KR20170125331A - 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택 - Google Patents

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KR20170125331A KR1020177023957A KR20177023957A KR20170125331A KR 20170125331 A KR20170125331 A KR 20170125331A KR 1020177023957 A KR1020177023957 A KR 1020177023957A KR 20177023957 A KR20177023957 A KR 20177023957A KR 20170125331 A KR20170125331 A KR 20170125331A
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네덜란제 오르가니자티에 포오르 토에게파스트-나투우르베텐샤펠리즈크 온데르조에크 테엔오
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Abstract

광학적 산란층(10)은 복굴절 매트릭스 물질(11)과 상기 매트릭스 물질(11) 내에 분산된 복수의 산란 입자(12)를 포함한다. 산란 입자(12)는 가시 광선에 대한 정상(ordinary) 굴절률("no")과 일치하는 입자 굴절률("np")을 갖는다. 복굴절 매트릭스 물질의 굴절률 중 하나와 산란 입자의 굴절률을 일치시킴으로써 이방성 산란(anisotropic scattering )이 얻어진다.

Description

일렉트로-옵티컬 디바이스 스택
본 발명은 광학적 산란층을 포함하는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택, 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택을 포함하는 일렉트로닉 디바이스 및 광학적 산란층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
광학적 산란층은 층을 통하여 이동하는 광의 방향을 변경(산란)시킬 수 있다. 이는 광이 일렉트로-옵티컬 디바이스의 외부로 방향이 전환된 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택의 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시킬 수 있다. 예를 들면, 산란층에 의한 아웃-커플링(out-coupling)은 OLED와 같은 일렉트로-옵티컬 디바이스의 효율을 향상시키는데 유리할 수 있다. 이러한 층이 없다면, 100lm/W 또는 그 이상의 효율에 도달하는 것은 어렵다. 그러나, 산란층이 흐려지는 결과(haziness)를 초래할 수 있다. 예를 들면, 투명 디바이스가 제공되는 경우, 산란층을 추가함으로써 정 투과율(specular transmittance)이 감소되는 것은 불리할 수 있다. 예를 들면, 반사 배면(reflecting back surface)이 제공되는 경우, 산란층을 추가함으로써 거울과 같은 디바이스의 외관이 사라지는 것과 같이 불리할 수 있다.
따라서, 외관의 흐릿함(haziness)이 없이 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시킬 수 있는 광학적 산란층을 제공하는 것이 요구된다.
본 발명은 법선에 대하여 상대적으로 낮은 각도로 광학적 산란층을 정면에서 바라보았을 때, 아웃-커플링(out-coupling)을 개선하면서, 법선에 대하여 상대적으로 높은 각도로 광을 산란시킴으로써, 흐릿한(haziness) 외관을 최소화 할 수 있는 광학적 산란층을 포함하는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택, 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택을 포함하는 일렉트로닉 디바이스 및 광학적 산란층을 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 제 1측면은 광학적 산란층을 제공하는 것이다. 상기 광학적 산란층은 광학적 산란층의 인플레인(in-plane) 방향에 정상(ordinary) 굴절률과 광학적 산란층의 면에 수직인 법선 방향의 이상(extraordinary) 굴절률을 갖는 복굴절 매트릭스 물질을 포함한다. 상기 광학적 산란층은 매트릭스 물질에 분산된(용해되거나 또는 다른 방법으로 퍼지는) 복수의 산란 입자를 더 포함한다. 산란 입자는 가시 광선에 대하여 광학적 산란층의 정상(ordinary) 굴절률과 매칭되는 입자 굴절률을 갖는다.
이론에 구애됨이 없이, 다음과 같이 관찰된다. 산란 입자의 굴절률과 복굴절 매트릭스 물질의 굴절률간의 법선 방향에서의 불일치에 의해, 법선 방향에서 전기장 성분을 갖는 광은 입자들에 의하여 분산될 수 있다. 전기장 성분이 전파 방향에 대하여 수직이기 때문에, 법선에 대하여 상대적으로 높은 각도로 전파하는 광에 영향을 미칠 수 있음을 유의해야 한다. 동시에 산란 입자의 굴절률과 광학적 산란층의 인플레인(in-plane) 방향에서 복굴절 매트릭스의 굴절률을 일치시킴으로써 법선 방향에서, 예를 들면, 광학층의 인플레인(in-plane) 방향에서의 전기장 성분을 갖는 광의 전파는 산란 입자에 의한 영향이 최소화될 수 있다. 공기로부터 밀도가 조밀한 매질로의 입사광의 굴절은 이 매질에서 입사각보다 낮은 투과광의 각도로 전파될 수 있다. 이와 같이, 복굴절 산란의 경면 투명도(specular transparency)는 높은 각도에서도 높게 유지될 수 있다. 따라서, 법선에 대하여 상대적으로 낮은 각도로 광학적 산란층을 정면에서 바라보았을 때, 아웃-커플링(out-coupling)을 개선하면서, 법선에 대하여 상대적으로 높은 각도로 광을 산란시킴으로써, 흐릿한(haziness) 외관을 최소화 할 수 있는 광학적 산란층이 제공된다.
추가적인 시너지 효과는 다음 특징들의 하나 또는 그 이상의 조합에 의하여 달성될 수 있다. 광학적 산란층의 면에 수직인 법선 방향과 일치하는 광축(optic axis)을 갖는 일축성(uniaxial) 복굴절 매트릭스 물질을 제공함으로써, 상기 층상에 법선 입사를 갖는 광에 대한 영향은 광의 편광에 독립적일 수 있다. 따라서, 법선 입사(낮은 시야각)로 전파하는 랜덤하게 편광된 광조차도, 복굴절에 의해 상대적으로 영향을 받지 않을 수 있다. 입자의 굴절률을 매트릭스 물질의 가장 낮은 굴절률과 일치시킴으로써, 다른 방향으로 전파하는 광 사이에서, 상대적으로 높은 산란비(scattering ratio)가 달성될 수 있고, 특히 낮은 입사각 또는 법선 입사각에서 상대적으로 낮은 산란을 갖게 하면서, 높은 입사각에서의 상대적으로 높은 산란을 얻을 수 있다. 정상(ordinary) 굴절률보다 작거나 같은 입자 굴절률을 제공함으로써, 보다 최적의 산란차(scattering difference)가 달성될 수 있다. 등방(isotropic) 굴절률을 갖는 산란 입자를 제공함으로써, 산란 입자의 배향(orientation)에 독립적인 매트릭스 물질의 굴절률을 단일 굴절률과 매칭시키는 것이 보다 용이할 수 있다.
바람직하게는, 물질의 매개 변수들(예를 들면, 굴절률, 입자 크기)은 최대 산란비(예를 들면, 적어도 5, 10 또는 그 이상이며, 예를 들면, 적어도 20, 또는 50일 수 있다)를 제공하도록 선택된다. 더 높은 산란 비는 낮은 시야각으로부터 최소한의 흐릿함(haziness)을 갖는 개선된 아웃-커플링(out-coupling)을 제공할 수 있다. 바람직하게는, 입자의 크기는 광의 파장과 동일한 차수(order)일 수 있다. 예를 들면, 산란 입자의 직경은 400nm 내지 2500nm이고, 바람직하게는 500nm 내지 2000nm일 수 있다. 물 및/또는 산소와 반응하는 물질을 포함하는 산란 입자를 사용함으로써, 광학 산란층의 증기 또는 산소의 투과율이 낮아질 수 있다. 예를 들면, OLED에 사용되는 것과 같은 유기층과 조합한 시너지 효과는 수분 및/또는 산소 배리어로서 광학 산란층을 추가로 사용함으로써 달성될 수 있다. 바람직하게는 매트릭스 물질과의 매칭을 위한 요구되는 한계를 벗어나 물 및/또는 산소와의 반응은 산란 입자의 굴절률을 현저하게 변경하지 않도록 산란 입자가 선택된다. 택일적으로나 또는 반응성 입자에 추가하여, 물 및/또는 산소와 반응하지 않아 일정한 굴절률을 유지하는 불활성 산란 입자(inert scattering particles)가 사용될 수 있다.
