KR20170141386A - 탄성파 필터 장치 - Google Patents
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Abstract
상부전극의 상에 형성되는 절연층을 포함하며, 상기 절연층은 상부전극의 일부분을 노출시켜 반사 손실을 억제하여 Q 성능이 저하되는 것을 감소시킬 수 있는 탄성파 필터 장치가 개시된다.
Description
본 발명은 탄성파 필터 장치에 관한 것이다.
체적탄성파(BAW, Bulk Acoustic Wave) 필터는 스마트폰 및 테블릿(Tablet) 등의 프런트 엔드 모듈(Front End Module)에서 RF 신호 중 원하는 주파수 대역은 통과시키고, 원치 않는 주파수 대역은 차단하는 핵심 소자이며, 모바일(Mobile) 시장이 커지며 그 수요가 증가하고 있다.
한편, 체적탄성파(BAW) 필터는 체적탄성파 공진기들로 구성되며, 체적탄성파 공진기의 품질계수인 Q 성능이 좋으면 체적탄성파 필터에서 원하는 밴드(Band)만 선택할 수 있는 스커트(Skirt) 특성이 좋고, 삽입 손실(Insertion Loss) 및 감쇠(Attenuation) 성능이 개선된다.
그리고, 체적탄성파 공진기의 Q 성능을 향상시키기 위해서는 공진기 둘레에 프레임을 형성해서 공진 시 발생하는 측면파(Lateral wave)를 공진기 내부로 반사시켜 공진 에너지를 활성 영역(Active area)에 가두어야 한다.
이를 위해, 일반적으로 프레임은 상부 전극과 동일 재질을 이용하여 활성 영역(Actvie area)보다 두껍게 형성하여 구성하며, 이후 상부 전극과 프레임 위에는 절연층을 증착하여 릴리즈(Release) 공정 후 공진기의 주파수 트리밍(Trimming)을 할 수 있도록 제작된다.
그런데, 이렇게 증착된 절연층은 공진기의 활성 영역(Active area) 뿐만 아니라 프레임을 포함하여 공진기 전체에 증착이 되므로, 프레임 외곽면에 생성된 절연층에 의해 공진 시 측면파(Lateral wave)의 반사 손실을 유발하여 공진 에너지의 손실(Leakage)이 발생되고, 이로 인해 Q 성능이 저하되는 문제가 있다.
반사 손실에 의한 성능 저하를 억제할 수 있는 탄성파 필터 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치는 상부전극의 상에 형성되는 절연층을 포함하며, 상기 절연층은 상부전극의 일부분을 노출시켜 반사 손실을 억제하여 Q 성능이 저하되는 것을 감소시킬 수 있다.
반사 손실에 의한 성능 저하를 억제할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부를 나타내는 확대도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 도 3의 B부를 나타내는 확대도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 도 3의 C부를 나타내는 확대도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 도 7의 D부를 나타내는 확대도이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부를 나타내는 확대도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 도 3의 B부를 나타내는 확대도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 도 3의 C부를 나타내는 확대도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 도 7의 D부를 나타내는 확대도이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이고, 도 2는 도 1의 A부를 나타내는 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 기판(110), 하부전극 보호층(120), 하부전극(130), 압전체층(140), 상부전극(150) 및 절연층(160)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다.
하부전극 보호층(120)은 기판(110)과 함께 에어갭(Cavity, 102)을 형성하며, 이를 위해 하부전극 보호층(120)에는 경사부(122)가 구비될 수 있다. 한편, 상기한 에어갭(102)은 희생층(미도시)의 적층 후 희생층의 제거에 의해 형성될 수 있다.
한편, 하부전극 보호층(120)은 상기한 바와 같이 하부전극(130)의 하부에 형성되어 릴리즈 공정에 의한 하부전극(130)의 산화를 방지하는 역할을 수행한다. 또한, 하부전극 보호층(120)은 반사층으로서의 역할을 수행할 수도 있다.
하부전극(130)은 하부전극 보호층(120) 상에 형성된다. 일예로서, 하부전극(130)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W) 등과 같이 전도성 재질을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 하부전극(130)은 압전체층(140)에 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 하부전극(130)이 입력 전극인 경우 상부전극(150)은 출력 전극일 수 있으며, 하부전극(130)이 출력 전극인 경우 상부전극(150)은 입력 전극일 수 있다.
또한, 하부전극(130)에는 상기한 하부전극 보호층(120)의 경사부(122)에 대응되는 경사부(132)가 구비될 수 있다.
