KR20170112314A

KR20170112314A - 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법, 및 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물, 및 박막트렌지스터의 제조방법 및 박막트랜지스터

Info

Publication number: KR20170112314A
Application number: KR1020160039206A
Authority: KR
Inventors: 장상훈; 심경보; 안기훈
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2016-03-31
Filing date: 2016-03-31
Publication date: 2017-10-12
Anticipated expiration: 2036-03-31
Also published as: KR102344034B1

Abstract

본 발명은 특정의 종방향 및 횡방향의 식각속도로 식각하는 것에 특징이 있는 식각방법; 식각액을 분사하는 분사 노즐을 특정의 속도로 스윙시켜서 식각하는 것에 특징이 있는 식각방법; 및 조성물 총 중량에 대해 인산 40 내지 60중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 초산 5 내지 20중량%, 글루콘산 0.8 내지 1.2 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막용 식각액 조성물; 박막트랜지스터의 제조방법; 및 박막트랜지스터를 제공한다.

Description

은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법, 및 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물, 및 박막트렌지스터의 제조방법 및 박막트랜지스터{Wet etching method for a single layer or multiple layer comprising Ag or Ag alloy, and etchant composition for a single layer or multiple layer comprising Ag or Ag alloy, and method for manufacturing a thin film transistor and a thin film transistor}

본 발명은 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법, 및 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각액 조성물, 및 상기 식각액 조성물을 사용하는 박막트렌지스터의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 박막트랜지스터에 관한 것이다.

표시 장치의 일 예로서 LCD(액정표시장치)는 어레이 기판과 컬러필터 기판, 그리고 두 기판 사이에 주입되어 있는 액정층으로 이루어진 액정패널을 포함한다. 상기 어레이 기판에는 액정층에 신호를 전달하기 위해 배선이 형성되어 있다. 어레이 기판의 배선은 게이트 배선과 데이터 배선을 포함한다.

또한, OLED 디스플레이는 두 개의 반대 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되는 유기발광다이오드(OLED, Organic Light Emitting Diode)를 포함한다.

이러한 배선 및 전극들은 금속 단일층 또는 합금 단일층으로 이루어질 수도 있고, 각 금속 또는 합금의 단점을 보완하고 원하는 물성을 얻기 위하여 다중층으로 형성될 수도 있다.

배선 또는 전극을 형성하기 위해 일반적으로 알루미늄을 많이 사용하는데, 순수한 알루미늄은 화학약품에 대한 내식성이 약하고 후속공정에서 배선 결함문제를 야기할 수도 있으므로, 이를 보완하기 위해 알루미늄합금을 사용하거나 알루미늄 또는 알루미늄합금 위에 또 다른 금속층 예를 들어 몰리브덴, 크롬, 텅스텐, 주석 등의 금속층을 적층시킨 다중층을 사용하기도 한다.

그러나 근래에 들어 표시장치의 고해상도 및 대형화에 대한 요구가 증대되어 왔으며, 이를 실현하기 위해서 알루미늄 보다 낮은 저항을 가지는 금속막을 사용하고자 하는 연구가 계속되어 왔다. 이에 따라 알루미늄(비저항: 2.65 uΩcm) 보다 낮은 저항을 가지는 은(비저항: 1.59 uΩcm) 을 사용하여 배선 또는 전극을 형성하는 기술이 진행되어 왔다.

한편, 투과형 액정표시장치는 실외처럼 외부광이 강한 경우에는 화면이 잘 보이지 않는 단점이 있고, 백라이트를 쓰기 때문에 저전력 소비를 실현하기가 어려우며, 따라서 이동성에도 제한을 받고 있다. 이런 단점을 극복하기 위해서, 백라이트 없이 외부광을 이용한 반사형 액정표시장치와 외부광과 백라이트를 동시에 이용하여 실외에서도 잘 볼 수 있는 반투과형 액정표시장치에 대한 개발이 활발히 진행되고 있다. 반사형 또는 반투과형 액정표시장치에서는 백라이트를 대신하거나 보조하기 위해 반사막이 패터닝되어야 한다. 일반적으로 종래 기술에서는 알루미늄 금속막(반사율: 83.3 %)이 사용되어 왔으나 보다 높은 반사율을 얻기 위해 은 또는 은합금(반사율: 96.4 %)을 도입하고 있는 실정이다.

이러한 배선, 전극, 및 반사막 등을 형성하기 위해서는 식각을 통하여 금속막을 패터닝하여야 하는데, 식각에는 건식식각과 습식식각이 있으며, 균일하게 식각되고 생산성이 높은 습식식각이 많이 사용된다.

