KR20170100452A - 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

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KR20170100452A
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조성미
김정범
홍성길
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Abstract

본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{HETERO-CYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 2016년 2월 25일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2016-0022653 호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
미국 특허 출원 공개 제2004-0251816호
본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
Ar1은 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기; 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 또는 치환 또는 비치환된 3환이상의 헤테로아릴기이고,
r1 및 r2는 각각 1 내지 4의 정수이며,
r3는 1 내지 4의 정수이고,
r4는 1 또는 2 이며,
r5는 1 내지 3의 정수이고,
r1 내지 r5가 각각 복수개인 경우, 복수의 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 사용함으로써 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(10)를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(11)를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 제공한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 카르보닐기; 에스테르기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서,
Figure pat00002
는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00003
본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00004
본 명세서에서 카르보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00005
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00006
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기; 디메틸아민기; 에틸아민기; 디에틸아민기; 페닐아민기; 나프틸아민기; 바이페닐아민기; 안트라세닐아민기; 9-메틸-안트라세닐아민기; 디페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; 디톨릴아민기; N-페닐톨릴아민기; 트리페닐아민기; N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴아민기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기, N-아릴알킬아민기, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert－부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메실, 에틸술폭시기, 프로필술폭시기, 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페날레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
,
Figure pat00011
및
Figure pat00012
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, N-아릴알킬아민기, N-아릴헤테로아릴아민기 및 아릴포스핀기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 4-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2－메틸페닐티옥시기, 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 아릴술폭시기로는 벤젠술폭시기, p－톨루엔술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 바이피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 전술한 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기 및 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기의 예시는 전술한 헤테로아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2]
Figure pat00013
[화학식 3]
Figure pat00014
[화학식 4]
Figure pat00015
[화학식 5]
Figure pat00016
상기 화학식 2 내지 5에 있어서,
R1 내지 R5, r1 내지 r5, L1 및 Ar1의 정의는 상기 화학식 1과 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6으로 표시된다.
[화학식 6]
Figure pat00017
상기 화학식 6에 있어서,
L1 및 Ar1의 정의는 상기 화학식 1과 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 7 내지 10 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 7]
Figure pat00018
[화학식 8]
Figure pat00019
[화학식 9]
Figure pat00020
[화학식 10]
Figure pat00021
상기 화학식 7 내지 10에 있어서,
L1 및 Ar1의 정의는 상기 화학식 1과 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기; 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 나프틸렌기; 터페닐렌기; 쿼터페닐렌기; 안트라세닐렌기; 플루오레닐렌기; 페난트레닐렌기; 파이레닐렌기; 트리페닐레닐렌기; 또는 카바졸릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 하기 구조 중 어느 하나일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00022