압전체층(140)은 하부전극(130) 상에 형성된다. 그리고, 압전체층(140)은 하부전극(130) 또는 상부전극(150)으로부터 입력되는 전기적 신호를 탄성파(Acoustic wave)로 변환할 수 있다.
일예로서, 상부전극(150)에 시간적으로 변화하는 전계가 유기되는 경우, 압전체층(140)은 상부전극(150)으로부터 입력되는 전기적 신호를 물리적 진동으로 변환할 수 있다. 그리고, 압전체층(140)은 변환된 물리적 진동을 탄성파로 변환할 수 있다. 이때, 시간적으로 변화하는 전계가 유기될 수 있다. 그러면, 압전체층(140)은 유기된 전계를 이용하여 배향된 압전체층(140) 내에서 두께 진동 방향과 동일한 방향으로 체적 탄성파(bulk acoustic wave)를 발생시킬 수 있다. 이처럼 압전체층(140)은 체적 탄성파를 발생시켜 전기적 신호를 탄성파로 변환할 수 있다.
이때, 압전체층(140)은 하부전극(130)의 상부에 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
상부전극(150)은 압전체층(140) 상에 형성된다. 일예로서, 상부전극(150)은 하부전극(130)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W) 등과 같이 전도성 재질을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 상부전극(150)에는 다른 부분보다 두께가 두꺼운 프레임부(152)가 형성된다. 프레임부(152)는 상부전극(150)의 다른 부분과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
다만, 이에 한정되지 않으며 프레임부(152)는 상부전극(150)의 다른 부분과 다른 재질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 상부전극(150)에 프레임부(152)가 형성되므로, 공진 시 발생하는 측면파(Lateral Wave)를 활성 영역 내부로 반사시켜 공진 에너지를 활성 영역에 가두어둘 수 있다.
절연층(160)은 상부전극(150) 상에 형성된다. 한편, 절연층(160)은 일예로서, 망간(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속 재료 또는 산화규소 등의 절연체 재료로 이루어질 수 있다.
한편, 절연층(160)은 주파수를 조절하는 기능을 수행할 수 있다. 다시 말해, 통과되는 주파수 대역을 결정하기 위해 절연층(160)이 적층되며, 절연층(160)의 형성 시 두께를 조절하여 통과되는 주파수 대역이 결정될 수 있다.
또한, 절연층(160)은 상부전극(150)의 일부분을 노출시킬 수 있다. 일예로서, 절연층(160)은 상부전극(150)의 프레임부(152) 측면과 상면 일부를 노출시킨다.
한편, 절연층(160)의 형성방법에 대하여 간략하게 살펴보면, 상부전극(150)과, 외부로 노출된 압전체층(140) 및 하부전극(140) 상에 절연층(160)이 적층된다. 이후 추가 패터닝 후 건식 또는 습식 식각을 통해 절연층(160)이 프레임부(152)의 측면과 상면 일부가 노출되도록 제거된다.
즉, 외부로 노출된 압전체층(140) 및 하부전극(140) 상에 형성된 절연층(160)이 제거되는 동시에 프레임부(152)의 측면과 상면 일부가 노출되도록 절연층(160)이 제거된다.
이에 따라, 공진 구동 시 프레임부(152) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
상기한 바와 같이, 상부전극(150) 상에 형성되는 절연층(160)을 통해 주파수 트리밍 기능을 구현할 수 있다.
또한, 절연층(160)이 프레임부(152)의 일부를 노출시키도록 형성됨으로써, 공진 구동 시 프레임부(152) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 대하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이고, 도 4는 도 3의 B부를 나타내는 확대도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(200)는 일예로서, 기판(210), 하부전극 보호층(220), 하부전극(230), 압전체층(240), 상부전극(250) 및 절연층(260)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(210), 하부전극 보호층(220), 하부전극(230), 압전체층(240), 상부전극(250)은 상기에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)에 구비되는 기판(110), 하부전극 보호층(120), 하부전극(130), 압전체층(140), 상부전극(150)과 동일한 구성요소에 해당되는 것으로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
절연층(260)은 상부전극(250) 상에 형성된다. 한편, 절연층(260)은 일예로서, 망간(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속 재료 또는 산화규소 등의 절연체 재료로 이루어질 수 있다.
