KR20200022016A - 방향성 전자 강판 - Google Patents

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?스케 오쿠무라
쇼지 나가노
다카시 가타오카
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Abstract

이 방향성 전자 강판은, 강판과, 상기 강판 상에 형성된 SiO2를 포함하는 산화물 피막과, 상기 산화물 피막 상에 형성된 장력 절연 피막을 갖고, 상기 강판이, 화학 조성으로서, 질량%로, C: 0.085% 이하, Si: 0.80 내지 7.00%, Mn: 1.00% 이하, 산가용성 Al: 0.065% 이하, S: 0.013% 이하, Cu: 0 내지 0.80%, N: 0 내지 0.012%, P: 0 내지 0.50%, Ni: 0 내지 1.00%, Sn: 0 내지 0.30%, Sb: 0 내지 0.30%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불순물로 이루어지고, 상기 장력 절연 피막이, 크롬 화합물을 포함하고, 상기 산화물 피막 및 상기 장력 절연 피막 중의 Fe양이 70㎎/㎡ 이상 250㎎/㎡ 이하이다.

Description

방향성 전자 강판
본 발명은, 변압기의 철심 재료로서 사용되는 방향성 전자 강판, 특히, 피막 밀착성이 우수한 방향성 전자 강판에 관한 것이다.
본원은, 2017년 7월 13일에, 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-137433호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
방향성 전자 강판은, 주로 변압기에 사용된다. 변압기는 설치하고 나서 폐기될 때까지의 장시간에 걸쳐서 연속적으로 여자되고, 에너지 손실이 계속해서 발생하므로, 교류에 의해 자화된 때의 에너지 손실, 즉, 철손이 변압기의 성능을 결정하는 주요한 파라미터로 된다.
변압기에 사용되는 방향성 전자 강판의 철손을 저감하기 위해, 지금까지 많은 개발이 이루어져 왔다. 예를 들어, 고스 방위라고 불리는 {110}<001> 방위에 대한 집적을 높이는 것, 전기 저항을 높이는 Si 등 고용 원소의 함유량을 높이는 것, 판 두께를 얇게 하는 것 등이다. 또한, 강판에 장력을 부여하는 것이 철손의 저감에 유효한 것으로 알려져 있다.
강판에 장력을 부여하기 위해서는, 강판보다 열팽창 계수가 작은 재질로 이루어지는 피막을 고온에서 강판 상에 형성하는 것이 유효하다. 마무리 어닐링 공정에서 강판 표면의 산화물과 어닐링 분리제가 반응하여 생성되는 포르스테라이트계 피막은, 강판에 장력을 부여할 수 있어, 강판과의 밀착성(피막 밀착성)도 우수하다.
특허문헌 1에는, 콜로이드상 실리카와 인산염을 주체로 하는 코팅액을 베이킹함으로써 절연 피막을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법은, 강판에 대한 장력 부여의 효과가 커서, 철손 저감에 유효하다. 따라서, 이와 같은 마무리 어닐링 공정에서 발생한 포르스테라이트계 피막을 남긴 후, 인산염을 주체로 하는 절연 코팅을 실시하는 방법이, 일반적인 방향성 전자 강판의 제조 방법으로 되어 있다.
한편, 근년, 포르스테라이트계 피막이 자벽 이동을 저해하여, 철손에 악영향을 미치는 것이 명확해졌다. 방향성 전자 강판에 있어서, 자구는, 교류 자장 하에서는 자벽의 이동을 수반하여 변화된다. 이 자벽 이동이 원활하게 행해지는 것이, 철손 개선에 효과적이다. 그러나, 포르스테라이트계 피막은 강판/절연 피막 계면에 요철 구조를 가지므로, 자벽의 이동이 방해되어, 철손에 악영향을 끼친다.
이와 같은 과제에 대하여, 지금까지, 포르스테라이트계 피막의 형성을 억제하여, 강판 표면을 평활화하는 기술이 제안되어 있다.
예를 들어, 특허문헌 2 내지 5에는, 탈탄 어닐링의 분위기 노점을 제어하고, 어닐링 분리제로서 알루미나를 사용함으로써, 마무리 어닐링 후에 포르스테라이트계 피막을 형성하지 않고, 강판 표면을 평활화하는 기술이 개시되어 있다.