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 페닐렌기; 안트라세닐렌기; 또는 카바졸릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기; 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 치환 또는 비치환된 벤즈옥사졸릴기; 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기; 치환 또는 비치환된 벤조티아졸릴기; 및 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐기; 치환 또는 비치환된 크라이세닐기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기; 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 파이레닐기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기; 치환 또는 비치환된 페릴레닐기; 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기; 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐기; 치환 또는 비치환된 페난쓰롤리닐기; 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 벤조나프토퓨라닐; 치환 또는 비치환된 벤조나프토티오펜기; 치환 또는 비치환된 디메틸포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 디페닐포스핀옥사이드; 치환 또는 비치환된 디나프틸포스핀옥사이드; 치환 또는 비치환된 벤즈옥사졸릴기; 치환 또는 비치환된 벤조티아졸릴기; 치환 또는 비치환된 트리페닐실릴기; 치환 또는 비치환된 페노티아지닐기; 치환 또는 비치환된 페녹사지닐기; 치환 또는 비치환된 티오펜기; 치환 또는 비치환된 벤조카바졸릴기; 치환 또는 비치환된 디벤조카바졸릴기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 치환 또는 비치환된
Figure pat00023
; 치환 또는 비치환된
Figure pat00024
; 및 하기 화학식 a로 표시되는 구조로 이루어진 군으로부터 선택되며,
----는 상기 L1을 통하여 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
[화학식 a]
Figure pat00025
상기 화학식 a에 있어서,
X1 내지 X12 중 어느 하나는 상기 L1을 통하여 화학식 1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 a에 있어서, X1 내지 X12 중 어느 하나는 상기 L1을 통하여 화학식 1에 결합되는 부위이며, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 a에 있어서, X11 및 X12는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 a에 있어서, X11 및 X12는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 10의 단환 또는 다환의 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 a에 있어서, X11 및 X12는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 벤젠고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 a에 있어서, X11 및 X12는 서로 연결되어 벤젠고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 페닐기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 나프틸기; 터페닐기; 플루오레닐기; 안트라세닐기; 크라이세닐기; 쿼터페닐기; 스피로비플루오레닐기; 파이레닐기; 트리페닐레닐기; 페릴레닐기; 퀴놀리닐기; 퀴나졸리닐기; 벤조퀴놀리닐기; 페난쓰롤리닐기; 퀴녹살리닐기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오펜기; 벤조나프토퓨라닐; 벤조나프토티오펜기; 디메틸포스핀옥사이드기; 디페닐포스핀옥사이드; 디나프틸포스핀옥사이드; 벤즈옥사졸릴기; 벤조티아졸릴기; 트리페닐실릴기; 페노티아지닐기; 페녹사지닐기; 티오펜기; 벤조카바졸릴기; 디벤조카바졸릴기; 카바졸릴기;
Figure pat00026
;
Figure pat00027
;
Figure pat00028
;
Figure pat00029
;
Figure pat00030
;
Figure pat00031
;
Figure pat00032
;
Figure pat00033
;
Figure pat00034
;
Figure pat00035
;
Figure pat00036
;
Figure pat00037
;
Figure pat00038
; 및
Figure pat00039
로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 Ar1은 중수소; 플루오린기; 니트릴기; 메틸기; t-뷰틸기; 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 플루오레닐기; 페난트레닐기; 카바졸릴기; 벤조카바졸릴기; 피리딜기; 트리아지닐기; 트리페닐레닐기; 피리미딜기; 퀴놀리닐기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오펜기; 벤즈이미다졸릴기; 벤조티아졸릴기; 벤즈옥사졸릴기; 티오펜기; 디메틸포스핀옥사이드기; 디페닐포스핀옥사이드기; 디나프틸포스핀옥사이드기; 트리메틸실릴기; 트리페닐실릴기; 및
Figure pat00040
로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로 치환 또는 비치환될 수 있다.
상기 ----는 상기 L1을 통하여 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 하기 구조식 [A-1] 내지 [A-4] 중 어느 하나로 표시된다.
[A-1]
Figure pat00041
[A-2]
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
[A-3]
Figure pat00045
[A-4]
Figure pat00046
Figure pat00047
상기 구조식에서 ---는 상기 L1을 통하여 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 아릴기로 치환된 포스핀옥사이드기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 퀴놀릴기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 아릴기로 치환된 포스핀옥사이드기; 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 터페닐기; 알킬기로 치환된 플루오레닐기; 트리페닐레닐기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오펜기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸릴기; 퀴놀릴기; 벤조카바졸릴기; 또는 아릴기 치환된 헤테로 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 페닐기로 치환된 포스핀옥사이드기; 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 터페닐기; 메틸기로 치환된 플루오레닐기; 트리페닐레닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리딜기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리미딜기; 페닐기 또는 바이페닐기로 치환 또는 비치환된 트리아지닐기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오펜기; 페닐기, 바이페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸릴기; 퀴놀릴기; 벤조카바졸릴기;또는 페닐기로 치환된 트리아지닐기, 페닐기로 치환된 피리미딜기, 페닐기로 치환된 피리딜기, 또는 페닐기로 치환된 퀴나졸리닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 페닐기로 치환된 포스핀옥사이드기; 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 메틸기로 치환된 플루오레닐기; 트리페닐레닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리딜기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리미딜기; 페닐기 또는 바이페닐기로 치환 또는 비치환된 트리아지닐기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오펜기; 페닐기, 바이페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸릴기; 퀴놀릴기; 벤조카바졸릴기; 또는 페닐기로 치환된 트리아지닐기, 페닐기로 치환된 피리미딜기, 또는 페닐기로 치환된 피리딜기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물의 코어 구조는 하기 일반식 1에 의하여 제조될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[일반식 1]
