먼트 및/또는 동일한 엘리먼트를 식별하도록 재사용될 수도 있다.
관련 출원들의 교차 참조
본 출원은 2016년 2월 16일 출원된 미국 특허 가출원 번호 제 62/295,808 호의 이익을 주장한다. 상기 참조된 출원의 전체 개시들은 본 명세서에 참조로서 인용된다.
기판 프로세싱 시스템의 기판 지지부는 기판 지지부로 그리고 기판 지지부로부터 기판을 리프팅하기 위한 하나 이상의 리프트 핀들을 포함할 수도 있다. 리프트 핀들은 기판의 중앙 부분 또는 내부 부분 아래에 배열될 수도 있고, 기판과 접촉하고 기판 지지부로부터 기판을 리프팅하도록 상향으로 작동된다 (actuate).
기판 지지부는 리프트 핀들을 작동시키도록 전기기계적 및/또는 공압식 리프트 메커니즘을 구현할 수도 있다. 리프트 메커니즘은 상대적으로 비용이 많이 들고 부가적인 하드웨어, 유지보수, 및 기판 지지부 밑에서 서비스하는 설비들을 필요로 한다. 일부 예들에서, 리프트 핀들은 기판 하측으로의 아킹, 리프트 핀들의 각각의 캐비티들에서 중공 캐소드 방전, 등과 연관된다. 또한, 리프트 메커니즘은 기판 지지부 아래의 부가적인 공간을 점유하여, 기판 지지부의 베이스플레이트, 히팅 엘리먼트들, 등의 설계를 복잡하게 한다.
본 개시의 원리들에 따른 기판 (즉, 웨이퍼) 리프트 시스템들 및 방법들은 기판의 주변부를 적어도 부분적으로 둘러싸는 리프트 링을 구현한다. 리프트 링의 내측 에지는 기판을 지지하는 선반 (ledge) 또는 립 (lip) 을 포함한다. 리프트 링은 리프트 핀들에 의해 선택적으로 상승 및 하강된다. 예를 들어, 일부 기판 지지부들은 기판과 가스 분배 디바이스 간의 거리를 조정하기 위해 선택적으로 상승되고 하강되도록 구성된다. 본 기판 리프트 시스템들 및 방법들의 일부 예들에서, 기판 지지부를 하강시키는 것은 리프트 핀들의 하부 단부들로 하여금 고정된 위치에 있는 리프트 핀 정지부를 인게이지하게 한다. 따라서, 기판 지지부가 계속해서 하강됨에 따라, 리프트 핀들은 리프트 핀 정지부에 의해 고정된 위치에 유지되어, 리프트 링으로 하여금 기판 지지부로부터 기판을 리프팅하게 한다. 다른 예들에서, 리프트 핀 정지부는 리프트 핀들을 상승 및 하강시키도록 선택적으로 상승 및 하강될 수도 있다. 일 예에서, 리프트 핀 정지부는 접지된 도전성 재료로 형성될 수도 있다.
예들에서, 3 개의 리프트 핀들이 제공된다. 리프트 핀들은 리프트 링 아래에서 동일하게 이격될 수도 있다. 리프트 핀들은 유전체 재료로 구성되고 기판 지지부의 외측 주변부 둘레에 위치된 유전체 링 내에 배열된다. 리프트 링 (예를 들어, C-형상 링) 은 각각의 리프트 핀들에 대응하도록 구성된 3 개의 리세스들 (예를 들어, 슬롯팅된 리세스들) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 리세스들은 기판 지지부를 중심으로 리프트 링을 방사상으로 정렬하도록 리프트 핀들의 각각의 상부 단부들을 수용한다. 리프트 링의 내측 직경은 기판의 외측 직경보다 미미하게 작을 수도 있다. 따라서, 내측 에지 (예를 들어, 립 또는 선반) 는 기판의 외측 에지를 지지한다. 예를 들어, 리프트 링의 내측 에지는 기판의 외측 직경보다 미미하게 큰 외측 직경을 갖는 리세스를 포함할 수도 있다.
리프트 링은 연속적이지 않다 (즉, 리프트 링은 완전한, 깨지지 않은 원 또는 링이 아니다). 오히려, 리프트 링의 세그먼트 (예를 들어, 브리지로 지칭됨) 는 리프트 링이 기판 지지부로부터 상승될 때 개구부를 제공하도록 리프트 링으로부터 분리될 수도 있다. 따라서, 웨이퍼 이송 로봇의 엔드 이펙터는 기판 지지부로부터 기판의 배치 및 회수를 위해 개구부를 통해 리프트 링 내에 수용될 수 있다. 브리지는 기판 및 기판 지지부 (예를 들어, 정전 척 또는 ESC) 에 대해 고정되게 남아 있다.
리프트 핀들은 기판 아래 기판 지지부 내에 위치되지 않기 때문에, 리프트 핀들은 기판 지지부의 표면의 열적 균일도에 영향을 주지 않아, 열적 균일도를 제어하도록 사용된 모든 디바이스들의 복잡도를 감소시키고 단순화한다. 또한, 리프트 핀들은 기판의 하측으로의 아크 경로를 제공하지 않고, 리프트 핀들에 대응하는 캐비티들은 기판 아래에 위치되지 않고 따라서 기판 아래 중공 캐소드 방전이 용이하지 않게 한다.
이제 도 1을 참조하면, 본 개시에 따른 기판의 층 (단지 예를 들면, 텅스텐, 또는 W 층) 을 에칭하기 위한 기판 프로세싱 챔버 (100) 의 예가 도시된다. 특정한 기판 프로세싱 챔버가 도시되고 기술되지만, 본 명세서에 기술된 방법들은 다른 타입들의 기판 프로세싱 시스템들에 대해 구현될 수도 있다.
