KR20170121200A - 분위기 형성 장치 및 부상 반송 방법 - Google Patents

분위기 형성 장치 및 부상 반송 방법 Download PDF

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KR20170121200A
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Abstract

워크를 가스 분출에 의해 부상 지지하여 반송하는 부상 반송 장치에 설치되는 분위기 형성 장치로서, 상기 반송이 행해지는 반송 경로를 포함하는 대역적인 영역에 있어서의 대역 분위기(A) 내에서, 상기 반송 경로를 포함하는 소역적인 영역에서 상기 대역 분위기(A)와 다른 소역 분위기(B)를 형성하는 소역 분위기 형성부를 갖는 분위기 형성 장치로 한다.

Description

분위기 형성 장치 및 부상 반송 방법
본 발명은 워크를 부상 반송할 때의 분위기를 형성하는 분위기 형성 장치 및 부상 반송 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 유리 기판을 반송·가공하는 레이저 처리 장치 중 하나로서, 레이저에 의해 어모퍼스 실리콘막의 결정화를 행하는 결정화 장치가 알려져 있다.
종래, 이 결정화 장치로는 레이저 조사부 부근을 불활성 가스로 충만시켜 레이저를 어모퍼스 실리콘막에 조사하는 기술이 제안되고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에서는 가스 분출부와 주사 방향을 따라 신장하는 단부 정류면을 설치하고, 가스 분출부로부터 분출된 가스를 단부 정류면과 유리 기판 사이에 흘림으로써 레이저의 조사부 근방에서 그 주위의 주사 방향에 걸쳐서 분위기를 적절하게 확보하는 방법이 제안되고 있다.
특허문헌 2에서는 스윙 노즐에서 조사 부분에 질소 가스를 분출하여 질소 가스 분위기를 확보하는 것으로 하고 있다.
또한, 특허문헌 3에서는 진공 챔버 내를 진공 또는 질소(대기압) 분위기로 함으로써, 어닐링 중에 공기 중의 물질이 비정질 반도체 박막에 작용하는 것을 방지하고 있다.
일본 특허 공개 2012-54603호 공보 일본 특허 공개 2000-349041호 공보 일본 특허 3502981호 공보
종래의 발명에서는, 유리 기판은 유리 기판과 동정도 사이즈 또는 그 이상의 사이즈의 반송용 스테이지 상에 탑재되어 상기 스테이지와 함께 이동한다. 또한, 레이저 조사 부분은 조사 장치에 고정되어 있다.
도 5(A) (B)는 종래의 장치의 일례의 개략을 나타내는 것이다. 레이저 조사부(50)에는 불활성 가스 분출부(51)가 설치되어 있고, 불활성 가스 분출부(51)로부터 하방으로, 예를 들면 질소 또는 불활성 가스가 분출됨과 아울러, 불활성 가스 분출부(51)를 통해서 스테이지(60)로 반송되는 유리 기판(100)에 레이저(50A)가 조사된다.
도 5(A)에 나타내는 바와 같이 유리 기판(100)이 스테이지(60)의 이동에 따라 레이저 조사부(50)의 하방으로 진입하면 레이저(50A)의 조사와 동시에, 예를 들면 질소로 한 불활성 가스를 불활성 가스 분출부(51)로부터 분출함으로써 레이저 조사시에 유리 기판(100) 상으로부터 공기를 제거하도록 하고 있다.
원래 레이저 조사시에 공기를 제거하는 이유는 레이저 조사 중에 공기 중에 포함되는 산소 등을 대표로 하는 물질이 유리 기판 상에 형성하고 있는 비정질 반도체막에 작용하는 것을 방지하기 위해서이다. 또한, 조사하는 레이저는 주위의 유체의 영향을 받는다고 되어 있기 때문에, 분출하는 불활성 가스는 레이저 조사부에 있어서 최대한 흐트러짐없는 정류가 기대된다.
상술한 바와 같이, 종래는 스테이지가 레이저 조사부에 도달하여 스테이지 상에 탑재되어 있는 유리 기판과, 상부의 불활성 가스 분출부의 틈에 의해 레이저 조사부의 주위에 불활성 가스 분위기가 만들어 진다.
그러나, 종래의 방법에서는 불활성 가스 분위기는 이동하고 있는 유리 기판이 레이저 조사부에 도달하여 처음으로 형성되기 때문에, 불활성 가스가 분출되는 부근에서는 가스의 흐름이 흐트러진 상태에서 레이저 조사되고 있다. 또한, 도 5(B)에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(100)이 레이저 조사부(50) 아래에 없는 경우, 불활성 가스 분출부(51) 주위에 틈이 생기지 않기 때문에 불활성 가스 분위기는 형성되어 있지 않다.
또한, 정돈된 흐름을 실현하기 위해서, 불활성 가스 분출부로부터 흘러나오는 불활성 가스의 유량은 미량이기 때문에, 스테이지와 함께 이동하는 공기를 레이저 조사부에서 완전히 제거할 수 없다.
이상과 같이, 레이저 조사부는 조사 장치에 고정되고, 유리 기판은 이것을 탑재한 반송용 스테이지가 이동한 상태에서 레이저를 조사하기 위해서 국소적 또한 흐트러짐이 적은 불활성 가스 분위기를 만들어 내는 것에 문제가 있다.