광학적 산란층은, 예를 들면, 일렉트로 디바이스를 위한 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택에 사용될 수 있다. 예를 들면, 디바이스 스택은 상기 광학적 산란층을 통하여 디바이스 스택의 외부로 광을 방출하도록 형성되는 일렉트로-옵티컬 층을 포함할 수 있다. 광학적 산란층은 광의 경로 내의 임의의 위치에 배치될 수 있다.
디바이스 스택은 반사(reflective) 또는 반-반사(semi-reflective) 계면을 갖는 광학 미세-공동(micro-cavity)를 포함하거나 형성할 수 있다. 미세-공동(micro-cavity) 내부의 임의의 위치에 산란층을 제공함으로써, 광은 산란층을 여러 번 통과할 수 있으며, 상기 광은 각 패스(each pass)에서 재지향(re-directed)된다. 선택적으로 또는 부가적으로 상기 산란층은 상기 미세-공동(micro-cavity)의 계면에 제공될 수 있다. 상기 광학적 산란층의 상기 계면상에서의 반사는 예를 들면, 광학적 산란층으로 연장되는 상기 광의 소멸(evanescent) 전기장에 의하여 겪게 되는 굴절률 및 상기 광의 방향에 의하여 영향을 받을 수 있다. 따라서, 이는 상기 미세-공동(micro-cavity)에서 각 패스(each pass)상의 광을 재지향(re-directing)하거나 또는 우선적으로 반사시키는 유사한 효과를 가질 수 있다. 따라서, 상기 미세공동(microcavity)내 및/또는 상기 미세공동(microcavity)의 계면에 상기 광학적 산란층이 제공됨으로써, 산란의 효율은 광이 상기 산란층과 오직 한 번 마주치는(encounter) 장치와 비교하여 개선될 수 있다.
상기 광학적 산란층은 예를 들면, 상부 방출(top emission), 투명(transparent) 및 하부 방출(bottom emission) 디바이스에 사용될 수 있고, SiO2, Al2O3, SiN 및 전문가에게 잘 알려진 물질과 같이 단일 무기 밀집층과 결합되거나, 조밀한 무기층들 중 두 개 사이에 샌드위치되거나, 하나 또는 그 이상의 층중 두 개 또는 그 이상의 배열 사이에 샌드위치될 때, 배리어층으로서 동작될 수 있다. 표면에 수직인 매트릭스의 상기 굴절률과 매칭된 산란 입자를 갖는 복굴절의 아웃-커플링(birefringent out-coupling)층은 산란으로 인하여 각도 범위(range of angles)에서 보는 경우 가시성을 낮출 수 있다. 상기 굴절률을 조정함으로써 정면에서 보는 경우, 예를 들면, 개선된 투명성 또는 거울과 같은 외관(산란이 억제되기 때문에)과 같은 개선된 흐릿함(haziness)을 제공할 수 있고, 더 높은 각도에서 산란은 더 높은 아웃-커플링(out-coupling)을 가능하게 한다. 예를 들면, OLED스택은 기판으로 모든 방향 또는 높은 각도로 광을 방출할 수 있다. OLED에 의존하여, 이는 예를 들면, 전체의 20-60% 사이일 수 있다. 이 광을 높은 각도로 산란시킴으로써, 아웃-커플링(out-coupling)이 개선될 수 있다.
본 발명의 제 2측면은 예를 들면, 제 1측면에 따른 광학적 산란층을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 상기 방법은 복수의 산란 입자를 리퀴드(예: 결정질(crystalline)) 매트릭스 물질에 혼합하는 단계, 증착 및 혼합물을 층으로서 경화시키는 단계를 포함한다. 상기 매트릭스 재료는 상기 광학적 산란층의 인플레인(in-plane) 방향에서 정상(ordinary) 굴절률과 광학적 산란층의 면(plane)에 수직인 법선 방향에서 이상(extraordinary) 굴절률을 가지는 것이 제공되고, 상기 분산된 산란 입자는 가시 광선에 대하여 상기 정상(ordinary) 굴절률과 일치하는 입자 굴절률을 갖는다.
본 발명은 법선에 대하여 상대적으로 낮은 각도로 광학적 산란층을 정면에서 바라보았을 때, 아웃-커플링(out-coupling)을 개선하면서, 법선에 대하여 상대적으로 높은 각도로 광을 산란시킴으로써, 흐릿한(haziness) 외관을 최소화 할 수 있는 광학적 산란층을 포함하는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택, 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택을 포함하는 일렉트로닉 디바이스 및 광학적 산란층을 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 미세공동(microcavity)내 및/또는 상기 미세공동(microcavity)의 계면에 광학적 산란층을 제공함으로써, 광의 산란의 효율을 개선할 수 있다.
본 개시 내용의 상세한 설명의 장치, 시스템 및 방법의 특징들(features), 다른 특징들, 측면들(aspects) 및 이점들(advantages)은 다음의 설명, 첨부된 청구항 및 첨부 도면으로부터 더 잘 이해될 것이다:
도 1a 및 1b는 광학적 산란층의 한부분(piece)을 통하여 다른 각도로 전파하는 광을 도시한 것이다;
도 2a 및 2b는 광학적 산란층을 포함하는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택의 실시예를 도시한 것이다;
도 3a는 일렉트로- 옵티컬 디바이스 스택의 다른 실시예를 도시한 것이다;
도 3b는 산란 입자의 농도를 갖는 광학적 산란층을 도시한 것이다;
도 4a 및 4b는 광학적 산란층을 제조하는 방법을 도시한 것이다;
도 5 내지 도 7은 다양한 파라미터의 함수로서 입자 산란 단면(cross-section)의 의존성을 나타내는 그래프를 도시한 것이다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 광학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 일반적으로 이해하는 것과 동일한 의미를 갖는것이고, 설명 및 문맥에서 읽은 것으로 이해되어야 한다. 그 용어는 더욱이 일반적으로 사용되는 사전에서 정의되는 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한, 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다. 몇몇의 경우들에서, 잘 알려진 장치 및 방법에 대한 상세한 설명은 본 시스템 및 방법의 설명을 모호하게 하지 않도록 생략될 수 있다. 특정 실시예를 설명하기 위해 사용된 용어는 본 발명을 제한(limiting)하는 것이 아니다. 본원에서 사용된 단수 형태 "a", "an" 및 "the"는 문맥상 다르게 지시하지 않는 한 복수 형태를 포함하고자 한다. "및/또는"이라는 용어는 하나 이상의 열거된 관련 항목의 모든 조합을 포함한다. "포함하다" 및/또는 "포함하는" 용어는 명시된 특징의 존재를 나타내지만 하나 이상의 다른 특징의 존재 또는 추가를 배제하지 않는 것으로 이해될 것이다. 방법의 특정 단계가 다른 단계에 차후(subsequent)에 언급될 때, 별도로 명시하지 않는 한, 상기 다른 단계를 직접 수행할 수 있거나 또는 하나 이상의 중간 단계가 특정 단계를 수행하기 전에 수행될 수 있다. 마찬가지로, 구조들(structures) 또는 부품들(components)간의 연결이 기술될 때, 이 연결은 별도로 명시하지 않는 한 직접 또는 중간 구조나 부품을 통해 확립될 수 있다. 본 명세서에 언급된 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 기타 참고 문헌은 그 전체가 참고 문헌으로 인용된다. 갈등(conflict)이 있는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서에 의해 제어(control)될 것이다.
물질의 굴절률 "n"은 n=c/v로 정의될 수 있고, 여기서 "c"는 진공에서의 광의 속도이며, "v"는 물질에서의 광의 속도이고, 보다 정확하게는 광의 위상 속도(phase velocity)이다. 이론에 구애됨이 없이 상기 물질의 굴절률은 물질의 구조와, 물질을 통하여 이동하는 광의 진동(oscillating) 전자기장(electromagnetic field)이 그 구조에 결합(couple)하는 방법에 의존할 수 있음을 주목해야 한다. 상기 물질에 구애되어, 물질의 굴절률은 등방성(isotropic), 즉 임의의 방향으로 전파하는 광에 대해 동일할 수 있고, 또는 이방성(anisotropic), 즉 전파 광의 상이한 방향 및 그 편광(polarization)에 대하여 상이할 수 있다.