그러나, 이와 같이 하여 강판 표면을 평활화한 경우에 있어서, 강판에 장력을 부여하기 위해서는, 강판 표면에 충분한 밀착성을 갖는 절연 피막을 형성할 필요가 있다. 충분한 밀착성을 가진 장력 절연 피막을 형성하는 방법으로서, 예를 들어 특허문헌 6에는, 강판 표면에 비정질 산화물 피막을 형성한 후, 장력 절연 피막을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 7 내지 11에는, 더욱 밀착성이 높은 장력 절연 피막을 형성시킬 것을 목적으로, 비정질 산화물 피막의 구조를 제어하는 기술이 개시되어 있다.
특허문헌 7에는, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 강판 표면을 평활화시킨 일방향성 전자 강판의 강판 표면에, 미소 요철을 도입하는 전처리를 실시한 후에, 외부 산화형의 산화물을 형성함으로써, 외부 산화막의 막 두께를 관통한 형태로 실리카를 주체로 하는 입상 외부 산화물을 형성하여, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하고 있다.
특허문헌 8에는, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 강판 표면을 평활화시킨 일방향성 전자 강판에 외부 산화형 산화막을 형성하는 열처리 공정에 있어서, 200℃ 이상 1150℃ 이하의 온도 영역의 승온 속도를 10℃/초 이상 500℃/초 이하로 제어하고, 외부 산화막에 차지하는 철, 알루미늄, 티타늄, 망간, 크롬 등의 금속계 산화물의 단면 면적률을 50% 이하로 함으로써 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하고 있다.
특허문헌 9에는, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 강판 표면을 평활화한 일방향성 전자 강판에 외부 산화형 산화막을 형성하고, 계속되는, 장력 절연 피막을 형성하는 공정에 있어서, 외부 산화형 산화막을 갖는 강판과 장력 절연 피막 형성용 도포액의 접촉 시간을 20초 이하로 함으로써, 외부 산화형 산화막 중의 밀도 저하층의 비율을 30% 이하로 하여, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하고 있다.
특허문헌 10에는, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 강판 표면을 평활화한 일방향성 전자 강판에 외부 산화형 산화막을 형성하는 열처리를 1000℃ 이상의 온도에서 행하고, 외부 산화형 산화막의 형성 온도로부터 200℃까지의 온도역의 냉각 속도를 100℃/초 이하로 제어하여, 외부 산화형 산화막 중의 공동이 단면 면적률로 30% 이하로 함으로써, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하고 있다.
특허문헌 11에는, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 강판 표면을 평활화한 일방향성 전자 강판에 외부 산화형 산화막을 형성하는 열처리 공정에 있어서, 열처리를, 600℃ 이상 1150℃ 이하의 온도 범위, 또한 분위기 노점 -20℃ 이상 0℃ 이하의 조건에서 행하고, 열처리 후의 냉각을, 분위기 노점 5℃ 이상 60℃ 이하의 조건에서 행하고, 외부 산화형 산화막 중에 단면 면적률로 5% 이상 30% 이하의 금속 철을 함유시킴으로써, 장력 절연 피막과 강판의 피막 밀착성을 확보하고 있다.
그러나, 상술한 종래 기술에 있어서, 기대되는 피막 밀착성을 충분히 인출하는 것은 곤란한 경우가 발생하고 있다.
일본 특허 공개 소48-039338호 공보 일본 특허 공개 평07-278670호 공보 일본 특허 공개 평11-106827호 공보 일본 특허 공개 평11-118750호 공보 일본 특허 공개 2003-268450호 공보 일본 특허 공개 평07-278833호 공보 일본 특허 공개 2002-322566호 공보 일본 특허 공개 2002-348643호 공보 일본 특허 공개 2003-293149호 공보 일본 특허 공개 2002-363763호 공보 일본 특허 공개 2003-313644호 공보
본 발명은, 종래 기술의 현상황을 감안하여, 포르스테라이트계 피막을 형성하지 않고 강판 표면을 평활화한 방향성 전자 강판에 있어서, 장력 절연 피막의 피막 밀착성을 높이는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 장력 절연 피막의 피막 밀착성이 우수한 방향성 전자 강판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하는 방법에 대하여 예의 검토했다. 그 결과, 강판 표면에 산화물 피막과, 크롬 화합물을 함유하는 장력 절연 피막을 갖는 방향성 전자 강판에 있어서, 장력 절연 피막 중의 Fe양을 적정화하면, 장력 절연 피막의 피막 밀착성을 높일 수 있는 것을 알아냈다. 본 발명은, 상기 지견에 기초하여 이루어진 것이고, 그 요지는 다음과 같다.