기판 프로세싱 챔버 (100) 는 하부 챔버 영역 (102) 및 상부 챔버 영역 (104) 을 포함한다. 하부 챔버 영역 (102) 은 챔버 측벽 표면들 (108), 챔버 하단 표면 (110) 및 가스 분배 디바이스 (114) 의 하부 표면에 의해 규정된다.
상부 챔버 영역 (104) 은 가스 분배 디바이스 (114) 의 상부 표면 및 돔 (118) 의 내측 표면에 의해 규정된다. 일부 예들에서, 돔 (118) 은 제 1 환형 지지부 (121) 상에 놓인다. 일부 예들에서, 이하에 더 기술될 바와 같이, 제 1 환형 지지부 (121) 는 상부 챔버 영역 (104) 으로 프로세스 가스를 전달하기 위해 하나 이상의 이격된 홀들 (123) 을 포함한다. 일부 예들에서, 프로세스 가스는 하나 이상의 이격된 홀들 (123) 에 의해 가스 분배 디바이스 (114) 를 포함하는 평면에 대해 예각으로 상향 방향으로 전달되지만, 다른 각도들/방향들이 사용될 수도 있다. 일부 예들에서, 제 1 환형 지지부 (121) 의 가스 플로우 채널 (134) 은 하나 이상의 이격된 홀들 (123) 로 가스를 공급한다.
제 1 환형 지지부 (121) 는, 가스 플로우 채널 (129) 로부터 하부 챔버 영역 (102) 으로 프로세스 가스를 전달하기 위해 하나 이상의 이격된 홀들 (127) 을 규정하는 제 2 환형 지지부 (125) 상에 놓일 (rest on) 수도 있다. 일부 예들에서, 가스 분배 디바이스 (114) 의 홀들 (131) 은 홀들 (127) 과 정렬한다. 다른 예들에서, 가스 분배 디바이스 (114) 는 보다 작은 직경을 갖고 홀들 (131) 이 필요하지 않다. 일부 예들에서, 프로세스 가스는 하나 이상의 이격된 홀들 (127) 에 의해 가스 분배 디바이스 (114) 를 포함하는 평면에 대해 예각으로 기판을 향해 하향 방향으로 전달되지만, 다른 각도들/방향들이 사용될 수도 있다.
다른 예들에서, 상부 챔버 영역 (104) 은 평탄한 상단 표면을 갖는 실린더형이고, 하나 이상의 편평한 유도 코일들이 사용될 수도 있다. 여전히 다른 예들에서, 샤워헤드와 기판 지지부 사이에 위치된 스페이서와 함께 단일 챔버가 사용될 수도 있다.
기판 지지부 (122) 는 하부 챔버 영역 (102) 내에 배열된다. 일부 예들에서, 기판 지지부 (122) 는 정전 척 (ESC) 을 포함하지만, 다른 타입들의 기판 지지부들이 사용될 수 있다. 기판 (126) 은 에칭 동안 기판 지지부 (122) 의 상부 표면 상에 배열된다. 일부 예들에서, 기판 (126) 의 온도는 히터 플레이트 (136), 유체 채널들을 갖는 선택가능한 냉각 플레이트 및 하나 이상의 센서들 (미도시) 에 의해 제어될 수도 있지만, 임의의 다른 적합한 기판 지지부 온도 제어 시스템이 사용될 수도 있다.
일부 예들에서, 가스 분배 디바이스 (114) 는 샤워헤드 (예를 들어, 복수의 이격된 홀들 (138) 을 가진 플레이트 (128)) 를 포함한다. 복수의 이격된 홀들 (138) 은 플레이트 (128) 의 상부 표면으로부터 플레이트 (128) 의 하부 표면으로 연장된다. 일부 예들에서, 이격된 홀들 (138) 은 0.4" 내지 0.75"까지 범위의 직경을 가지고 샤워헤드는 알루미늄과 같은 도전성 재료 또는 도전성 재료로 만들어진 임베딩된 전극 (embedded electrode) 을 가지는 세라믹과 같은 비-도전성 재료로 이루어진다.
하나 이상의 유도 코일들 (140) 은 돔 (118) 의 외측 부분 둘레에 배열된다. 에너자이징되면 (energized), 하나 이상의 유도 코일들 (140) 이 돔 (118) 내부에 전자기장을 생성한다. 일부 예들에서, 상부 코일 및 하부 코일이 사용된다. 가스 주입기 (142) 가 가스 전달 시스템 (150-1) 으로부터 하나 이상의 가스 혼합물을 주입한다.
일부 예들에서, 가스 전달 시스템 (150-1) 은, 하나 이상의 가스 소스들 (152), 하나 이상의 밸브들 (154), 하나 이상의 질량 유량 제어기들 (MFCs) (156) 및 혼합 매니폴드 (mixing manfold) (158) 를 포함하지만, 다른 유형의 가스 전달 시스템들이 사용될 수도 있다. 가스 스플리터 (미도시) 는 가스 혼합물의 플로우 레이트를 가변하도록 사용될 수도 있다. 또 다른 가스 전달 시스템 (150-2) 은 에칭 가스 또는 에칭 가스 혼합물 (가스 주입기 (142) 로부터 에칭 가스에 더하여 또는 대신하여) 을 가스 플로우 채널들 (129 및/또는 134) 에 공급하기 위해 사용될 수도 있다.