습식식각에 사용되는 은 또는 은합금 식각용액에 관한 종래의 기술로서 대한민국 공개공보 제10-2006-0069601호는 인산, 질산, 초산, 식각특성개선제를 포함하는 식각용액을 개시하고 있다. 그러나 상기 식각용액은 CD skew 값이 전혀 고려되지 않아 실제로 은 또는 은합금의 다양한 단일막 또는 다중막에 상기 식각용액을 적용할 경우 CD skew 0.5㎛ 이상으로 에칭 되어 미세패턴 사용이 불가능한 문제가 있었다.

대한민국 공개특허 2012-0055449

본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서,

우수한 식각프로파일을 형성하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막에 대한 식각속도가 우수하며, Pad 부에 노출된 데이타 배선을 손상시키지 않으며, 은의 재흡착을 최소화하며, 미세식각 균일성을 나타내는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물에 의한 식각공정을 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 박막트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은

은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각에 있어서,

400 Å/sec ~ 600 Å/sec의 종방향 식각속도 및 2 Å/sec ~ 6 Å/sec의 횡방향 식각속도로 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은

조성물 총 중량에 대해 인산 40 내지 60중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 초산 5 내지 20중량%, 글루콘산 0.8 내지 1.2 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막용 식각액 조성물을 제공한다.

또한, 본 발명은,

(a)기판 상에 금속층을 형성하는 단계;

(b)상기 금속층을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계;

(c)상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;

(d)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;

(e)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및

(f)상기 소스 및 드레인전극 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며,

상기 (b)단계 및 (e)단계 중 적어도 어느 한 단계에서는 상기 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법을 제공한다.

또한, 본 발명은

상기 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다.

본 발명의 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법은 종방향 및 횡방향의 식각 속도를 조절함으로써 우수한 식각프로파일을 제공한다.

또한, 본 발명의 식각액 조성물은 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막에 대한 우수한 식각속도, Pad 부에 노출된 데이타 배선에 대한 손상방지, 은의 재흡착 방지 효과를 제공하며, 미세식각 균일성을 제공한다.

본 발명의 박막트랜지스터의 제조방법은 게이트 전극 및 소스/드레인 전극에 대한 효과적인 식각이 가능하므로, 성능이 우수한 박막트랜지스터를 제공한다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에서 종방향 및 횡방향의 식각속도 조절에 의하여 시편을 식각한 결과를 촬영하여 나타낸 SEM 이미지이다.

본 발명은 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각에 있어서, 400 Å/sec ~ 600 Å/sec의 종방향 식각속도 및 2 Å/sec ~ 6 Å/sec의 횡방향 식각속도로 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법에 관한 것이다.

상기에서 450 Å/sec ~ 550 Å/sec의 종방향 식각속도 및 3 Å/sec ~ 5 Å/sec의 횡방향 식각속도로 식각이 실시되는 경우 더욱 바람직할 수 있다.

본 발명에 있어서, 종방향 식각속도가 400 Å/sec 미만이 되면 식각 시간이 너무 길어져서 식각효율이 저하되며, 횡방향 식각량이 증가하여 테이퍼 각이 너무 작아지며, 600 Å/sec를 초과하면 테이퍼 각이 너무 커져서 바람직하지 않다.

또한, 본 발명에 있어서, 횡방향 식각속도가 2 Å/sec 미만이 되면 테이퍼 각이 너무 커져서 바람직하지 않으며, 횡방향 식각속도가 6 Å/sec를 초과하면 테이퍼 각이 너무 작아져서 바람직하지 않다.

상기 본 발명의 식각 방법에 있어서 식각에 사용될 수 있는 식각액 조성물로는 예를 들어, 조성물 총 중량에 대해 인산 40 내지 60중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 초산 5 내지 20중량%, 글루콘산 0.8 내지 1.2 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 들 수 있으며, 상기 식각액으로 식각이 실시되는 경우 바람직한 효과가 얻어질 수 있다.

상기 본 발명의 식각 방법에 있어서 은합금은, 은과 Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W 및 Ti 중 1종 이상의 금속을 포함하여 이루어지는 합금 형태; 또는 은의 질화물막, 규화물막, 탄화물막 또는 산화물 형태일 수 있다.

또한, 상기 단일막은 예를 들어, 은으로 구성된 단일막 또는 은합금으로 구성된 단일막일 수 있다.

상기 다층막은 상기 단일막과 하나 이상의 금속산화물막이 함께 적층된 형태일 수 있다. 상기 금속산화물막은 예를 들어 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연인듐(IGZO) 등 일 수 있으며, 보다 구체적으로는 ITO/Ag/ITO, IZO/Ag/IZO, ITZO/Ag/ITZO, IGZO/Ag/IGZO, ITO/Ag합금막/ITO, IZO/Ag합금막/IZO, ITZO/Ag합금막/ITZO, 또는 IGZO/Ag합금막/IGZO 등 일 수 있다.