(1) 본 발명의 일 실시 형태에 관한 방향성 전자 강판은, 강판과, 상기 강판 상에 형성된 SiO2를 포함하는 산화물 피막과, 상기 산화물 피막 상에 형성된 장력 절연 피막을 갖고, 상기 강판이, 화학 조성으로서, 질량%로, C: 0.085% 이하, Si: 0.80 내지 7.00%, Mn: 1.00% 이하, 산가용성 Al: 0.065% 이하, S: 0.013% 이하, Cu: 0 내지 0.80%, N: 0 내지 0.012%, P: 0 내지 0.50%, Ni: 0 내지 1.00%, Sn: 0 내지 0.30%, Sb: 0 내지 0.30%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불순물로 이루어지고, 상기 장력 절연 피막이, 크롬 화합물을 포함하고, 상기 산화물 피막 및 상기 장력 절연 피막 중의 Fe양이 70㎎/㎡ 이상 250㎎/㎡ 이하이다.
(2) 상기 (1)에 기재된 방향성 전자 강판은, 상기 강판의 상기 화학 조성이, 질량%로, Cu: 0.01 내지 0.80%를 포함해도 된다.
본 발명의 상기 양태에 의하면, 포르스테라이트계 피막을 갖지 않고 강판 표면이 평활화된 방향성 전자 강판의 표면에, 산화물 피막을 통해 피막 밀착성이 현저하게 우수한 장력 절연 피막을 형성할 수 있다. 즉, 피막 밀착성이 우수한 방향성 전자 강판을 제공할 수 있다.
도 1은 장력 절연 피막 및 산화물 피막의 Fe양과 피막 잔존율의 관계를 도시하는 도면이다.
도 2는 장력 절연 피막 및 산화물 피막의 Fe양과 층간 전류의 관계를 도시하는 도면이다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 방향성 전자 강판(이하, 「본 실시 형태에 관한 전자 강판」이라고 하는 경우가 있음)은, 강판과, 상기 강판 상에 형성된 SiO2를 포함하는 산화물 피막과, 상기 산화물 피막 상에 형성된 장력 절연 피막을 갖고, 상기 강판이, 화학 조성으로서, 질량%로, C: 0.085% 이하, Si: 0.80 내지 7.00%, Mn: 1.00% 이하, 산가용성 Al: 0.065% 이하, S: 0.013% 이하, Cu: 0 내지 0.80%, N: 0 내지 0.012%, P: 0 내지 0.50%, Ni: 0 내지 1.00%, Sn: 0 내지 0.30%, Sb: 0 내지 0.30%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불순물로 이루어지고, 상기 장력 절연 피막이 크롬 화합물을 포함하고, 상기 산화물 피막 및 상기 장력 절연 피막 중의 Fe양이 70㎎/㎡ 이상 250㎎/㎡ 이하이다.
이하, 본 실시 형태에 관한 전자 강판에 대하여 설명한다.
<산화물 피막 및 장력 절연 피막>
본 발명자들은, 포르스테라이트계 피막이 없고, 강판 표면을 평활화한 방향성 전자 강판의 표면에 장력 절연 피막을 형성할 때, 우수한 피막 밀착성을 확보하기 위해서는, 장력 절연 피막의 베이킹 공정에 있어서, 강판과 장력 절연 피막의 밀착을 담당하는 밀착층으로서 기여하는, SiO2를 포함하는 산화물 피막, 특히 비정질의 SiO2를 포함하는 피막, 보다 바람직하게는 실질적으로 비정질의 SiO2로 이루어지는 피막을 형성시키는 것이 중요하다고 여겨졌다. 여기서, 비정질이란, 원자나 분자의 규칙적인 공간 격자를 만들지 않고, 흐트러진 배열을 이루고 있는 고체이다. 구체적으로는, X선 회절을 행한 때에, 할로만이 검출되고, 특정한 피크가 검출되지 않은 상태를 나타낸다. 본 실시 형태에 관한 방향성 전자 강판에서는, 산화물 피막은, 실질적으로 비정질의 SiO2만으로 이루어지는 것이 바람직하다.
내부 산화형의 비정질 산화물을 형성하면, 형성 부위를 기점으로 하여 장력 절연 피막이 박리된다. 그 때문에, 비정질 산화물의 모폴로지는, 외부 산화형이 바람직하다. 내부 산화형의 비정질 산화물이란, 강판과 비정질 산화물의 계면에 있어서, 비정질 산화물이 함입된 형태의 산화물이고, 함입부의 깊이 방향의 길이와 함입부의 저변의 길이의 비로 표시하는 애스펙트비가 1.2 이상인 것을, 내부 산화형의 비정질 산화물이라고 정의한다.
