KR20170139073A - B-raf 키나아제 억제제의 말레에이트 염, 결정질 형태, 제조방법, 및 이의 용도 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 결정질 형태 A*의 X-선 회절 패턴을 나타낸다(아이소프로판올(isopropanol)/물로부터 결정화).
도 3은 화합물 1 하이드로클로라이드(hydrochloride) 염 (1:1)의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 4는 화합물 1 메테인설포네이트(methanesulfonate) 염 (1:1)의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 5는 화합물 1 2-하이드록시에테인설포네이트(2-hydroxyethanesulfonate) 염 (1:1)의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 6은 화합물 1 L-타르트레이트(L-tartrate) 염 (1:1)의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 7은 화합물 1 옥살레이트(oxalate) (1:1)의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 8은 화합물 1과 인산(phosphoric acid) (1:1), 톨루엔술폰산(toluenesulfonic acid) (1:1), 에테인다이술폰산(ethanedisulfonic acid) (1:1), 황산(sulfuric acid) (1:1), API 슬러리 대조군(slurry control) 및 API로부터 수득된 고체의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 9는 화합물 1과 L-젖산(L-lactic acid) (1:1), L-말레산(L-maleic acid) (1:1), 말론산(malonic acid) (1:1), 니코틴아마이드(nicotinamide) (1:1), 사카린(saccharin) (1:1), 숙신산(succinic acid) (1:1), API 슬러리 대조군(slurry control) 및 API로부터 수득된 고체의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 10은 화합물 1과 벤조산(benzoic acid) (1:1), 시트르산(citric acid) (1:1), 푸마르산(fumaric acid) (1:1), 겐티스산(gentisic acid) (1:1), 글리콜산(glycolic acid) (1:1), API 슬러리 대조군(slurry control) 및 API로부터 수득된 고체의 X-선 회절 패턴의 오버레이(overlay)를 나타난다.
도 11은 화합물 1과 니코틴산(nicotinic acid) (1:1), 니코틴산 슬러리 대조군(nicotinic acid slurry control), API 슬러리 대조군(slurry control) 및 API로부터 수득된 고체의 X-선 회절 패턴의 오버레이(overlay)를 나타난다.
도 12는 화합물 1과 아디프산(adipic acid) (1:1), 아디프산 슬러리 대조군(adipic acid slurry control), API 슬러리 대조군(slurry control) 및 API로부터 수득된 고체의 X-선 회절 패턴의 오버레이(overlay)를 나타난다.
도 13은 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 단일 결정질 형태 A**의 절대 구조(absolute structure)를 나타낸다(아세톤으로부터 결정화에 의해 수득된 단일 결정).
도 14는 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 단일 결정질 형태 A**의 수소 결합을 도시한다.
도 15는 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 단일 결정질 형태 A**의 결정 패킹(Crystal Packing)을 나타낸다.
도 16은 MERCURY 소프트웨어를 사용하여 계산된 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 단일 결정질 형태 A**의 이론적인 XRPD 패턴을 나타낸다.
도 17은 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 결정질 형태 A의 X-선 회절 패턴을 나타낸다(아이소프로판올/물로부터 결정화에 의해 수득된).
도 18은 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 B의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 19는 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 C의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 20은 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 D의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 21은 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 F의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 22는 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 G의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 23은 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 H의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 24는 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 I의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 25는 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 J의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 26은 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 K의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 27은 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 L의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 28은 화합물 1 말레에이트의 결정질 형태 M의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 29는 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 결정질 형태 A*의 1H-NMR 스펙트럼(spectrum)을 나타낸다.
도 30은 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 결정질 형태 A*의 l3C-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 31은 DVS에 의한 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 결정질 형태 A*의 흡습성(즉, 수분 흡착)을 나타낸다.