본 발명은 상기 사정을 배경으로 이루어진 것이고, 워크의 반송 위치에 관계없이 반송 경로 상에서 안정한 분위기를 형성할 수 있는 분위기 형성 장치 및 부상 반송 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명의 분위기 형성 장치 중, 제 1 형태의 본 발명은 워크를 가스 분출에 의해 부상 지지하여 반송하는 부상 반송 장치에 설치되는 분위기 형성 장치로서,
상기 반송이 행해지는 반송 경로를 포함하는 대역적인 영역에 있어서의 대역 분위기 내에서, 상기 반송 경로를 포함하는 소역적인 영역에서 상기 대역 분위기와 다른 소역 분위기를 형성하는 소역 분위기 형성부를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 소역 분위기 형성부에 의해 대역 분위기 내에서 대역 분위기와 다른 소역 분위기가 형성되어 있고, 워크의 유무에 관계없이 반송 경로 상에서 안정한 소역 분위기가 얻어진다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명의 일 형태에 있어서, 상기 대역 분위기와 상기 소역 분위기가 상기 부상 지지를 위해서 분출된 부상 분출 가스를 분위기 가스의 일부로서 포함하고, 상기 대역 분위기에 있어서의 상기 부상 분출 가스와 상기 소역 분위기에 있어서의 상기 부상 분출 가스가 다른 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 부상 분출 가스를 분위기 가스의 일부로서 이용할 수 있고, 장치 구성을 간략하게 할 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 대역 분위기에 있어서의 분위기 가스와 상기 소역 분위기에 있어서의 분위기 가스가 가스의 성분에서 다른 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 대역 분위기와 소역 분위기에서 가스의 성분이 다른 분위기로 할 수 있고, 반송 경로를 따라 다른 가스 분위기에서 워크를 이동시킬 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 대역 분위기에 있어서의 가스와 상기 소역 분위기에 있어서의 가스가 동일한 성분이고, 순도가 다른 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의하면, 대역 분위기와 소역 분위기에서 동일한 성분으로 순도가 다른 가스를 사용하여 분위기를 형성할 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 대역 분위기를 형성하는 대역 분위기 형성부를 갖고, 상기 대역 분위기 형성부는 대역적인 상기 영역의 외부로부터 분위기 가스를 도입하는 대역 가스 도입부를 갖는 것을 특징으로 한다
본 발명에 의하면, 대역 가스 도입부에 의해 대역적인 영역 외부로부터 가스를 도입하여 대역 분위기에 있어서의 분위기 가스의 적어도 일부로서 사용할 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 소역 분위기 형성부는 대역적인 상기 영역 및 소역적인 상기 영역의 외부로부터 분위기 가스를 도입하는 소역 가스 도입부를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 소역 가스 도입부에 의해 대역적인 상기 영역 및 소역적인 상기 영역의 외부로부터 가스를 도입하고, 소역 분위기에 있어서의 가스의 적어도 일부로서 이용할 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 소역 분위기 형성부는 적어도 하방으로부터 분출되는 상기 부상 분출 가스의 전부 또는 일부에 맞춰서 상방으로부터 분위기 가스를 분출하는 하방 가스 분출부를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 적어도 부상 분출 가스와 하방 가스 분출부로부터 분출되는 가스에 의해 소역 분위기가 형성된다. 또한, 부상 분출 가스와 하방 가스 분출부로부터 분출되는 가스가 밸런스한 위치에서 워크를 이동시키면, 워크의 반송에 의한 가스의 흐트러짐을 최대한 줄일 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 하방 가스 분출부는 하방 가스 분출부로부터 분출되는 가스와 부상 분출 가스 사이에 워크의 반송 경로가 위치하도록 위치 부여되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 하방 가스 분출부로부터 분출되는 가스와 가스 부상 가스 분출부로부터 분출되는 가스 사이의 반송 경로 상에서 워크가 반송됨으로써 이루어지고, 대역 분위기 및 소역 분위기 중에서 워크를 이동시킬 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 소역 분위기가 상기 워크의 가공 에리어를 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 워크의 가공 에리어를 소역 분위기 내에 둘 수 있고, 소망의 분위기에서 가공을 행하는 것이 가능하게 된다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 소역 분위기가 상기 워크의 가공 에리어의 반송 방향 상류측의 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 가공 에리어에 워크가 도착하기 전에, 소역 분위기로 워크를 덮을 수 있어 안정한 분위기를 가공 전에 얻을 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 소역 분위기가 상기 워크의 가공 에리어의 반송 방향 하류측의 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 가공 에리어의 상류측에 소역 분위기가 존재함으로써 가공 후의 워크를 소역 분위기로 덮을 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 소역 분위기 형성부는 상기 소역 분위기로 반송되는 상기 워크의 상하 방향 및 반송 방향의 양측방을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 워크의 반송 위치에 대하여, 워크를 상하 및 양측방으로부터 둘러싸도록 소역 분위기가 형성되어 워크의 반송 위치에 관계없이 안정한 소역 분위기를 확보할 수 있다.
다른 형태의 분위기 형성 장치의 발명은 상기 본 발명 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 대역적인 영역과 상기 소역적인 영역을 상기 워크에 대한 처리를 행하는 처리실 내에 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 대역 분위기와 소역 분위기가 워크에 대한 처리를 행하는 처리실 내에 형성된다.