또한, 피막으로서 비정질 SiO2가 형성되는 데 수반하여, 비정질 SiO2의 형성 부위에 원래 존재하고 있던 Fe이, 장력 절연 피막 중에 확산된다. 그 때문에, 산화물 피막 및 장력 절연 피막의 Fe양을 적정화하는 것이 중요하다고 생각되어, 이하에 나타내는 실험을 행하고 다시 검토를 거듭했다.
본 실시 형태에 관한 전자 강판에 있어서, 강판(모재 강판) 이외의 부위, 즉, 산화물 피막(비정질 SiO2) 및 장력 절연 피막의 양 부위에 함유되어 있는 Fe의 양을 단순히, 장력 절연 피막의 Fe양이라고 하는 경우가 있다.
시험용 소재로서, 3.4%의 Si를 함유하는 판 두께 0.23㎜의 탈탄 어닐링판에, 알루미나를 주체로 하는 어닐링 분리제를 도포하여 마무리 어닐링을 행하고, 2차 재결정화시켜, 포르스테라이트계 피막이 없는 방향성 전자 강판을 준비했다.
이 방향성 전자 강판에, 질소 25%, 수소 75%, 노점 -30℃ 내지 5℃의 분위기에 있어서, 균열 시간 10초의 열처리를 실시하여, 강판 표면에, 실리카(SiO2)를 주체로 하는 피막을 형성했다.
이 SiO2를 포함하는 산화물 피막을 갖는 강판의 표면(구체적으로는, 산화물 피막의 표면)에, 인산염, 크롬산, 콜로이달 실리카를 주체로 하는 도포액을 도포하여, 질소 3 내지 97%, 수소 3 내지 97%, 노점 -30 내지 30℃의 분위기 중, 850℃에서 100초 베이킹하여 크롬 화합물을 포함하는 장력 절연 피막을 형성하여, 해당 피막의 피막 밀착성을 조사했다.
크롬 화합물을 포함하지 않으면 내식성이 크게 저하되므로, 본 실시 형태에 관한 전자 강판에서는, 장력 절연 피막은, 크롬 화합물을 포함하는 장력 절연 피막으로 했다. 크롬 화합물은, 약간이라도 포함되어 있으면 그 효과는 얻어지지만, 1.0g/㎡ 이상인 것이 바람직하다.
피막 밀착성은, 강판으로부터 채취한 시험편을, 직경 30㎜의 원통에 감은(180° 굽힘) 후, 되감았을 때, 강판으로부터 박리되지 않고, 강판과 밀착한 상태의 피막의 면적률(이하, 「피막 잔존율」이라고 하는 경우가 있음)로 평가했다.
이어서, 강판을 브롬 메탄올 용액 중에 침지하여 모재 강판을 용해하여, 잔사를 회수하고, 산화물 피막 및 장력 절연 피막을 회수했다. 회수한 잔사를 과염소산 및 질산으로 용해하고, 용해된 용액의 Fe양을, ICP(Inductively Coupled Plasma) 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석법으로 분석했다. 충분히 용해할 수 없었던 잔사에 대해서는, 다시 염산으로 용해하여, ICP에 의해 Fe양을 분석했다.
ICP에 의해 분석한 산화물 피막 및 장력 절연 피막의 Fe양과 피막 잔존율의 관계를 도 1에 도시한다. 도 1로부터, 피막 잔존율을 80% 이상 확보하기 위해서는, Fe양은 250㎎/㎡ 이하로 할 필요가 있고, 피막 잔존율을 90% 이상 확보하기 위해서는, Fe양은 200㎎/㎡ 이하로 할 필요가 있는 것을 알 수 있다.
본 발명자들은, 또한, 장력 절연 피막의 절연성을 확인하기 위해, 산화물 피막 및 장력 절연 피막의 Fe양과 층간 전류의 관계를 조사했다. 층간 전류는, JIS C 2550에 따르는 방법으로 측정했다.
도 2에 측정 결과를 도시한다. 도 2로부터, 산화물 피막 및 장력 절연 피막의 Fe양이 70㎎/㎡ 미만이면, 층간 전류가 300㎃를 초과하여, 절연성이 부족한 것을 알 수 있다. 또한, 산화물 피막 및 장력 절연 피막의 Fe양이 150㎎/㎡ 이상이면, 층간 전류가 50㎃ 미만으로 되어, 우수한 절연성을 확보할 수 있는 것을 알 수 있다. 산화물 피막 및 장력 절연 피막의 Fe양이 70㎎/㎡ 미만이면, 강판 표면이 검게 변색되는 것도 알 수 있었다.
