KR20170128585A - 고온 폴리머 본드를 이용하여 금속 베이스에 본딩 결합된 세라믹 정전 척 - Google Patents

고온 폴리머 본드를 이용하여 금속 베이스에 본딩 결합된 세라믹 정전 척 Download PDF

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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본원에서 설명되는 구현예들은 고온 프로세싱을 가능하게 하는 기판 지지 조립체를 제공한다. 기판 지지 조립체는 본딩 층에 의해 냉각 베이스에 고정된 정전 척을 포함한다. 본딩 층은 제 1 층 및 제 2 층을 갖는다. 제 1 층은 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 갖는다. 제 2 층은 섭씨 250도 아래인 최대 동작 온도를 갖는다.

Description

고온 폴리머 본드를 이용하여 금속 베이스에 본딩 결합된 세라믹 정전 척
[0001] 본원에서 설명되는 구현예들은 일반적으로 반도체 제조에 관한 것이며, 더 구체적으로, 고온 반도체 제조에 적합한 기판 지지 조립체에 관한 것이다.
[0002] 나노미터 및 더 작은 피처들을 신뢰성있게 생산하는 것은, 반도체 디바이스들의 차세대 VLSI(very large scale integration) 및 ULSI(ultra large-scale integration)에 대한 주요 기술 도전과제들 중 하나이다. 그러나, 회로 기술의 한계들이 압박당함에 따라, VLSI 및 ULSI 인터커넥트(interconnect) 기술의 축소되는 치수들은, 프로세싱 능력들에 대한 부가적인 요구들을 하였다. 기판 상에서의 게이트 구조들의 신뢰성있는 형성은, VLSI 및 ULSI의 성공과 개별 기판들 및 다이(die)의 회로 밀도 및 품질을 높이기 위한 지속적인 노력에 중요하다.
[0003] 제조 비용을 낮추기 위해, IC(integrated chip) 제품은, 프로세싱되는 모든 각각의 실리콘 기판으로부터 더 높은 처리량 및 더 양호한 디바이스 수율 및 성능을 요구한다. 현재 개발 중인, 차세대 디바이스들을 위해 탐구되고 있는 몇몇 제조 기술들은 섭씨 300도 위의 온도들에서의 프로세싱을 필요로 한다. 종래의 정전 척들은 전형적으로, 기판 지지 조립체의 냉각 플레이트에 본딩 결합되며, 본드의 유전 특성들은 고온들에 민감하다. 그러나, 종래의 정전 척들은 기판 지지 조립체들 내에서, 섭씨 250도 또는 그 초과에 접근하는 온도들에서 본딩 문제들을 겪을 수 있다. 본드가 프로세싱 용적 내로 가스를 방출하여(gas out) 챔버 내에서 오염을 야기할 수 있거나 박리(delamination) 문제들을 가질 수 있다. 부가적으로, 본드가 전적으로 실패하여 기판 지지부에서 이동 또는 진공의 손실이 야기될 수 있다. 이러한 결함들을 고치기 위해 챔버는 유휴 시간을 필요로 할 수 있고, 이는 비용들, 수율, 및 성능에 영향을 미친다.
[0004] 따라서, 섭씨 250도의 또는 그 위의 프로세싱 온도들에서 사용하기에 적합한 개선된 기판 지지 조립체가 필요하다.
[0005] 본원에서 설명되는 구현예들은 고온 프로세싱을 가능하게 하는 기판 지지 조립체를 제공한다. 기판 지지 조립체는 본딩 층에 의해 냉각 베이스에 고정된 정전 척을 포함한다. 본딩 층은 제 1 층 및 제 2 층을 갖는다. 제 1 층은 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 갖는다. 제 2 층은 섭씨 250도 아래인 최대 동작 온도를 갖는다.
[0006] 다른 구현예에서, 기판 지지 조립체는 본딩 층에 의해 냉각 베이스에 고정된 정전 척을 포함한다. 본딩 층은 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 갖는다. 제 1 층은 정전 척과 접촉하고, 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 갖는다. 제 2 층은 제 1 층과 제 3 층 사이에 배치되고, 섭씨 250도 아래인 최대 동작 온도를 갖는다. 제 3 층은 냉각 플레이트와 접촉되게 배치되며, 제 2 층의 최대 동작 온도보다 더 낮은 최대 동작 온도를 갖는다.
[0007] 또 다른 구현예에서, 기판 지지 조립체는 냉각 베이스에 고정된 정전 척을 포함한다. 금속 플레이트는 정전 척의 바닥부 표면 아래에 배치된다. 본딩 층은 금속 플레이트와 냉각 플레이트의 정상부 표면 사이에 배치된다. 본딩 층은 제 1 층 및 제 2 층을 갖는다. 제 1 층은 정전 척과 접촉하고, 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 갖는다. 제 2 층은 섭씨 250도 아래인 최대 동작 온도를 갖는다.
[0008] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 발명의 보다 구체적인 설명이 구현예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 구현예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 구현예들을 예시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이, 다른 균등하게 유효한 구현예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은, 기판 지지 조립체의 일 실시예를 갖는 프로세싱 챔버의 개략적인 측면 단면도이다.
[0010] 도 2는, 정전 기판 지지부와 냉각 베이스 사이에 배치된 본딩 층의 일 실시예를 상술하는, 기판 지지 조립체의 개략적인 측면 부분 단면도이다.
[0011] 도 3은, 정전 기판 지지부의 바닥부 도면에 전기 소켓을 예시한다.
[0012] 도 4는, 정전 기판 지지부와 냉각 베이스 사이에 배치된 본딩 층의 다른 실시예를 상술하는, 기판 지지 조립체의 개략적인 측면 부분 단면도이다.
[0013] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 구현예에 개시되는 엘리먼트들이, 구체적인 언급 없이 다른 구현예들에서 유익하게 활용될 수 있다는 점이 고려된다.
