KR20180120179A - 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법 및 실리콘 고무 성형체 - Google Patents
실리콘 고무 표면의 광경질화 방법 및 실리콘 고무 성형체 Download PDFInfo
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Abstract
실리콘 고무 성형체의 표면에 예를 들면 제논 엑시머 램프 등에 의해 파장 200nm 이하의 진공 자외광을 조사 에너지 10~3,000mJ/cm2의 범위에서 조사하고, 조사한 부분에 광산화 반응에 의한 산화층을 형성하여 경질화하는 공정(A)을 구비하는 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법에 의하면, 실리콘 고무 표면을 광택 변화없이 고무 질감을 남긴 채 내마모성 표면으로 경질화할 수 있고, 또한 고무의 내유침투성도 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법 및 실리콘 고무 성형체에 관한 것이다.
종래, 실리콘 고무 성형 물품에서는 고무 표면에 문자, 문양, 각인, 착색, 인쇄 등을 시행하여 의장성을 부여하는 것이 행해지고 있다. 이들 의장성 표면은 의복이나 손가락 등과의 접촉에 노출되어 마모되고 긁혀서 판독할 수 없게 되는 등 의장성이 손상된다는 문제가 있었다.
이 때문에 실리콘 고무 표면의 내마모성을 향상시키기 위해, 고무 표면에 저마찰성을 부여할 수 있는 경질 실리콘 코팅을 시행하는 것이 제안되어 있다.
예를 들면 특허문헌 1에서는 페닐 블록 폴리머에 소량의 다이메틸폴리실록세인을 첨가한 표면 미끄럼성을 가지는 도막이 개시되어 있는데, 이 도막에는 고무에 추종할 수 없어 크랙을 발생시킨다는 문제가 있다.
또 특허문헌 2~4에서는 고강도이며 또한 표면 미끄럼성의 도막을 부여하는 조성물로서, R3SiO1 / 2 단위 및 SiO4 / 2 단위로 이루어지는 오가노실록세인과 관능기 함유 실릴기로 분자쇄 말단이 봉쇄된 다이오가노폴리실록세인의 축합물을 베이스로 한 축합 경화형 조성물이 개시되어 있지만, 도막의 표면 내마모성에 대해서는 언급되어 있지 않다.
또한 특허문헌 2의 조성물에 있어서 습식 실리카, 건식 실리카 등의 충전제 첨가에 의한 표면 요철 부여, 페닐 블록 폴리머에 첨가에 의한 표면 경질화, 타이타늄산에스터 첨가에 의한 표면 요철화 등을 검토했지만, 모두 표면의 내마모성의 효과는 얻어지지 않고, 표면 점착이나 크랙 발생 등의 문제를 발생시키는 것을 알 수 있었다.
이와 같이 상기 각 특허문헌과 같은 실리콘 코팅을 도공하는 방법에서는 광택이 있는 표면 외관이 되어버려 고무 질감이나 감촉이 손상되어버릴 뿐만아니라, 경질 실리콘 코팅에서는 신장을 거의 가지지 않기 때문에, 성형품, 개스킷 및 패킹 등의 변형이나 신장에 추종할 수 없어, 표면 깨짐이나 크랙이 발생한다.
또 코팅에서는 번잡한 공정이 필요하게 될 뿐만아니라, 수지 기재와 일체 성형된 실리콘 고무 성형물에서는 열에 의한 수지의 변질이 문제가 된다.
게다가 부가형 코팅에서는 성형품 유래, 환경 유래의 부가독의 영향에 의한 경화 불량, 표면 끈적임이 발생할 우려도 있었다.