절연성의 부족 및 강판 표면의 흑색화의 원인은 명확하지 않지만, 베이킹 조건에 따라, 도전성의 철과 인의 화합물이 생성되기 때문이라고 생각된다. 따라서, 장력 절연 피막에 있어서, 밀착성과 절연성을 확보하기 위해서는, 산화물 피막 및 장력 절연 피막의 Fe양을 70㎎/㎡ 이상 250㎎/㎡ 이하로 할 필요가 있다. 바람직하게는 150㎎/㎡ 이상, 200㎎/㎡ 이하이다.
장력 절연 피막 및 산화물 피막에 있어서의, Si의 SiO2 환산에서의 부착량은, 전체 부착량의 50% 미만인 것이 바람직하다. Si의 SiO2 환산에서의 부착량은, 전체 부착량의 50% 이상이면, 피막 장력이 너무 높아져, 피막의 밀착성이 저하되는 경우가 있다.
절연 피막 및 산화물 피막에 있어서의, Si의 SiO2 환산에서의 부착량은 상술한 Fe양의 측정과 동일한 방법으로, ICP(Inductively Coupled Plasma) 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석법으로 구할 수 있다.
장력 절연 피막에 비해, 산화물 피막은 얇으므로(∼ 수㎚), 절연 피막 및 산화물 피막에 있어서의, Fe양이나, Si의 SiO2 환산에서의 부착량은, 절연 피막에 있어서의, Fe양이나 Si의 SiO2 환산에서의 부착량에 가깝다.
<성분 조성>
이어서, 본 실시 형태에 관한 전자 강판의 화학 조성(성분 조성)에 대하여 설명한다. 이하, 화학 조성에 관한 %는 질량%를 의미한다.
C: 0.085% 이하
C는, 자기 시효에 의해 철손을 현저하게 증대시키는 원소이다. C 함유량이 0.085%를 초과하면, 철손의 증대가 현저해지므로, C 함유량은 0.085% 이하로 한다. 함유량은, 바람직하게는 0.010% 이하, 보다 바람직하게는 0.005% 이하이다. C는 소량일수록, 철손의 저감에 있어서 바람직하므로, 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0.0001% 정도가 검출 한계이므로, 0.0001%가 실질적인 하한이다.
Si: 0.80 내지 7.00%
Si는, 2차 재결정 어닐링에 있어서 2차 재결정을 제어하여, 자기 특성의 향상에 기여하는 원소이다. Si 함유량이 0.80% 미만이면, 2차 재결정 어닐링에 있어서 강판이 상변태되고, 2차 재결정을 제어하는 것이 곤란해져, 양호한 자속 밀도 및 철손 특성이 얻어지지 않는다. 그 때문에, Si 함유량은 0.80% 이상으로 한다. 바람직하게는 2.50% 이상, 보다 바람직하게는 3.00%이다.
한편, Si 함유량이 7.00%를 초과하면, 강판이 취화되어, 제조 공정에서의 통판성이 현저하게 악화된다. 그 때문에, Si 함유량은 7.00% 이하로 한다. 바람직하게는 4.00% 이하, 보다 바람직하게는 3.75% 이하이다.
Mn: 1.00% 이하
Mn 함유량이 1.00%를 초과하면, 2차 재결정 어닐링에 있어서 강판이 상변태되어, 양호한 자속 밀도 및 철손 특성이 얻어지지 않는다. 그 때문에, Mn 함유량은 1.00% 이하로 한다. 바람직하게는 0.70% 이하, 보다 바람직하게는 0.50% 이하이다.
한편, Mn은, 오스테나이트 형성 원소이고, 2차 재결정 어닐링에 있어서 2차 재결정을 제어하여, 자기 특성의 향상에 기여하는 원소이다. Mn 함유량이 0.01% 미만이면, 열간 압연 시에 강판이 취화되는 경우가 있다. 그 때문에, Mn 함유량은 0.01% 이상으로 하는 것이 바람직하다. Mn 함유량은, 보다 바람직하게는 0.05% 이상, 더욱 바람직하게는 0.10% 이상이다.
산가용성 Al: 0.065% 이하
산가용성 Al 함유량이 0.065%를 초과하면, AlN의 석출이 불균일해져, 필요한 2차 재결정 조직이 얻어지지 않아, 자속 밀도가 저하되고, 또한 강판이 취화된다. 그 때문에, 산가용성 Al 함유량은 0.065% 이하로 한다. 바람직하게는 0.060% 이하, 보다 바람직하게는 0.050% 이하이다.