본 발명의 부상 반송 방법 중, 제 1 형태는 워크를 가스 분출에 의해 부상 지지하여 반송하는 부상 반송 방법으로서,
상기 반송이 행해지는 반송 경로를 포함하는 대역적인 영역에 있어서의 대역 분위기 내에서, 상기 반송이 행해지는 반송 경로를 포함하는 소역적인 영역에서 상기 대역 분위기와 다른 소역 분위기를 형성하는 공정과, 상기 대역 분위기와 상기 소역 분위기를 통해서 상기 반송 경로를 따라 상기 워크를 반송하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
다른 형태의 부상 반송 방법의 발명은 상기 본 발명의 일 형태에 있어서, 상기 대역적인 영역에서 상기 대역 분위기를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
(발명의 효과)
즉, 본 발명에 의하면, 워크의 유무에 관계없이 소정의 영역에서 소역 분위기를 형성할 수 있고, 또한 흐트러짐이 없는 분위기를 형성할 수 있는 효과가 있는다.
도 1은 본 발명의 대역 분위기와 소역 분위기를 설명하는 도이다.
도 2는 마찬가지로, 본 발명의 일 실시형태의 분위기 형성 장치를 갖는 레이저 처리 장치를 도시한 도이다.
도 3은 마찬가지로, 본 발명의 다른 실시형태의 분위기 형성 장치를 갖는 레이저 처리 장치를 도시한 도이다.
도 4는 마찬가지로, 본 발명의 또 다른 실시형태의 분위기 형성 장치를 갖는 레이저 처리 장치를 도시한 도이다.
도 5는 종래의 레이저 처리 장치의 개략을 나타내는 도이고, (A)는 레이저 조사부(50)의 하방으로 유리 기판이 진입하여 불활성 가스를 불활성 가스 분출부(51)로부터 분출하여 레이저 조사시에 유리 기판(100) 상에서 공기를 제거하도록 한 상태를 나타내고, (B)는 레이저 조사부(50)의 하방으로부터 유리 기판이 제외되어 있는 상태를 나타낸다.
이하에, 본 발명의 일 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 설명한다.
도 1은 레이저 처리 장치의 평면을 나타내는 도이고, 처리실(1) 내에 대역적인 분위기인 대역 분위기(A)와, 국소적인 분위기인 소역 분위기(B)가 형성되어 있다.
(실시형태 1)
실시형태 1에서는 대역적인 분위기와 소역적인 분위기가 처리실 내에서 형성되어 있는 것으로서 설명하지만, 본 발명으로서는 이들 분위기가 처리실 내에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도 1에서는 처리실(1)이 밀폐한 공간을 나타내고 있지만, 처리실(1) 내에서 대역적인 분위기와 소역적인 분위기를 형성하는 경우 처리 실이 밀폐 공간인 것에 한정되지 않고, 워크가 연속하여 처리실 내로 반송되는 구성을 갖는 것이어도 좋다. 이 경우, 처리실에 개폐 가능한 문이나 커튼 등을 설치하도록 해도 좋고, 대역 분위기를 구성하는 분위기 가스를 대역 영역에 연속하여 또한 적당한 시기에 도입하는 것으로 분위기를 유지할 수 있다.
상기 분위기는 이하의 분위기 형성 장치로 형성된다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 실시형태 1에 있어서의 레이저 처리 장치(2)에서는 유리 기판(100)을 반송하기 위해서, 외부로부터 공급된 압축 유체를 분출하기 위한 플로트 유닛(3)을 다수 배치하고 있다. 또한, 유리 기판(100)은 본 발명의 워크에 상당한다. 본 발명의 워크가 유리 기판에 한정되는 것은 아니다.
여기에서, 플로트 유닛(3)은 다공성 형상이나 구멍, 홈 등에 의해 형성되어 있고, 압축 유체를 주입하면 유닛 상면으로부터 상기 유체를 분출한다. 상기 플로트 유닛(3)로부터 공급된 유체에 의해, 유리 기판(100)은 하면에 유체력을 받아 플로트 유닛(3)로부터 떨어져 있는 일정 높이에 있어서 부상·비접촉 지지된다. 이 지지 위치에 따른 경로가 본 발명의 반송 경로가 된다. 유리 기판(100)의 반송은 본 발명과는 다른 기구에서 도시되지 않은 반송 기구에 의해, 유리 기판(100)의 일부를 파지한 상태에서 플로트 유닛(3) 상을 따라 이동하도록 행해진다. 또한, 반송 기구의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니고, 결국은 부상한 유리 기판을 반송할 수 있는 것이면 좋다.
실시형태 1에서는 가공 에리어(W)를 갖고 있고, 가공 에리어(W)의 상방측에 레이저 조사부(5)가 설치되어 있다. 레이저 조사부(5)는 가공 처리를 하는 유리 기판(100)의 반송 방향 측방의 형상에 맞춘 크기를 갖고 있고, 도시되지 않은 레이저광원으로부터 출력되어 소정의 형상으로 정형된 레이저가 유리 기판(100)을 향하여 조사된다. 또한, 레이저 조사부(5) 부근에서는 레이저 조사부(5)의 하면에, 플로트 유닛과는 다른 질소 분출부(6)를 갖고 있다. 질소 분출부(6)는 질소를 하방으로 분출함과 아울러, 상기 레이저가 하방으로 투과할 수 있다. 질소 분출부(6)는 본 발명의 하방 가스 분출부에 상당한다.
이 실시형태 1에서는 레이저광은 라인빔 형상으로 정형되어 라인빔의 라인 방향이 반송 방향과 교차하도록 하여 유리 기판(100)에 조사된다. 또한, 질소 분출부(6)는 라인빔의 형상에 따라 라인 형상으로 질소가 분출된다.