적합한 가스 전달 시스템들은 그 전체가 참조로서 본 명세서에 인용된 2015년 12월 4일에 출원된, 명칭이 "Gas Delivery System"인 공동으로 양도된 미국 특허 출원 제 14/945,680 호에 도시되고 기술된다. 적합한 단일 또는 듀얼 가스 주입기들과 다른 가스 주입 위치들은 그 전체가 참조로서 본 명세서에 인용된 2016년 1월 7일에 출원된 명칭이 "Substrate Processing System with Multiple Injection Points and Dual Injector"인 공동으로 양도된 미국 가특허 출원 제 62/275,837 호에 도시되고 기술된다.
일부 예들에서, 가스 주입기 (142) 는 가스를 하향 방향으로 지향시키는 중앙 주입 위치와 하향 방향에 대하여 비스듬히 가스를 주입하는 하나 이상의 측면 주입 위치들을 포함한다. 일부 예들에서, 가스 전달 시스템 (150-1) 은 가스 혼합물의 제 1 부분을 제 1 플로우 레이트로 중앙 주입 위치에 그리고 가스 혼합물의 제 2 부분을 제 2 플로우 레이트로 가스 주입기 (142) 의 측면 주입 위치(들)로 전달한다. 다른 예들에서, 상이한 가스 혼합물들이 가스 주입기 (142) 에 의해 전달된다. 일부 예들에서, 가스 전달 시스템 (150-1) 은 후술될 바와 같이 튜닝 가스 (tuning gas) 를 가스 플로우 채널들 (129 및 134) 및/또는 프로세싱 챔버의 다른 위치들로 전달한다.
플라즈마 생성기 (170) 는 하나 이상의 유도 코일들 (140) 로 출력되는 RF 전력을 생성하도록 사용될 수도 있다. 플라즈마 (190) 는 상부 챔버 영역 (104) 에서 생성된다. 일부 예들에서, 플라즈마 생성기 (170) 는 RF 생성기 (172) 와 매칭 네트워크 (174) 를 포함한다. 매칭 네트워크 (174) 는 RF 생성기 (172) 의 임피던스를 하나 이상의 유도 코일들 (140) 의 임피던스에 매칭시킨다. 일부 예들에서, 가스 분배 디바이스 (114) 는 접지와 같은 기준 전위에 연결된다. 밸브 (178) 와 펌프 (180) 는 하부 챔버 영역 (102) 및 상부 챔버 영역 (104) 의 내부의 압력을 제어하거나 반응물들을 배출시키도록 사용될 수도 있다.
제어기 (176) 는 프로세스 가스, 퍼지 가스, RF 플라즈마와 챔버 압력의 플로우을 제어하기 위해 가스 전달 시스템들 (150-1 및 150-2), 밸브 (178), 펌프 (180) 및/또는 플라즈마 생성기 (170) 와 통신한다. 일부 예들에서, 플라즈마는 하나 이상의 유도 코일들 (140) 에 의해 돔 (118) 의 내부에서 지속된다. 하나 이상의 가스 혼합물들은 가스 주입기 (142) (및/또는 홀들 (123)) 를 이용하여 챔버의 상단 부분으로부터 도입되고 플라즈마는 가스 분배 디바이스 (114) 를 이용하여 돔 (118) 의 내부로 한정된다.
돔 (118) 내에 플라즈마를 한정하는 것은 플라즈마 종의 체적 재결합 (volume recombination) 과 가스 분배 디바이스 (114) 를 통한 목표된 에천트 종 (echant species) 의 발산을 허용한다. 일부 예들에서 기판 (126) 에 인가된 RF 바이어스 전력이 없다. 그 결과 기판 상에 활성화된 시스 (sheath) 가 없고 이온들이 임의의 유한한 에너지를 가지고 기판 (126) 에 충돌하지 않는다. 일정 양의 이온들은 가스 분배 디바이스 (114) 를 통해 플라즈마 영역으로부터 확산될 것이다. 그러나, 확산되는 플라즈마의 양은 돔 (118) 내부에 위치한 플라즈마 보다 적은 자릿수이다. 플라즈마의 대부분의 이온들은 고압에서 체적 재결합함으로써 손실된다. 가스 분배 디바이스 (114) 의 상부 표면에서의 표면 재결합 손실은 또한 가스 분배 디바이스 (114) 아래의 이온 밀도를 낮춘다.
다른 예들에서, RF 바이어스 생성기 (184) 가 제공되고, RF 바이어스 생성기 (184) 는 RF 생성기 (186) 및 매칭 네트워크 (188) 를 포함한다. RF 바이어스는 가스 분배 디바이스 (114) 와 기판 지지부 사이에서 플라즈마를 생성하거나 이온들을 끌어당기기 위해 기판 (126) 상에 셀프-바이어스 (self-bias) 를 만들어 내는데 사용될 수 있다. 제어기 (176) 는 RF 바이어스 전력을 제어하도록 사용될 수도 있다.
기판 지지부 (122) 는 리프트 링 (192) 을 포함한다. 기판 지지부 (122) 는 지지 링 (194) 을 더 포함한다. 지지 링 (194) 내에 위치된 리프트 핀들 (196) 은 리프트 링 (192) 을 지지한다. 리프트 링 (192) 의 내측 에지는 기판 (126) 을 지지하고 유지한다. 본 개시의 원리에 따른 리프트 링 (192) 은 기판 지지부 (122) 에 대해 이동가능하다 (예를 들어, 수직 방향으로 상향 및 하향으로 이동가능하다). 예를 들어, 기판 지지부 (122) 가 하강될 때, 리프트 링 (192) 은 고정 위치에 유지되어, 이하에 보다 상세히 기술된 바와 같이 기술된 기판 (126) 으로 하여금 기판 지지부 (122) 로부터 상승 또는 리프팅되게 한다. 다른 예들에서, 리프트 핀들 (196) 은 리프트 링 (192) 및 기판 (126) 을 리프팅하기 위해 상승된다.