한편, 산가용성 Al은, N와 결합하여, 인히비터로서 기능하는 (Al, Si)N를 생성하는 원소이다. 산가용성 Al 함유량이 0.010% 미만이면, AlN 생성량이 적어져, 2차 재결정이 충분히 진행되지 않는 경우가 있으므로, 산가용성 Al 함유량은 0.010% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.015% 이상, 더욱 바람직하게는 0.020% 이상이다.
S: 0.013% 이하
S은, Mn과 결합하여, 인히비터로서 기능하는 MnS을 형성하는 원소이다. S 함유량이 0.013%를 초과하면, 미세한 황화물이 생성되어, 철손 특성이 저하된다. 그 때문에, S 함유량은 0.013% 이하로 한다. 바람직하게는 0.010% 이하, 보다 바람직하게는 0.007% 이하이다.
S은 소량일수록 바람직하므로, 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0.0001% 정도가 검출 한계이므로, 0.0001%가 실질적인 하한이다. 인히비터로서 기능하는 MnS을 소요량 형성하는 점에서, S 함유량은 0.003% 이상이 바람직하고, 0.005% 이상이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 관한 전자 강판의 성분 조성은, 상기 원소 외에, 특성 향상을 위해, Cu를 0.01 내지 0.80% 포함해도 된다. 또한, 본 실시 형태에 관한 전자 강판의 특성을 손상시키지 않는 범위에서, N: 0.001 내지 0.012%, P: 0.50% 이하, Ni: 1.00% 이하, Sn: 0.30% 이하, Sb: 0.30% 이하의 1종 또는 2종 이상을 함유해도 된다. 단, 반드시 함유시킬 필요는 없으므로, 이들 원소의 하한은 0%이다.
Cu: 0 내지 0.80%
Cu는, S과 결합하여, 인히비터로서 기능하는 CuS를 형성하는 원소이다. Cu 함유량이 0.01% 미만이면, 효과가 충분히 발현되지 않으므로, Cu 함유량은 0.01% 이상으로 한다. 바람직하게는 0.04% 이상, 보다 바람직하게는 0.07% 이상이다.
한편, Cu 함유량이 0.80%를 초과하면, 석출물의 분산이 불균일해져, 철손 저감 효과가 포화된다. 그 때문에, Cu 함유량은 0.80% 이하로 한다. 바람직하게는 0.60% 이하, 보다 바람직하게는 0.45% 이하이다.
N: 0 내지 0.012%
N는, Al과 결합하여, 인히비터로서 기능하는 AlN을 형성하는 원소이다. N 함유량이 0.001% 미만이면, AlN의 형성이 불충분해지므로, N 함유량은 0.001% 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.006% 이상이다.
한편, N는, 냉간 압연 시, 강판 중에 블리스터(공공)를 형성하는 원소이기도 하다. N가 0.012%를 초과하면, 냉간 압연 시, 강판 중에 블리스터(공공)가 생성될 우려가 있다. 그 때문에, N 함유량은 0.012% 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.010% 이하이다.
P: 0 내지 0.50%
P은, 강판의 비저항을 높여, 철손의 저감에 기여하는 원소이다. 하한은 0%를 포함하지만, 효과를 확실하게 얻는 점에서, 0.02% 이상이 바람직하다.
한편, P 함유량이 0.50%를 초과하면, 압연성이 저하된다. 그 때문에, P 함유량은 0.50% 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.35% 이하이다.
Ni: 0 내지 1.00%
Ni은, 강판의 비저항을 높여, 철손의 저감에 기여함과 함께, 열연 강판의 금속 조직을 제어하여, 자기 특성의 향상에 기여하는 원소이다. 하한은 0%를 포함하지만, 효과를 확실하게 얻는 점에서, Ni 함유량은 0.02% 이상이 바람직하다. Ni 함유량이 1.00%를 초과하면, 2차 재결정이 불안정하게 진행되므로, Ni은 1.00% 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.75% 이하이다.