레이저 조사부(5)와 질소 분출부(6)의 하면으로 또한 주변에, 상부 벽면부(7)를 설치한다. 그 사이에, 유리 기판(100)이 이동 방향(D)에 따라 이동함으로써 유리 기판(100)의 유무에 의한 가스의 흐름을 작은 것으로 한다. 상부 벽면부(7)는 라인빔 형상에 맞춘 반송 방향과 직교하는 방향으로도 신장하고 있다.
상부 벽면부(7)에 대응하는 위치의 플로트 유닛(3)에서는 질소 가스를 상방으로 분출하는 플로트 유닛(3B)으로 구성되어 있고, 그 외측의 플로트 유닛(3)에서는 에어를 상방으로 분출하는 플로트 유닛(3A)으로 구성되어 있다. 즉, 플로트 유닛(3)은 플로트 유닛(3A)과 플로트 유닛(3B)을 총칭하는 것이다.
레이저 조사부(5)에 있는 질소 분출부(6)는 외부의 질소 도입부(21)로부터 공급된 질소를 분출하여 질소 분출부(6) 내부의 구조에 의해 흐트러짐이 없는 흐름으로서, 상기 질소 분출부(6)로부터 유리 기판(100) 상면에 분출된다. 분출된 질소는 유리 기판(100) 상면과 상부 벽면부(7)의 틈에 따라 유리 기판(100) 외측으로 흘러나온다. 질소 도입부는 본 발명의 일 형태의 소역 가스 도입부에 상당한다.
또한, 유리 기판(100) 하면은 플로트 유닛(3B)으로부터 분출하는 질소에 의해 부상·비접촉 지지하고 있고, 유리 기판(100) 하면도 상면과 마찬가지로 질소로 충만되어 있다. 플로트 유닛(3B)으로부터 분출되는 분출 질소는 본 발명의 부상 분출 가스에 상당한다.
이상으로부터, 레이저 조사부(5) 부근에서는 질소 분출부(6) 및 상부 벽면부(7)에 의해 질소 분출부(6)로부터 분출되고 있는 질소가 적어도 플로트 유닛(3B)의 분출 질소의 전부 또는 일부에 맞도록 위치되어 질소가 충만되기 때문에, 국소적인 질소 분위기, 즉 소역 분위기(B)를 형성·유지할 수 있다. 소역 분위기(B)는 유리 기판(100)에 대하여, 상방, 하방 및 양측방을 덮도록 형성되고, 가공 에리어(W)는 소역 분위기(B) 내에 위치되어 있다.
즉, 플로트 유닛(3B), 질소 분출부(6) 및 상부 벽면부(7)는 본 발명의 소역 분위기 형성부를 구성한다.
이 실시형태에서는 유리 기판(100)이 레이저 조사부(5) 아래에 없는 경우에도, 상하면으로부터의 질소 분출에 의해 질소 분위기가 형성된다. 유리 기판(100)이 레이저 조사부(5) 아래에 없는 경우, 유리 기판(100)에 의한 질소의 확산이 없기 때문에 소역 분위기는 유리 기판이 레이저 조사부(5) 아래에 있는 경우보다 좁은 범위가 되지만, 가공 에리어(W) 및 그 주위를 덮는 크기로 확보되어 있다.
또한, 소역 분위기는 유리 기판 반송시에 항상 형성되어 있는 것이 아니어도 좋고, 적어도 유리 기판(100)이 이동 방향(D)으로 반송되어 소역 분위기(B)를 형성하는 영역에 이르기까지, 또는 가공 에리어(W)에 이르기까지 형성되어 있으면 좋다.
또한, 대역 영역에서는 공기에 의한 대역 분위기(A)가 형성되어 있고, 대역 분위기(A)에서는 대역 영역 외부의 에어 도입부(20)로부터 도입된 청정화한 공기 을 사용해도 좋고, 대기 중의 공기를 그대로 사용해도 좋다. 에어 도입부(20)는 본 발명의 일 형태에 있어서의 대역 가스 도입부에 상당한다.
또한, 대역 분위기(A)가 되는 대역 영역에서는 플로트 유닛(3A)으로부터 상방으로 분출되는 분출 에어가 가해져 분위기가 형성된다. 분출 에어는 본 발명의 일 형태에 있어서의 부상 분출 가스에 상당한다.
또한, 본 실시형태에서는 압축 공기에 의해 유리 기판(100)을 부상시켜 레이저 조사부(5) 부근에서는 불활성 가스로서 질소를 분출하고 있지만, 이것들의 유체의 조합은 이것만은 아니고, 레이저 조사에 사용되는 모든 유체에 적용된다. 또한, 예를 들면 대역 분위기와 소역 분위기에서 동성분의 가스를 사용하여 대역 분위기와 소역 분위기에서 서로 순도가 다른 가스를 사용하도록 해도 좋다. 그 경우, 소역 분위기에서 순도가 높은 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태는 도 2에 나타낸 전방 및 깊이 방향으로도 동일한 기구로 되어 있고, 이에 따라 소역 분위기(B)에 유리 기판(100)이 도달하면 유리 기판(100)의 상방, 하방 및 양측방으로부터 분위기 가스에 의해 유리 기판(100)이 덮어진다. 또한, 적어도 질소 분출부(6)의 가스의 분출 범위 및 상면 벽면부(7)에서는 가공 에리어(W)보다 반송 방향 직각 방향에 대하여 외측에 위치하는 것이 바람직하고, 플로트 유닛(3B)의 가스 분출 범위를 가공 에리어(W)보다 마찬가지로 외측에 위치하는 것이 바람직하다.
(실시형태 2)
다음에, 실시형태 2의 개략도를 도 3에 나타낸다. 또한, 실시형태 1과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 첨부하고, 그 설명을 생략 또는 간략화한다.