또한 실리콘 고무에서는 땀의 성분인 수분, 염분, 유분 등이 실리콘 고무에 침투, 투과하여, 접점 장애나 터치감의 저하를 일으키는 것이 문제가 되는 경우도 있는데, 실리콘 코팅에 의한 보호층으로는 이러한 문제들을 해결할 수는 없었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 실리콘 고무 표면을 광택변화없이 고무 질감을 남긴 채 내마모성 표면으로 경질화할 수 있고, 또한 고무의 내유침투성도 향상시킬 수 있는 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법 및 경질화된 표면을 가지는 실리콘 고무 성형체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 실리콘 고무에 대하여 진공 자외광을 소정의 조사 에너지로 조사함으로써, 실리콘 고무 표면에 광산화 반응에 의한 산화층이 형성되고, 고무 표면을 광택의 상승없이 고무의 택 등의 질감이나 감촉 등을 유지한 채 경질화할 수 있을 뿐만아니라, 경질화한 고무 표면이 우수한 내마모성을 가지는 것을 알아내어 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은
1. 실리콘 고무 성형체의 표면에 파장 200nm 이하의 진공 자외광을 조사 에너지 10~3,000mJ/cm2의 범위에서 조사하고, 조사한 부분에 광산화 반응에 의한 산화층을 형성하여 경질화하는 공정(A)을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법,
2. 상기 진공 자외광을 불활성 가스 분위기하에서 조사하는 1의 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법,
3. 상기 진공 자외광의 광원이 제논 엑시머 램프인 1 또는 2의 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법,
4. 상기 공정(A)에서 광 조사된 상기 실리콘 고무 성형체를 150℃ 이하의 온도에서 숙성시키는 공정(B)을 구비하는 1 내지 3 중 어느 하나의 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법,
5. 실리콘 고무 성형체의 표면에 파장 200nm 이하의 진공 자외광을 조사 에너지 10~3,000mJ/cm2의 범위에서 조사하고, 조사한 부분에 광산화 반응에 의한 산화층을 형성하여 경질화하는 공정(A)을 구비하는 것을 특징으로 하는 경질화된 표면을 가지는 실리콘 고무 성형체의 제조 방법,
6. 상기 공정(A)에서 광 조사된 상기 실리콘 고무 성형체를 150℃ 이하의 온도에서 가열하는 공정(B)을 구비하는 5의 경질화된 표면을 가지는 실리콘 고무 성형체의 제조 방법,
7. 그 표면의 적어도 일부에 광산화층을 가지는 실리콘 고무 성형체
를 제공한다.
본 발명의 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법에 의하면, 실리콘 고무 성형체에 손가락 촉감의 변화, 광택의 상승 및 크랙이 없는 내마모성 표면을 간편하게 형성할 수 있다.
본 발명의 방법으로 얻어진 경질화된 표면을 가지는 실리콘 고무 성형체는 각종 전자 기기의 보호 커버, 휴대전화, 스마트폰이나 리모컨 등의 키패드, 전자 사진 복사기나 프린터 등의 실리콘 고무제 롤 등에 적합하게 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 광경질화 방법의 하나의 실시형태에 따른 개략 공정도이다.
이하, 본 발명에 대해서 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법은 실리콘 고무 성형체의 표면에 파장 200nm 이하의 진공 자외광을 조사 에너지 10~3,000mJ/cm2의 범위에서 조사하고, 조사한 부분에 광산화 반응에 의한 산화층을 형성하여 경질화하는 공정(A)을 구비한다.
이와 같이 파장 200nm 이하의 진공 자외광에 의한 고 에너지선을 조사함으로써, 실리콘 고무 표면 분자 중의 측쇄 유기기의 대부분이 절단될 뿐만아니라, 산소를 통하여 Si-O-Si 결합이 형성되어 고무 표면이 경질화되어 내마모성이 향상된다고 생각된다.
본 발명에서 사용되는 실리콘 고무로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 구체예로서는 종래 각종 실리콘 고무 성형품의 성형에 사용되고 있는 과산화물 가황에 의한 미러블형 실리콘 고무, 하이드로실릴화 가교에 의한 사출 성형용 액상 실리콘 고무 등을 들 수 있고, 또 성형체의 형상도 임의이다.