Sn: 0 내지 0.30%
Sb: 0 내지 0.30%
Sn 및 Sb은, 결정립계에 편석하여, 마무리 어닐링 시, 어닐링 분리제가 방출되는 수분에 의해 Al이 산화되는(이 산화에서, 코일 위치에서 인히비터 강도가 상이하고, 자기 특성이 변동됨) 것을 방지하는 작용을 이루는 원소이다. 하한은 0%를 포함하지만, 효과를 확실하게 얻는 점에서, 어느 원소든 함유량을 0.02% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
한편, 어느 원소든 0.30%를 초과하면, 2차 재결정이 불안정해져, 자기 특성이 열화된다. 그 때문에, Sn 및 Sb의 어느 것이든 함유량은 0.30% 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 어느 원소든 0.25% 이하이다.
본 실시 형태에 관한 전자 강판에 있어서, 상기 원소를 제외한 잔부는, Fe 및 불순물이다. 불순물은, 강 원료로부터 및/또는 제강 과정에서 불가피적으로 강 중에 혼입되는 원소이다.
<제조 방법>
이어서, 본 실시 형태에 관한 전자 강판의 제조 방법에 대하여 설명한다.
필요한 화학 조성을 갖는 용강을, 통상의 방법으로 주조하고, 주조편을, 통상의 열간 압연에 제공하여, 열연 강판(방향성 전자 강판의 소재)으로 한다. 계속해서, 열연 강판에 열연판 어닐링을 실시한 후, 1회의 냉간 압연, 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 복수회의 냉간 압연을 실시하여, 최종 제품과 동일한 판 두께의 강판으로 한다. 이어서, 이 냉간 압연 후의 강판에 탈탄 어닐링을 실시한다.
탈탄 어닐링에 있어서는, 습수소 분위기 중에서 가열하는 것이 바람직하다. 상기 분위기에 의한 열처리에 의해, 강판 중의 C 함유량을, 제품판에 있어서 자기 시효에 의한 자기 특성의 열화가 없는 영역까지 저감하고, 동시에, 강판 조직을 1차 재결정시킬 수 있다. 이 1차 재결정은, 2차 재결정의 준비로 된다.
탈탄 어닐링 후, 강판을 암모니아 분위기 중에서 어닐링하여, AlN 인히비터를 생성시킨다.
계속해서, 1100℃ 이상의 온도에서 마무리 어닐링을 행한다. 마무리 어닐링은, 강판 표면에, 강판의 시징 방지의 목적으로, Al2O3을 주성분으로 하는 어닐링 분리제를 도포하고, 강판을 권취한 코일의 형태로 행한다.
마무리 어닐링 후에, 스크러버를 사용하여, 여분의 어닐링 분리제를 제거함과 함께, 강판의 표면 상태를 제어한다. 여분의 어닐링 분리제의 제거를 행하는 경우, 스크러버에 의한 처리와 함께, 수세를 행하는 것이 바람직하다.
스크러버는, 브러시의 압하량이 1.0㎜ 내지 5.0㎜로 되도록 제어하는 것이 바람직하다.
브러시의 압하량이, 1.0㎜ 미만이면, 잉여의 어닐링 분리제를 충분히 제거할 수 없어, 피막 밀착성이 저하되므로 바람직하지 않다. 또한, 브러시의 압하량이 5.0㎜ 초과로 되면 강판 표면이 필요 이상으로 깎여 표면 활성이 높아지고, 철의 용출량이 과대해지고, 피막 중의 Fe양이 과잉으로 되어, 피막 밀착성이 저하되므로, 바람직하지 않다.
이어서, 수소 및 질소의 혼합 분위기 중에서 어닐링하여, 산화물 피막을 형성한다. 산화물 피막을 형성하는 증기 혼합 분위기의 산소 분압(PH2O/PH2)은 0.005 이하가 바람직하고, 0.001 이하가 보다 바람직하다. 또한, 유지 온도는 600 내지 1150℃가 바람직하고, 700 내지 900℃가 보다 바람직하다. 이 조건이라면, 비정질 SiO2를 포함하는 산화물 피막이 형성된다.
산소 분압이 0.005 초과에서는, 비정질 산화막 이외의 철계 산화물도 형성되어, 피막 밀착성이 저하된다. 또한, 유지 온도가 600℃ 미만이면, 비정질 산화물이 충분히 생성되지 않는다. 또한, 1150℃ 초과에서는 설비 부하가 높아지므로 바람직하지 않다.
산화물 피막의 모폴로지를, 애스펙트비가 1.2 미만인 외부 산화형으로 제어하는 경우, 산화물 피막을 형성하기 위한 어닐링에 있어서, 냉각 시의 산소 분압을 0.005 이하로 하는 것이 바람직하다.