도 32는 화합물 1 말레에이트 염 (1:1)의 결정질 형태 N의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 33은 화합물 1 말레에이트 (1:1)의 결정질 형태 N의 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
도 34는 화합물 1 세스퀴-말레에이트의 결정질 형태 A의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 35는 화합물 1 말레에이트 (1:1.2)의 결정질 형태 B의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 36은 화합물 1 말레에이트 (1:1.3)의 결정질 형태 C의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 37은 화합물 1 말레에이트 (1:1)의 결정질 형태 D의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 38은 화합물 1 말레에이트 (1:0.5)의 결정질 형태 F의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 39는 화합물 1 말레에이트 (1:0.5)의 결정질 형태 G의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 40은 화합물 1 말레에이트 (1:1)의 결정질 형태 H의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 41은 화합물 1 말레에이트 (1:0.5)의 결정질 형태 I의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 42는 화합물 1 말레에이트 (1:1)의 결정질 형태 J의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 43은 화합물 1 말레에이트 (1:1)의 결정질 형태 K의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 44는 화합물 1 말레에이트 (1:0.3)의 결정질 형태 L의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 45는 화합물 1 말레에이트 (1:1.3)의 결정질 형태 M의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다.
Claims (48)
- 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온의 염으로서, 상기 염은 하이드로클로라이드 (hydrochloride), 메탄설포네이트(methanesulfonate), 2-하이드록시에테인설포네이트(2-hydroxyethanesulfonate), 말레에이트(maleate) 및 옥살레이트(oxalate)로 구성된 군에서 선택되는 염.
- 제1항에 있어서, 상기 염은 고체-상태인 염.
- 제2항에 있어서, 상기 염은 결정질(crystalline) 형태인 염.
- 제4항에 있어서, 상기 n은 0.5±0.05, 1.0±0.1, 및 1.5±0.2으로 구성된 군에서 선택되는 수인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 n은 0.5, 1.0, 또는 1.5인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제8항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 A*이며, 6.3±0.2, 8.9±0.2, 9.4±0.2, 11.2±0.2, 12.6±0.2, 13.4±0.2, 17.9±0.2, 18.6±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 20.1±0.2, 20.7±0.2, 21.2±0.2, 21.8±0.2, 22.4±0.2, 22.6±0.2, 23.3±0.2, 23.8±0.2, 24.7±0.2, 25.6±0.2, 26.1±0.2, 27.4±0.2, 28.3±0.2, 28.6±0.2, 29.0±0.2, 29.4±0.2, 및 30.4±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 7개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제8항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 A**이며 도 13, 도 14 및 도 15에 실질적으로 도시된 바와 같이 단일 결정(single crystal)인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제8항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 A이며, 8.3±0.2, 11.2±0.2, 17.9±0.2, 18.4±0.2, 18.6±0.2, 19.3±0.2, 20.8±0.2, 및 22.5±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 3개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 B이며, 11.1±0.2, 15.8±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 19.6±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 및 28.8±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 3개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 C이며, 3.1±0.2, 8.8±0.2, 11.2±0.2, 17.8±0.2, 18.5±0.2, 19.3±0.2, 20.1±0.2, 20.7±0.2, 21.9±0.2, 및 22.4±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 3개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 D이며, 8.9±0.2, 14.9±0.2, 16.7±0.2, 17.8±0.2, 19.9±0.2, 20.4±0.2, 20.9±0.2, 및 26.9±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 3개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 F이며, 12.9±0.2, 17.0±0.2, 18.5±0.2, 19.4±0.2, 20.5±0.2, 22.5±0.2, 및 24.1±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 3개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 G이며, 3.4±0.2, 5.6±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 10.9±0.2, 11.7±0.2, 12.4±0.2, 13.1±0.2, 14.0±0.2, 14.9±0.2, 16.4±0.2, 17.4±0.2, 18.6±0.2, 19.3±0.2, 20.1±0.2, 21.0±0.2, 