실리콘 고무 표면의 형상에도 특별히 제한은 없고, 평면이어도 되고 곡면이어도 되며, 문자나 일러스트 등의 각인이나 인쇄가 시행되어 있어도 된다. 이와 같은 의장성을 시행한 표면에 대하여 본 발명의 광경질화를 행하면, 마모나 상처 형성 등에 의해 그 의장성이 손상되는 것이 억제되기 때문에 특히 유효하다.
진공 자외광의 조사 에너지는 상기 서술한 바와 같은 광산화 반응을 발생시켜 산화층을 형성하여 표면을 경질화하고 내마모성을 향상시킬 수 있는 한 특별히 한정되는 것은 아닌데, 충분한 광산화 반응을 발생시켜 표면을 경질화시킴과 아울러, 과잉의 광 반응을 억제하여 고무 표면의 광택의 상승을 억제하고, 또 고무 질감의 저하를 방지한다는 관점에서, 10~3,000mJ/cm2의 범위가 바람직하고, 100~2,500 mJ/cm2가 보다 바람직하며, 300~2,500mJ/cm2가 한층 더 바람직하고, 400~2,500mJ/cm2가 더욱 바람직하다.
진공 자외광의 조사 시간은 조사 에너지의 강도나 후술하는 산화층의 두께 등에 따라 변동하는 것이기 때문에 일괄적으로 규정할 수는 없지만, 상기 서술한 조사 에너지의 범위이면 통상 5초 내지 1시간이며, 10초~30분이 바람직하다.
진공 자외광을 조사하기 위한 광원의 구체예로서는 제논(Xe) 엑시머 램프(중심 파장 172nm), Kr 엑시머 램프(146nm), Ar 엑시머 램프(126nm), ArBr 엑시머 램프(165nm), ArCl 엑시머 램프(175nm), ArF 엑시머 램프(193nm), F2 엑시머 레이저(153nm), 저압 수은 램프(185nm), 싱크로트론 방사광 등을 들 수 있는데, 그 중에서도 범용적으로 이용되고 있는 Xe 엑시머 램프가 바람직하다.
진공 자외광을 조사하는 분위기나 압력 범위로서는 상기 서술한 바와 같은 광산화 반응을 발생시켜 산화층을 형성하여 표면을 경질화하고, 내마모성을 향상시킬 수 있는 한 특별히 한정되는 것은 아니다.
조사 분위기로서는 대기(공기)하여도 되고 불활성 가스 분위기하여도 되는데, 산소 존재하에서 조사를 행하면 진공 자외광의 강도가 저하하기 때문에, 불활성 가스 분위기하가 바람직하다. 또 산소 체적비로 말하면 18vol% 이하가 바람직하고, 특히 10vol% 이하가 보다 바람직하며, 5vol% 이하가 한층 더 바람직하다.
조사시의 압력 범위로서는 진공으로부터 상압이면 되는데, 진공(감압)으로 하기 위해서는 진공 펌프 등의 기기나 설비가 필요하게 될 뿐만아니라 공정도 많아지는 점에서, 상압이 바람직하다.
실리콘 고무 성형체에 있어서 진공 자외광을 조사하는 범위는 특별히 한정되는 것은 아니며, 성형체 전체면에 조사해도 되고 상기 서술한 의장이 시행된 특정의 범위에만 조사해도 된다.
특정 범위에만 조사하는 경우는 조사가 필요없는 부분을 공지의 마스킹재로 적절히 마스킹해도 된다.
본 발명의 광경질화 방법에서 실리콘 고무 성형체의 표면에 형성되는 산화층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아닌데, 고무 표면에 충분한 내마모성을 부여함과 아울러, 고무 표면에 있어서의 광택 증가, 깨짐이나 크랙의 발생, 고무 촉감의 상실 등을 방지한다는 관점에서, 0.1nm~1μm가 바람직하고, 0.2nm~500nm가 보다 바람직하다.
또한 경질화의 지표로서는 학진식 마모 시험기에 있어서 200g 하중의 마모자 선단면에 폭 20mm, 길이 40mm의 JIS L 0803에 준거한 플란넬천을 부착하고, 실리콘 고무 표면 상을 50mm의 사이를 매분 30회로 4,000 왕복시켰을 때의 마모 전후에서의 산술 평균 거칠기의 차(ΔRa)로 나타내고, 산술 평균 거칠기의 차(ΔRa)가 0.2μm 이하가 바람직하고, 0.1μm 이하가 보다 바람직하다.