Figure pat00053
상기 일반식 1에 있어서, L1 및 Ar1의 정의는 상기 화학식 1과 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 발광층, 정공 차단층, 전자수송층, 전자전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적거나 많은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 발광층(40) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(10)의 구조가 예시 되어 있다. 상기 도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
도 2에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 정공주입층(60), 정공수송층(70), 발광층(40), 전자수송층(80), 전자주입층(90) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 2는 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 정공수송층을 포함하고, 상기 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자차단층을 포함하고, 상기 전자차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자주입층을 포함하고, 상기 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 녹색발광층이며, 상기 녹색발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 적색발광층이며, 상기 적색발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 청색발광층이며, 상기 청색발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 발광층의 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.
상기 도펀트는 하기 예시하는 화합물 중에서 선택되는 1 이상일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00054
Figure pat00055
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 헤테로고리 화합물, 즉, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리 증착 방법(PVD: physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 제1 전극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 제2 전극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 제2 전극 물질부터 유기물층, 제1 전극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al, Mg/Ag과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로 고리 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로 고리 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층의 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
하기 반응식 1에 의하여, 화합물 A 내지 H를 제조하였다.
[반응식 1]
Figure pat00056
< 제조예 1> 화합물 1의 제조
Figure pat00057
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E (18.23g, 34.27mmol), 9-(4-브로모페닐)-9H-카바졸 (10.00g, 31.15mmol)을 테트라하이드로퓨란 320ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(160ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.08g, 0.93mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 220ml로 재결정하여 화합물 1 (17.92g, 89%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 648
< 제조예 2> 화합물 2의 제조
Figure pat00058
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E (17.63g, 33.13mmol), 9-브로모-10-페닐안트라센 (10.00g, 30.12mmol)을 테트라하이드로퓨란 280ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.08g, 0.93mmol)을 넣은 후 6 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 톨루엔 250ml로 재결정하여 화합물 2 (13.47g, 68%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 659
< 제조예 3> 화합물 3의 제조
Figure pat00059
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E (12.19g, 22.92mmol), 2-클로로-4-페닐퀴나졸린 (5.0g, 20.83mmol)을 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(90ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.72g, 0.63mmol)을 넣은 후 1 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 210ml으로 재결정하여 화합물 3 (8.95g, 70%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 611
< 제조예 4> 화합물 4의 제조
Figure pat00060
질소 분위기에서 1000ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E (12.29g, 23.11mmol), 3-브로모-9-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 (10.0g, 21.01mmol)을 테트라하이드로퓨란 320ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(160ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.73g, 0.63mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 310ml으로 재결정하여 화합물 4 (12.21g, 72%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 803