한편, 절연층(260)은 주파수를 조절하는 기능을 수행할 수 있다. 다시 말해, 통과되는 주파수 대역을 결정하기 위해 절연층(260)이 적층되며, 절연층(260)의 형성 시 두께를 조절하여 통과되는 주파수 대역이 결정될 수 있다.
또한, 절연층(260)은 상부전극(250)의 일부분을 노출시킬 수 있다. 일예로서, 절연층(260)은 상부전극(250)의 프레임부(252) 측면 일부를 노출시킨다.
여기서, 절연층(260)의 형성방법에 대하여 간략하게 살펴보면, 압전체층(240)이 하부전극(230) 및 하부전극 보호층(220) 상에 형성되고, 압전체층(240) 상에 상부전극(250)이 형성된다.
이후, 상부전극(250) 상에 절연층(260)을 형성하고, 패터닝을 수행한다.
이후, 패터닝된 절연층(260)을 마스크로 하여 상부전극(250)을 건식 또는 습식 식각하여 패터닝하고, 압전체층(240)을 패터닝한다.
이에 따라, 절연층(260)은 상부전극(250)의 프레임부(252) 측면 일부를 노출시킬 수 있는 것이다. 즉, 절연층(260)의 끝단은 프레임부(252)의 측면과 나란히 배치되는 것이다.
결국, 공진 구동 시 프레임부(252) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
상기한 바와 같이, 상부전극(250) 상에 형성되는 절연층(260)을 통해 주파수 트리밍 기능을 구현할 수 있다.
또한, 절연층(260)이 프레임부(252)의 일부를 노출시키도록 형성됨으로써, 공진 구동 시 프레임부(252) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이고, 도 6은 도 3의 C부를 나타내는 확대도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(300)는 일예로서, 기판(310), 하부전극 보호층(320), 하부전극(330), 압전체층(340), 상부전극(350) 및 절연층(360)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(310), 하부전극 보호층(320), 하부전극(330), 압전체층(340), 상부전극(350)은 상기에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)에 구비되는 기판(110), 하부전극 보호층(120), 하부전극(130), 압전체층(140), 상부전극(150)과 동일한 구성요소에 해당되는 것으로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
절연층(360)은 상부전극(350) 상에 형성된다. 한편, 절연층(360)은 일예로서, 망간(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속 재료 또는 산화규소 등의 절연체 재료로 이루어질 수 있다.
한편, 절연층(360)은 주파수를 조절하는 기능을 수행할 수 있다. 다시 말해, 통과되는 주파수 대역을 결정하기 위해 절연층(360)이 적층되며, 절연층(360)의 형성 시 두께를 조절하여 통과되는 주파수 대역이 결정될 수 있다.
또한, 절연층(360)은 상부전극(350)의 일부분을 노출시킬 수 있다. 일예로서, 절연층(360)은 상부전극(350)의 프레임부(352) 측면 일부를 노출시킨다. 또한, 절연층(360)은 프레임부(352)로부터 돌출되도록 연장 형성될 수 있다.
여기서, 절연층(360)의 형성방법에 대하여 간략하게 살펴보면, 압전체층(340)이 하부전극(330) 및 하부전극 보호층(320) 상에 형성되고, 압전체층(340) 상에 상부전극(350)이 형성된다.
이후, 상부전극(350) 상에 절연층(360)을 형성하고, 패터닝을 수행한다.
이후, 패터닝된 절연층(360)을 마스크로 하여 상부전극(350)을 건식 또는 습식 식각하여 패터닝하고, 압전체층(340)을 패터닝한다. 이때, 절연층(360)의 끝단이 상부전극(350)의 프레임부(352)로부터 돌출되도록 배치도록 상부전극(350)이 패터닝될 수 있다.
이에 따라, 절연층(360)은 상부전극(250)의 프레임부(352) 측면 일부를 노출시킬 수 있는 것이다.
결국, 공진 구동 시 프레임부(352) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이고, 도 8은 도 7의 D부를 나타내는 확대도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(400)는 일예로서, 기판(410), 하부전극 보호층(420), 하부전극(430), 압전체층(440), 상부전극(450) 및 절연층(460)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(410), 하부전극 보호층(420), 하부전극(430), 압전체층(440), 상부전극(450)은 상기에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)에 구비되는 기판(110), 하부전극 보호층(120), 하부전극(130), 압전체층(140), 상부전극(150)과 동일한 구성요소에 해당되는 것으로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
절연층(460)은 하부전극(430), 압전체층(440) 및 상부전극(450) 중 적어도 하부전극(430)과 상부전극(450)을 덮도록 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 절연층(460)이 하부전극(430), 압전체층(440) 및 상부전극(450)을 덮도록 형성되는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다시 말해, 절연층(460)은 하부전극(430)과 상부전극(450)만을 덮도록 형성될 수 있다.