21.9±0.2, 23.6±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 26.4±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 7개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 H이며, 6.3±0.2, 9.0±0.2, 10.1±0.2, 11.2±0.2, 12.7±0.2, 14.5±0.2, 16.1±0.2, 16.6±0.2, 17.9±0.2, 18.1±0.2, 18.5±0.2, 19.0±0.2, 20.1±0.2, 21.9±0.2, 22.4±0.2, 23.9±0.2, 25.1±0.2, 26.2±0.2, 및 28.7±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 7개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 I이며, 3.1±0.2, 5.5±0.2, 6.8±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 13.7±0.2, 16.1±0.2, 16.3±0.2, 17.8±0.2, 19.8±0.2, 21.5±0.2, 23.8±0.2, 24.4±0.2, 및 28.3±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 5개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 J이며, 5.5±0.2, 8.2±0.2, 10.9±0.2, 11.3±0.2, 13.6±0.2, 14.8±0.2, 15.8±0.2, 17.4±0.2, 18.0±0.2, 19.1±0.2, 19.8±0.2, 20.0±0.2, 20.4±0.2, 21.1±0.2, 21.9±0.2, 22.6±0.2, 23.4±0.2, 24.1±0.2, 25.0±0.2, 26.1±0.2, 26.9±0.2, 27.3±0.2, 28.4±0.2, 29.1±0.2, 33.1±0.2, 및 35.9±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 7개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 K이며, 3.1±0.2, 8.9±0.2, 9.3±0.2, 11.2±0.2, 16.7±0.2, 17.9±0.2, 18.6±0.2, 18.8±0.2, 19.4±0.2, 20.2±0.2, 21.9±0.2, 22.4±0.2, 23.4±0.2, 23.9±0.2, 24.6±0.2, 26.2±0.2, 27.4±0.2, 28.5±0.2, 29.4±0.2, 및 30.4±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 7개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 L이며, 9.7±0.2 및 14.1±0.2 도(degree)의 2θ 각도 값을 갖는 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 결정질 형태 M이며, 5.0±0.2, 9.3±0.2, 11.3±0.2, 14.9±0.2, 15.9±0.2, 17.4±0.2, 18.0±0.2, 18.7±0.2, 19.4±0.2, 20.2±0.2, 22.1±0.2, 23.4±0.2, 24.3±0.2, 25.4±0.2, 26.5±0.2, 27.5±0.2, 28.5±0.2, 및 29.3±0.2 도(degree)로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 7개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제4항에 있어서, 상기 화합물은 도 2, 도 16, 도 17, 도 18, 도 19, 도 20, 도 21, 도 22, 도 23, 도 24, 도 25, 도 26, 도 27, 도 28, 및 도 33으로 구성된 군에서 선택되는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 실질적으로 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트 (1:1) 화합물로서, 상기 화합물은 결정질 형태 N이며, 3.30±0.2, 6.61±0.2, 9.88±0.2, 11.73±0.2, 13.14±0.2, 15.23±0.2, 16.56±0.2, 17.94±0.2, 18.72±0.2, 19.34±0.2, 19.93±0.2, 20.76±0.2, 22.04±0.2, 22.95±0.2, 23.86±0.2, 25.19±0.2, 26.61±0.2, 28.36±0.2, 30.13±0.2, 31.36±0.2, 33.49±0.2, 및 37.22±0.2으로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 2θ 각도 값을 갖는 7개 이상의 회절 피크(peak)를 포함하는 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제24항에 있어서, 상기 화합물은 도 33에 도시된 바와 같은 분말 X-선 회절 패턴(powder X-ray diffraction pattern)에 의해 실질적으로 특성화되는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 다음의 단계를 포함하는 화학식 (Ⅰ)의 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트 염의 결정질 형태 제조방법:
(Ⅰ)
(a) 용액 또는 현탁액(suspension)을 형성하기 위해 유리 염기(free base) 또는 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온의 말레에이트 이외의 염을 용매 또는 용매 혼합물에 용해시키고; 혼합물을 형성하기 위해 상기 형성된 용액 또는 현탁액(suspension)을 말레산(maleic acid)과 혼합하고; (5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트 염을 타겟(target) 결정질 형태로 침전시키는 단계;
(b) 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 세스퀴-말레에이트 염을 용매 또는 용매 혼합물에 용해시키거나 현탁시키고; (5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트 염을 타겟(target) 결정질 형태로 침전시키는 단계;
(c) 타겟(target) 결정질 형태를 얻기 위해 연장된 주기 동안에 결정질의 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트 염을 저장하는 단계;
(d) 온도를 상승시키기 위해 결정질 또는 비정질(amorphous)의 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트 염을 가열하고; 타겟(target) 결정질 형태를 얻기 위해 상기 염을 냉각하는 단계; 및
(e) 타겟(target) 결정질 형태를 얻기 위해 결정질 또는 비정질의 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트 염을 용매의 증기에 대하여 노출시키는 단계.