[0014] 본원에서 설명되는 구현예들은 정전 척의 고온 동작을 가능하게 하는 기판 지지 조립체를 제공한다. 고온은, 섭씨 약 150도를 초과하는 온도들, 예컨대, 섭씨 약 250도를 초과하는 온도들, 이를테면, 섭씨 약 250도 내지 섭씨 약 300도의 온도들을 지칭하도록 의도된다. 기판 지지 조립체는 본딩 층에 의해 냉각 베이스에 본딩 결합된 정전 척을 갖는다. 본딩 층은 고온들에서 정전 척의 동작을 가능하게 하는 여러 개의 개별 층들로부터 형성된다. 정전 척과 냉각 플레이트 사이의 계면(interface)으로부터 가로지르는 열 전달을 최소화하기 위해, 개별 층들 중 적어도 하나는 낮은 열 전도율(즉, 약 0.2W/mK 미만의 열 전도율)을 갖는다. 층들을 구성하는 재료들은 또한, 섭씨 약 150도 위의 온도들, 예컨대, 섭씨 약 250도 위의 온도들에서 정전 척을 냉각 베이스에 고정하는 본딩 층의 실패를 방지하도록 선택된다. 이하에서 기판 지지 조립체가 에칭 프로세싱 챔버에서 설명되지만, 기판 지지 조립체는 다른 유형들의 플라즈마 프로세싱 챔버들에서, 예컨대, 특히, 물리 기상 증착 챔버들, 화학 기상 증착 챔버들, 이온 주입 챔버들, 및 고온(즉, 150도를 초과하는 온도들) 프로세싱이 일어나는 다른 시스템들에서 활용될 수 있다.
[0015] 도 1은, 기판 지지 조립체(126)를 갖는, 에칭 챔버로서 구성되어 도시된 예시적인 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 기판 지지 조립체(126)는 다른 유형들의 프로세싱 플라즈마 챔버들, 예컨대, 특히, 플라즈마 처리 챔버들, 어닐링 챔버들, 물리 기상 증착 챔버들, 화학 기상 증착 챔버들, 및 이온 주입 챔버들뿐만 아니라, 기판과 같은 작업물 또는 표면에 대한 프로세싱 균일성을 제어하는 능력이 바람직한 다른 시스템들에서도 활용될 수 있다. 높은(elevated) 온도 범위들에서의 기판 지지부에 대한 유전 특성들인 tan(δ), 즉, 유전 손실(dielectric loss), 또는 ρ, 즉, 체적 저항률(volume resistivity)의 제어는 유리하게, 기판 지지부 상의 기판(124)에 대한 방위각적 프로세싱 균일성(azimuthal processing uniformity)을 가능하게 한다.
[0016] 플라즈마 프로세스 챔버(100)는, 프로세싱 영역(110)을 에워싸는, 덮개(108), 바닥부(106), 및 측벽들(104)을 갖는 챔버 본체(102)를 포함한다. 주입 장치(112)가 챔버 본체(102)의 덮개(108) 및/또는 측벽들(104)에 커플링된다. 프로세스 가스들이 프로세싱 영역(110) 내에 제공되는 것을 허용하기 위해, 가스 패널(114)이 주입 장치(112)에 커플링된다. 주입 장치(112)는 하나 또는 그 초과의 노즐 또는 유입구 포트들, 또는 대안적으로 샤워헤드일 수 있다. 프로세싱 가스는 임의의 프로세싱 부산물들과 함께, 프로세싱 챔버 본체(102)의 바닥부(106) 또는 측벽들(104)에 형성된 배기 포트(128)를 통해 프로세싱 영역(110)으로부터 제거된다. 배기 포트(128)는 펌핑 시스템(132)에 커플링되고, 펌핑 시스템은, 프로세싱 영역(110) 내의 진공 레벨들을 제어하는 데에 활용되는 펌프들 및 스로틀 밸브들을 포함한다.
[0017] 프로세싱 가스는 프로세싱 영역(110) 내에서 플라즈마를 형성하기 위해 에너자이징될(energized) 수 있다. 프로세싱 가스는 RF 전력을 프로세싱 가스들에 용량(capacitively) 또는 유도(inductively) 결합하는 것에 의해 에너자이징될 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 복수의 코일들(116)이 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 덮개(108) 위에 배치되고, 매칭 회로(118)를 통해 RF 전력 소스(120)에 커플링된다.
[0018] 기판 지지 조립체(126)는 프로세싱 영역(110)에서 주입 장치(112) 아래에 배치된다. 기판 지지 조립체(126)는 정전 척(174) 및 냉각 베이스(130)를 포함한다. 냉각 베이스(130)는 베이스 플레이트(176)에 의해 지지된다. 베이스 플레이트(176)는 프로세싱 챔버의 바닥부(106) 또는 측벽들(104) 중 하나에 의해 지지된다. 기판 지지 조립체(126)는 부가적으로, 가열기 조립체(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 부가적으로, 기판 지지 조립체(126)는, 베이스 플레이트(176)와 냉각 베이스(130) 사이에 배치되는, 절연체(insulator) 플레이트(도시되지 않음) 및/또는 설비 플레이트(145)를 포함할 수 있다.
[0019] 냉각 베이스(130)는 금속 재료 또는 다른 적합한 재료로부터 형성될 수 있다. 예컨대, 냉각 베이스(130)는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있다. 냉각 베이스(130)는 냉각 베이스(130) 내에 형성된 냉각 채널들(190)을 포함할 수 있다. 냉각 채널들(190)은 열 전달 유체 소스(122)에 연결될 수 있다. 열 전달 유체 소스(122)는, 액체, 가스, 또는 이들의 조합과 같은 열 전달 유체를 제공하고, 열 전달 유체는 냉각 베이스(130)에 배치된 하나 또는 그 초과의 냉각 채널들(190)을 통해 순환된다. 이웃하는 냉각 채널들(190)을 통해 유동하는 유체는, 냉각 베이스(130)의 상이한 영역들과 정전 척(174) 사이의 열 전달의 국부적인 제어를 가능하게 하기 위해 격리될 수 있으며, 이는 기판(124)의 측방향(lateral) 온도 프로파일을 제어하는 것을 보조한다. 일 실시예에서, 냉각 베이스(130)의 채널들(190)을 통해 순환하는 열 전달 유체는 냉각 베이스(130)를 섭씨 약 90도 내지 섭씨 약 80도의 온도 또는 섭씨 90도 미만의 온도로 유지한다.