한편, 절연층(460)은 일예로서, 망간(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속 재료 또는 산화규소 등의 절연체 재료로 이루어질 수 있다.
한편, 절연층(460)은 주파수를 조절하는 기능을 수행할 수 있다. 다시 말해, 통과되는 주파수 대역을 결정하기 위해 절연층(460)이 적층되며, 절연층(460)의 형성 시 두께를 조절하여 통과되는 주파수 대역이 결정될 수 있다.
또한, 절연층(460)은 노출홀(462)을 통해 상부전극(450)의 일부분을 노출시킬 수 있다. 일예로서, 절연층(460)은 노출홀(462)을 통해 상부전극(450)의 프레임부(452)의 측면과 상면 일부를 외부로 노출시킨다.
한편, 절연층(460)의 형성방법에 대하여 간략하게 살펴보면, 상부전극(450)과, 절연층(460)이 형성되기 전 외부로 노출된 압전체층(440) 및 하부전극(440) 상에 절연층(460)이 적층된다. 만약, 절연층(460)이 형성되기 전 상부전극(450)과 하부전극(440)만이 외부로 노출된 경우 절연층(460)은 상부전극(450)과 하부전극(440)만을 덮도록 형성된다. 또한, 절연층(460)이 형성되기 전 하부전극(440)과 압전체층(440)의 일부분이 외부로 노출된 경우 절연층(460)은 외부로 노출된 하부전극(430)과 압전체층(440) 및 상부전극(450)에 적층될 수 있다.
이후 추가 패터닝 후 건식 또는 습식 식각을 통해 절연층(460)이 프레임부(452)의 측면과 상면 일부가 외부로 노출되도록 제거된다.
즉, 프레임부(452)의 측면과 상면 일부가 외부로 노출되도록 절연층(460)에는 노출홀(462)이 형성된다.
이에 따라, 공진 구동 시 프레임부(452) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
상기한 바와 같이, 상부전극(450) 상에 형성되는 절연층(460)을 통해 주파수 트리밍 기능을 구현할 수 있다.
또한, 절연층(460)이 프레임부(452)의 일부를 노출시키도록 형성됨으로써, 공진 구동 시 프레임부(452) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(500)는 일예로서, 기판(510), 하부전극 보호층(520), 하부전극(530), 압전체층(540), 상부전극(550) 및 절연층(560)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(510), 하부전극 보호층(520), 하부전극(530), 압전체층(540)은 상기에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)에 구비되는 기판(110), 하부전극 보호층(120), 하부전극(130), 압전체층(140)과 동일한 구성요소에 해당되는 것으로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
상부전극(550)은 압전체층(440) 상에 형성된다. 일예로서, 상부전극(550)은 하부전극(530)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W) 등과 같이 전도성 재질을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 상부전극(550)의 가장자리에는 다른 부분보다 두께가 두꺼운 프레임부(552)가 형성된다. 프레임부(552)는 상부전극(150)의 다른 부분과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
다만, 이에 한정되지 않으며 프레임부(552)는 상부전극(550)의 다른 부분과 다른 재질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 상부전극(550)의 가장자리에 프레임부(552)가 형성되므로, 공진 시 발생하는 측면파(Lateral Wave)를 활성 영역 내부로 반사시켜 공진 에너지를 활성 영역에 가두어둘 수 있다.
그리고, 상기한 프레임부(552)는 띠 형상을 가질 수 있다. 일예로서, 프레임부(552)는 공진이 발생되는 활성영역(Active Area)의 형상에 대응되는 띠 형상을 가질 수 있다. 활성영역은 공진이 발생되는 영역으로서 상부에서 바라볼 때 대략 무정형의 원형 형상, 타원 형상, 다각형 형상(예를 들어, 오각형 사각형) 등을 가질 수 있다.
절연층(560)은 상부전극(550) 상에 형성된다. 한편, 절연층(560)은 일예로서, 망간(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속 재료 또는 산화규소 등의 절연체 재료로 이루어질 수 있다.