이제 도 2a 내지 도 2e를 참조하면, 본 개시의 원리들에 따라 예시적인 기판 지지부 (200) 상에 배치된 기판 (204) 을 갖는 기판 지지부 (200) 가 도시된다. 기판 지지부 (200) 는 내측 부분 (예를 들어, ESC에 대응함) (208) 을 갖는 베이스 또는 페데스탈 및 외측 지지 링 (212) 을 포함할 수도 있다. 도 2a에서, 기판 지지부 (200) 는 완전히 하강된 위치에 있는 리프트 링 (216) 을 갖는 것으로 도시된다. 도 2b 및 도 2c에서, 기판 지지부 (200) 는 상승된 위치에 있는 리프트 링 (216) 을 갖는 것으로 도시된다. 예를 들어, 도 2b에서, 리프트 핀들 (224) 은 리프트 링 (216) 으로 하여금 기판 지지부 (200) 로부터 분리되게 하도록 고정되게 남아 있는 동안 내측 부분 (208) 및 외측 링 (212) 을 포함하는 기판 지지부 (200) 가 (예를 들어, 기판 프로세싱 챔버의 하단 표면 (220) 에 대해) 하강된다. 반대로, 도 2c에서, 기판 지지부 (200) 가 고정되게 남아 있는 동안 리프트 링 (216) 을 상승된 위치로 리프팅하고 인게이지하도록 리프트 핀들 (224) 은 (예를 들어, 하단 표면 (220) 에 대해) 상향으로 작동된다. 따라서, 다양한 예들에서, 기판 (204) 을 이송 위치로 상승시키기 위해 리프트 링 (216) 이 기판 지지부 (200) 에 대해 상승될 수 있도록 그리고/또는 리프트 링 (216) 및 기판 (204) 으로 하여금 이송 위치로 상승되게 하기 위해 기판 지지부 (200) 가 하강될 수 있도록 기판 지지부 (200) 가 구성될 수도 있다.
도 2d 및 도 2e는 리프트 링 (216) 및 기판 (204) 을 보다 상세히 (각각 클로즈-업도 및 평면도로) 도시한다. 리프트 링 (216) 의 내측 에지 (228) 는 기판 (204) 의 외측 에지 (232) 를 지지하는 선반 또는 립에 대응한다. 예를 들어, 리프트 링 (216) 은 기판 (204) 의 외측 에지 (232) 를 수용하는 리세스 (236) 를 포함한다. 예를 들어, 리프트 링 (216) 의 내측 에지 (228) 의 내측 직경은 기판 (204) 의 외측 에지 (232) 의 외측 직경보다 작다. 반대로, 리세스 (236) 의 외측 직경은 기판 (204) 의 외측 에지 (232) 의 외측 직경보다 크다. 도 2d에 도시된 바와 같이, 리프트 링 (216) 의 하단 표면은 각각의 리프트 핀들 (224) 을 수용하도록 구성된 각각의 리세스들 (240) 을 포함한다. 따라서, 리세스들 (240) 은 리프트 핀들 (224) 을 캡처하고 유지하고, 리프트 핀들 (224) 은 대응하여 리프트 링 (216) 의 방사상 정렬을 유지한다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 리프트 링 (216) 은 브리지 (244) 를 포함한다. 브리지 (244) 는 리프트 링 (216) 으로부터 분리되어 기판 지지부 (200) 및 리프트 링 (216) 에 대해 고정된 위치에 유지된다. 따라서, 리프트 링 (216) 이 기판 지지부 (200) 에 대해 상승되는 예들에서, 브리지 (244) 는 상승되지 않아 리프트 링 (216) 으로부터 분리된다. 반대로, 기판 지지부 (200) 가 리프트 링 (216) 에 대해 하강되는 예들에서, 브리지 (244) 는 또한 하강되어 리프트 링 (216) 으로부터 분리된다. 브리지 (244) 및 리프트 링 (216) 이 분리될 때, 개구부 (248) 가 리프트 링 (216) 내에 형성된다. 예를 들어, 리프트 링 (216) 은 "C"-형상일 수도 있고 브리지는 "C"의 개구부 (248) 와 정렬된다. 개구부 (248) 는 리프트 링 (216) 으로부터 기판 (204) 을 캡처하고 이송하도록 리프트 링 (216) 으로 하여금 웨이퍼 이송 로봇의 엔드 이펙터를 수용하게 한다.
브리지 (244) 는 조인트들 (252) 에서 리프트 링 (216) 에 인접하다. 예를 들어, 조인트들 (252) 은 랩 조인트들 (예를 들어, 브리지 (244) 의 각각의 단부들을 오버랩하는 리프트 링 (216) 의 단부들) 에 대응한다. 조인트들 (252) 은 조인트들 (252) 에서 기생 플라즈마 점화를 방지하도록 리프트 링 (216) 및 브리지 (244) 의 각각의 단부들 사이의 공간에서의 자유 공간을 최소화하도록 구성될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 조인트들 (252) 은 방사상 절단부들에 대응한다 (즉, 조인트들 (252) 은 리프트 링 (216) 에 의해 형성된 원에 직교하는 라인들에 대응한다). 따라서, 조인트들 (252) 은 브리지 (244) 및 리프트 링 (216) 의 각각의 에지들과 직각을 형성한다. 다른 예들에서, 조인트들 (252) 은 상이한 각도들로 형성될 수도 있다.