[0020] 정전 척(174)은 유전체 본체(175)에 배치된 척킹 전극(186)을 포함한다. 유전체 본체(175)는 작업물 지지 표면(137), 및 작업물 지지 표면(137) 맞은편의(opposite) 바닥부 표면(133)을 갖는다. 정전 척(174)의 유전체 본체(175)는 세라믹 재료, 예컨대, 알루미나(Al2O3), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 또는 다른 적합한 재료로 제조될 수 있다. 대안적으로, 유전체 본체(175)는 폴리머, 예컨대, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아릴에테르케톤, 등으로 제조될 수 있다.
[0021] 유전체 본체(175)는 또한, 유전체 본체(175) 내에 매립된 하나 또는 그 초과의 저항성(resistive) 가열기들(188)을 포함할 수 있다. 저항성 가열기들(188)은 기판 지지 조립체(126)의 온도를, 기판 지지 조립체(126)의 작업물 지지 표면(137) 상에 배치된 기판(124)을 프로세싱하기에 적합한 온도로 상승시키기 위해 제공될 수 있다. 저항성 가열기들(188)은 설비 플레이트(145)를 통해 가열기 전력 소스(189)에 커플링된다. 가열기 전력 소스(189)는 900와트 또는 그 초과의 전력을 저항성 가열기들(188)에 제공할 수 있다. 제어기(도시되지 않음)는 가열기 전력 소스(189)의 동작을 제어할 수 있으며, 가열기 전력 소스(189)는 일반적으로, 기판(124)을 미리 결정된 온도로 가열하도록 설정된다. 일 실시예에서, 저항성 가열기들(188)은 복수의 측방향으로 분리된 가열 구역들을 포함하며, 제어기는 저항성 가열기들(188)의 적어도 하나의 구역이, 다른 구역들 중 하나 또는 그 초과에 로케이팅된 저항성 가열기들(188)에 비해 우선적으로 가열되는 것을 가능하게 한다. 예컨대, 저항성 가열기들(188)은 복수의 분리된 가열 구역들에 동심적으로 배열될 수 있다. 저항성 가열기들(188)은 기판(124)을 프로세싱에 적합한 온도, 예컨대, 섭씨 약 180도 내지 섭씨 약 500도씨, 예컨대, 섭씨 약 250도 초과, 예컨대, 섭씨 약 250도 내지 섭씨 약 300도에서 유지할 수 있다.
[0022] 정전 척(174)은 일반적으로, 유전체 본체(175)에 매립된 척킹 전극(186)을 포함한다. 척킹 전극(186)은 단극성 또는 양극성 전극, 또는 다른 적합한 어레인지먼트로 구성될 수 있다. 척킹 전극(186)은 RF 필터를 통해 척킹 전력 소스(187)에 커플링되며, 척킹 전력 소스(187)는, 기판(124)을 정전 척(174)의 작업물 지지 표면(137)에 정전기적으로 고정시키기 위해 RF 또는 DC 전력을 제공한다. RF 필터는, 플라즈마 프로세싱 챔버(100) 내에서 플라즈마(도시되지 않음)를 형성하는 데에 활용되는 RF 전력이 전기 장비를 손상시키거나 챔버 외부에 전기적 위험을 제공하는 것을 방지한다.
[0023] 정전 척(174)의 작업물 지지 표면(137)은, 정전 척(174)의 작업물 지지 표면(137)과 기판(124) 사이에 정의된 사이(interstitial) 공간에 후면(backside) 열 전달 가스를 제공하기 위한 가스 통로들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 정전 척(174)은 또한, 플라즈마 프로세싱 챔버(100) 내외로의 로봇식 이송을 용이하게 하기 위해 기판(124)을 정전 척(174)의 작업물 지지 표면(137) 위로 상승시키기 위한 리프트 핀들(도시되지 않음)을 수용하기 위한 리프트 핀 홀들을 포함할 수 있다.
[0024] 본딩 층(150)은 정전 척(174)과 냉각 베이스(130) 사이에 배치된다. 본딩 층(150)은 약 0.1W/mK 내지 약 1W/mK, 예컨대, 약 0.17W/mK의 열 전도율을 가질 수 있다. 본딩 층(150)은, 냉각 베이스(130) 및 정전 척(174)의 상이한 열 팽창들을 제공하는 여러 개의 층들로부터 형성될 수 있다. 본딩 층(150)을 구성하는(comprising) 층들은 상이한 재료들로부터 형성될 수 있으며, 도 2와 관련하여 논의된다. 도 2는, 정전 척(174)과 냉각 베이스(130) 사이에 배치된 본딩 층(150)의 일 실시예를 상술하는, 기판 지지 조립체(126)의 개략적인 측면 부분 단면도이다.
[0025] 전기 소켓(260)은 유전체 본체(175)에 매립된 척킹 전극(186) 및 저항성 가열기들(188)에 대한 연결들을 제공할 수 있다. 저항성 가열기들(188)은 정전 척(174)의 바닥부(133)를 섭씨 250도 위의 온도들로 가열할 수 있다.
[0026] 도 3을 간단히 참조하면, 도 3은 정전 척(174)의 바닥부 도면에 전기 소켓(260)을 도시한다. 전기 소켓(260)은 하우징(310) 및 복수의 커넥터들(320)을 가질 수 있다. 커넥터들(320)은 척킹 전극 및 가열기들에 전기적 연속성을 제공한다. 커넥터들(320)은 하우징(310)에 매립된다.