본 명세서에서 사용된 "한 방향에서의 굴절률(refractive index in a direction)"이라는 문구는 선형으로 편광된 광의 유효 비율(c/v)을 의미하는 것으로서, 그 방향에서의 전기장(electric field) 성분(component)의 방향을 의미한다. 대부분의 자연적으로 발생하는 물질의 경우, 광학적 주파수(optical frequencies)에서 자기 성분의 영향은 무시될 수 있고, 상기 전기장(electric field) 성분(component)이 지배적(dominant)이다. 예를 들면, 물질의 결정 구조는 상기 전기장(electric field)의 방향에 따라 상기 광에 대하여 서로 다르게 결합(couple)될 수 있다. 상기 전기장(electric field)은 상기 광의 전파 방향에 대하여 수직임을 주목해야 한다. 따라서, 특정 방향으로 진행하는 광에 대한 상기 굴절률은 광의 전파에 대하여 수직인 방향에서의 물질 구조에 의하여 실제로 결정된다.
“복굴절의 물질(birefringent material)"이라는 문구는 굴절률을 가진 물질이 다양한 축을 따라 상이하다는 것을 나타내기 위해 사용된다. 복굴절(birefringence)은 예를 들면, 물질의 이상(extraordinary) 굴절률과 정상(ordinary) 굴절률의 최대 차이와 같이 정량화될 수 있다: n=ne-no. 예를 들면, 일축성(uniaxial) 복굴절의 물질은 광축(optic axis)을 따라 이상(extraordinary) 굴절률과, 광축에 수직인 모든 방향에서의 상기 정상(ordinary) 굴절률의 기여(contribution)를 갖는다. 일축성(uniaxial) 복굴절은 n="ne"-"no"의 부호(sign)에 따라 양(positive)의 값 또는 음(negative)의 값으로 분류될 수 있다. 예를 들면, 양(positive)의 값 복굴절은 "ne"가 "no"보다 큰 값임을 의미한다. 역사적으로(historically) 및 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 상기 복굴절이라는 용어는 예를 들면, 2축(biaxial) 물질은 3개의 주축(principal axes)을 갖는 것과 같이, 둘 이상의 굴절률로 특징되는 물질을 포함할 수 있다. 복굴절의 원인(source)은 이방성(anisotropic) 결정 형성, 복굴절 유도 응력(stress induced birefringence), 전기장(Kerr effect; 커 효과) 또는 자기장(Faraday effect; 패러데이 효과) 에 의해 유도된 복굴절, 또는 지질(lipids), 계면 활성제(surfactants) 또는 액정(liquid crystal)과 같은 양친매성 분자(amphiphilic molecules)의 박막의 예와 같은 분자의 자기(self) 또는 강제(forced) 정렬(alignment)을 포함할 수 있다.
상기 굴절률은 일반적으로 광의 파장("dispersion", 분산)에 의존한다. 다르게 명시되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 상기 굴절률은 예를 들면, 390nm 내지 700nm의 파장과, 무시할 수 있는 파장 의존성(wavelength dependence) 및/또는 상기 굴절률에 대한 비교값이 언급되는 경우의 전체 가시적인 파장 범위에서의 사실을 유지하는 상기 비교를 갖는 가시 광선을 위한 것이다. 더구나, 달리 명시하지 않는 한, 상기 사용된 굴절률은 예를 들면, 고세기(high intensities)에서 발생할 수 있는 비선형(non-linear) 효과에 대한 고려가 없는 법선 광의 세기(normal light intensities)를 위한 것이다. 랜덤하게(randomly) 또는 원형(circularly)으로 편광된 광에 대하여, 상기 광에 영향을 주는 상기 굴절률은 광의 두 편광의 방향에 따른 기여(contribution)를 분할(splitting)함으로써 결정될 수 있다. 복굴절 물질에서 이는 광의 한 편광 성분(polarization component)이 다른 편광 성분(polarization component)과 다르게 굴절(refract)되도록 야기시킬 수 있다.
산란(scattering)은 방사되는 빔(beam of radiation)의 공간 분포(spatial distribution)가 변경되는 과정이다. 예를 들면, 광은 매질(medium)에 분산된 입자와의 상호 작용(interaction)에 의하여 산란될 수 있다. 산란 단면(cross-section), 즉, 광이 산란될 확률은 예를 들면, 상기 광의 파장에 관계하는 입자의 크기에 의존할 수 있다. 또한, 그것은 상기 입자 및 상기 주위 매질(예로, 매트릭스 물질) 사이의 굴절률에서의 차이에 의존할 수 있다. 본 발명의 복굴절 매트릭스 물질에 있어서, 매트릭스와 입자의 굴절률의 차이는 전파하는 광의 방향 및 그것의 전기장에 따라 상이할 수 있다. 이 효과는 다른 방향에서 산란의 다른 각도를 얻기 위하여 사용될 수 있다. 상이한 방향으로 전파하는 광의 산란 단면(cross-section) 사이의 차이는 본 명세서에서 "산란차(scattering difference)"로 언급된다. 상이한 방향에서 광의 산란 단면 사이의 비율(ratio)은 본 명세서에서 "산란비(scattering ratio)" 또는 "콘트라스트(contrast)"로 언급된다.
하나의 정의에 따르면, 물질은 특히 물질 내의 굴절률 사이의 최대 차이가 적어도 0.01, 보다 바람직하게는 적어도 0.05, 적어도 0.1, 적어도 0.2, 적어도 0.3 또는 적어도 0.5인 경우 복굴절로 간주될 수 있고, 본 명세서에 기재된 바와 같은 원하는 효과가 제공될 수 있다. 현재의 목적을 위해, 매트릭스 물질이 더 복굴절일수록, 다른 방향으로부터 매트릭스 물질 내의 입자와 상호 작용하는 광의 산란차(scattering difference)가 더 높을 수 있다.
하나의 정의에 따르면, 굴절률 사이의 차이가 최대 0.05, 바람직하게 적게는 최대 0.02, 바람직하게 더 적게는 동일할 경우 두 굴절률은 매칭하는 것으로 간주될 수 있다. 현재의 목적을 위해 상기 산란 입자의 굴절률 및 상기 물질의 굴절률 중 적어도 하나가 더 동일할수록 일치하는(matching) 굴절률의 방향으로 편광을 갖는 광에 대하여 산란이 덜 발생할 수 있다. 따라서, 더 높은 산란 콘트라스트(contrast) 또는 비율(ratio)이 달성될 수 있다.
본 발명은 이하 본 발명의 실시예가 도시된 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 다수의 상이한 형태로 구체화될 수 있고, 여기에 설명된 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려 이러한 실시예들은 본 개시가 철저하고(thorough), 완전해질 수 있도록 제공되고, 당업자에게 본 발명의 범위를 충분히 전달할 것이다. 예시적인 실시예들의 설명은 첨부된 도면들과 관련하여 읽어지도록(read) 의도되고, 이는 첨부된 도면 전체의 일부분으로 간주되어야 한다. 도면에서 시스템, 부품, 층 및 영역의 절대적 및 상대적인 크기는 명확하게하기 위해 과장될 수 있다. 실시예는 본 발명을 가능한 이상적인 실시예 및 중간 구조물은 단면도 및/또는 개략도를 참조하여 설명될 수 있다. 설명 및 도면에서 동일한 번호는 동일한 요소를 지칭한다. 상대적인 용어 및 그의 파생어는 다음에 설명되거나 논의되는 도면에서 도시된 방향(orientation)으로 참조하여 해석되어야 한다. 이러한 상대적인 용어는 설명의 편의를 위한 것이고, 별도로 명시하지 않는 한 시스템을 특정 방향으로 구성하거나 행할(operated) 필요 없다.
도 1a는 광학적 산란층(10)의 한부분(piece)을 통하여 법선 입사각에서 전파하는 광("L")을 도시한 것이다. 도 1b는 더 높은 입사각(θ1)에서 전파하는 동일 광("L")을 도시한 것이다.