또한 본 발명의 방법에서는 상기 서술한 공정(A)에서 광 조사한 실리콘 고무 성형체를 숙성시키는 공정(B)을 구비하고 있어도 된다.
이와 같이 공정(A) 후에 숙성시킴으로써, SiOH 등의 산소 함유 말단끼리의 결합을 촉진시켜 Si-O-Si 결합이 형성되기 때문에 보다 경질화할 수 있다.
숙성 온도로서는 SiOH의 결합이 촉진되는 범위이면 특별히 한정되는 것은 아닌데, 20~150℃의 범위가 적합하다.
숙성 시간으로서도 특별히 한정되는 것은 아닌데, 상기 서술한 온도 범위이면 10분 내지 5시간정도이며, 30분 내지 2시간이 바람직하다.
숙성 분위기로서는 진공 자외광 조사와 마찬가지이며, 조사시의 분위기하여도 되지만, 대기하가 바람직하다.
이어서 도면을 참조하면서 본 발명의 광경질화 방법의 하나의 실시형태를 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이 실리콘 고무 성형체(11)의 표면의 일부에 파장 200nm 이하의 진공 자외광(12)을 조사한다.
이것에 의해 실리콘 고무 성형체(11)의 진공 자외광 조사 표면에서 광산화 반응이 발생하여 산화층(11A)이 형성됨과 아울러 내마모성 표면으로 경질화하여 경질화된 표면을 가지는 실리콘 고무 성형체(11)가 얻어진다.
또한 진공 자외광의 조사 방향, 조사 부위 및 실리콘 고무 성형체의 형상 등은 상기 실시형태의 것에 한정되지 않으며, 임의의 것으로 할 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 이것에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
액상 실리콘 고무(KET-6026-70A/B, 신에츠카가쿠코교(주)제)를 사용하여 LIM 성형을 행하여 두께 2mm, 150mm×150mm 형상의 시트 RA를 제작했다.
이어서 질소 분위기하(산소 농도 1vol% 이하), 제논 엑시머 램프 조사 유닛(SCQ05, 우시오덴키(주)제)을 사용하여 중심 파장 172nm의 진공 자외광을 조사 강도 10mW/cm2, 조사 시간 1분, 조사 에너지 600mJ/cm2의 조건으로 조사하여 실리콘 고무 시트 A를 얻었다.
[실시예 2]
조사 에너지를 1,200mJ/cm2로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실리콘 고무 시트 B를 얻었다.
[실시예 3]
조사 에너지를 2,400mJ/cm2로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실리콘 고무 시트 C를 얻었다.
[실시예 4]
조사 분위기를 진공하(1.3kPa)로 하고, 조사 에너지를 450mJ/cm2로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실리콘 고무 시트 D를 얻었다.
[실시예 5]
실시예 4에서 얻어진 실리콘 고무 시트 D를 조사 종료 후 대기하에서 120℃의 오븐에서 1시간 가열하여 실리콘 고무 시트 E를 얻었다.
[비교예 1]
조사 에너지를 3,600mJ/cm2로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실리콘 고무 시트 RB를 얻었다.
[비교예 2]
실리콘 코팅재(X-33-258, 신에츠카가쿠코교(주)제)를 케이드라이 132-S(닛폰세이시크레시아(주)제)에 함침시키고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 제작한 실리콘 고무 RA에 도포하고, 온도 25℃, 상대 습도 45%하에서 2일간 경화시켜 실리콘 고무 시트 RC를 얻었다.
[비교예 3]
실리콘 코팅재(X-33-258, 신에츠카가쿠코교(주)제)를 실리콘 코팅재(X-93-1755-1, 신에츠카가쿠코교(주)제)로 변경한 것 이외에는 비교예 2와 마찬가지로 하여 실리콘 고무 시트 RD를 얻었다.