[0027] 하우징(310)은 낮은 열 전도율을 갖는 재료로부터 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 하우징(310)은 폴리이미드 재료, 예컨대, MELDIN®, VESPEL®, 또는 REXOLITE® 또는 다른 적합한 재료로부터 형성된다. 하우징(310)은 약 3.0x10-5/C 내지 약 5x10-5/C의 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 하우징은 약 0.2W/mK 내지 약 1.8W/mK의 열 전도율을 가질 수 있다. 하우징(310)은 정전 척(174)으로부터의 고온들로부터 커넥터들(320)을 절연시킬 수 있다.
[0028] 다시 도 2로 돌아가서, 전기 소켓(260)은 본딩 층(150)을 통해 연장될 수 있고 냉각 베이스(130)와 인터페이싱할 수 있다.
[0029] 본딩 층(150)은 냉각 베이스(130)와 정전 척(174) 사이에 배치되고, 냉각 베이스(130) 및 정전 척(174)에 부착/본딩 결합된다. 본딩 층(150)은 정전 척(174)의 바닥부 표면(133)과 냉각 베이스(130)의 정상부 표면(161) 사이에서 섭씨 약 60도 내지 섭씨 약 250도의 온도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 본딩 층(150)은 냉각 베이스(130) 및 정전 척(174)의 외측 직경(252) 주위로 연장될 수 있다. 본딩 층(150)은 정전 척(174)과 냉각 베이스(130) 사이의 열 팽창을 고려하여 가요성이며, 냉각 베이스(130) 또는 정전 척(174)에서 떨어져 나오는 결합 파괴(bond breaking) 또는 균열(cracking)을 방지한다.
[0030] 본딩 층(150)은 둘 또는 그 초과의 재료 층들로 구성될 수 있다. 본딩 층(150)은 선택적으로, 하나 또는 그 초과의 o-링들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 본딩 층(150)은 제 1 층(210), 제 2 층(220), 및 제 3 층(230)을 포함한다. 그러나, 다른 실시예들에서, 본딩 층(150)은 제 1 층(210) 및 제 2 층(220) 또는 제 2 층(220) 및 제 3 층(230)을 포함할 수 있다. 본딩 층(150)은 3개 초과의 층들을 포함할 수 있다. 제 1 층(210) 및 제 2 층(220) 및 제 3 층(230)을 사용하여, 본딩 층(150)의 둘 또는 그 초과의 층들의 동작이 이하에서 설명될 것이다.
[0031] 제 1 층(210), 제 2 층(220), 및 제 3 층(230)은 외측 둘레(periphery)(250)를 가질 수 있다. 본딩 층(150)은 부가적으로, 제 1 층(210), 제 2 층(220), 및 제 3 층(230)의 외측 둘레(250) 주위에 배치된 o-링(240)을 포함할 수 있다. 정전 척(174)의 외측 직경(252)과 외측 둘레(250) 사이에 공간(242)이 형성된다. 공간(242)은, o-링(240)이 정전 척(174) 및 냉각 베이스(130)와 밀봉식으로(sealingly) 맞물리게 할 수 있는 크기로 정해질 수 있다. 일 실시예에서, 본딩 층(150)은 제 1 층(210), 제 2 층(220), 제 3 층(230), 및 o-링(240) 중 하나 또는 그 초과를 포함한다.
[0032] o-링(240)은 퍼플루오로 엘라스토머 재료 또는 다른 적합한 재료로부터 형성될 수 있다. 예컨대, o-링(240)의 재료는 CHEMRAZ® 또는 XPE® 밀봉 o-링일 수 있다. o-링(240)의 재료는 진공 밀봉을 이루기 위해 약 70듀로미터(durometer)의 충분히 연질(soft)인 쇼어 경도를 가질 수 있다. o-링(240)은 냉각 베이스(130) 및 정전 척(174)에 맞대어 진공 기밀 밀봉을 형성할 수 있다. o-링(240)에 의해 형성된 진공 기밀 밀봉은 기판 지지 조립체(126)를 통한, 프로세스 환경에 대한 진공 손실을 방지할 수 있다. 부가적으로, o-링(240)은 기판 지지 조립체(126)의 내측 부분들을 플라즈마 환경에 대한 노출로부터 보호할 수 있다. 즉, o-링(240)은 본딩 층(150)의 제 1 층(210), 제 2 층(220), 및 제 3 층(230)을 플라즈마로부터 보호할 수 있다. o-링(240)은 부가적으로, 제 1 층(210), 제 2 층(220), 및 제 3 층(230)으로부터 휘발된 가스들이 플라즈마 환경을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 대안적으로, 제 1 층(210), 제 2 층(220), 및 제 3 층(230)은 정전 척(174) 및 냉각 베이스(130)와 본딩 결합되어 o-링(240) 없이 진공 밀봉을 형성한다.
[0033] 제 1 층(210)은 정상부 표면(211) 및 바닥부 표면(213)을 가질 수 있다. 정상부 표면(211)은 정전 척(174)의 바닥부 표면(133)과 접촉한다. 제 1 층(210)의 정상부 표면(211)은 정전 척(174)의 바닥부 표면(133)의 온도, 즉, 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 300도일 수 있다. 정전 척의 고온을 수용하기 위해, 제 1 층(210)은, 섭씨 150도를 초과하는 동작 온도를 갖는 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 제 1 층(210)은, 약 250도의 동작 온도를 포함하는, 또는 다른 예에서는, 섭씨 약 300도의 동작 온도를 포함하는 재료로 제조될 수 있다. 또 다른 예에서, 제 1 층(210)은, 섭씨 약 250도 내지 섭씨 약 325도의 온도들을 포함하는 동작 온도를 갖는 재료로 제조될 수 있다.