도 3은 또 다른 예시적인 기판 지지부 (300) 의 단면을 도시한다. 기판 지지부 (300) 는 리프트 핀들 (308) 을 지지하는 외측 링 (304) 을 포함한다. 리프트 핀들 (308) 은 리프트 링 (312) 을 지지한다. 리프트 링 (312) 은 상승된 위치로 도시된다 (예를 들어, 상승된 위치로 작동되는 리프트 핀들 (308) 및/또는 하강된 위치로 작동되는 기판 지지부 (300) 에 대응).
리프트 링 (312) 은 리프트 링 (312) 으로부터 분리되는 브리지 (316) 를 포함한다. 리프트 링 (312) 이 상승될 때 그리고/또는 기판 지지부 (300) 가 하강될 때 브리지 (316) 가 리프트 링 (312) 으로부터 분리되도록 브리지 (316) 는 고정된 위치에 유지된다. (즉, 리프트 링 (312) 의 높이를 이송 높이로 조정함으로써) 브리지 (316) 를 리프트 링 (312) 으로부터 분리하는 것은 리프트 링 (312) 내에 개구부 (320) 를 형성한다. 개구부 (320) 는 리프트 링 (312) 으로 하여금 리프트 링 (312) 으로 그리고 리프트 링 (312) 으로부터 기판의 이송을 위해 엔드 이펙터 (324) 를 수용하게 한다. 리프트 링 (312) 의 단부들 (328) 은 브리지 (316) 와 랩 조인트들을 형성하도록 구성된다. 단지 예를 들면, 이송 높이는 리프트 링 (312) 으로 그리고 리프트 링 (312) 으로부터 기판들을 이송하도록 구성된 로봇의 엔드 이펙터의 두께에 대응할 수도 있다. 즉, 이송 높이는 기판의 하단 표면과 브리지 (316) 의 상부 표면 간의 거리 d가 엔드 이펙터로 하여금 기판과 브리지 (316) 사이에 삽입되게 하도록 적어도 엔드 이펙터의 두께보다 큰 높이에 대응한다.
도 4a 및 도 4b는 기판 지지부 (400) 를 위한 리프트 메커니즘의 예시적인 구현예들을 도시한다. 도 4a에서, 제어기 (404) 는 기판 지지부 (400) 를 선택적으로 상승 및 하강시키도록 모터 또는 액추에이터 (408) 를 제어한다. 단지 예를 들면, 모터 (408) 는 기판 지지부 (400) 를 선택적으로 상승 및 하강시키도록 드라이브 샤프트 또는 스크루 (412) 를 회전시킨다. 기판 지지부 (400) 가 하강됨에 따라, 리프트 핀들 (416) 은 리프트 핀 정지부들 (420) 를 인게이지하여, 리프트 링 (424) 및 기판 (428) 으로 하여금 고정되게 남아 있게 한다. 따라서, 리프트 링 (424) 은 기판 지지부 (400) 에 대해 상승된다.
반대로, 도 4b에서, 기판 지지부 (400) 가 고정되게 남아 있는 동안 제어기 (404) 는 리프트 핀들 (416) 을 선택적으로 상승 및 하강시키도록 모터들 (408) 을 제어한다. 따라서, 리프트 링 (424) 이 기판 지지부 (400) 에 대해 상승된다.
이제 도 5를 참조하면, 예시적인 제어기 (500) (예를 들어, 제어기 (404) 에 대응) 는 기판 지지부에 대해 리프트 링의 높이를 선택적으로 제어하도록 구성된 리프트 링 높이 제어 모듈 (504) 을 포함한다. 리프트 링 높이 제어 모듈 (504) 은 이로 제한되는 것은 아니지만, 기판이 프로세싱 챔버로 이송되거나 프로세싱 챔버로부터 회수되는 것을 나타내는 입력을 포함하는, 하나 이상의 입력들 (508) 을 수신한다. 예를 들어, 입력들 (508) 은 기판에 대한 프로세싱이 완료되었다는 표지, 사용자가 기판의 이송 또는 회수를 (예를 들어, 외부 인터페이스를 통해) 수동으로 요청하였다는 표지, 등을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 입력들 (508) 은 로봇이 기판을 이송 또는 회수하도록 위치되는 것을 나타내는 로봇 또는 로봇 제어기로부터 송신된 신호를 포함할 수도 있다.
리프트 링 높이 제어 모듈 (504) 은 입력들 (508) 에 응답하여 리프트 링의 높이를 제어한다. 예를 들어, 리프트 링 높이 제어 모듈 (504) 은 모터 제어 모듈 (512) 과 통신한다. 모터 제어 모듈 (512) 은 각각의 모터들 (예를 들어, 도 4a에 도시된 모터 (408), 도 4b에 도시된 모터들 (408), 등) 을 제어하도록 리프트 링 높이 제어 모듈 (504) 에 응답하여 하나 이상의 제어 신호들을 출력한다.
일부 예들에서, 제어기 (500) 는 리프트 링의 높이의 제어와 연관된 데이터를 저장하는 메모리 (516) 를 포함한다. 저장된 데이터는 리프트 링 높이 제어 모듈 (504) 에 의해 검색되고 그리고/또는 실행되는 프로그램, 알고리즘, 모델, 등을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 데이터는 수신된 입력들 (508) 에 의해 나타내진 다양한 조건들에 기초하여 리프트 링을 제어하는 것과 연관된 제어 파라미터들을 포함할 수도 있다.