상기 실시예 1~5 및 비교예 1~3에서 제작한 실리콘 고무 시트 및 실시예 1에서 제작한 실리콘 고무 시트 RA(비교예 4)에 대해서 하기 항목을 평가했다. 결과를 표 1, 2에 나타낸다.
〔육안 외관〕
광택 변화 및 표면 깨짐의 유무를 육안으로 관찰했다.
〔현미경 관찰〕
20배의 광학 현미경으로 크랙의 유무를 관찰했다.
〔손가락 촉감〕
시트 표면을 손가락 촉감으로 확인했다.
〔마모 시험 후의 외관〕
학진식 마모 시험기(HEIDON 18 Scraching Intensity Tester, 신토카가쿠(주)제)를 사용하고, 200g 하중의 마모자 선단면에 폭 20mm, 길이 40mm의 JIS L 0803에 준거한 플란넬천을 부착하고, 실리콘 고무 시트 표면 상을 50mm의 사이를 매분 30회로 4,000 왕복시킨 후의 시트 표면의 마모 흔적을 육안으로 관찰하여, 하기 레벨에 기초하여 판단했다.
레벨 4 : 마모 흔적 없음(시트 RA와 변함없음)
레벨 3 : 마모 흔적이 그다지 눈에 띄지 않음
레벨 2 : 마모 흔적이 눈에 띔
레벨 1 : 마모 흔적을 확실히 알 수 있음
〔내유침투성〕
페놀 레드로 착색한 스테아린산을 실리콘 고무 표면에 도포하고, 80℃의 오븐 중에 72시간 유지한 후, 실리콘 고무를 절단하고, 그 단면의 착색성을 관찰했다.
〔산술 평균 거칠기의 차(ΔRa)〕
레이저 현미경(VK-8710, (주)기엔스제)을 사용하고, 실리콘 고무 표면의 마모 전후의 표면 형상을 측정했다. 관찰 에리어는 100μm로 산술 평균면 거칠기(Ra)를 측정하여, 마모 전후의 평균 거칠기의 차(ΔRa)를 구했다.
| 실시예 | |||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
| 실리콘 고무 시트 | A | B | C | D | E |
| 조사 분위기 | 질소 (O2 농도 ≤1%) |
질소 (O2 농도 ≤1%) |
질소 (O2 농도 ≤1%) |
진공 (1.3 KPa) |
진공 (1.3 KPa) |
| 조사 강도 (mW/cm2) | 10 | 10 | 10 | 15 | 15 |
| 조사 시간 (분) | 1 | 2 | 4 | 0.5 | 0.5 |
| 조사 에너지 (mJ/cm2) | 600 | 1,200 | 2,400 | 450 | 450 |
| 가열 시간 (h) | - | - | - | - | 1 |
| 육안 외관 | 광택 없음 | 광택 없음 | 광택 없음 | 광택 없음 | 광택 없음 |
| 현미경 관찰 | 크랙 없음 | 크랙 없음 | 크랙 없음 | 크랙 없음 | 크랙 없음 |
| 손가락 촉감 | 고무질 택 있음 |
약간 단단함 약간 택 있음 |
약간 단단함 약간 택 있음 |
고무질 택 있음 |
약간 단단함 약간 택 있음 |
| 마모 시험 후의 외관 | 레벨 3 | 레벨 4 | 레벨 4 | 레벨 3 | 레벨 4 |
| 산술 평균 거칠기의 차 (DRa) |
0.09 | 0.08 | 0.04 | 0.08 | 0.07 |
| 내유침투성 | 약간 착색 | 착색 없음 | 착색 없음 | 약간 착색 | 착색 없음 |
| 비교예 | ||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | |
| 실리콘 고무 시트 | RB | RC | RD | RA |
| 조사 분위기 | 질소 (O2 농도 ≤1%) |
- | - | - |
| 조사 강도 (mW/cm2) | 10 | - | - | - |
| 조사 시간 (분) | 6 | - | - | - |
| 조사 에너지 (mJ/cm2) | 3,600 | - | - | - |
| 육안 외관 | 광택 있음 | 광택 있음 | 광택 있음 | 광택 없음 |