본 실시형태에 나타내어지는 레이저 처리 장치(2A)에서는 유리 기판(100)을 반송하기 위해서, 외부로부터 공급된 압축 유체를 분출하기 위한 플로트 유닛(3)을 반송 경로의 하방측에 다수 배치하고 있다. 여기에서, 플로트 유닛(3)은 다공성 형상이나 구멍, 홈 등에 의해 형성되어 있어 압축 유체를 주입하면, 유닛 상면으로부터 상기 유체를 분출한다. 상기 플로트 유닛(3)으로부터 공급된 유체에 의해, 유리 기판(100)은 하면에 유체력을 받아 플로트 유닛(100)으로부터 떨어져 있는 일정 높이에서 부상·비접촉 지지된다. 이 지지 위치에 따른 경로가 본 발명의 반송 경로가 된다. 유리 기판(100)의 반송은 본 발명과는 다른 기구에서 도시되지 않은 반송 기구에 의해, 유리 기판(100)의 일부를 파지한 상태에서 플로트 유닛(3) 상을 따라 이동하도록 행해진다.
레이저 처리 장치(2A)는 가공 에리어(W)를 갖고 있고, 가공 에리어(W)의 상방측에 레이저 조사부(5)가 설치되어 있다. 레이저 조사부(5)는 가공 처리를 하는 유리 기판(100)의 반송 방향 측방의 형상에 맞춘 크기를 갖고 있고, 도시되지 않은 레이저광원으로부터 출력되어 소정의 형상으로 정형된 레이저가 유리 기판(100)을 향하여 조사된다. 또한, 레이저 조사부(5) 부근에서는 레이저 조사부(5)의 하면에, 플로트 유닛과는 다른 질소 분출부(6)를 갖고 있다. 질소 분출부(6)는 질소를 하방으로 분출함과 아울러, 상기 레이저광이 하방으로 투과한다.
또한, 질소 분출부(6)의 양측방측에는 하부의 플로트 유닛(3)과 동정도의 성능을 갖고, 하면측에 질소를 분출하는 질소 하방 분출부(8)를 갖고 있다. 질소 하방 분출부(8)는 라인빔 형상에 따라서, 반송 방향과 교차하는 방향을 따라서 마찬가지로 배치되어 있다. 질소 하방 분출부(8)는 본 발명의 일 형태에 있어서의 하방 가스 분출부에 상당한다.
질소 하방 분출부(8)에 대응하는 위치의 플로트 유닛(3)은 질소 가스를 상방으로 분출하는 플로트 유닛(3B)으로 구성되어 있고, 그 외측의 플로트 유닛(3)에서는 에어를 상방으로 분출하는 플로트 유닛(3A)으로 구성되어 있다. 즉, 플로트 유닛(3)은 플로트 유닛(3A)과 플로트 유닛(3B)을 총칭하는 것이다.
레이저 조사부(5)에 있는 질소 분출부(6)는 외부의 질소 도입부(21)로부터 공급된 질소를 분출하여 질소 분출부(6) 내부의 구조에 의해 흐트러짐이 없는 흐름으로서, 상기 질소 분출부(6)로부터 유리 기판(100) 상면에 분출된다. 또한, 질소 하방 분출부(8)는 외부의 질소 도입부(21)로부터 공급된 질소를 연직 하방으로 분출하고, 유리 기판(100) 상면에 분출된다. 질소 분출부(6)와 질소 하방 분출부(8)로부터 분출된 질소는 유리 기판(100) 상면과 질소 하방 분출부(6)의 틈을 따라 유리 기판 외측으로 흘러나온다.
또한, 유리 기판(100) 하면은 플로트 유닛(3B)으로부터 분출하는 질소에 의해 부상·비접촉 지지하고 있다. 유리 기판(100) 하면도 상면과 마찬가지로 질소로 충만되어 있다.
이상으로부터, 레이저 조사부(5) 부근에서는 질소 분출부(6)와 질소 하방 분출부(8)로부터 분출되는 질소가 적어도 플로트 유닛(3B)의 분출 질소의 전부 또는 일부에 맞도록 위치되어 질소가 충만되기 때문에 국소적인 질소 분위기, 즉 소역 분위기(B)를 생성·유지할 수 있다.
즉, 플로트 유닛(3B), 질소 분출부(6) 및 질소 하방 분출부(8)는 본 발명의 소역 분위기 형성부를 구성한다.
또한, 유리 기판(100)이 레이저 조사부(5) 아래에 없는 경우에도, 상하면으로부터의 질소 분출에 의해 질소 분위기가 형성된다. 이 실시형태에서는 질소 하방 분출부(8)에 의해 바로 아래에 질소가 분출되고 있어, 유리 기판(100)의 유무에 관계없이 소역 분위기는 확보되어 있다. 소역 분위기(B)는 유리 기판(100)에 대하여, 상방, 하방 및 양측방을 덮도록 하여 형성되어 가공 에리어(W)는 소역 분위기(B) 내에 위치하고 있다.
또한, 소역 분위기는 유리 기판 반송시에 항상 형성되는 것이 아니어도 좋고, 적어도 이동 방향(D)에 의해 유리 기판(100)이 소역 분위기(B)를 형성하는 영역에 이르기까지, 또는 가공 영역에 이르기까지 형성되어 있으면 좋다.
또한, 대역 영역에서는 공기에 의한 대역 분위기(A)가 형성되어 있고, 대역 분위기(A)에서는 에어 도입부(20)로부터 도입된 청정화한 공기를 사용해도 좋고, 대기 중의 공기를 그대로 사용해도 된다.