또한, 본 발명은 조성물 총 중량에 대해 인산 40 내지 60중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 초산 5 내지 20중량%, 글루콘산 0.8 내지 1.2 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막용 식각액 조성물에 관한 것이다.

본 발명의 식각액 조성물은 은, 은합금막, 투명전도막 각각에 대한 식각이 가능하며, 예컨대, 투명전도막/Ag/투명전도막으로 구성되는 3중막에 대한 일괄 에칭도 가능한 특징을 갖는다. 본 발명에서 상기 투명전도막은 금속산화물막으로 형성될 수 있다.

또한, 본 발명의 식각액은 상부 투명전도막을 다른 식각액으로 에칭 후 본 식각액으로 은(은합금) 및 하부 투명전도막을 에칭하는 2 step 에칭공정에도 사용이 가능하며, 상부 투명전도막을 다른 식각액으로 에칭 한 후 본 식각액으로 은(은합금)막을 에칭한 후 다른 식각액으로 하부 투명전도막을 에칭하는 3step 에칭공정에서 사용이 가능하다.

본 발명의 식각액 조성물에 의하면 표시 장치의 제조 시, 배선, 전극, 및 반사막으로 사용되는 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막 및 기 단일막과 투명전도막으로 구성된 다층막에 대해 본 발명의 식각액 조성물을 사용하는 경우, Pattern 부의 배선 및 반사막에 대한 미세 식각 균일성을 나타내고 Pad부 Data배선의 손상으로부터 발생하는 Ag 재흡착 문제도 개선할 수 있다.

상기 본 발명의 식각액 조성물에 있어서 은합금은, 은과 Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W 및 Ti 중 1종 이상의 금속을 포함하여 이루어지는 합금 형태; 또는 은의 질화물막, 규화물막, 탄화물막 또는 산화물 형태일 수 있다.

상기 다층막은 상기 단일막과 하나 이상의 금속산화물막이 함께 적층된 형태일 수 있다. 상기 금속산화물막은 예를 들어 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연인듐(IGZO) 등일 수 있으며, 보다 구체적으로는 ITO/Ag/ITO, IZO/Ag/IZO, ITZO/Ag/ITZO, IGZO/Ag/IGZO, ITO/Ag합금막/ITO, IZO/Ag합금막/IZO, ITZO/Ag합금막/ITZO, 또는 IGZO/Ag합금막/IGZO 등 일 수 있다.

본 발명의 식각액에 포함되는 인산(H₃PO₄)은 주산화제로 사용되는 성분으로서, 은 또는 은합금을 산화시켜 식각하는 역할을 하며, 예컨대, 투명전도막/Ag/투명전도막으로 구성되는 삼중막에서는 은(Ag)과 투명전도막을 산화시켜 식각하는 역할을 수행한다.

상기 인산(H₃PO₄)은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 40~60 중량%로 포함될 수 있다. 인산의 함량이 40 중량% 미만인 경우에는 은의 식각속도 저하와 식각 프로파일의 불량을 야기시킬 수 있으며, 60 중량%를 초과하는 경우에는 투명전도막의 식각 속도는 저하되고, 은의 식각 속도는 너무 빨라져 상하부 투명전도막의 팁(Tip)이 발생하게 되어 후속공정에서 문제를 야기할 수 있다.

본 발명의 식각액에 포함되는 질산(HNO₃)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 은 또는 은합금을 산화시켜 식각하는 역할을 하며, 예컨대, 투명전도막/Ag/투명전도막으로 구성되는 삼중막에서는 은(Ag)과 투명전도막을 산화시켜 식각하는 역할을 수행한다.

질산(HNO₃)은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3~8 중량%로 포함될 수 있다. 질산의 함량이 3 중량% 미만인 경우에는 은(Ag)과 투명전도막(예: ITO)의 식각 속도 저하가 발생하며 이로써 기판내의 식각 균일성(Uniformity)이 불량해지므로 얼룩이 발생하며, 8 중량%를 초과하는 경우에는 상하부 투명전도막의 식각 속도가 가속화 되어 상하부 투명전도막의 언더컷 발생으로 후속 공정에 문제가 발생된다.