[0034] 바닥부 표면(213)은 제 2 층(220)과 접촉할 수 있다. 제 1 층(210)은 정전 척(174)의 바닥부 표면(133)과 함께 고온 본딩 층을 형성할 수 있다. 제 1 층(210)은 부가적으로, 제 2 층(220)에 본딩 결합될 수 있다. 제 1 층(210)은 퍼플루오로 화합물 또는 다른 적합한 고온 화합물로부터 형성될 수 있다. 예컨대, 제 1 층(210)은 퍼플루오로 비닐 에테르, 알콕시 비닐 에테르, TEFZEL®, 또는 다른 적합한 본딩제(bonding agent)로부터 형성될 수 있다. 제 1 층(210)은 고온 실리콘으로부터 형성될 수 있다. 유리하게, 퍼플루오로 화합물들의 플루오린-탄소 결합들은 극도로 안정적이어서 높은 열적 및 화학적 안정성을 부여한다. 퍼플루오로 화합물들은 세라믹에 잘 부착되고, 강성(rigid)이 않으며, 최소한의 압축을 갖고, 변형을 취할 능력을 갖는다. 제 1 층(210)은, 높은 동작 온도들, 예컨대, 섭씨 150도를 초과하는 동작 온도들, 예컨대, 섭씨 약 250도 초과의 동작 온도들로 인한 정전 척(174)의 팽창과 함께 열 팽창하도록 구성된다. 제 1 층(210)은 정전 척(174)의 바닥부 표면(133)에 대해서 크기가 정해질 수 있다. 대안적으로, 제 1 층은, o-링(240)이 정전 척(174)과 밀봉하며 맞물리기에 충분한 공간을 제공하도록 크기가 정해질 수 있다.
[0035] 제 1 층(210)은 시트들(sheets)로 형성될 수 있다. 제 1 층(210)은 약 1mm 미만, 예컨대, 약 5mil(약 0.127mm)의 두께(212)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 층(210)은 섭씨 300도를 초과하는 온도들에 적합한 퍼플루오로폴리머 본딩제일 수 있다. 제 1 층(210)은 높은 프로세싱 온도들을 위해 선택된, 0.1 내지 0.5W/mK 범위의 열 전도율을 가질 수 있다. 예시적인 일 실시예에서, 제 1 층(210)의 열 전도율은 약 0.24W/mK이다.
[0036] 제 2 층(220)은 제 1 층(210)에 의해 정전 척(174)의 고온으로부터 분리된다. 따라서, 제 2 층(220)은 제 1 층(210)의 동작 온도보다 낮은 동작 온도를 가질 수 있다. 예컨대, 제 2 층(220)의 최대 동작 온도는 제 1 층(210)의 최대 동작 온도보다 낮을 수 있다. 다른 예에서, 제 2 층(220)의 최대 동작 온도는 섭씨 약 250도 미만일 수 있다.
[0037] 제 2 층(220)은 정상부 표면(221) 및 바닥부 표면(223)을 가질 수 있다. 제 2 층(220)의 정상부 표면(221)은 제 1 층(210)의 바닥부 표면(213)과 접촉한다. 정상부 표면(221)은 선택적으로, 제 1 층(210)의 바닥부 표면(213)과 고온 결합을 형성할 수 있다. 제 2 층(220)의 바닥부 표면(223)은 제 3 층(230)과 접촉할 수 있다. 제 2 층(220)은, 제 2 층(220) 및 제 1 층(210)의 바닥부 표면(213)과 결합을 형성한다. 일 예에서, 제 2 층(220)은, 접착제일 필요는 없으며 정상부 층(210)의 강성(rigidity)보다 더 큰 강성을 갖는 재료일 수 있다. 제 2 층(220)은 폴리이미드, 퍼플루오로 화합물, 실리콘, 또는 다른 적합한 고온 재료로부터 형성될 수 있다. 예컨대, 제 2 층(220)은 CIRLEX®, TEFZEL®, KAPTON®, VESPEL®, KERIMID®, 폴리에틸렌, 또는 다른 적합한 재료로부터 형성될 수 있다. 폴리이미드 시트들은 퍼플루오로 시트들보다 더 강성이며, 또한, 퍼플루오로 시트들보다 더 낮은 열 팽창 및 전도도를 갖는다. 유리하게, 제 2 층(220)을 위해 선택된 재료는 낮은 열 전도도를 갖고 열 절연체로서 작용한다. 제 2 층(220)의 열 전도도가 더 낮을수록, 제 2 층(220)에 걸친 잠재적인 온도 차이가 더 크다.
[0038] 제 2 층(220)은 약 1mm 내지 약 3mm, 예컨대, 약 1.5mm의 두께(222)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 층(220)은 폴리이미드 시트이다. 제 2 층(220)은 약 0.1 내지 약 0.35W/mK 범위에서 선택된, 그리고 예시적인 일 실시예에서, 약 0.17W/mK인 열 전도율 계수를 가질 수 있다.
[0039] 제 3 층(230)은 제 1 및 제 2 층들(210, 220)에 의해 정전 척(174)의 고온으로부터 분리된다. 따라서, 제 3 층(230)은 제 2 층(220)의 동작 온도보다 낮은 동작 온도를 가질 수 있다. 예컨대, 제 3 층(230)의 최대 동작 온도는 제 2 층(220)의 최대 동작 온도보다 낮을 수 있다. 다른 예에서, 제 3 층(230)의 최대 동작 온도는 섭씨 약 200도 미만일 수 있다.
[0040] 제 3 층(230)은 정상부 표면(231) 및 바닥부 표면(233)을 가질 수 있다. 제 3 층(230)은 제 2 층(220)과 냉각 베이스(130) 사이에 배치될 수 있다. 제 3 층(230)의 정상부 표면(231)은 선택적으로, 제 2 층(220)의 바닥부 표면(223)에 본딩 결합될 수 있으며, 제 3 층(230)의 바닥부 표면(233)은 선택적으로, 냉각 베이스(130)에 본딩 결합될 수 있다. 제 3 층의 바닥부 표면(233)은 냉각 베이스(130)의 온도, 즉, 섭씨 약 80도 내지 섭씨 약 60일 수 있다. 일 실시예에서, 제 3 층(230)은 냉각 베이스(130)와 함께 저온 본딩 층을 형성한다.