이제 도 6을 참조하면, 본 개시에 따라 기판을 이송하기 위해 리프트 링의 높이를 조정하기 위한 예시적인 방법 (600) 이 604에서 시작된다. 608에서, 기판 지지부에 대한 리프트 링의 높이는 (예를 들어, 제어기 (500) 를 사용하여) 이송 높이로 조정된다. 예를 들어, 도 1 내지 도 5에서 상기 기술된 바와 같이 리프트 링이 상승되거나 기판 지지부의 내측 부분이 하강된다. 단지 예를 들면, 이송 높이는 리프트 링으로 그리고 리프트 링으로부터 기판들을 이송하도록 구성된 로봇의 엔드 이펙터의 두께에 대응할 수도 있다. 즉, 이송 높이는, 기판과 브리지 사이에 엔드 이펙터가 삽입되게 하도록 기판의 하단 표면과 브리지의 상부 표면 사이의 거리가 적어도 엔드 이펙터의 두께보다 큰 높이에 대응한다. 일 예에서, 메모리 (516) 는 각각의 이송 높이들과 하나 이상의 이송 로봇들을 상관시키는 다른 데이터 또는 룩업 테이블을 저장할 수도 있다. 즉, 제어기 (500) 는 이송 로봇의 치수들 (예를 들어, 로봇의 엔드 이펙터의 두께) 에 기초하여 충분한 이송 높이로 리프트 링을 조정하도록 구성될 수도 있다.
612에서, 기판은 리프트 링 상에 배치된다. 616에서, 리프트 링의 높이는 프로세싱 높이로 조정된다 (즉, 기판은 리프트 링을 하강시킴으로써 또는 기판 지지부의 내측 부분을 상승시킴으로써 기판 지지부 상에 배치된다). 620에서, 하나 이상의 프로세싱 단계들이 기판 상에서 수행된다. 624에서, 방법 (600) (예를 들어, 제어기 (500)) 은 기판을 회수할지 여부를 결정한다. 예를 들어, 제어기 (500) 는 프로세싱이 완료되었고, 로봇이 기판을 회수하기 위해 제자리에 위치되었다고 결정할 수도 있다. 참이라면, 방법 (600) 은 628로 계속된다. 거짓이라면, 방법 (600) 은 620으로 계속된다.
628에서, 리프트 링의 높이는 이송 높이로 조정된다. 632에서, 기판은 리프트 링으로부터 회수된다. 방법 (600) 은 636에서 종료된다.
전술한 기술은 본질적으로 단순히 예시적이고 어떠한 방법으로도 개시, 이들의 애플리케이션 또는 용도들을 제한하도록 의도되지 않는다. 개시의 광범위한 교시가 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시는 특정한 예들을 포함하지만, 다른 수정 사항들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들을 연구함으로써 명백해질 것이기 때문에, 본 개시의 진정한 범위는 이렇게 제한되지 않아야 한다. 방법 내의 하나 이상의 단계들이 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기에 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시예에 대하여 기술된 임의의 하나 이상의 이들 피처들은, 조합이 명시적으로 기술되지 않아도, 임의의 다른 실시예들의 피처들로 및/또는 임의의 다른 실시예들의 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시예들의 또 다른 실시예들과의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.
엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 및 기능적 관계들은, "연결된 (connected)", "인게이지된 (engaged)", "커플링된 (coupled)", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "~의 상단에 (on top of)", "위에 (above)", "아래에 (below)", 및 "배치된 (disposed)"을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. "직접적 (direct)"인 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트가 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에서 논의된 바와 같이, 구 A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C"를 의미하도록 해석되지 않아야 한다.
일부 구현예들에서, 제어기는 상술한 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부일 수 있다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치에 통합될 수도 있다. 전자장치들은 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부품들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴들 및 다른 전환 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 전환들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그램될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드포인트 측정들을 인에이블하는 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSP), ASIC (application specific integrated circuit) 으로서 규정되는 칩들 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 산화물들, 실리콘, 이산화 실리콘, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기는, 일부 구현예들에서, 시스템에 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하고, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해서 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안에 수행될 프로세스 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정한, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 이 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성된 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상술한 바와 같이, 제어기는 예를 들어 서로 네트워킹되어서 함께 공통 목적을 위해서, 예를 들어 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들을 위해서 협력하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는, (예를 들어, 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 수 있다.
비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (physical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (chemical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, ALD (atomic layer deposition) 챔버 또는 모듈, ALE (atomic layer etch) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 전환 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.
전술한 기술은 본질적으로 단순히 예시적이고 어떠한 방법으로도 개시, 이들의 애플리케이션 또는 용도들을 제한하도록 의도되지 않는다. 개시의 광범위한 교시가 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시는 특정한 예들을 포함하지만, 다른 수정 사항들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들을 연구함으로써 명백해질 것이기 때문에, 본 개시의 진정한 범위는 이렇게 제한되지 않아야 한다. 방법 내의 하나 이상의 단계들이 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기에 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시예에 대하여 기술된 임의의 하나 이상의 이들 피처들은, 조합이 명시적으로 기술되지 않아도, 임의의 다른 실시예들의 피처들로 및/또는 임의의 다른 실시예들의 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시예들의 또 다른 실시예들과의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.
엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 및 기능적 관계들은, "연결된 (connected)", "인게이지된 (engaged)", "커플링된 (coupled)", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "~의 상단에 (on top of)", "위에 (above)", "아래에 (below)", 및 "배치된 (disposed)"을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. "직접적 (direct)"인 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트가 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에서 논의된 바와 같이, 구 A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C"를 의미하도록 해석되지 않아야 한다.