| 현미경 관찰 | 크랙 있음 | 크랙 없음 | 크랙 없음 | 크랙 없음 |
| 손가락 촉감 | 특히 단단함 택 없음 (미끄럼성 있음) |
특히 단단함 택 없음 (미끄럼성 있음) |
단단함 택 없음 (미끄럼성 있음) |
고무질 택 있음 |
| 마모 시험 후의 외관 | 레벨 4 | 레벨 4 | 레벨 2 | 레벨 1 |
| 산술 평균 거칠기의 차 (DRa) |
0.03 | 0.07 | 0.18 | 0.27 |
| 내유침투성 | 착색 없음 | 약간 착색 | 착색 | 착색 |
표 1에 나타내는 바와 같이 실시예 1~3에서 제작한 시트 A~C의 육안 외관에서는 시트 RA(비교예 4)에 비해 광택의 상승은 거의 없고, 깨짐이나 크랙도 관찰되지 않았다. 또 마모성 시험 후의 육안 관찰에서는 조사 에너지가 커짐에 따라 마모 흔적은 눈에 띄지 않게 되고, 산술 평균 거칠기의 차(ΔRa)도 작아졌다. 또한 내유침투성에서는 착색하기 어려워졌다.
한편, 조사 에너지를 보다 크게 한 비교예 1에서 얻어진 시트 RB에서는 마모 흔적은 확인되지 않았지만, 광택의 상승이나 크랙 발생, 손가락 촉감이 단단한 것이 관찰되었다.
진공하에서 조사한 실시예 4에서 얻어진 시트 D에서는 실시예 1과 동일한 거동을 나타내고, 또한 조사 후에 가열을 행한 실시예 5에서 얻어진 시트 E에서는 시트 D보다 손가락 촉감은 약간 단단해졌지만, 광택 변화는 없고, 마모성 시험에서의 흔적도 확인되지 않았다. 또한 내유침투성에서도 착색은 보이지 않았다.
이에 대해, 광 조사 대신에 실리콘 코팅을 도포함으로써 마모성의 향상을 시험한 비교예 2, 3에서 얻어진 시트 RC, RD에서는 마모성 시험에서의 상처 형성이 어려운 점은 향상되었지만, 광택의 상승, 손가락 촉감이 단단해지고, 내유침투성에서는 약간이기는 하지만 착색이 보였다.
11…실리콘 고무 성형체
11A…산화층
12…진공 자외광
11A…산화층
12…진공 자외광
Claims (7)
- 실리콘 고무 성형체의 표면에 파장 200nm 이하의 진공 자외광을 조사 에너지 10~3,000mJ/cm2의 범위에서 조사하고, 조사한 부분에 광산화 반응에 의한 산화층을 형성하여 경질화하는 공정(A)을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 진공 자외광을 불활성 가스 분위기하에서 조사하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 진공 자외광의 광원이 제논 엑시머 램프인 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공정(A)에서 광 조사된 상기 실리콘 고무 성형체를 150℃ 이하의 온도에서 숙성시키는 공정(B)을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 표면의 광경질화 방법.
- 실리콘 고무 성형체의 표면에 파장 200nm 이하의 진공 자외광을 조사 에너지 10~3,000mJ/cm2의 범위에서 조사하고, 조사한 부분에 광산화 반응에 의한 산화층을 형성하여 경질화하는 공정(A)을 구비하는 것을 특징으로 하는 경질화된 표면을 가지는 실리콘 고무 성형체의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 공정(A)에서 광 조사된 상기 실리콘 고무 성형체를 150℃ 이하의 온도에서 숙성시키는 공정(B)을 구비하는 것을 특징으로 하는 경질화된 표면을 가지는 실리콘 고무 성형체의 제조 방법.
- 그 표면의 적어도 일부에 광산화층을 가지는 실리콘 고무 성형체.
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