광학적 산란층(10)은 인플레인(in-plane) 방향(X)에 정상(oridinary) 굴절률(“no”)과 면에 수직인 법선 방향(Z)의 이상(extraordinary) 굴절률(“ne”)을 갖는 복굴절 매트릭스 물질(11)을 포함한다. 복수의 산란 입자(12)들은 매트릭스 물질(11)에 분산되어 있다(현재 도면에는 하나의 입자를 도시한다). 산란 입자(12)들은 상기 정상 굴절률(“no”)과 일치(match)하는 입자 굴절률 (“np”)을 갖는다.
도면에 의하여 도시된 바와 같이, 법선 입사각(도 1a)에서 전파하는 광은 흰색 화살표로 표시되는 전기장(electric field, "E")의 방향에서 매칭되는 굴절률 "no" 및 "np"에 기인하는 입자(12)에 의하여 상대적으로 낮은 산란을 겪을 수 있다. 일축성(uniaxial) 물질(11)의 경우, 상기 굴절률 "no" 은 또한 "Y"방향에 있다(미도시). 따라서, 도시된 것보다 상기 광의 다른 편광에 대하여도 상기 굴절률이 매칭될 수 있다. 한편, 더 높은 입사각(θ1) (도 1b)에서 전파하는 광은 불일치(mismatching) 굴절률 "ne" 및 "np"에 기인하는 입자(12)에 의하여 상대적으로 높은 산란을 겪을 수 있다. 상기 입사각(θ1)이 더 높을수록, 불일치(mismatching) 굴절률 "ne"의 기여(contribution)는 더 높아진다.
일 실시예에서, 제2굴절률 및 정상(ordinary) 굴절률의 차이("ne"-"no")는 예를 들면, 가시 광선에 대하여 적어도 0.1이다. 일 실시예에서, 제1굴절률 및 이상(extraordinary) 굴절률의 상대적인 차이(|"no" - "ne"|/"no"+"ne")는 적어도 0.05이다. 일 실시예에서, 가시 광선에 대한 굴절률의 차이("no"-"np")는 최대 0.05이다. 일 실시예에서, 제1굴절률 및 입자 굴절률의 상대적인 차이(|np - "ne"|/np+"ne")는 최대 0.02이다. 일 실시예에서, 상기 입자 굴절률("np")은 등방성(isotropic)이다. 일 실시예에서, 상기 입자 굴절률("np")은 상기 정상(ordinary) 굴절률(“no”)보다 작거나 같다. 일 실시예에서, 상기 정상(ordinary) 굴절률(“no”) 및 상기 입자 굴절률("np")의 차이("no"-"np")는 적어도 0.01이다.
일 실시예에서, 복굴절 매트릭스 물질 (11)은 광학적 산란층(10)의 면(XY)에 수직인 법선 방향(Z)과 일치하는 광축(optic axis)을 갖는 일축성(uniaxial)이다. 일 실시예에서, 상기 이상(extraordinary) 굴절률("ne")은 광학적 산란층(10)의 면(XY)에 수직인 법선 방향(Z)이고, 상기 정상(ordinary) 굴절률("no")은 인플레인(in-plane) 방향(X,Y) 및 제 3방향(Y)에 있으며, 제1방향 및 제3방향(XY)은 광학적 산란층(10)에 있다. 일 실시예에서 상기 이상(extraordinary) 굴절률("ne")은 상기 정상(ordinary) 굴절률(“no”) 즉, 양의 값을 갖는 일축성(uniaxial) 복굴절의 물질보다 크다.
일 실시예에서, 광학적 산란층(10)의 면에 수직인 방향으로 전파하는 광에 대한 광학적 산란층(10) 내의 산란 입자(12)의 평균(average) 또는 중앙(median) 산란 단면(cross-section)(σ1)은 상대적으로 낮다. 예를 들면, 10-1㎛2 미만이고, 바람직하게는 10-2㎛2 미만이며, 보다 바람직하게는 10-3㎛2 미만이고, 390nm내지 700nm 파장 범위의 가시 광선에 대해서는 10-12㎛2 및 10- 4㎛2의 사이에 존재한다. 일 실시예에서, 산란 입자(12)의 입자 크기, 굴절률("np") 및 농도는 매트릭스 물질(11)의 상기 굴절률 "no" 및 광학적 산란층(10)의 두께와 관련하여 선택되어, 법선 입사각에서의 광학적 산란층(10)을 가로지르는(traversing) 가시 광선의 10% 미만이 바람직하게는 1% 미만, 보다 바람직하게는 0.1% 미만이 산란된다. 예를 들면, 현재의 목적을 위하여 광의 일부는 하나 또는 그 이상의 산란 입자(12)와 상호작용에 의하여 전파 방향이 10°이상 변할 때 "산란된(scattered)"것으로 간주될 수 있다. 예를 들면, 법선 입사에서 상기 광학적 산란층을 가로지르는 가시 광선의 10% 미만은 10°이상의 방향 변화를 겪는다. 보다 일반적으로, 산란(scattering)은 통과하는 매체(medium)에서 국부적인(localize) 비균일성(non-uniformities)으로 인하여 하나 또는 그 이상의 경로에 의해 직선 궤도(straight trajectory)로부터 벗어나도록(deviate) 강제되는 물리적 과정(process)으로 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 광학적 산란층(10)의 인플레인(in-plane) 방향으로 전파하는 광에 대한 광학적 산란층(10) 내의 산란 입자(12)의 평균(average) 또는 중앙(median) 산란 단면(cross-section)(σ2)은 상대적으로 높다. 예를 들면, 10-1㎛2 미만이고, 바람직하게는 1㎛2 미만이며, 보다 바람직하게는 10㎛2 미만이고, 390nm에서 700nm 파장 범위의 가시 광선에 대하여는 10㎛2 내지 1000㎛2의 사이에 존재한다. 일 실시예에서, 산란 입자(12)의 입자 크기, 굴절률("np") 및 농도는 매트릭스 물질(11)의 상기 굴절률 "no"와 "ne" 및 광학적 산란층(10)의 두께와 관련하여 선택되어, 45°의 입사각에서의 광학적 산란층(10)을 가로지르는(traversing) 가시 광선의 10% 이상이, 바람직하게는 25%이상, 보다 바람직하게는 50% 이상이 된다.
일 실시예에서 광학적 산란층(10)의 인플레인(in-plane) 방향(X,Y)으로 전파하는 가시 광선에 대한 복굴절 매트릭스 물질(11)내 산란 입자(12)의 산란 단면(cross-section)(σ2)은 광학적 산란층(10)의 면(XY)에 수직인 법선 방향(Z)으로 전파하는 가시 광선에 대한 복굴절 매트릭스 물질(11)내 산란 입자(12)의 산란 단면(cross-section)(σ1)과 대비하여 비율(ratio) 또는 산란 콘트라스트(contrast)는 3이상, 바람직하게는 5이상, 더 나아가 10이상이다.