이하의 정의들을 포함하는 본 출원에서, 용어 "모듈" 또는 용어 "제어기"는 용어 "회로"로 대체될 수도 있다. 용어 "모듈"은 ASIC (Application Specific Integrated Circuit); 디지털, 아날로그, 또는 혼합된 아날로그/디지털 개별 회로; 디지털, 아날로그, 또는 혼합된 아날로그/디지털 집적 회로; 조합형 논리 회로; FPGA (field programmable gate array); 코드를 실행하는 (공유된, 전용, 또는 그룹) 프로세서 회로; 프로세서 회로에 의해 실행된 코드를 저장하는 (공유된, 전용, 또는 그룹) 메모리 회로; 기술된 기능을 제공하는 다른 적합한 하드웨어 컴포넌트들; 또는 시스템-온-칩과 같은, 상기한 것들의 일부 또는 전부의 조합을 지칭하고, 이의 일부일 수도 있고, 또는 이를 포함할 수도 있다.
모듈은 하나 이상의 인터페이스 회로들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 인터페이스 회로들은 LAN (local area network), 인터넷, WAN (wide area network), 또는 이들의 조합들에 접속된 유선 인터페이스 또는 무선 인터페이스를 포함할 수도 있다. 본 개시의 임의의 주어진 모듈의 기능은 인터페이스 회로들을 통해 접속된 복수의 모듈들 중에 분배될 수도 있다. 예를 들어, 복수의 모듈들은 로드 밸런싱을 허용할 수도 있다. 추가의 예에서, 서버 (또한 원격 또는 클라우드로 공지됨) 모듈은 클라이언트 모듈을 대신하여, 일부 기능을 달성할 수도 있다.
상기에 사용된 바와 같이, 용어 코드는 소프트웨어, 펌웨어, 및/또는 마이크로코드를 포함할 수도 있고, 프로그램들, 루틴들, 함수들, 클래스들, 데이터 구조체들, 및/또는 객체들을 지칭할 수도 있다. 용어 공유된 프로세서 회로는 복수의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 실행하는 단일 프로세서 회로를 포괄한다. 용어 그룹 프로세서 회로는 추가적인 프로세서 회로들과 조합하여, 하나 이상의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 실행하는 프로세서 회로를 포괄한다. 복수의 프로세서 회로들에 대한 참조들은 개별 다이 상의 복수의 프로세서 회로들, 단일 다이 상의 복수의 프로세서 회로들, 단일 프로세서 회로의 복수의 코어들, 단일 프로세서 회로의 복수의 쓰레드들, 또는 상기한 것들의 조합을 포괄한다. 용어 공유된 메모리 회로는 복수의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 저장하는 단일 메모리 회로를 포괄한다. 용어 그룹 메모리 회로는 추가적인 메모리들과 조합하여, 하나 이상의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 저장하는 메모리 회로를 포괄한다.
용어 메모리는 용어 컴퓨터 판독가능 매체의 서브세트이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 컴퓨터 판독가능 매체는 매체를 통해 (예를 들어, 반송파 상에서) 전파되는 일시적인 전자 신호 및 전자기 신호는 포괄하지 않는다; 따라서 용어 컴퓨터 판독가능 매체는 유형이고 비일시적인 것으로 간주될 수도 있다. 비일시적인, 유형의 컴퓨터 판독가능 매체의 비제한적인 예들은 (플래시 메모리 회로, EPROM 회로 (erasable programmable read-only memory circuit) 또는 마스크 판독 전용 메모리 회로와 같은) 비휘발성 메모리 회로들, (SRAM (static random access memory) 회로 또는 DRAM (dynamic random access memory) 회로와 같은) 휘발성 메모리, (아날로그 또는 디지털 자기 테이프 또는 하드 디스크 드라이브와 같은) 자기 저장 매체 및 (CD, DVD, 또는 Blu-ray Disc와 같은) 광학 저장장치이다.
본 출원서에 기술된 장치들 및 방법들은 컴퓨터 프로그램들로 구현된 하나 이상의 특정한 기능들을 실행하도록 범용 컴퓨터를 구성함으로써 생성된 특수 목적 컴퓨터에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 구현될 수도 있다. 상기 기술된 기능 블록들, 플로우차트 컴포넌트들, 및 다른 엘리먼트들은 숙련된 기술자 또는 프로그래머의 일상적인 작업에 의해 컴퓨터 프로그램들로 변환될 수 있는 소프트웨어 명세들로서 역할을 한다.
컴퓨터 프로그램들은 적어도 하나의 비일시적인, 유형의 컴퓨터-판독가능 매체에 저장된 프로세서 실행가능 인스트럭션들을 포함한다. 컴퓨터 프로그램들은 또한 저장된 데이터를 포함할 수도 있거나 저장된 데이터에 의존할 수도 있다. 컴퓨터 프로그램들은 특수 목적 컴퓨터의 하드웨어와 상호작용하는 BIOS (basic input/output system), 특수 목적 컴퓨터의 특정한 디바이스들과 상호작용하는 디바이스 드라이버들, 하나 이상의 OS들 (operating systems), 사용자 애플리케이션들, 백그라운드 서비스들, 백그라운트 애플리케이션들, 등을 포괄한다.
컴퓨터 프로그램들은: (i) HTML (hypertext markup language) 또는 XML (extensible markup language) 과 같은 파싱될 기술형 텍스트; (ii) 어셈블리 코드; (iii) 컴파일러에 의해 소스 코드로부터 생성된 객체 코드; (iv) 인터프리터에 의해 실행하기 위한 소스 코드; (v) JIT 컴파일러 (just-in-time compiler) 에 의한 컴파일 및 실행을 위한 소스 코드, 등을 포함할 수도 있다. 단지 예로서, 소스 코드는 C, C++, C#, Objective-C, Haskell, Go, SQL, Lisp, Java®, Fortran, Perl, Pascal, Curl, OCaml, Javascript®, HTML5, Ada, ASP (active server pages), PHP, Scala, Eiffel, Smalltalk, Erlang, Ruby, Flash®, Visual Basic®, Lua, 또는 Python®을 포함하는 언어들로부터의 신택스를 사용하여 작성될 수도 있다.