본 발명의 식각액에 포함되는 아세트산(CH₃COOH)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서 은 또는 은합금을 산화시켜 식각하는 역할을 수행한다. 아세트산(CH₃COOH)은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 5~20 중량%로 포함될 수 있다. 아세트산의 함량이 5 중량% 미만일 경우에는 기판 내의 식각 속도 불균일로 얼룩이 발생하는 문제점이 있고, 20 중량%를 초과하는 경우에는 거품발생이 야기되며 이러한 거품이 기판내에 존재하게 되면 완전한 식각이 이루어지지 않아 후속공정에 문제를 야기할 수 있다.

본 발명의 식각액 중의 글루콘산은 첨가제로 사용되는 성분으로서, 습식 식각 시 박막에 대한 CD 스큐(CD Skew)를 감소시키고 또한 균일하게 식각되도록 식각 속도를 조절한다. 글루콘산은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.8~1.2 중량%로 포함될 수 있다. 글루콘산 함량이 0.8중량% 미만일 경우에는 기판 내의 식각 균일성(Uniformity)이 저하되고, 기판 내에 부분적으로 은 잔사가 생길 수 있으며, 1.2 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 저하되어 원하는 식각 속도를 구현할 수 없으므로 공정상에 문제가 될 수 있다.

또한, 본 발명은

(a)기판 상에 금속층을 형성하는 단계;

(b)상기 금속층을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계;

(c)상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;

(d)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;

상기 (b)단계 및 (e)단계 중 적어도 어느 한 단계에서는 상기 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은

상기의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.

실시예 1: 식각속도 조절에 의한 식각 방법의 실시

기판상에 a-ITO/Ag/a-ITO 삼중막을 형성하고 다이아몬드 칼을 이용하여 10×10mm로 절단하여 시편을 준비하였다.

분사식 식각 방식의 실험장비(SEMES사 제조)를 사용하여 하기 표 1의 실시예 1-1 내지 1-5 및 비교예 1-1 내지 1-4에 따라 종방향 및 횡방향 식각속도를 조절하여 상기 시편의 식각을 진행하였다. 구체적으로 분사식 식각 방식의 실험장비(SEMES사 제조)에 하기 표 1의 식각액을 넣고 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버 에치(Over Etch) 50%를 주어 실시하였다.

상기 기판들을 식각이 이루어진 후에 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 전자주사현미경(SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 테이퍼 각을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 실시에 1-2의 방법에 따라 식각된 시편의 프로파일 단면을 SEM으로 촬영하여 도 1에 나타내었다.

		종방향	횡방향	인산/질산/초산/글루콘산/탈이온수	테이퍼 각
실시예	1-1	400	4	50/6/14/1/29	○
	1-2	500	4	60/6/14/1/19	○
	1-3	600	4	50/8/14/1/27	○
	1-4	500	2	50/3/14/1/32	△
	1-5	500	6	50/6/20/1/23	△
비교예	1-1	500	1	39/6/14/1/40	Ⅹ
	1-2	500	7	50/9/14/1/26	Ⅹ
	1-3	300	4	50/2/14/1/33	Ⅹ
	1-4	700	4	61/6/14/1/18	Ⅹ

(단위: 중량%)

[Ag 테이퍼각 평가 기준]

○: 우수 (20^o ≤ 테이퍼각 < 35^o)

△: 양호 (35^o ≤ 테이퍼각 < 50^o)

Ⅹ: 불량 (50^o ≤ 테이퍼각)

상기 표 1의 시험 결과에 따르면, 본 발명의 식각 방법에 따라 종방향 식각속도(400 Å/sec ~ 600 Å/sec)와 횡방향 식각속도(2 Å/sec ~ 6 Å/sec)를 조절하여 식각을 실시하는 경우(실시예 1-1 내지 1-5), 우수한 테이퍼 각이 얻어지는 것을 확인할 수 있다. 반면, 본 발명의 식각속도 범위를 벗어나서 식각을 실시하는 경우(비교예 1-1 내지 1-4)에는 불량한 테이퍼 각이 얻어지는 것을 확인할 수 있다.

또한, 상기와 같은 사실은 도 1에 첨부된 SEM 이미지로부터도 확인된다.

실시예 2: 식각액 조성물의 제조 및 식각 특성 평가

(1) 실시예 2-1 내지 2-9 및 비교예 2-1 내지 2-8: 식각액 조성물식각액 조성물의 제조

하기 표 1에 기재된 성분을 해당 함량으로 혼합하여 식각액 조성물 180kg을 제조하였다.

(2) 식각 특성 평가 시험

분사식 식각 방식의 실험장비(SEMES사 제조) 내에 실시예 2-1 내지 2-9 및 비교예 2-1 내지 2-8의 식각액 조성물을 넣고 온도를 30℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 30±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버 에치(Over Etch) 50%를 주어 실시하였다.