일 실시예에서, 매트릭스 물질(11)은 광-활성화된(photo-activated) 복굴절(birefringent) 물질을 포함한다. 일 실시예에서, 매트릭스 물질(11)은 스트레치된(stretched) 및/또는 압축된(compressed) 호일(foil)을 포함한다. 또한, 매트릭스 물질의 굴절률을 제어(control) 및/또는 결정(determine)하기 위한 다른 방법이 고려될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 명세서에서 설명된 바와 같이 광학적 산란층을 포함하는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100)의 실시예를 도시한 것이다. 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100)은 광학적 산란층(10)을 통하여 장치 스택(100)의 외부로 광("L")을 방출하거나, 장치 스택(100)의 외부에서 광("L")을 수용(receive)하도록 형성된 일렉트로-옵티컬 층(30)을 더 포함한다. 바람직하게는 광학적 산란층(10)은 일렉트로-옵티컬 층(30)에 근접하여 보다 높은 아웃-커플링(out-coupling)을 가능하게 한다. 일 실시예에서, 일렉트로-옵티컬 층(30)은 전극들, 예를 들면, 전압("V")을 인가하기 위한 음극(21) 및 양극(22) 사이에 샌드위치된다. 또한, 추가의 전도층들, 예를 들면, 정공 주입층(hole injection layer) 및/또는 전자 주입층(electron injection layer)이 상기 전극들 사이에 포함될 수 있다. 일 실시예에서 상기 디바이스 스택은 호일(foil) 또는 금속(metal)으로 이루어진 기판(40)을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 양극과 전극의 위치는 상호 교환(interchange)될 수 있다. 또한, 상기 전극들은 다중(multiple) 층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 전극(21,22) 및 기판(40)을 포함하는 모든 층은 가시 광선에 대하여 투명하므로, 투명 디바이스 스택(100)을 제공한다. 바람직하게는, 투명 디바이스 스택(100)에서 이방성(anisotropic) 산란 층(10)을 사용함으로써, 외부의 광("E")은 낮은 입사각(수직 시야각, normal viewing angles)에서 최소한의 산란으로 디바이스 스택(100)을 통하여 전파할 수 있는 반면, 일렉트로-옵티컬 층(30)에서 발생된 광("L")은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위하여 더 높은 각도에서 산란될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 일렉트로-옵티컬 층은 반도체성(semiconducting) 유기층, 예를 들면, OLED 장치를 제공한다.
일 실시예에서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100)은 일렉트로-옵티컬 층(30)을 사이에 두고 적어도 두 개의 반사계면(1a, 1b)을 갖는 다층(multi-layered) 구조를 포함한다. 일 실시예에서, 상기 반사계면들 중 적어도 하나의 반사계면(1a)은 반투명하며, 상기 두 반사계면 1a, 1b 및/또는 1a, 1c의 사이에 미세공동(microcavity)을 형성한다.
예를 들면, 도시된 바와 같이 상부-방출(top-emission) 디바이스에서, 반사계면(1a)은 반투명할 수 있고, 반사계면(1b)은 완전하게 반사할 수 있다. 예를 들면, 하부-방출(bottom-emission) 디바이스(미도시)에서, 반사계면(1a)은 완전히 반사할 수 있고, 반사계면(1b)은 반투명(예: 투명 기판)할 수 있다. 예를 들면, 공동(미도시)을 갖는 투명한 디바이스에서, 반사계면(1a 및 1b) 모두 반투명할 수 있다. 예를 들면, 반투명 계면 1a 및/또는 1b는 광의 20% 내지 99%, 바람직하게는 50% 내지 90% 또는 60% 내지 80%를 반사하도록 형성되고, 예를 들면, 광은 일렉트로-옵티컬 층에 의하여 방출 및/또는 흡수되며, 예를 들면, 가시 광선일 수 있다.
일 실시예에서, 광학적 산란층(10)은 미세공동(microcavity)의 에지(edge) 또는 계면(1b, 1c)에 제공된다. 일 실시예에서, 상기 산란층은 반사계면(1a, 1b)의 사이에 제공된다. 대안으로 또는 부가적으로, 산란층(10)과 예를 들면, 전극(22)들 중 하나 사이의 계면(1c)은 상기 미세공동(microcavity)의 반사계면을 형성할 수 있다. 계면(1c)상의 반사는 예를 들면, 광학적 산란층(10)으로 연장하는 상기 광(L)의 소멸하는(evanescent) 전기장(electric field) 및 상기 광(L)의 방향에 의하여 겪게 되는 굴절률에 따라 영향을 받을 수 있다.
상기 반투명층이 더 많이 반사할 수록, 광이 상기 공동(cavity)내 상기 광학적 산란층을 평균적으로 더 많은 횟수(times)로 통과할 수 있다. 일 실시예에서, 일렉트로-옵티컬 층(30)은 상기 미세공동(microcavity)내에서 광(L)을 방출하거나 흡수하도록 형성되며, 상기 광(L)은 상기 미세공동(microcavity)의 반사계면(1a, 1b) 사이에서 반사되며, 상기 계면의 반사도는 평균적으로 광(L)이 반투명 계면(1a)을 통하여 한 번 이상, 예를 들면, 상기 미세공동(microcavity)을 빠져나가기 전에 적어도 두 번 광학적 산란층(10)과 마주치도록(encounter) 형성된다. 예를 들면, 상기 광(L)은 적어도 두 번 상기 광학적 산란층을 통해 이동할 수 있고/있으며, 적어도 두 번 상기 광학적 산란층의 계면에서 반사될 수 있다. 또한, 상기 광은 평균적으로 2회 이상, 예를 들면, 3회, 4회, 5회 또는 그 이상 광학적 산란층(10)과 마주칠 수 있으며, 반투명 계면의 반사도가 더 높다.
심지어 약한 공동(반투명 계면의 낮은 반사도)에 대하여도, 광학적 산란층(10)은 공동(cavity)내의 (지배적인(dominant)) 모드(mode)에 영향을 줄 수 있음을 유의해야한다. 따라서, 예를 들면, 10% 또는 20%의 상대적으로 낮은 반사에 대하여도, 상기 광학적 산란층은 디바이스의 성능에 유리하게 영향을 줄 수 있다. 효율을 위하여, 바람직하게는 상기 공동(cavity) 계면들은 공동(cavity) 모드(mode)의 보강 간섭(constructive interference)을 허용하기 위하여 상대적으로 이격된다. 통상적으로, 이는 상기 공동(cavity)이 디자인(design)되기 위한 상기 광(L)의 파장의 1/2 배수에서 상기 공동(cavity) 계면들이 이격(distance)된다는 것을 의미한다. 상기 공동(cavity) 계면들 사이의 거리는 상기 반사계면에서 발생할 수 있는 상기 광의 임의의 위상 시프트(phase shift)에 의하여 조정(adjust)될 수 있다.
복굴절 산란층의 적용은 상기 공동(cavity) 계면들 사이의 보다 먼 거리에서 특히 유용함이 밝혀졌으며, 예를 들면, 상기 반사계면들 사이의 거리는 적어도 상기 광(L)의 적어도 한 파장, 적어도 3/2 파장 또는 그 이상이어야 한다. 상기 광학적 산란층이 없다면, 광은 특히 더 먼 공동(cavity) 거리에서 상대적으로 비효율적으로 방출될 수 있음이 밝혀졌다.
일 실시예에서, 전극(21,22)들은 미세공동(microcavity)내에 배치(dispose)되며, 가시 광선에 대하여 투명하다. 일 실시예에서, 다층 구조(multi-layered structure)는 상기 반사계면 중 하나의 반사계면(1b)을 형성하기 위하여, 금속(metallic) 또는 금속화된(metalized) 기판을 포함한다. 일 실시예에서, 상기 반사계면 중 하나의 반사계면(1a)은 무기 및 유기 배리어층(41,42) 사이의 계면에 의하여 형성된다. 다른 실시예에서, 상기 전극들 중 하나는 반투명하며, 상기 반사계면들 중 하나를 형성한다. 본 명세서에 기재된 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100)은 예를 들면, 일렉트로닉 디바이스의 디스플레이에서 응용(application)을 찾을 수 있다.
도시된 실시예들에 대하여 대안적으로 또는 부가하여, 일 실시예에서 상기 광학적 산란층은 무기층상에 적용된다. 일 실시예에서, 상기 광학적 산란층은 무기 배리어층에 의하여 덮여진다. 일 실시예에서, 배리어 층은 상기 기판 및 상기 광학적 산란층의 사이에 제공된다. 또한, 층 및 계면의 다른 변형(variation)도 가능하다.
도 3a는 광학적 산란층(10)을 포함하는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택의 다른 실시예를 도시한 것이다. 일 실시예에서, 광학적 산란층(10)내의 산란 입자는 광학적 산란층(10)을 통한 물 및/또는 산소의 투과를 실질적으로 방지하기 위하여, 물 및/또는 산소와 반응한다. 일 실시예에서 배리어 특성(property)을 개선하기 위하여 추가의 유기 또는 무기층(51,52)이 제공된다. 일 실시예에서, SiN과 같은 무기물질의 층(51,52)는 광학적 산란층(10)의 일면 또는 양면에 제공된다. 일 실시예에서, 추가 배리어 층을 갖거나 또는 갖지 않는 광학적 산란층(10)은 10-5g/m2/day 이하의 수증기 투과율(transmission rate)을 제공한다. 또한 상기 스택(100)의 상부면상에 하나 또는 그 이상의 배리어층(45)이 제공될 수 있다.