또한, 대역 분위기(A)가 되는 대역 영역에서는 플로트 유닛(3A)이 상방으로 분출되는 분출 에어가 가해져 분위기가 형성된다.
또한, 본 실시형태에서는 압축 공기에 의해 유리 기판(100)을 부상시켜 레이저 조사부(5) 부근에서는 불활성 가스로서 질소를 분출하고 있지만, 이것들의 유체의 조합은 이것에 한정되는 것은 아니고, 레이저 조사에 사용되는 모든 유체에 적용된다. 또한, 예를 들면 대역 분위기와 소역 분위기에서 동종류의 가스를 사용하여 순도가 다른 가스를 사용하도록 해도 좋다. 그 경우, 소역 분위기에서 순도가 높은 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태는 도 3에 나타낸 전방 및 깊이 방향으로도 동일한 기구로 되어 있고, 이에 따라 소역 분위기(B)에 유리 기판(100)이 도달하면 유리 기판(100)의 상방, 하방 및 양측방으로부터 분위기 가스에 의해 유리 기판(100)이 덮어진다. 또한, 적어도 질소 분출부(6)의 가스의 분출 범위 및 상면 벽면부(7)에서는 가공 에리어(W)보다 반송 방향 직각 방향에 대하여 외측에 위치하는 것이 바람직하고, 플로트 유닛(3B)의 가스 분출 범위를 가공 에리어(W)보다 마찬가지로 외측에 위치하는 것이 바람직하다.
(실시형태 3)
다음에, 실시형태 3의 개략도를 도 4에 나타낸다. 또한, 실시형태 1과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 첨부하고, 그 설명을 생략 또는 간략화한다.
본 실시형태에 나타내지는 레이저 처리 장치(2B)에서는 유리 기판(100)을 반송하기 위해서, 외부로부터 공급된 압축 유체를 분출하기 위한 플로트 유닛(3)을 반송 경로의 하방측에 다수 배치하고 있다. 여기에서, 플로트 유닛(3)은 다공성 형상이나 구멍, 홈 등에 의해 형성되어 있어 압축 유체를 주입하면, 유닛 상면으로부터 상기 유체를 분출한다. 상기 플로트 유닛(3)으로부터 공급된 유체에 의해, 유리 기판(100)은 하면에 유체력을 받아 플로트 유닛(100)으로부터 떨어져 있는 일정 높이에서 부상·비접촉 지지된다. 이 지지 위치에 따른 경로가 본 발명의 반송 경로가 된다. 유리 기판(100)의 반송은 본 발명과는 다른 기구에서 도시되지 않은 반송 기구에 의해, 유리 기판(100)의 일부를 파지한 상태에서 플로트 유닛(3) 상을 따라 이동하도록 행해진다.
레이저 처리 장치(2B)는 가공 에리어(W)를 갖고 있고, 가공 에리어(W)의 상방측에 레이저 조사부(5)가 설치되어 있다. 레이저 조사부(5)는 가공 처리를 하는 유리 기판(100)의 반송 방향 측방의 형상에 맞춘 크기를 갖고 있고, 도시되지 않은 레이저광원으로부터 출력되어 소정의 형상으로 정형된 레이저가 유리 기판(100)을 향하여 조사된다. 또한, 레이저 조사부(5) 부근에서는 레이저 조사부(5)의 하면에, 플로트 유닛과는 다른 질소 분출부(6)를 갖고 있다. 질소 분출부(6)는 질소를 하방으로 분출함과 아울러, 상기 레이저광이 하방으로 투과한다.
또한, 질소 분출부(6)의 양측방측에는 하부의 플로트 유닛(3)과 동정도의 성능을 갖고, 하면측으로서 가공 에리어(W)를 기준으로 하여 반송 방향 전후에서 외측(경사 방향)으로 질소를 분출하도록 비스듬히 설치된 질소 하방 분출부(9)를 갖고 있다. 질소 하방 분출부(8)는 본 발명의 일 형태에 있어서의 하방 가스 분출부에 상당한다.
질소 하방 분출부(8)에 대응하는 위치의 플로트 유닛(3)은 질소 가스를 상방으로 분출하는 플로트 유닛(3B)으로 구성되어 있고, 그 외측의 플로트 유닛(3)에서는 에어를 상방으로 분출하는 플로트 유닛(3A)으로 구성되어 있다. 즉, 플로트 유닛(3)은 플로트 유닛(3A)과 플로트 유닛(3B)을 총칭하는 것이다.
레이저 조사부(5)에 있는 질소 분출부(6)는 외부의 질소 도입부(21)로부터 공급된 질소를 분출하여 질소 분출부(6) 내부의 구조에 의해 흐트러짐이 없는 흐름으로서, 상기 질소 분출부(6)로부터 유리 기판(100) 상면에 분출된다. 또한, 질소 하방 분출부(8)는 외부의 질소 도입부(21)로부터 공급된 질소를 연직 하방으로 분출하고, 유리 기판(100) 상면에 분출된다. 질소 분출부(6)와 질소 하방 분출부(8)로부터 분출된 질소는 유리 기판(100) 상면과 질소 하방 분출부(6)의 틈을 따라 유리 기판 외측으로 흘러나온다.