[0041] 제 3 층(230)은 퍼플루오로 화합물, 실리콘, 다공성 그라파이트 또는 아크릴 화합물 또는 다른 적합한 재료로부터 형성될 수 있다. 제 3 층(230)을 위한 재료는, 제 3 층(230)이 노출되는 낮은 동작 온도들, 즉, 약 80도, 그리고 선택적으로, 제 3 층(230)이 본딩 결합될 수 있는 재료에 기초하여 선택된다. 제 3 층(230)은 제 1 층(210) 또는 제 2 층(220) 중 하나로부터의 정전 척(174)의 높은 열로부터 보호된다. 따라서, 제 3 층(230)의 재로가 실리콘인 실시예들에서, 제 1 층(210) 및/또는 제 2 층(220)은 제 3 층(230)의 실리콘 재료가 가스를 방출하거나 휘발하는 것을 방지한다. 제 3 층(230)은 약 1mm 미만, 예컨대, 약 5mil(약 0.127mm)의 두께(232)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제 3 층(230)은 실리콘 재료이다. 제 3 층(230)은 약 2.0 내지 약 7.8x10-6/C의 범위일 수 있는 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 제 3 층(230)은 약 0.10 내지 약 0.4W/mK 범위에서 선택된, 그리고 예시적인 일 실시예에서, 약 0.12W/mK인 열 전도율 계수를 가질 수 있다.
[0042] 유리하게, 본딩 층(150)은, 냉각 베이스(130) 및 정전 척(174)으로부터 열 전도율 및 열 팽창 계수에 대한 구배를 생성하는 별개의 특성들을 갖는 층들을 포함한다. 본딩 층(150)은, 기판 지지 조립체(126)를 통한 챔버의 가스 방출을 방지하기 위해 진공 시일을 생성할 수 있다. 부가적으로, 본딩 층이 정전 척(174) 및 냉각 베이스(130)에 본딩 결합되는 실시예들에서, 폴리머의 가요성, 본딩 층(150)의 낮은 탄성 계수는, 정전 척(174)으로부터 냉각 베이스(130)로의 큰 온도 구배에 기인한 본딩 층(150) 및/또는 결합들의 파괴 또는 균열을 완화시킨다. 그러므로, 본딩 층(150)은, 큰 온도 구배들 때문에 상이한 열 팽창을 갖는 인접한 위치들에서의 열 유도된 응력에 기인한 손상으로 인한 기판 지지 조립체(126)를 수리하기 위한 유휴 시간에 대한 필요를 최소화한다.
[0043] 도 4는, 본딩 층(150)에 대한 제 2 실시예를 나타내고, 정전 척(174)과 냉각 베이스(460) 사이에 배치된 본딩 층(450)의 제 2 실시예를 상술하는, 기판 지지 조립체(126)의 개략적인 측면 부분 단면도이다. 냉각 베이스(460)는 냉각 베이스(130)와 유사하게 구성된다. 냉각 베이스(460)는 부가적으로, 냉각 베이스(460)의 외측 직경(252)에 배치된 립(lip; 462)을 갖는다. 립(462)은, 본딩 층(450)의 두께와 유사한, 정상부 표면(161) 위로의 높이(464)를 가질 수 있다.
[0044] 본드 보호 o-링(442)은 정전 척(174)과 냉각 베이스(460)의 립(462) 사이에 배치될 수 있다. 본드 보호 링(442)은 본딩 층(450) 및 기판 지지부의 다른 내부 구조들, 예컨대, 금속 플레이트(410)를 플라즈마 환경으로부터 보호한다. 본드 보호 o-링(442)은, 플라즈마 환경에 적합한 재료로 이루어질 수 있고, 부가적으로, 압축 가능하다. 예컨대, 본드 보호 o-링(442)은 퍼플루오로 폴리머로부터, 예컨대, KALREZ®, CHEMRAZ® 또는 XPE®로부터 형성될 수 있다.
[0045] 금속 플레이트(410)는 부가적으로, 본드 층들(450) 사이에 배치된다. 금속 플레이트(410)는 정전 척(174)의 바닥부(133)에 본딩 결합될 수 있다. 금속 플레이트(410)는 정전 척(174)의 동작 온도와 유사한 동작 온도를 획득할 수 있는데, 즉, 금속 플레이트(410)의 온도는 섭씨 약 180도 내지 섭씨 약 300도, 예컨대, 섭씨 250도일 수 있다. 금속 플레이트(410)는 본드 보호 o-링(442)의 직경과 유사한 두께(412)를 가질 수 있다. 금속 플레이트(410)는 냉각 베이스(460)의 립(462) 내에 끼워맞춤(fit)되도록 크기가 정해질 수 있다. 따라서, 본드 보호 o-링(442)이 압축될 때, 금속 플레이트(410)는 냉각 베이스(460)의 립(462)과 접촉하는 것에 의해 본드 보호 o-링(442)의 압축을 간섭하지 않는다.