< 제조예 5> 화합물 5의 제조
Figure pat00061
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (10.0g, 22.73mmol), 3-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 (9.95g, 25.00mmol)을 자일렌 180ml에 완전히 녹인 후 소듐 터-부톡사이드 (2.84g, 29.55mol)을 첨가하고, 비스(트리-터-부틸포스핀) 팔라듐(0) (0.12g, 0.23mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 필터하여 염기를 제거한 후 에 자일렌을 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 170ml으로 재결정하여 상기 화합물 5 (13.75g, 수율: 82%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 803
< 제조예 6> 화합물 6의 제조
Figure pat00062
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A (10.0g, 22.73mmol), 9H-카바졸 (4.18g, 25.00mmol)을 자일렌 120ml에 완전히 녹인 후 소듐 터-부톡사이드(2.84g, 29.55mol)을 첨가하고, 비스(트리-터-부틸포스핀) 팔라듐(0) (0.12g, 0.23mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 염기를 제거한 후 에 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 120ml으로 재결정하여 상기 화합물 6 (8.45g, 수율: 70%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 571
< 제조예 7> 화합물 7의 제조
Figure pat00063
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E (14.33g, 26.94mmol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란 (6.00g, 24.49mmol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(110ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.85g, 0.73mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 260ml로 재결정하여 화합물 7 (10.21g, 73%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 573
< 제조예 8> 화합물 8의 제조
Figure pat00064
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E (14.58g, 27.41mmol), 3-브로모-9-페닐-9H-카바졸 (8.00g, 24.92mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.86g, 0.75mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 210ml로 재결정하여 화합물 8 (13.17g, 82%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 648
< 제조예 9> 화합물 9의 제조
Figure pat00065
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E (16.44g, 30.90mmol), (4-브로모페닐)디페닐포스핀 옥사이드 (10.00g, 28.09mmol)을 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(90ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.97g, 0.84mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 210ml로 재결정하여 화합물 9 (16.95g, 88%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 683
< 제조예 10> 화합물 10의 제조
Figure pat00066
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 F (18.23g, 34.27mmol), 9-(4-브로모페닐)-9H-카바졸 (10.00g, 31.15mmol)을 테트라하이드로퓨란 320ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(160ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.08g, 0.93mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250ml로 재결정하여 화합물 10 (16.17g, 80%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 648
< 제조예 11> 화합물 11의 제조
Figure pat00067
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 G (17.63g, 33.13mmol), 9-브로모-10-페닐안트라센 (10.00g, 30.12mmol)을 테트라하이드로퓨란 210ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(1.04g, 0.91mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 톨루엔 220ml로 재결정하여 화합물 11 (15.07g, 76%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 659
< 제조예 12> 화합물 12의 제조
Figure pat00068
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 H (12.19g, 22.92mmol), 2-클로로-4-페닐퀴나졸린 (5.0g, 20.83mmol)을 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(90ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.72g, 0.63mmol)을 넣은 후 1 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 210ml으로 재결정하여 화합물 12 (7.89g, 62%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 611
< 제조예 13> 화합물 13의 제조
Figure pat00069
질소 분위기에서 1000ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 G (12.29g, 23.11mmol), 3-브로모-9-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 (10.0g, 21.01mmol)을 테트라하이드로퓨란 320ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(160ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.73g, 0.63mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 310ml으로 재결정하여 화합물 13 (10.98g, 64%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 803