한편, 절연층(560)은 주파수를 조절하는 기능을 수행할 수 있다. 다시 말해, 통과되는 주파수 대역을 결정하기 위해 절연층(560)이 적층되며, 절연층(560)의 형성 시 두께를 조절하여 통과되는 주파수 대역이 결정될 수 있다.
또한, 절연층(560)은 상부전극(550)의 일부분을 노출시킬 수 있다. 일예로서, 절연층(560)은 상부전극(550)의 띠 형상을 가지는 프레임부(552) 측면과 상면 일부를 노출시킨다.
한편, 절연층(560)의 형성방법에 대하여 간략하게 살펴보면, 상부전극(550)과, 외부로 노출된 압전체층(540) 및 하부전극(540) 상에 절연층(560)이 적층된다. 이후 추가 패터닝 후 건식 또는 습식 식각을 통해 절연층(560)이 프레임부(552)의 측면과 상면 일부가 노출되도록 제거된다.
즉, 외부로 노출된 압전체층(540) 및 하부전극(540) 상에 형성된 절연층(560)이 제거되는 동시에 프레임부(552)의 측면과 상면 일부가 노출되도록 절연층(560)이 제거된다.
이에 따라, 공진 구동 시 프레임부(552) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
상기한 바와 같이, 상부전극(550) 상에 형성되는 절연층(560)을 통해 주파수 트리밍 기능을 구현할 수 있다.
또한, 절연층(560)이 프레임부(552)의 일부를 노출시키도록 형성됨으로써, 공진 구동 시 프레임부(552) 외곽에서 공진 에너지의 측면파(Lateral Wave)에 대한 반사 손실을 줄여 Q 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200, 300, 400, 500 : 탄성파 필터 장치
110, 210, 310, 410, 510 : 기판
120, 220, 320, 420, 520 : 하부전극 보호층
130, 230, 330, 430, 530 : 하부전극
140, 240, 340, 440, 540 : 압전체층
150, 250, 350, 450, 550 : 상부전극
160, 260, 360, 460, 560 : 절연층
110, 210, 310, 410, 510 : 기판
120, 220, 320, 420, 520 : 하부전극 보호층
130, 230, 330, 430, 530 : 하부전극
140, 240, 340, 440, 540 : 압전체층
150, 250, 350, 450, 550 : 상부전극
160, 260, 360, 460, 560 : 절연층
Claims (16)
- 기판;
기판 상에 형성되는 하부전극;
상기 하부전극 상에 형성되는 압전체층;
상기 압전체층 상에 형성되는 상부전극; 및
상기 상부전극 상에 형성되는 절연층;
을 포함하며,
상기 절연층은 상기 상부전극의 일부분을 노출시키는 탄성파 필터 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 상부전극에는 다른 부분보다 두께가 두꺼운 프레임부가 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 절연층은 상기 프레임부의 측면과 상면 일부를 노출시키는 탄성파 필터 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 절연층은 상기 프레임부의 측면 일부를 노출시키는 탄성파 필터 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 절연층은 상기 프레임부로부터 돌출되도록 연장 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 하부전극의 하부에 형성되는 하부전극 보호층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치.
- 제6항에 있어서,
상기 하부전극 보호층은 상기 기판과 함께 에어갭을 형성하며,
상기 압전체층은 상기 하부전극 보호층의 일부분 상부에도 적층되는 탄성파 필터 장치.
- 제7항에 있어서,
상기 에어갭은 희생층의 제거에 의해 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제7항에 있어서,
상기 하부전극 보호층과 상기 하부전극은 경사부를 가지는 탄성파 필터 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 프레임부는 상기 상부전극의 다른 부분과 동일한 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 프레임부는 띠 형상을 가지는 탄성파 필터 장치.
- 기판;
상기 기판과 함께 에어갭을 형성하도록 상기 기판 상에 형성되는 하부전극 보호층;
상기 하부전극 보호층 상에 형성되는 하부전극;
상기 하부전극 상에 형성되는 압전체층;
상기 압전체층 상에 형성되는 상부전극; 및
상기 상부전극과, 상기 하부전극 및 상기 압전체층 중 적어도 상기 상부전극과 상기 하부전극을 덮도록 형성되는 절연층;
을 포함하며,
상기 절연층은 상기 상부전극의 일부분을 노출시키는 탄성파 필터 장치.
- 제12항에 있어서,
상기 상부전극의 가장자리에는 다른 부분보다 두께가 두꺼운 프레임부가 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제13항에 있어서,
상기 절연층은 상기 프레임부의 측면과 상면 일부가 외부로 노출되도록 하는 노출홀을 가지는 탄성파 필터 장치.