도 3b는 매트릭스 물질(11)내에서 산란 입자(12)의 농도("C")를 갖는 광학적 산란층(10)을 도시한 것이다. 일 실시예에서 산란 입자(12)의 직경은 500nm 내지 2000nm이다. 일 실시예에서 산란 입자(12)의 농도 및 광학적 산란층(10)의 두께는 광학적 산란층(10)의 평방 센티미터당, 104 내지 1010 입자의 밀도를 제공하도록 형성되며, 바람직하게는, 105 내지 107이다.
도 4a는 광학적 산란층을 제조하는 방법의 실시예를 도시한 것이다. 복수의 산란 입자(12)를 액체 매트릭스 물질(11)에 혼합하는 단계를 포함한다. 상기 혼합물은 예를 들면, 용매 증발(evaporating a solvent), 냉각(cooling), (광-유도된(photo-induced)) 중합(polymerization) 등에 의하여 고형화(solidify) 또는 경화(harden) 시키기 위한 층으로서 증착될 수 있다. 동시에 또는 순차적으로, 복굴절 특성(property)이 매트릭스 물질(11)에 유도(induce)되며, 산란 입자(12)는 가시 광선에 대하여 상기 매트릭스 물질의 굴절률 중 하나와 매칭된 입자 굴절률을 갖는다.
일 실시예에서, 상기 복굴절 특성(property)은 상기 매트릭스 물질에 액정 단량체(liquid crystalline monomers)를 정렬하고, 광-활성화(photo-activation)에 의해 리지드 네트워크(rigid network)로의 정렬을 고정(freezing)시킴으로써 상기 매트릭스 재료에 유도된다. 일 실시예에서, 매트릭스 물질(10)은 광-배향막(photo-alignment layer)(미도시)상에 제공된다. 일 실시예에서, 상기 광-배향막(photo-alignment layer)은 이방성(anisotropic) 이합체화(dimerization)에 의하여 형성된 중합체를 포함한다.
일 실시예에서, 용액층(10f)은 증착 디바이스(201)에 의하여 기판(40)상에 증착된다. 일 실시예에서, 용액 필름의 층(10f)은 오븐(202)에 의하여 건조되는 반면, 용액 내의 분자는 예를 들면, 어닐링(annealing)에 의하여 정렬(align)된다. 일 실시예에서, 건조된 필름(10c)은 예를 들면, UV 램프(203)에 의한 조사(irradiation)에 의하여 경화된다.
예를 들면, 반응성 메조겐(reactive mesogens) 또는 RM으로 알려진 일부 광활성(photoactive) 복굴절의 물질을 개시한 WO2009086911a1을 참고할 수 있다. RM(reactive mesogens)은 보상(compensation), 지연(retardation) 또는 편광(polarisation) 필름, 예를 들면, 인-시튜(in-situ) 중합(polymerisation)공정을 통하여, 광학적 또는 LC 디스플레이와 같은 일렉트로-옵티컬 디바이스의 구성요소로서 사용하기 위한 광학적 필름을 제조하는데 사용될 수 있다. 상기 필름의 광학적 특성(property)은 혼합물 제제(formulation) 또는 기판 특성(property)과 같은 많은 상이한 인자(factor)들에 의하여 조절될 수 있다. 상기 필름의 광학적 특성(property)은 특히 혼합물의 복굴절을 변화시킴으로써 제어될 수 있다. 상기 RM(reactive mesogens) 필름은 중합이 가능한 물질, 바람직하게는 중합이 가능한 액정 물질, 바람직하게는 중합 가능한 및/또는 메조겐 또는 액정인 하나 또는 그 이상의 추가적인 화합물을 선택적으로(optionally) 포함하는 것으로 형성될 수 있다. 상기 RM(reactive mesogens) 필름은 중합 가능한 LC 물질을 바람직하게는 박막의 형태로 지향된(oriented) 상태로 중합시킴으로써 얻어진 이방성(anisotropic) 중합체로 형성될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 광활성 복굴절층이 예를 들면, 금속화된 플라스틱의 적절한 물리적 준비(즉, 마찰)에 의하여 예비 배향막(pre-alignment layer) 없이 제공될 수 있음을 예측할 수 있고, 바람직하게는, 상기 광활성 복굴절층은 정렬(alignment)의 목적을 위해 구성된 기능을 갖는 상기 광-배향막(photo-alignment layer)에 의하여 정렬(alignment)이 제공되는 방식으로 광-배향막(photo-alignment layer)상에 제공된다. 이와 관련하여, 상이한 주 사슬(폴리비닐알콜(polyvinylalcohol), 폴리실록산(polysiloxane), 셀룰로오스(cellulos))의 사이드 프래그먼트(fragment)에서 신남산(cinnamic acid)의 유도체(derivative)를 포함하는 광배향(photoaligning) 중합체가 기재되어 있는 『Y. Kurioz, "P-128: Orientation of a Reactive Mesogen on Photosensitive Surface" Volume 38, Issue 1, pages 688-690, May 2007』을 참조할 수 있다. 물질들의 상기 광배향(photoaligning) 특성은 편광된(polarized) UV을 조사할 때 사이드 프래그먼트(fragment)의 이방성(anisotropic) 이합체화(dimerization) 및 신남오일(cinnamoil) 프레그먼트(fragment)의 가능한 트랜스-시스-이성질체화(trans-cis isomerisation)에 의하여 야기된다. 상기 셀룰로오스계(cellulose-based) 신나메이트(cinnamate) 중합체는 감광성(photosensitivity)을 가지고 있으며, UV 노출 후에 대부분의 상용 네마틱(nematic) LC 혼합물의 고품질 정렬을 제공한다.
도 4b는 매트릭스 물질(11)을 스트레칭(stretching) 및/또는 압축(compressing)함으로써 매트릭스 물질(11)에 상기 복굴절 특성(property)이 유도되는 광학적 산란층을 제조하기 위한 또 다른 방법을 도시한 것이다. 예를 들면, 중합체 호일(foil)을 스트레칭(stretching)함으로써, 복굴절 특성(property)이 유도될 수 있다. 일 실시예에서 예를 들면, 법선 입사시 상기 층(10)을 통하여 산란의 양을 모니터링하면서 광학적 산란층(10)에 기계적인 응력(stress)을 적용하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 기계적인 응력(stress)이 적용되며, 예를 들면, 호일(foil)은 최소한의 산란이 관찰될 때까지 스트레치(stretch) 된다. 이 최소한으로, 매트릭스 물질(11)의 정상 굴절률(“no”)은 산란 입자(12)의 정상 굴절률(“no”)과 매칭될 수 있다. 또한, 복굴절을 유도하거나, 제어하기 위한 다른 과정은 매칭되는 굴절률을 얻기 위한 산란의 함수(function)로서 수행(perform)될 수 있다.
도 5a는 "nm"=1.55의 굴절률을 갖는 매트릭스에서 "np"=2.6의 입자 굴절률을 갖는 입자에 대한 참조 계산(reference calculation)을 도시한 것이다. 예를 들면, PEN 호일(foil)에 있는 TiO2 입자이다. 상기 그래프는 상기 입자의 반경("R", 직경의 반)의 함수로서 상기 입자의 기하학적 면적(πR2)으로 정규화된(normalized) 산란 단면(“σ”)을 도시한다. 이 도면 및 다음에서, 상기 광의 상이한 파장에 대응한 3개의 유사한 그래프가 도시된다. 특히, 상기 파장 λa, λb, λc는 각각 상기 광의 파장인 460nm, 550nm, 640nm에 대응한다(진공에서의 파장).