< 제조예 14> 화합물 14의 제조
Figure pat00070
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 H (10.0g, 22.73mmol), 3-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 (9.95g, 25.00mmol)을 자일렌 180ml에 완전히 녹인 후 소듐 터-부톡사이드(2.84g, 29.55mol)을 첨가하고, 비스(트리-터-부틸포스핀) 팔라듐(0) (0.12g, 0.23mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 염기를 제거한 후에 자일렌을 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 190ml으로 재결정하여 상기 화합물 14 (12.38g, 수율: 75%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 803
< 제조예 15> 화합물 15의 제조
Figure pat00071
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 F (10.0g, 22.73mmol), 9H-카바졸 (4.18g, 25.00mmol)을 자일렌 120ml에 완전히 녹인 후 소듐 터-부톡사이드(2.84g, 29.55mol)을 첨가하고, 비스(트리-터-부틸포스핀) 팔라듐(0) (0.12g, 0.23mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 필터하여 염기를 제거한 후 에 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 160ml으로 재결정하여 상기 화합물 15 (7.64g, 수율: 62%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 571
< 제조예 16> 화합물 16의 제조
Figure pat00072
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 G (14.33g, 26.94mmol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란 (6.00g, 24.49mmol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(110ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.85g, 0.73mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 210ml로 재결정하여 화합물 16 (9.19g, 67%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 573
< 제조예 17> 화합물 17의 제조
Figure pat00073
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 H (14.58g, 27.41mmol), 3-브로모-9-페닐-9H-카바졸 (8.00g, 24.92mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.86g, 0.75mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 180ml로 재결정하여 화합물 17 (11.86g, 73%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 648
< 제조예 18> 화합물 18의 제조
Figure pat00074
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 G (16.44g, 30.90mmol), (4-브로모페닐)디페닐포스핀 옥사이드 (10.00g, 28.09mmol)을 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(90ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.97g, 0.84mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 220ml로 재결정하여 화합물 18 (15.27g, 79%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 683
< 실험예 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.
Figure pat00075
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
Figure pat00076
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 1를 진공 증착하여 전자차단층을 형성하였다.
Figure pat00077
이어서, 상기 전자차단층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
Figure pat00078
상기 발광층 위에 상기 화합물 ET1과 상기 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자주입 및 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자주입 및 전자수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-2>
상기 실험예 1-1에서 화합물 1 대신 상기 화합물 8을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-3>
상기 실험예 1-1에서 화합물 1 대신 상기 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-4>
상기 실험예 1-1에서 화합물 1 대신 상기 화합물 17을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-1>
상기 실험예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 EB1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00079
<비교예 1-2>
상기 실험예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 EB2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00080
<비교예 1-3>
상기 실험예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 EB3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00081
<비교예 1-4>
상기 실험예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 EB4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00082
실험예 1-1 내지 1-4, 및 비교예 1-1 내지 비교예 1-4 에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다.
화합물
(전자차단층)		 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)
실험예 1-1 화합물 1 3.53 6.47 (0.137, 0.126)
실험예 1-2 화합물 8 3.67 6.32 (0.136, 0.127)