청구항들에 언급된 어떠한 엘리먼트도, 엘리먼트가 "을 위한 수단"이라는 구 또는 방법 청구항의 경우에, "을 위한 동작" 또는 "을 위한 단계"라는 구를 사용하여 명시적으로 언급되지 않는 한, 35 U.S.C. §112(f)의 의미 내에서 기능식 (means-plus-function) 엘리먼트로서 의도되지 않는다.

Claims (18)

  1. 기판 지지부에 있어서,
    기판을 지지하도록 배열된 내측 부분;
    상기 내측 부분을 둘러싸고 상기 기판의 외측 에지를 지지하도록 배열된 리프트 링; 및
    상기 기판 지지부의 (i) 상기 리프트 링 및 (ii) 상기 내측 부분 중 적어도 하나를 선택적으로 상승시키고 하강시킴으로써 상기 내측 부분에 대해 상기 리프트 링의 높이를 조정하기 위해 액추에이터를 제어하도록 구성된 제어기를 포함하고,
    상기 리프트 링의 상기 높이를 조정하기 위해, 상기 제어기는 선택적으로,
    상기 리프트 링으로의 상기 기판의 이송 및 상기 리프트 링으로부터 상기 기판의 회수를 위한 이송 높이로 상기 리프트 링의 상기 높이를 조정하고, 그리고
    상기 기판의 프로세싱을 위한 상기 이송 높이보다 낮은 프로세싱 높이로 상기 리프트 링의 상기 높이를 조정하는, 기판 지지부.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 내측 부분을 둘러싸는 외측 링을 포함하고, 상기 외측 링은 상기 리프트 링의 하단 표면을 인게이지하도록 구성된 적어도 하나의 리프트 핀을 하우징하는, 기판 지지부.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 링의 내측 에지는 상기 기판을 지지하도록 구성된 립 (lip) 을 포함하는, 기판 지지부.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 링의 내측 에지는 상기 기판을 수용하도록 구성된 리세스를 포함하는, 기판 지지부.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 링의 하단 표면은 상기 기판 지지부 내에 하우징된 리프트 핀을 수용하도록 구성된 적어도 하나의 리세스를 포함하는, 기판 지지부.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 링은 C-형상 부분 및 브리지 부분을 포함하는, 기판 지지부.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 C-형상 부분은 상기 내측 부분에 대해 이동가능하고, 그리고 상기 브리지 부분은 상기 내측 부분에 대해 고정되는, 기판 지지부.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 C-형상 부분은 상기 브리지 부분이 상기 C-형상 부분으로부터 분리될 때 개구부를 포함하는, 기판 지지부.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 C-형상 부분과 상기 브리지 부분 사이의 조인트들은 상기 C-형상 부분 및 상기 브리지 부분의 각각의 내측 에지 및 외측 에지와 직각을 형성하는, 기판 지지부.
  10. 기판 지지부를 동작시키는 방법에 있어서,
    상기 방법은,
    리프트 링을 제공하는 단계로서, 상기 리프트 링은 상기 기판의 내측 부분을 둘러싸고 상기 기판의 외측 에지를 지지하도록 배열되는, 상기 리프트 링을 제공하는 단계; 및
    (i) 상기 리프트 링 및 (ii) 상기 기판 지지부의 상기 내측 부분 중 적어도 하나를 선택적으로 상승시키고 그리고 하강시킴으로써 상기 내측 부분에 대해 상기 리프트 링의 높이를 조정하도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하고,
    상기 리프트 링의 상기 높이를 조정하는 단계는, 선택적으로
    상기 리프트 링으로의 상기 기판의 이송 및 상기 리프트 링으로부터 상기 기판의 회수를 위한 이송 높이로 상기 리프트 링의 상기 높이를 조정하는 단계, 및
    상기 기판의 프로세싱을 위한 상기 이송 높이보다 낮은 프로세싱 높이로 상기 리프트 링의 상기 높이를 조정하는 단계를 포함하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 내측 부분을 둘러싸는 외측 링을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 외측 링은 상기 리프트 링의 하단 표면을 인게이지하도록 구성된 적어도 하나의 리프트 핀을 하우징하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 리프트 링의 내측 에지는 상기 기판을 지지하도록 구성된 립을 포함하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 리프트 링의 내측 에지는 상기 기판을 수용하도록 구성된 리세스를 포함하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 리프트 링의 하단 표면은 상기 기판 지지부 내에 하우징된 리프트 핀을 수용하도록 구성된 적어도 하나의 리세스를 포함하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 리프트 링은 C-형상 부분 및 브리지 부분을 포함하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 C-형상 부분은 상기 내측 부분에 대해 이동가능하고, 그리고 상기 브리지 부분은 상기 내측 부분에 대해 고정되는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 C-형상 부분은 상기 브리지 부분이 상기 C-형상 부분으로부터 분리될 때 개구부를 포함하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 C-형상 부분과 상기 브리지 부분 사이의 조인트들은 상기 C-형상 부분 및 상기 브리지 부분의 각각의 내측 에지 및 외측 에지와 직각을 형성하는, 기판 지지부를 동작시키는 방법.
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