도 5b는 "nm"=1.55(왼쪽 세 그래프) 및 "nm"=1.75(오른쪽 세 그래프)의 굴절률을 갖는 매트릭스에서 "np"=1.50를 갖는 입자에 대한 계산(calculation)을 도시한 것이다. 이것은 매트릭스 물질내에서 상이한 굴절률에 대한 산란 단면(cross-section)의 차이를 도시할 수 있다. 예를 들면, 입자 반경이 R=600nm(일점 쇄선, dash-dotted line)인 입자에 대하여 높은 굴절률 불일치(1.50 vs 1.75)에 대한 산란 단면(σ2)은 낮은 굴절률 불일치(1.50 vs 1.75)에 대한 산란 단면(σ1)보다 훨씬 크다는 것이 관찰될 수 있다. 이러한 상황은 예를 들면, “no" =1.55 및 "ne" = 1.75인 복굴절 매트릭스 물질(11)을 갖는 광학적 산란층(10)에서 발생할 수 있다. 예를 들면, PEN 호일(foil)은 이들 굴절률을 갖는 복굴절 매트릭스 물질을 제공하도록 스트레치(stretch)될 수 있다. 이 그래프들에 도시된 바와 같이 입자의 반경(R)은 입자 직경의 반에 해당한다. 물론 비구형(non-spherical) 입자도 사용될 수 있는데, 이러한 경우 직경은 입자의 최대 단면 직경을 참고한다.
도 6a는 도 5B에 도시된 바와 같이, PEN(1.55 및 1.75)의 두 굴절률을 이용하여 복굴절 매트릭스에서 n=1.5인 입자에 대한 산란 단면(cross-section)의 콘트라스트 비(contrast ratio, σ2/σ1)를 도시한 것이다. 그래프는 1 미크론(micron)이하의 반경(R)을 갖는 입자에 대한 최대 콘트라스트 비(contrast ratio)를 도시하고 있음을 알 수 있다. PEN(높은 굴절률)의 높은 각도에서의 산란에 대하여 최적인 것은 ~0.5-0.8미크론이며, 이는 콘트라스트 비(contrast ratio)〉4임을 의미한다. 600nm 입자를 취했을 경우, 청색광의 피크(peak)에서, 청색광(λa)에 대한 콘트라스트(contrast)는 ~8.5이다.
도 6b는 매트릭스("nm" =1.55) 및 불일치 굴절률("nm"=1.75)에 가까운 지수(index)를 갖는 입자에 의한 산란에 대해 측정한 것으로, 0°에서의 산란 강도(intensity)에 대한 계산(calculation)을 도시한 것이다. R=600nm의 선택된 크기에서, 0.02의 차이(파선(dash-dotted line) "np"=1.53)는 청색광(λa)에 가장 적합하고 산란 강도(intensity)(인자(factor) 67)에 대해 가장 높은 콘트라스트(σ2/σ1)를 나타냈다.
도 7a는 5b와 유사한 그래프로 "nm"=1.55 및 1.75의 매트릭스 굴절률을 갖는 입자 굴절률 "np"=1.53에 대하여 도시한 것이다.
도 7b는 대응하는 콘트라스트 비(contrast ratio) 그래프를 도시한 것이다. 그래프는 1 미크론(micron)이하의 반경(R)에서 최대 콘트라스트 비(contrast ratio)를 나타낸다. PEN(높은 굴절률)의 높은 각도에서의 산란에 대하여 최적인 것은 ~0.8미크론(청색에서 적색)이며, 콘트라스트 비(contrast ratio)〉27.5(청색의 경우) 및 심지어 최대 55임을 의미한다. 670nm인 입자를 취했을 경우, 청색광의 상기 피크(peak)에서, 청색광에 대한 상기 콘트라스트(contrast)는 ~41이다.
이상으로부터 상기 매트릭스의 최저 굴절률과 같거나 약간 낮은 굴절률을 갖는 물질이 가장 적합하다는 것을 파악할 수 있다. 1.5-1.6의 적절한(moderate) 굴절률("np")을 갖는 상기 유도된 매트릭스보다 낮은 굴절률을 갖는 입자는 예를 들면, SiO2 (n=1.46)와 같은 순수 산화물을 포함할 수 있고; 플루오르화된 PFBMA (n<1.39) J. Am. Chem. Soc. 1998 120 6518; Adv Mat 2008 20 3268에서 미크론 크기 입자에 대해 보고된 바와 같이 SiO2 및 TiO2와 같은 여러 물질의 나노입자들이 혼합된 구성의 구형(spherical) 입자; 순수한 고분자 물질; PMMA(1.49); 플루오르화 중합체(1.35 이상); MgF2 (1.38-1.385); 특정 염(salt, 전형적인 필러(filler)는 아님); 붕사(borax, Na2(B4O5)(OH)4·8(H2O), n~1.45); 엡솜 염(epsom salt, MgSO4·7(H2O), n~1.43); 울렉사이트(ulexite, NaCaB5O6(OH)6·5(H2O), n~1.49); 실리콘 산화물과 같은 다른 낮은 굴절률 물질을 갖는 중합체 나노입자의 도핑; 낮은 굴절률 필러(filler)로서 사용될 수 있는 공극(void)을 갖는 실리콘 옥사이드 입자를 포함할 수 있다.
상기 매트릭스 및 입자의 굴절률 사이의 차이는 매우 투명한 산란층에 대하여 바람직하게는 0.05 미만, 보다 바람직하게는 0.025 미만이다. 매트릭스를 갖는 입자의 큰 굴절률 콘트라스트(contrast)는 가능하지만, 이 매트릭스/입자 시스템으로 형성된 층은 약간의 흐릿함(haizness)을 나타낼 수 있다. 이러한 경우 보다 낮은 굴절률을 갖는 물질이 선택될 수 있다. 매트릭스의 굴절률이 증가하는 경우, 복굴절이 유지된다면, 동일한 적용(application)에 대하여 다른 입자의 이용이 가능하게 된다.
입자 크기는 선택될 수 있으며, 예를 들면, 가장 높은 굴절률 불일치(예: 입자 vs 매트릭스), 예를 들면, PEN에서 n이 1.53으로 가정된 670nm의 입자는 낮은 시야각(no=1.55)에서 거의 산란하지 않는다. 높은 각도에서, 굴절률(index)의 불일치가 증가하여, 산란 단면(cross-section)에서 인자(factor) 40-65에 이르도록 증가한다. 낮은 시야각에서의 이러한 낮은 흐릿함(haziness) 및 높은 각에서의 높은 산란에서, 산란은 예를 들면, 투명한 방사형 디바이스에의 적용에 대하여 효과적일 것이다. 추가적인 적용은 예를 들면, 태양에 대하여 고정된 위치를 갖는 태양 전지를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 높은 각도에서 효과적인 반사 방지(anti-reflective)코팅이 요구(desire)될 수 있다.
명료하고, 간결하게 설명하기 위해, 특징들(features)은 동일하거나 개별적인 실시예들의 일부로서 본 명세서에서 설명되지만, 본 발명의 범위는 설명된 특징 전부 또는 일부의 조합을 갖는 실시예를 포함할 수 있다고 이해될 것이다. 예를 들면, 복굴절 산란층을 포함하는 디바이스 스택에 대하여 실시예가 도시되었지만, 유사한 기능 및 결과를 얻기 위한 본 개시의 이점을 갖는 당업자는 대안적인 방법을 고려할 수 있다. 예를 들면, 대안적인 디바이스 스택을 제공하기 위하여 층이 추가되거나 생략될 수 있다. 논의되고 도시된 바와 같은 실시예의 다양한 요소는 흐릿함이 없는 OLED 디바이스의 효율이 개선된 것과 같은 특정 이점(certain advantages)을 제공한다. 물론 상기 실시예들 또는 공정들 중 임의의 하나는 하나 또는 그 이상의 다른 실시예들 또는 공정들과 결합되어 디자인 및 이점들을 발견하고 매칭하여 더 많은 개선(improvements)을 제공한다. 이 개시는 OLED에 특별한 이점(particular advantages)을 제공하며, 이방성 광산란(anisotropic light scattering)에 대한 임의의 응용예에 적용될 수 있다.