[0046] 본딩 층(450)은 하나 또는 그 초과의 층들을 가질 수 있다. 층들은 가스켓들, 시트들, 및/또는 접착제들을 포함할 수 있다. 본딩 층(450)은 또한 선택적으로, o-링 진공 시일(444)을 포함할 수 있다. o-링 진공 시일(444)은 금속 플레이트(410) 및 냉각 베이스(460)와 접촉할 수 있다. o-링 진공 시일(444)은 금속 플레이트(410)와 냉각 베이스(460) 사이에 진공 시일을 생성하도록 압축될 수 있다. o-링 진공 시일(444)에 의해 생성된 진공 시일은, 기판 지지 조립체(126)를 통해 빠져나가는, 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 프로세싱 영역(110)에서의 진공의 손실을 방지한다. o-링 진공 시일(444)에 의해 생성된 진공 시일은 또한, 오염 물질 또는 가스들이 프로세싱 영역(110)에 진입하는 것을 방지할 수 있다. o-링 진공 시일(444)은 압축 가능한 재료, 예컨대, 퍼플루오로 폴리머 또는 다른 적합한 재료로부터 형성될 수 있다. 일 실시예에서, o-링 진공 시일(444)은 CHEMRAZ® 또는 XPE®로부터 형성된다. o-링 진공 시일(444)은 약 35mil(o 링의 본래 크기의 10 내지 28%)까지 압축될 수 있다. 대안적으로, 진공 시일은 본딩 층(450)의 하나 또는 그 초과의 층들에 의해 만들어질 수 있다.
[0047] 본딩 층(450)의 하나 또는 그 초과의 층들은 복합(composite) 가스켓(470)을 형성할 수 있다. 복합 가스켓(470)은 금속 플레이트(410) 및 냉각 베이스(460)와 접촉할 수 있다. 복합 가스켓(470)은 중앙 부분(472)을 갖고, 중앙 부분(472)은 전기 소켓(260)이 중앙 부분(472)을 통해 끼워맞춤되기에 적합하다. 복합 가스켓(470)은 냉각 베이스(460)와 접촉할 수 있다. 복합 가스켓(470)은 외측 에지(452)를 가질 수 있고, 립(462)의 내부가 되도록 크기가 정해질 수 있다. 외측 에지(452) 및 립(462)은 o-링 진공 시일(444)이 그 사이에서 끼워맞춤되기에 적합한 공간(466)을 형성할 수 있다. 복합 가스켓(470)은, 정전 척(174)으로부터 냉각 베이스(460)로의, 섭씨 약 170도 또는 그 초과의, 예컨대, 섭씨 270도의 온도 구배를 가질 수 있다. 복합 가스켓(470)은 약 0.10W/mK 내지 약 0.20W/mK, 예컨대, 약 0.20W/mK의 열 전도율을 가질 수 있다. 따라서, 복합 가스켓(470)은 정전 척(174)으로부터 냉각 베이스(460)로의 온도 손실을 방지한다. 복합 가스켓(470)은 금속 플레이트(410)와 냉각 베이스(460) 사이에서 압축될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복합 가스켓(470)은 20%만큼 압축될 수 있다.
[0048] 복합 가스켓(470)은 제 1 층(420) 및 제 2 층(430)과 같은 하나 또는 그 초과의 층들을 가질 수 있다. 제 1 층(420)은 퍼플루오로 재료로부터 형성될 수 있다. 제 1 층(420)은 금속 플레이트(410)를 통해 정전 척(174)의 온도, 즉, 섭씨 약 300도까지의 동작 온도들에 노출될 수 있다. 제 1 층(420)은 약 1mm 내지 약 2mm의 두께(422)를 가질 수 있다. 제 1 층(420)은 약 200미크론 내지 약 400미크론 압축될 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 층(420)의 두께(422)는 약 1mm이고, 제 1 층은 약 200미크론 압축된다. 제 2 실시예에서, 제 1 층(420)의 두께(422)는 약 2mm이고, 제 1 층(420)은 약 400미크론 압축된다. 제 1 층(420)은 낮은 열 전도율을 갖는다. 일 실시예에서, 섭씨 약 100도의 온도 구배의 경우, 1mm 두께의 제 1 층(420)의 정상부 표면(421)은 섭씨 약 250도의 동작 온도를 가질 수 있는 반면, 제 1 층(420)의 바닥부 표면(423)은 섭씨 약 150도의 동작 온도를 가질 수 있다.
[0049] 복합 가스켓(470)의 제 2 층(430)은 퍼플루오로, 다공성 그라파이트, 또는 실리콘 재료로부터 형성될 수 있다. 제 2 층(430)은 제 1 층(420) 및 냉각 베이스(460)와 접촉할 수 있고, 제 1 층(420) 및 냉각 베이스(460)의 온도들에 노출될 수 있다. 즉, 제 2 층(430)은 각각, 섭씨 약 150도 및 섭씨 약 80도의 동작 온도들에 노출될 수 있다. 제 2 층(430)은 약 0.5mm 내지 약 1.5mm의 두께(432)를 가질 수 있다. 제 2 층(430)은 약 200미크론으로 압축 가능할 수 있다.
[0050] 일 실시예에서, 복합 가스켓(470)은 2mm 두께의 퍼플루오로 제 1 층(420) 및 실리콘 제 2 층(430)을 갖는다. 다른 실시예에서, 복합 가스켓(470)은 1mm 두께의 퍼플루오로 제 1 층(420) 및 1mm 두께의 퍼플루오로 제 2 층(430)을 갖는다. 또 다른 실시예에서, 복합 가스켓(470)은 1mm 두께의 퍼플루오로 제 1 층(420) 및 1mm 두께의 다공성 그라파이트 제 2 층(430)을 갖는다. 복합 가스켓(470)의 제 1 및 제 2 층들(420, 430)의 조합은 o-링 진공 시일(444)과 실질적으로 유사한 압축을 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 층(420)은 금속 플레이트(410)에 본딩 결합되고, 제 2 층(430)은 냉각 베이스(460)에 본딩 결합되며, o-링 진공 시일(444)은 존재하지 않는다.
[0051] 유리하게, 정전 척(174)의 높은 동작 온도 ― 섭씨 180도를 초과하는 온도들, 예컨대, 섭씨 약 250도 ― 는, 복합 가스켓을 손상시키지 않아, 복합 가스켓(470)을 형성하는 하나 또는 그 초과의 층들의 가스 방출 또는 진공 시일의 파괴를 야기하지 않는다. 복합 가스켓은, 프로세스 수율들 및 동작 비용들에 영향을 미칠 수 있는 챔버 유휴 시간 또는 챔버에서의 오염을 방지한다.