실험예 1-3 화합물 10 3.58 6.41 (0.137, 0.127)
실험예 1-4 화합물 17 3.64 6.38 (0.136, 0.127)
비교예 1-1 EB1 4.13 5.94 (0.136, 0.127)
비교예 1-2 EB2 4.34 5.78 (0.136, 0.127)
비교예 1-3 EB3 5.23 5.13 (0.132, 0.122)
비교예 1-4 EB4 5.32 5.08 (0.130, 0.121)
본 명세서에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 전자차단층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우, 유기 발광 소자의 효율, 구동전압 및/또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.
본 명세서에 따른 화학식 1의 L1 또는 Ar1이 카바졸로 치환된 실험예 1-1 내지 1-4의 헤테로고리 화합물을 전자차단층으로 사용한 유기발광소자는 L1 또는 Ar1이 아릴아민으로 치환된 비교예 1-1 내지 1-4의 화합물을 전자차단층에 사용한 유기 발광 소자보다 저전압, 고효율의 특성을 보인다.
이는 아릴아민으로 치환된 물질은 HOMO값이 떨어지면서 발광층 계면에서의 barrier가 상승하지만 카바졸로 치환된 본원 발명의 화합물들은 HOMO값이 상승하면서 발광층 계면에서의 barrier가 감소되기 때문에 저전압 특성을 보이며 T1값 상승(카바졸>아릴아민)으로 인한 고효율 특성을 함께 보인다.
상기 표 1의 결과와 같이, 본 명세서에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 전자 차단 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.
< 비교예 2-1>
제조예에서 제조된 화합물들을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 하기와 같은 방법으로 녹색 유기 발광 소자를 제조하였다.
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 CBP을 호스트로 이용하여, m-MTDATA(60nm) / TCTA(80 nm) / CBP + 10 % Ir(ppy)3(300nm)/ BCP(10 nm) / Alq3(30 nm) / LiF(1 nm) / Al (200nm) 순으로 발광 소자를 구성하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3, CBP 및 BCP의 구조는 각각 하기와 같다.
Figure pat00083
<실험예 2-1>
상기 비교예 2-1에서 CBP 대신 상기 화합물 4를 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-2>
상기 비교예 2-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 5를 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-3>
상기 비교예 2-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 13을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-4>
상기 비교예 2-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 14를 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2-2>
상기 비교예 2-1에서 화합물 CBP 대신 하기 GH 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00084
실험예 2-1 내지 2-4, 비교예 2-1 및 2-2에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 2의 결과를 얻었다.
화합물
(호스트)		 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 발광 피크
(nm)
비교예 2-1 CBP 7.45 38.62 516
실험예 2-1 화합물 4 6.82 44.73 517
실험예 2-2 화합물 5 6.96 42.53 516
실험예 2-3 화합물 13 6.75 45.62 517
실험예 2-4 화합물 14 6.88 42.82 517
비교예 2-2 GH 1 7.06 41.25 516
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 본 명세서에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 발광층의 호스트 물질로 사용하는 실험예 2-1 내지 2-4의 녹색 유기 발광 소자는 종래 CBP를 사용하는 비교예 2-1 및 상기 화학식 1의 코어와는 비슷한 구조로 고리가 형성된 비교예 2-2의 화합물을 호스트 물질로 사용하여 제조된 유기 발광 소자 소자보다 전류효율 및 구동전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
<실험예 3-1 및 3-2>
제조예에서 제조된 화합물들을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 하기와 같은 방법으로 적색 유기 발광 소자를 제조하였다.
ITO 글래스의 발광 면적이 2 mm × 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판을 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1 × 10-6 torr가 되도록 한 후 유기물을 상기 ITO위에 DNTPD(700 Å), α-NPB (300 Å), 상기 제조예에서 제조된 화합물 3 또는 12을 호스트로서(90 wt%) 사용하고, 도판트로서 하기 (piq)2Ir(acac) (10 wt%)를 공증착(300 Å)하며, Alq3 (350 Å), LiF(5 Å), Al(1,000 Å)의 순서로 성막하였으며, 0.4 mA에서 측정을 하였다.
상기 DNTPD, α-NPB, (piq)2Ir(acac) 및 Alq3의 구조는 다음과 같다.
Figure pat00085
<비교예 3-1>
상기 실험예 3-1에서 상기 발광층의 호스트로 화합물 3 대신 CBP를 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
상기 실험예 3-1, 3-2 및 비교예 3-1에 의해 제조된 유기발광소자에 대하여, 전압, 전류밀도, 휘도, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. T95은 휘도가 초기휘도(5000nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
구분 호스트 도펀트 전압
(V)		 휘도
(cd/m2)		 CIEx,CIEy T95(hr)
실험예 3-1 화합물 3 [(piq)2Ir(acac)] 4.6 1860 0.673,0.326 395
실험예 3-2 화합물 12 [(piq)2Ir(acac)] 4.9 1680 0.674,0.325 390
비교예 3-1 CBP [(piq)2Ir(acac)] 7.1 1420 0.670,0.331 250
상기 표 3에서 보는 바와 같이, 본 명세서에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 발광층의 호스트 물질로 사용하는 실험예 3-1 및 3-2의 적색 유기 발광 소자는 종래 CBP를 사용하는 비교예 3-1의 적색 유기 발광 소자보다 전류효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
<실험예 4-1>
상기 실험예 1-1에서 상기 전자차단층으로 화합물 1 대신 하기 화합물 TCTA를 사용하고, 상기 전자 수송층으로 ET1 대신 화합물 4를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