- 제26항에 있어서, 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질의 생성물을 수집하기 위하여 가열, 용해되지 않은 불순물을 제거하기 위한 여과, 용매 증류, 카운터 용매(counter solvent) 또는 용매 혼합물의 첨가, 씨결정(crystal seed)의 첨가, 침전 유도제의 첨가, 냉각, 침전, 및 여과하는 단계로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는 하나 이상의 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 (a) 또는 (b) 단계의 용매 또는 용매 혼합물은 물, 저급 알킬 알코올(lower alkyl alcohols), 케톤(ketones), 에터(ethers), 에스터(esters), 저급 지방족 카복시산(lower aliphatic carboxylic acids), 저급 지방족 나이트릴(lower aliphatic nitriles), 임의의 할로젠화 방향족(halogenated aromatic) 용매, 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 용매는 아이소프로판올(isopropanol), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 아세톤(acetone), THF(tetrahydrofuran), 1,4-다이옥세인(1,4-dioxane), 아세트산(acetic acid), 아세토나이트릴(acetonitrile), 물, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제26항에 있어서, 상기 (a) 단계의 유리 염기(free base)는 분리되고 정제된 유기 염기, 분리되었으나 정제되지 않은 유리 염기, 또는 유리 염기를 함유하는 미가공 반응 생성물(crude reaction product)인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제26항에 있어서, 상기 (c) 단계의 연장된 주기는 적어도 3일, 적어도 일주일, 또는 적어도 2주인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제26항에 있어서, 상기 (d) 단계의 상승된 온도는 적어도 40℃, 적어도 60℃, 적어도 80℃, 또는 적어도 100℃, 그러나 세스퀴-말레에이트 염의 분해 온도(decomposition temperature) 보다는 낮은 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제26항에 있어서, 상기 (e) 단계의 증기는 아세트산(acetic acid)의 증기인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제26항에 있어서,
1) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 A*를 생성하기 위해 용매로서 아이소프로판올(isopropanol)-물 (v/v > 60/40)을 사용하는 단계를 포함하고;
2) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 A**를 생성하기 위해 용매로서 아세톤(acetone)을 사용하는 단계를 포함하며;
3) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 A를 생성하기 위해 용매로서IPA(icosapentaenoic acid)-물 (v:v=4:1) 혼합물을 사용하는 단계를 포함하고;
4) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 B를 생성하기 위해 용매로서 1,4-다이옥산(1,4-dioxane)을 사용하는 단계를 포함하며;
5) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 C를 생성하기 위해 용매로서 에탄올(ethanol)을 사용하는 단계를 포함하고;
6) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 D를 생성하기 위해 용매로서 메탄올(methanol)을 사용하는 단계를 포함하며;
7) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 F를 생성하기 위해 용매로서 아세토나이트릴(acetonitrile)-물 (v:v=1:1) 혼합물을 사용하는 단계를 포함하고;
8) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 G를 생성하기 위해 용매로서 아세트산(acetic acid)-물 혼합물을 사용하는 단계를 포함하며;
9) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 H를 생성하기 위해 용매로서 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF)을 사용하는 단계를 포함하고;
10) 상기 (a) 또는 (b) 단계는 결정질 형태 I를 생성하기 위해 용매로서IPA(icosapentaenoic acid)-물 (v:v=3:1) 혼합물을 사용하는 단계를 포함하며;
11) 상기 (c) 단계는 결정질 형태 K를 생성하기 위해 2주 동안 주위 온도(ambient temperature)에서 결정질 형태 D를 저장하는 단계를 포함하고;
12) 상기 (c) 단계는 결정질 형태 M을 생성하기 위해 2주 동안 주위 온도(ambient temperature)에서 결정질 형태 J를 저장하는 단계를 포함하며;
13) 상기 (d) 단계는 결정질 형태 L을 생성하기 위해 결정질 형태 G를 140℃까지 가열한 후에 주위 온도(ambient temperature)에서 냉각하는 단계를 포함하고; 및
12) 상기 (e) 단계는 결정질 형태 J를 생성하기 위해 결정질 형태 A를 아세트산(acetic acid) 증기와 상호 작용시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제4항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 치료 유효량과 약제학적으로 허용 가능한 담체(carrier)를 포함하는 약제학적 조성물.
- 제35항에 있어서, 상기 약제학적 조성물은 경구 투여에 적합한 것을 특징으로 하는 약제학적 조성물.