본 발명의 시스템 및 방법이 특정 실시 예를 참조하여 구체적으로 설명되었지만, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 당업자가 다양한 수정 및 대안적인 실시 예를 고안 할 수 있음을 이해해야한다. 예를 들면, 디바이스 또는 시스템이 특정 방법 또는 기능을 수행하기 위해 배열 및/또는 구성되도록 개시된 장치 또는 시스템 실시예는 본래의 방법 또는 기능 및/또는 다른 실시예와 조합(combination)될 수 있다. 또한, 방법의 실시예는 본질적으로 각각의 하드 웨어 내에서 이행(implementation)될 수 있고, 가능한 경우, 방법 또는 시스템의 다른 실시예와 조합하여 사용된다. 또한, 프로그램 명령어들로서 구체화될 수 있는 방법들, 예를 들면, 비 일시적인 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(non-transient computer-readable storage medium)은 본 명세서에서 개시된 실시예로서 본질적으로 개시되는 것으로 간주된다.
따라서, 상기 설명은 단지 본 시스템 및/또는 방법의 예시에 불과하고, 임의의 특정 실시예 또는 실시예의 그룹에 첨부된 청구 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 안된다. 따라서 명세서 및 도면은 예시적인 방식으로 간주되어야하고, 첨부된 청구 범위의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다. 첨부된 청구 범위를 해석할 때, "포함하는"이라는 단어는 주어진 청구항에 열거된 것 이외의 다른 요소 또는 행위(act)의 존재를 배제하지 않는 다는 것을 이해하고; 요소에 선행하는 "a" 또는 "an"이라는 단어는 복수의 요소의 존재를 배제하지 않으며; 청구 범위 내의 모든 참조 부호는 그 범위를 제한하지 않고; 몇몇의 "수단"은 동일하거나 다른 항목(item)들 또는 구현된 구조 또는 기능을 나타낼 수 있으며; 개시된 장치들 또는 이들의 일부(portion)를 특별히 달리 언급하지 않는 한, 함께 결합되거나 또는 다른 부분들로 분리될 수 있다. 특정 수단(certain measures)이 서로 다른 주장에서 인용된다는 단순한 사실만으로 이러한 수단의 조합이 유리(advantage)하게 사용될 수 없음을 나타내지 않는다. 특히, 청구 범위의 모든 작용 조합(working combinations)은 본질적으로 공개된 것으로 간주된다.
10 : 광학적 산란층
100 : 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택
11 : 복굴절 매트릭스 물질
12 : 산란 입자
21, 22 : 전극
30 : 일렉트로-옵티컬 층
40 : 기판
41, 42 : 유기 배리어층
51, 52 : 무기 배리어층

Claims (14)

  1. 일렉트로-옵티컬 층(30);
    인플레인(in-plane) 방향(X,Y)에 정상(oridinary) 굴절률("no")과 면(X,Y)에 수직인 법선 방향(Z)에 이상 굴절률("ne")을 갖는 복굴절 매트릭스 물질(11)과, 상기 매트릭스 물질(11)에 분산된 복수의 산란 입자(12) - 상기 산란 입자(12)는 복굴절 매트릭스 물질(11)의 상기 정상 굴절률("no")과 매칭되는 입자 굴절률("np")을 갖는 것을 포함함 - 를 포함하는 광학적 산란층(10); 및
    상기 일렉트로-옵티컬 층(30)을 사이에 두고 미세공동(microcavity)을 형성하는 적어도 두 개의 반사계면(1a, 1b) - 상기 반사계면들 중 적어도 하나의 반사계면(1a)는 반투명하고, 상기 광학적 산란층(10)은 상기 미세공동(microcavity)의 내부 및/또는 미세공동(microcavity)의 계면(1b, 1c)에 제공됨 -
    을 포함하는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일렉트로-옵티컬 층(30)은 미세공동(microcavity)내에서 광(L)을 방출 또는 흡수하도록 형성되고, 상기 광(L)은 상기 미세공동(microcavity)의 상기 반사계면(1a, 1b) 사이에서 반사되며, 상기 계면의 반사도는 광(L)이 상기 반투명 계면(1a)을 통하여 상기 미세공동(microcavity)을 빠져나가기 전에 평균적으로 적어도 두 번 상기 광학적 산란층(10)과 마주치도록 형성되는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복굴절 매트릭스 물질(11)은 상기 광학적 산란층(10)의 면(XY)에 수직인 법선 방향(Z)과 일치하는 광축(optic axis)을 갖는 일축성(uniaxial)인 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입자 굴절률("np")과 매칭되는 상기 정상 굴절률("no")은 상기 매트릭스 물질(11)의 상기 이상 굴절률("ne")보다 작은 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입자 굴절률("np")은 등방성(isotropic)인 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학적 산란층(10)의 인플레인(in-plane) 방향(X,Y)으로 전파하는 가시 광선에 대한 상기 복굴절 매트릭스 물질(11) 내 상기 산란 입자(12)의 산란 단면(cross-section)(σ2)은 상기 광학적 산란층(10)의 면(XY)에 수직인 법선 방향(Z)으로 전파하는 가시 광선에 대한 상기 복굴절 매트릭스 물질(11) 내 상기 산란 입자(12)의 산란 단면(cross-section)(σ1)과 대비하여 비율이 3 이상인 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산란 입자(12)의 직경은 500nm 내지 2000nm인 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산란 입자(12)의 농도와 상기 광학적 산란층(10)의 두께는 상기 광학적 산란층(10)의 평방 센티미터당 104 내지 1010 입자의 표면 밀도(surface density)를 제공하도록 형성되는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산란 입자(12)는 상기 광학적 산란층(10)을 통한 수분 및/또는 산소 투과를 방지하도록 형성되는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산란 입자(12)는 상기 광학적 산란층(10)을 통한 수분 및/또는 산소 투과를 방지하도록 형성되는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    가시 광선에 대한 상기 복굴절 매트릭스 물질(11)의 상기 이상 굴절률과 상기 정상 굴절률의 차이("ne"-"no")는 적어도 0.1인 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산란 입자(12)는 굴절률 차이("no"-"np")가 최대(at most) 0.05 이내인 가시 광선에 대하여 상기 정상(ordinary) 굴절률("no")과 매칭되는 입자 굴절률("np")을 갖는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사계면(1a) 중 적어도 하나는 상기 전기-광학 층(30)에 의하여 방출 또는 흡수된 광(L)의 20% 내지 90%를 반사시키도록 형성되는 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100).
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 상기 일렉트로-옵티컬 디바이스 스택(100)을 포함하는 전자 장치(electronic device).
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3034548A1 (en) * 2014-12-18 2016-06-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Barrier film laminate comprising submicron getter particles and electronic device comprising such a laminate
CN110088649B (zh) * 2016-11-19 2022-08-09 科勒克斯有限责任公司 阳光模拟照明系统中的调整装置
EP4375738A4 (en) * 2022-01-28 2025-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1129772A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Sekisui Chem Co Ltd 光学素子
JP4026915B2 (ja) * 1998-02-09 2007-12-26 日東電工株式会社 光拡散板、光学素子及び液晶表示装置
JP2003156603A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Nitto Denko Corp 光拡散板、その製造方法、光学素子および画像表示装置
JP2003270411A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Nitto Denko Corp 異方性散乱素子、これを用いた偏光板、光学素子、画像表示装置
JP4350996B2 (ja) * 2002-11-26 2009-10-28 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
WO2009086911A1 (en) 2008-01-11 2009-07-16 Merck Patent Gmbh Reactive mesogenic compounds and mixtures
EP2277081A2 (en) * 2008-05-08 2011-01-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device
US20110025196A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 General Electric Company Hermetic package with getter materials
JP2011060549A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Fujifilm Corp 有機ｅｌ装置用光学部材及び有機ｅｌ装置
EP2761368A1 (en) * 2011-09-30 2014-08-06 Koninklijke Philips N.V. Display backlight system
CN103000639B (zh) * 2012-12-12 2016-01-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置

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Publication number Publication date
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WO2016122313A1 (en) 2016-08-04
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