Figure pat00086
<실험예 4-2>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 화합물 5을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실험예 4-3>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 화합물 9를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실험예 4-4>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 화합물 13을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실험예 4-5>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 화합물 14를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실험예 4-6>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 화합물 18을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<비교예 4-1>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 하기 ET2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
Figure pat00087
<비교예 4-2>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 하기 ET3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
Figure pat00088
<비교예 4-3>
상기 실험예 4-1에서 상기 전자 수송층으로 화합물 4 대신 하기 ET4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
Figure pat00089
상기 실험예 4-1 내지 4-6 및 비교예 4-1 내지 4-3에 의해 제조된 유기발광소자에 대하여, 전압, 효율 및 색좌표을 측정하고 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다. T95은 휘도가 초기휘도(5000nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
화합물 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)		 T95(hr)
실험예 4-1 화합물 4 3.78 4.91 (0.138, 0.126) 320
실험예 4-2 화합물 5 3.55 4.95 (0.139, 0.127) 315
실험예 4-3 화합물 9 3.66 4.85 (0.138, 0.126) 380
실험예 4-4 화합물 13 3.65 4.82 (0.138, 0.127) 305
실험예 4-5 화합물 14 3.69 4.65 (0.137, 0.127) 320
실험예 4-6 화합물 18 3.75 4.64 (0.138, 0.127) 330
비교예 4-1 ET2 4.17 4.37 (0.136, 0.128) 230
비교예 4-2 ET3 4.37 4.05 (0.138, 0.127) 85
비교예 4-3 ET4 4.52 3.52 (0.132, 0.126) 155
실험 결과, 본 명세서에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 전자수송층으로 사용하는 실험예 4-1 내지 4-6의 유기 발광 소자는 비교예 4-1 의 유기 발광 소자보다 전류효율, 구동전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
치환기로 포스핀 옥사이드를 가지는 실험예 4-3의 수명이 가장 길게 측정 되었다. 트리아진이 직접 연결된 비교예 4-1의 물질은 전압이 높고, 알킬기가 치환된 벤즈이미다졸기는 수명이 급사하였고, 피리딘이 치환된 비교예 4-3의 ET4 물질은 효율이 떨어지는 결과를 얻었다.
포스핀 옥사이드로 치환된 화합물을 이용한 실험예 4-3의 수명이 가장 길게 측정되었다. 트리아진이 상기 화학식 1의 코어에 직접 연결된 화합물을 이용한 비교예 4-1은 전압이 높았고, 알킬벤즈이미다졸기로 치환된 화합물을 이용한 비교에 4-2의 수명은 급감하였고, 피리딘이 치환된 화합물인 ET4를 이용한 비교예 4-3은 효율이 떨어지는 결과를 얻었다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예(전자차단층, 녹색발광층, 적색발광층, 전자수송층)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.
10, 11: 유기 발광 소자
20: 기판
30: 제1 전극
40: 발광층
50: 제2 전극
60: 정공주입층
70: 정공수송층
80: 전자수송층
90: 전자주입층

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00090

    상기 화학식 1에 있어서,
    R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기; 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 또는 치환 또는 비치환된 3환이상의 헤테로아릴기이고,
    r1 및 r2는 각각 1 내지 4의 정수이며,
    r3는 1 내지 4의 정수이고,
    r4는 1 또는 2 이며,
    r5는 1 내지 3의 정수이고,
    r1 내지 r5가 각각 복수개인 경우, 복수의 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00091

    [화학식 3]
    Figure pat00092

    [화학식 4]
    Figure pat00093

    [화학식 5]
    Figure pat00094

    상기 화학식 2 내지 5에 있어서,
    R1 내지 R5, r1 내지 r5, L1 및 Ar1의 정의는 상기 화학식 1과 동일하다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기인 것인 헤테로고리 화합물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1은 아릴기로 치환된 포스핀옥사이드기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 퀴놀리닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로아릴기인 것인 헤테로고리 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 헤테로고리 화합물:

    Figure pat00095

    Figure pat00096

    Figure pat00097

    Figure pat00098

    Figure pat00099
  6. 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 또는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항의 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층을 포함하고, 상기 정공수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  8. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층을 포함하고, 상기 전자차단층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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