- 제35항에 있어서, 상기 약제학적 조성물은 정제(tablet) 또는 캡슐(capsule) 형태인 것을 특징으로 하는 약제학적 조성물.
- 제35항에 있어서, 상기 약제학적 조성물의 정제 또는 캡슐의 단위 복용량(unit dosage)은 5-80 mg인 것을 특징으로 하는 약제학적 조성물.
- 제35항에 있어서, 상기 약제학적 조성물 중 상기 화합물의 중량부는 1-99%인 것을 특징으로 하는 약제학적 조성물.
- 제4항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 화합물 또는 제35항 내지 제39항 중 어느 한 항에 따른 약제학적 조성물의 치료 유효량을 환자에게 투여하는 단계를 포함하는, 상기 환자의 질병 또는 장애의 치료 또는 예방 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 질병 또는 장애는 암인 것을 특징으로 하는 치료 또는 예방 방법.
- 제41항에 있어서, 상기 질병 또는 장애는 뇌암(brain cancer), 폐암(lung cancer), 신장암(kidney cancer), 골암(bone cancer), 간암(liver cancer), 방광암(bladder cancer), 유방암(breast), 두경부암(head and neck cancer), 난소암(ovarian cancer), 흑색종(melanoma), 피부암(skin cancer), 부신암(adrenal cancer), 자궁경부암(cervical cancer), 대장암(colorectal cancer), 림프종(lymphoma), 또는 갑상선 종양(thyroid tumors)으로 구성된 군에서 선택되는 암 및 이들의 합병증(complications)인 것을 특징으로 하는 치료 또는 예방 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 질병은 BRAF, NRAS 및 KRAS 돌연변이 뇌암(brain cancer), 폐암(lung cancer), 신장암(kidney cancer), 골암(bone cancer), 간암(liver cancer), 방광암(bladder cancer), 유방암(breast), 두경부암(head and neck cancer), 난소암(ovarian cancer), 흑색종(melanoma), 피부암(skin cancer), 부신암(adrenal cancer), 자궁경부암(cervical cancer), 대장암(colorectal cancer), 림프종(lymphoma), 또는 갑상선 종양(thyroid tumors) 및 이들의 합병증(complications)으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 치료 또는 예방 방법.
- 제43항에 있어서, 상기 제4항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 투여되는 복용량이 1-100 mg/day, 및 투여 빈도는 1일 1회 내지 3회인 것을 특징으로 하는 치료 또는 예방 방법.
- 제43항에 있어서, 상기 제4항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 투여되는 복용량이 5-50 mg/day, 및 투여 빈도는 1일 1회 내지 3회인 것을 특징으로 하는 치료 또는 예방 방법.
- 제43항에 있어서, 상기 제4항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 투여되는 복용량이 10-40 mg/day, 및 투여 빈도는 1일 1회인 것을 특징으로 하는 치료 또는 예방 방법.
- 제40항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물은 A*, A**, A, B, C, D, F, G, H, I, J, K, L, M 및 N으로 구성된 군에서 선택되는 결정질 형태의, 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 말레에이트인 것을 특징으로 하는 치료 또는 예방 방법.
- 다음 단계를 포함하는 결정질의 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 세스퀴-말레에이트 제조방법으로:
a) 약 50℃에서 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온과 말레산(maleic acid)의 혼합물을 i-PrOH과 H2O의 혼합 용액에 혼합하는 단계, 또는
b) 약 50℃에서 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온과 혼합물 또는 현탁액(suspension) 또는 말레산(maleic acid) 용액을 i-PrOH과 H2O의 혼합 용액에 혼합하는 단계, 또는
c) 약 50℃에서 혼합물 또는 현탁액(suspension) 또는 5-(((1R,1aS,6bR)-1-(6-(트리플루오르메틸)-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-1a,6b-다이하이드로-1H-사이클로프로파[b]벤조퓨란-5-일)옥시)-3,4-다이하이드로-1,8-나프티리딘-2(1H)-온 용액을 i-PrOH과 H2O의 혼합 용액에 말레산(maleic acid)과 혼합하는 단계,
상기 (a), (b) 및 (c) 단계에서, 상기 i-PrOH의 양은 i-PrOH과 H2O의 전체 부피에 대하여 40% 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법.
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