상기 기판들을 식각이 이루어진 후에 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 전자주사현미경(SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 시편의 프로파일 단면을 촬영하고, Ag의 식각량 및 Ag 재흡착 정도를 평가하여 하기 표 2에 나타내었다.

[Ag 식각량 평가 기준]

◎: 매우 우수 (Side Etch < 0.1㎛)

○: 우수 (0.1㎛ ≤ Side Etch < 0.2㎛)

△: 양호 (0.2㎛ ≤ Side Etch ≤ 0.3㎛)

Ⅹ: 불량 (Side Etch: > 0.3㎛)

[Ag 재흡착 평가 기준]

◎: 매우 우수 (50개 이하)

○: 우수 (80개 이하)

△: 양호 (100개 이하)

Ⅹ: 불량 (100개 이상)

		인산	질산	초산	글루콘산	탈이온수	평가항목
		인산	질산	초산	글루콘산	탈이온수	Ag 식각량	Ag 재흡착
실시예	2-1	50	6	14	1	잔량	◎	○
	2-2	40	6	14	1	잔량	○	○
	2-3	60	6	14	1	잔량	○	◎
	2-4	50	3	14	1	잔량	○	○
	2-5	50	8	14	1	잔량	○	◎
	2-6	50	6	5	1	잔량	○	○
	2-7	50	6	20	1	잔량	○	◎
	2-8	50	6	14	0.8	잔량	○	○
	2-9	50	6	14	1.2	잔량	○	○
비교예	2-1	39	6	14	1	잔량	△	Ⅹ
	2-2	61	6	14	1	잔량	Ⅹ	△
	2-3	50	2	14	1	잔량	△	Ⅹ
	2-4	50	9	14	1	잔량	Ⅹ	△
	2-5	50	6	4	1	잔량	△	Ⅹ
	2-6	50	6	21	1	잔량	Ⅹ	△
	2-7	50	6	14	0.7	잔량	△	Ⅹ
	2-8	50	6	14	1.3	잔량	Ⅹ	△

(단위: 중량%)

상기 표 2에서 확인되는 바와 같이, 본 발명의 식각액 조성물을 사용한 실시예 2-1 내지 2-9의 경우 Ag 식각량 및 Ag 재흡착량에 있어서 모두 우수한 효과를 나타냈다. 반면, 비교예의 식각액 조성물을 사용한 경우는 Ag 식각량 및 Ag 재흡착량의 모든 면에서 실시예의 시각액 조성물과 비교하여 저조한 효과를 나타내었으며, 특히, Ag 식각량 및 Ag 재흡착량 중의 어느 하나는 불량한 효과를 나타내었다.

Claims

은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 식각에 있어서,
400 Å/sec ~ 600 Å/sec의 종방향 식각속도 및 2 Å/sec ~ 6 Å/sec의 횡방향 식각속도로 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 식각 방법의 식각은 조성물 총 중량에 대해 인산 40 내지 60중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 초산 5 내지 20중량%, 글루콘산 0.8 내지 1.2 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 은합금은, 은과 Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W 및 Ti 중 1종 이상의 금속을 포함하여 이루어지는 합금형태; 또는 은의 질화물, 규화물막, 탄화물 또는 산화물 형태인 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 다층막은 은 또는 은합금을 포함하는 단일막과 하나 이상의 금속산화물막이 함께 적층된 형태인 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막의 습식 식각 방법.
조성물 총 중량에 대해 인산 40 내지 60중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 초산 5 내지 20중량%, 글루콘산 0.8 내지 1.2 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막용 식각액 조성물.
청구항 5에 있어서,
상기 은합금은, 은과 Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W 및 Ti 중 1종 이상의 금속을 포함하여 이루어지는 합금형태; 또는 은의 질화물, 규화물막, 탄화물 또는 산화물 형태인 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막용 식각액 조성물.
청구항 5에 있어서,
상기 다층막은 ITO/Ag/ITO, IZO/Ag/IZO, ITZO/Ag/ITZO, IGZO/Ag/IGZO, ITO/Ag합금막/ITO, IZO/Ag합금막/IZO, ITZO/Ag합금막/ITZO, 또는 IGZO/Ag합금막/IGZO인 것을 특징으로 하는 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막용 식각액 조성물.
(a)기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
(b)상기 금속층을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계;
(c)상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(d)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
(e)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및
(f)상기 소스 및 드레인전극 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 (b)단계 및 (e)단계 중 적어도 어느 한 단계에서는 청구항 5의 식각액 조성물을 사용하여 은 또는 은합금을 포함하는 단일막 또는 다층막을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
청구항 8의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.