- 제13항에 있어서,
상기 프레임부는 상기 상부전극의 다른 부분과 동일한 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
- 제13항에 있어서,
상기 프레임부는 띠 형상을 가지는 탄성파 필터 장치.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10833646B2 (en) | 2016-10-12 | 2020-11-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk-acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111010140B (zh) * | 2019-05-31 | 2025-05-23 | 天津大学 | 突起结构内侧设置空隙结构的谐振器及电子设备 |
| CN110190826B (zh) * | 2019-05-31 | 2020-10-02 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 谐振薄膜层、谐振器和滤波器 |
| KR102483626B1 (ko) * | 2020-09-16 | 2023-01-02 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| KR20230100126A (ko) * | 2021-12-28 | 2023-07-05 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| CN115242202A (zh) * | 2022-06-17 | 2022-10-25 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器的制备工艺和薄膜体声波谐振器 |
| CN115242215B (zh) * | 2022-09-19 | 2023-02-21 | 常州承芯半导体有限公司 | 体声波谐振装置及其形成方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020158716A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method of tuning baw resonators |
| JP2004008380A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Aloka Co Ltd | 超音波診断装置 |
| JP2007110281A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Ube Ind Ltd | 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子 |
| US20140125202A1 (en) * | 2009-11-25 | 2014-05-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (baw) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with multiple dopants |
| US20140139077A1 (en) * | 2009-06-24 | 2014-05-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8902023B2 (en) * | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157108A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 圧電薄膜共振子 |
| US5692279A (en) | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| US20020015871A1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-02-07 | Tao Tao T. | Electrochemical device and methods for energy conversion |
| EP1469599B1 (en) * | 2003-04-18 | 2010-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air gap type FBAR, duplexer using the FBAR, and fabricating methods thereof |
| KR100599083B1 (ko) * | 2003-04-22 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법 |
| EP1548768B1 (en) * | 2003-12-24 | 2012-02-22 | Imec | Micromachined film bulk acoustic resonator |
| US7554422B2 (en) * | 2004-09-10 | 2009-06-30 | Panasonic Corporation | Filter module using piezoelectric resonators, duplexer, communication device, and method for fabricating filter module |
| JPWO2007000929A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2009-01-22 | パナソニック株式会社 | 圧電共振器、圧電フィルタ、それを用いた共用器及び通信機器 |
| US20070139140A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-06-21 | Rao Valluri R | Frequency tuning of film bulk acoustic resonators (FBAR) |
| DE102006008721B4 (de) * | 2006-02-24 | 2009-12-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels für einen piezoelektrischen Resonator und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Resonators |
| WO2007119556A1 (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子及び圧電フィルタ |
| JP2008005443A (ja) | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Kyocera Corp | 音響波共振子およびフィルタならびに通信装置 |
| JP5191762B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-05-08 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、および通信装置 |
| KR101696665B1 (ko) | 2010-09-16 | 2017-01-16 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기 센서 |
| US9490771B2 (en) * | 2012-10-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and frame |
| JP5792554B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-10-14 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| KR101856057B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2018-05-10 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기, 체적 음향 공진기의 제조방법 및 체적 음향 공진기를 이용한 ｒｆ 디바이스 |
| JP6336712B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2018-06-06 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| CN103326692A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-09-25 | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 | 一种电调薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| US9520855B2 (en) * | 2014-02-26 | 2016-12-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and frame elements |
| KR101973416B1 (ko) | 2014-07-31 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법 |
| KR101973423B1 (ko) | 2014-12-08 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 그 제조 방법 |
-
2016
- 2016-06-15 KR KR1020160074351A patent/KR20170141386A/ko not_active Ceased
- 2016-12-20 US US15/384,385 patent/US10396751B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-16 CN CN201710032359.0A patent/CN107528565B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020158716A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method of tuning baw resonators |
| JP2004008380A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Aloka Co Ltd | 超音波診断装置 |
| JP2007110281A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Ube Ind Ltd | 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子 |
| US20140139077A1 (en) * | 2009-06-24 | 2014-05-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8902023B2 (en) * | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US20140125202A1 (en) * | 2009-11-25 | 2014-05-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (baw) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with multiple dopants |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10833646B2 (en) | 2016-10-12 | 2020-11-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk-acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US10396751B2 (en) | 2019-08-27 |
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