[0052] 전술한 내용은 본 발명의 구현예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 구현예들은 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (26)

  1. 기판 지지 조립체로서,
    작업물(workpiece) 지지 표면 및 바닥부 표면을 갖는 정전 척(electrostatic chuck);
    정상부 표면을 갖는 냉각 베이스(cooling base); 및
    상기 정전 척의 바닥부 표면과 상기 냉각 베이스의 정상부 표면을 고정시키는 본딩 층(bonding layer)을 포함하고, 상기 본딩 층은,
    상기 바닥부 표면에 접착된 제 1 층 ― 상기 제 1 층은, 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 가짐 ―; 및
    상기 제 1 층 아래에 배치된 제 2 층을 포함하며, 상기 제 2 층은, 섭씨 250도 아래인 최대 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩 층은, 상기 제 2 층 아래에 배치되고 상기 냉각 베이스에 본딩 결합된(bonded) 제 3 층을 더 포함하고, 상기 제 3 층은 섭씨 약 200도 아래인 최대 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층은, 섭씨 약 250도 내지 섭씨 약 325도의 온도들을 포함하는 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩 층의 열 전도율은 약 0.2W/mK인,
    기판 지지 조립체.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 층은, 섭씨 약 170도 내지 섭씨 약 60도의 온도들을 포함하는 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 퍼플루오로 화합물로 구성되는,
    기판 지지 조립체.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 층의 두께는 약 0.3mm 내지 약 5mm인,
    기판 지지 조립체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 폴리이미드 또는 실리콘을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 약 1W/mK 미만의 열 전도율을 갖는,
    기판 지지 조립체.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 층은 실리콘을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전 척과 냉각 플레이트 사이에 밀봉을 제공하는 o-링을 더 포함하고, 상기 o-링은 상기 본딩 층을 에워싸는(circumscribing),
    기판 지지 조립체.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 층에 대한 열 팽창 계수는 상기 제 2 층 또는 상기 제 3 층의 열 팽창 계수보다 더 큰,
    기판 지지 조립체.
  13. 기판 지지 조립체로서,
    가열기, 작업물 지지 표면 및 바닥부 표면을 갖는 정전 척;
    정상부 표면을 갖는 냉각 베이스; 및
    상기 정전 척의 바닥부 표면과 상기 냉각 베이스의 정상부 표면을 고정시키는 본딩 층을 포함하고, 상기 본딩 층은,
    상기 바닥부 표면에 접착된 제 1 층 ― 상기 제 1 층은, 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 가짐 ―;
    상기 제 1 층 아래에 배치된 제 2 층 ― 상기 제 2 층은, 상기 제 1 층의 최대 동작 온도보다 낮은 최대 동작 온도를 가짐 ―; 및
    상기 제 2 층 아래에 배치되고 냉각 플레이트와 접촉하는 제 3 층을 포함하며, 상기 제 3 층은 상기 제 2 층의 최대 동작 온도보다 더 낮은 최대 동작 온도를 가지는,
    기판 지지 조립체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 본딩 층의 열 전도율은 약 0.2W/mK인,
    기판 지지 조립체.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 3 층은, 섭씨 약 170도 내지 섭씨 약 60도의 온도들을 포함하는 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 퍼플루오로 폴리머 화합물로 구성되는,
    기판 지지 조립체.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 층은, 퍼플루오로 폴리머 화합물, 실리콘, 폴리이미드, 및 다공성 그라파이트 중 적어도 하나를 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 약 1W/mK 미만의 열 전도율을 갖는,
    기판 지지 조립체.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 정전 척과 상기 냉각 플레이트 사이에 밀봉을 제공하는 o-링을 더 포함하고, 상기 o-링은 상기 본딩 층을 에워싸는,
    기판 지지 조립체.
  20. 기판 지지 조립체로서,
    가열기, 작업물 지지 표면 및 바닥부 표면을 갖는 정전 척;
    정상부 표면 및 상기 정상부 표면을 따른 립들(lips)을 갖는 냉각 플레이트;
    상기 정전 척의 바닥부 표면 아래에 배치된 금속 플레이트; 및
    상기 냉각 플레이트의 정상부 표면과 상기 금속 플레이트 사이에 배치된 본딩 층을 포함하고, 상기 본딩 층은,
    상기 바닥부 표면에 접착된 제 1 층 ― 상기 제 1 층은, 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 가짐 ―; 및
    상기 제 1 층 아래에 배치된 제 2 층을 포함하며, 상기 제 2 층은, 상기 제 1 층의 최대 동작 온도보다 낮은 최대 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  21. 기판 지지 조립체로서,
    작업물 지지 표면 및 바닥부 표면을 갖는 정전 척;
    정상부 표면을 갖는 냉각 베이스; 및
    상기 정전 척의 바닥부 표면과 상기 냉각 베이스의 정상부 표면을 고정시키는 본딩 층을 포함하고, 상기 본딩 층은,
    상기 바닥부 표면에 접착된 제 1 층 ― 상기 제 1 층은, 섭씨 약 300도의 온도를 포함하는 동작 온도를 가짐 ―; 및
    상기 제 1 층 아래에 적층되고(stacked) 상기 냉각 베이스에 본딩 결합되는 제 2 층을 포함하며, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층의 최대 동작 온도보다 낮은 최대 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 본딩 층은, 상기 제 2 층과 상기 제 1 층 사이에 배치된 제 3 층을 더 포함하고, 상기 제 3 층은 섭씨 약 300도 아래인 최대 동작 온도를 갖는,
    기판 지지 조립체.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 본딩 층의 열 전도율은 약 0.2W/mK인,
    기판 지지 조립체.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 퍼플루오로 화합물로 구성되는,
    기판 지지 조립체.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 폴리이미드 또는 실리콘을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 퍼플루오로 화합물을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
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