또한, 질소 하방 분출부(9)에서의 질소 분출의 상세를 설명한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(100)이 도시 좌측으로부터 가공 에리어(W)에 진입할 때, 질소 하방 분출부(9)는 유리 기판(100)의 진행 방향(D)에 대하여 반대측에 질소를 분출한다. 이 때문에, 유리 기판(100)에 대해서는 조기에 질소가 충분히 공급된다. 유리 기판(100)이 가공 에리어(W)에 진입 후, 가공 에리어(W)에 대하여 도시 우측의 질소 하방 분출부(9)는 유리 기판의 진행 방향과 동방향으로 질소를 분출한다.
질소 분출부(6)와 질소 하방 분출부(9)로부터 분출된 질소는 유리 기판 상면과 질소 분출부(3)의 틈을 따라 유리 기판(100)의 외측으로 흘러나온다.
또한, 유리 기판(100) 하면은 플로트 유닛(3B)으로부터 분출하는 질소에 의해 부상·비접촉 지지하고 있다. 유리 기판(100) 하면도 상면과 마찬가지로 질소로 충만되어 있다.
이상으로부터, 레이저 조사부(5) 부근에서는 질소 분출부(6)와 질소 하방 분출부(9)로부터 분출되는 질소가 적어도 플로트 유닛(3B)의 분출 질소의 전부 또는 일부에 맞도록 위치되어 질소가 충만되기 때문에 국소적인 질소 분위기, 즉 소역 분위기(B)를 생성·유지할 수 있다.
즉, 플로트 유닛(3B), 질소 분출부(6) 및 질소 하방 분출부(9)는 본 발명의 소역 분위기 형성부를 구성한다.
유리 기판(100)이 레이저 조사부(5) 아래에 없는 경우에도, 상하면으로부터의 질소 분출에 의해 질소 분위기가 형성된다. 이 실시형태에서는 질소 하방 분출부(9)에 의해 바로 아래에 질소가 분출되고 있어 유리 기판(100)의 유무에 관계없이 소역 분위기가 확보되고 있고, 질소 하방 분출부(9)에 의해 경사 방향으로 질소가 분출되기 때문에 유리 기판(100)은 조기에 질소와 접촉한다. 소역 분위기(B)는 유리 기판(100)에 대하여, 상방, 하방 및 양측방을 덮도록 형성되어 가공 에리어(W)는 소역 분위기(B) 내에 위치하고 있다.
또한, 소역 분위기는 유리 기판 반송시에 항상 형성되는 것이 아니어도 좋고, 적어도 이동 방향(D)에 의해 유리 기판(100)이 소역 분위기(B)를 형성하는 영역에 이르기까지, 또는 가공 영역에 이르기까지 형성되어 있으면 좋다.
또한, 대역 영역에서는 공기에 의한 대역 분위기(A)가 형성되어 있고, 대역 분위기(A)에서는 대역 영역 외부로부터 도입된 청정화한 공기를 사용해도 좋고, 대기 분위기 중의 공기를 사용해도 좋다.
또한, 대역 분위기(A)가 되는 대역 영역에서는 플로트 유닛(3A)이 상방으로 분출되는 분출 에어가 가해져 분위기가 형성된다.
본 실시형태에서는 압축 공기에 의해 유리 기판을 부상시켜 레이저 조사부 부근에서는 불활성 가스로서 질소를 분출하고 있지만, 이것들의 유체의 조합은 이것에 한정되는 것은 아니고, 레이저 조사에 사용되는 모든 유체에 적용된다.
또한, 본 실시형태는 도 4에 나타낸 전방 및 깊이 방향으로도 동일한 기구로 되어 있고, 이에 따라 소역 분위기(B)에 유리 기판(100)이 도달하면 유리 기판(100)의 상방, 하방 및 양측방으로부터 분위기 가스에 의해 유리 기판(100)이 덮어진다. 또한, 적어도 질소 분출부(6)의 가스의 분출 범위 및 상면 벽면부(7)에서는 가공 에리어(W)보다 반송 방향 직각 방향에 대하여 외측에 위치하는 것이 바람직하고, 플로트 유닛(3B)의 가스 분출 범위를 가공 에리어(W)보다 마찬가지로 외측에 위치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 각 실시형태에서는 유리 기판을 워크로서 부상 반송시키고, 레이저 처리를 행하는 것을 대상으로 하여 설명했지만, 워크가 유리 기판에 한정되는 것은 아니고, 또한 가공의 처리가 레이저 처리에 한정되는 것은 아니다. 또한, 가공의 유무에 의해 한정되는 것은 아니다.
이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 기초하여 설명을 행했지만, 본 발명은 상기 실시형태의 설명에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한은 적당한 변경은 가능하다.
1 처리실 2 레이저 처리 장치
2A 레이저 처리 장치 2B 레이저 처리 장치
3 플로트 유닛 3A 플로트 유닛
3B 플로트 유닛 5 레이저 조사부
6 질소 분출부 7 상부 벽면부
8 질소 하방 분출부 9 질소 하방 분출부
20 에어 도입부 21 질소 도입부
100 유리 기판 A 대역 분위기
B 소역 분위기 D 진행 방향

Claims (15)

  1. 워크를 가스 분출에 의해 부상 지지하여 반송하는 부상 반송 장치에 설치되는 분위기 형성 장치로서,
    상기 반송이 행해지는 반송 경로를 포함하는 대역적인 영역에 있어서의 대역 분위기 내에서, 상기 반송 경로를 포함하는 소역적인 영역에서 상기 대역 분위기와 다른 소역 분위기를 형성하는 소역 분위기 형성부를 갖는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 대역 분위기와 상기 소역 분위기가 상기 부상 지지를 위해서 분출된 부상 분출 가스를 분위기 가스의 일부로서 포함하고, 상기 대역 분위기에 있어서의 상기 부상 분출 가스와 상기 소역 분위기에 있어서의 상기 부상 분출 가스가 다른 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 대역 분위기에 있어서의 분위기 가스와 상기 소역 분위기에 있어서의 분위기 가스가 가스의 성분에서 다른 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대역 분위기에 있어서의 가스와 상기 소역 분위기에 있어서의 가스가 동일한 성분이고, 순도가 다른 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대역 분위기를 형성하는 대역 분위기 형성부를 갖고, 상기 대역 분위기 형성부는 대역적인 상기 영역의 외부로부터 분위기 가스를 도입하는 대역 가스 도입부를 갖는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소역 분위기 형성부는 대역적인 상기 영역 및 소역적인 상기 영역의 외부로부터 분위기 가스를 도입하는 소역 가스 도입부를 갖는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소역 분위기 형성부는 적어도 하방으로부터 분출되는 부상 분출 가스의 전부 또는 일부에 맞춰서 상방으로부터 분위기 가스를 분출하는 하방 가스 분출부를 갖는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하방 가스 분출부는 하방 가스 분출부로부터 분출되는 가스와 부상 분출 가스 사이에 워크의 반송 경로가 위치하도록 위치 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소역 분위기가 상기 워크의 가공 에리어를 포함하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소역 분위기가 상기 워크의 가공 에리어의 반송 방향 상류측의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소역 분위기가 상기 워크의 가공 에리어의 반송 방향 하류측의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소역 분위기 형성부는 상기 소역 분위기에서 반송되는 상기 워크의 상하 방향 및 반송 방향의 양측방을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대역적인 영역과 상기 소역적인 영역을 상기 워크에 대한 처리를 행하는 처리실 내에 갖는 것을 특징으로 하는 분위기 형성 장치.
  14. 워크를 가스 분출에 의해 부상 지지하여 반송하는 부상 반송 방법으로서,
    상기 반송이 행해지는 반송 경로를 포함하는 대역적인 영역에 있어서의 대역 분위기 내에서, 상기 반송이 행해지는 반송 경로를 포함하는 소역적인 영역에서 상기 대역 분위기와 다른 소역 분위기를 형성하는 공정과, 상기 대역 분위기와 상기 소역 분위기를 통해서 상기 반송 경로를 따라 상기 워크를 반송하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 부상 반송 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 대역적인 영역에서 상기 대역 분위기를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 부상 반송 방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6917691B2 (ja) * 2016-10-04 2021-08-11 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP2018085472A (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 株式会社ブイ・テクノロジー レーザアニール装置
JP6983578B2 (ja) * 2017-08-25 2021-12-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
WO2019102548A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 堺ディスプレイプロダクト株式会社 レーザアニール方法、レーザアニール装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法
JP7034817B2 (ja) * 2018-04-19 2022-03-14 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
US20210225653A1 (en) * 2018-06-06 2021-07-22 Sakai Display Products Corporation Laser annealing method, laser annealing apparatus and method for producing active matrix substrate
JP7120833B2 (ja) 2018-07-10 2022-08-17 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
JP7306860B2 (ja) * 2019-04-11 2023-07-11 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
JP7437187B2 (ja) * 2020-02-26 2024-02-22 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置
JP7570275B2 (ja) * 2021-04-22 2024-10-21 株式会社日本製鋼所 粉末積層造形装置および造形方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3502981B2 (ja) * 1995-10-05 2004-03-02 株式会社日本製鋼所 レーザーアニール処理装置
JP2000072251A (ja) 1998-08-31 2000-03-07 Watanabe Shoko:Kk 浮上搬送装置および浮上搬送システム
US6071796A (en) * 1998-10-30 2000-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of controlling oxygen incorporation during crystallization of silicon film by excimer laser anneal in air ambient
JP4974416B2 (ja) * 2001-01-30 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置
US7232715B2 (en) 2002-11-15 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor film and semiconductor device and laser processing apparatus
JP4610178B2 (ja) * 2002-11-15 2011-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4268447B2 (ja) * 2003-05-14 2009-05-27 Ｈｏｙａ株式会社 基板保持具、基板処理装置、基板検査装置及びこれらの使用方法
JP4767251B2 (ja) * 2004-04-14 2011-09-07 コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド 光学検査装置を平坦な対象物の接面に対して焦点合わせする方法
JP4869612B2 (ja) 2005-03-25 2012-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよび基板搬送方法
JP2007051001A (ja) 2005-08-19 2007-03-01 Nippon Sekkei Kogyo:Kk 薄板状材料の搬送方法及び装置
US20070117287A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
JP5037926B2 (ja) * 2006-12-14 2012-10-03 三菱電機株式会社 レーザアニール装置
JP2009135430A (ja) 2007-10-10 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP5404064B2 (ja) * 2008-01-16 2014-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法
US8383202B2 (en) * 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
WO2011129282A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置
DE102010049837A1 (de) * 2010-10-27 2012-05-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Gasschleuse sowie Beschichtungsvorrichtung mit einer Gasschleuse
EP2481832A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition
JP5408678B2 (ja) 2011-11-07 2014-02-05 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置
JP6560198B2 (ja) * 2014-05-12 2019-08-14 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置、レーザアニール処理用連続搬送路およびレーザアニール処理方法
JP6215281B2 (ja) * 2015-10-27 2017-10-18 株式会社日本製鋼所 被処理体搬送装置、半導体製造装置および被処理体搬送方法

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