산화물 피막이 형성된 강판에, 인산알루미늄, 크롬산 및 콜로이달 실리카로 이루어지는 장력 절연 피막을 도포하여, 질소 3 내지 97%, 수소 3 내지 97%, 산소 분압 0.0005 내지 1.46의 분위기 중, 835 내지 870℃에서 20 내지 100초 베이킹함으로써, 자기 특성이 양호한 방향성 전자 강판(본 실시 형태에 관한 전자 강판)을 얻을 수 있다.
실시예
이어서, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 실시예에서의 조건은, 본 발명의 실시 가능성 및 효과를 확인하기 위해 채용한 일 조건예이고, 본 발명은, 이 일 조건예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않고, 본 발명의 목적을 달성하는 한에 있어서, 다양한 조건을 채용할 수 있는 것이다.
<실시예 1>
표 1에 나타내는 성분 조성의 규소 강을 1100℃로 가열하여 열간 압연에 제공하여, 판 두께 2.6㎜의 열연 강판으로 했다. 이 열연 강판에 1100℃에서 어닐링을 실시한 후, 1회의 냉간 압연 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 복수회의 냉간 압연을 실시하여 최종 판 두께 0.23㎜의 냉연 강판으로 했다.
Figure pct00001
상기 냉연 강판에, 탈탄 어닐링과 질화 어닐링을 실시했다. 그 후, 알루미나를 주체로 하는 어닐링 분리제의 물 슬러리를 도포했다. 이어서, 1200℃, 20시간의 마무리 어닐링을 행하여, 포르스테라이트계 피막이 없고, 경면 광택을 갖는 2차 재결정이 완료된 방향성 전자 강판을 얻었다.
이 강판에, 질소 25%, 수소 75%, 표 2에 나타내는 산소 분압의 분위기 중, 800℃에서 30초의 균열 처리를 실시한 후, 질소 25%, 수소 75%, 표 2에 나타내는 산소 분압의 분위기 중에서 실온까지 냉각했다. 어닐링의 유지 온도가 600℃ 이상인 경우에는, 강판 표면에 피막이 형성되었다.
이 형성된 피막에 대해서는, X선 회절, 및 TEM을 사용하여 확인했다. 또한, 더불어 FT-IR을 사용한 확인도 행하였다.
구체적으로는, 피막이 형성된 각각의 강 No. 제조 조건 No.의 조합에 있어서도, 강판 단면을 FIB(Focused Ion Beam) 가공하여, 투과 전자 현미경(TEM)으로 10㎛×10㎛의 범위를 관찰했다. 그 결과, 피막이 SiO2로 이루어져 있는 것을 확인했다. 또한, 표면을 푸리에 변환 적외 분광법(FT-IR)으로 분석한바, 파수 1250(㎝-1)의 위치에 피크가 존재했다. 이 피크는, SiO2 유래의 피크이므로, 이것으로부터도, 피막이 SiO2로 형성되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 피막을 갖는 강판에 대하여, X선 회절을 행한 때에, 지철의 피크를 제외하면 할로만이 검출되고, 특정한 피크가 검출되지 않았다.
즉, 어느 것이나 모두 형성된 피막은, SiO2로 이루어지는 비정질 산화물 피막이었다.
이 비정질 산화물 피막을 갖는 방향성 전자 강판에, 인산알루미늄, 크롬산 및 콜로이달 실리카로 이루어지는 장력 절연 피막 형성액을 도포하고, 질소 10 내지 30%, 수소 70 내지 90%, 표 2에 나타내는 산소 분압 분위기 중, 표 2에 나타내는 베이킹 온도, 베이킹 시간으로 베이킹하여, 장력 절연 피막을 형성했다.
또한, 코팅액의 배합 비율을 조정하여, 장력 절연 피막에 있어서의 Si의 SiO2 환산에서의 부착량을 전체 부착량의 50% 미만으로 했다.
장력 절연 피막을 형성한 방향성 전자 강판으로부터 시험편을 채취하여, 직경 30㎜의 원통에 감고(180° 굽힘), 굽힘 복귀시킨 때의 피막 잔존율로 절연 피막의 밀착성을 평가했다. 절연 피막의 밀착성의 평가는, 눈으로 보아 장력 절연 피막의 박리의 유무를 판단했다. 강판으로부터 박리하지 않고, 피막 잔존율이 90% 이상을 GOOD, 80% 이상 90% 미만을 OK, 80% 미만을 NG라고 했다.
이어서, 장력 절연 피막 및 산화물 피막의 Fe양을 측정하기 위해, 강판을 브롬 메탄올 용액에 침지하고, 모강판을 용해하여, 잔사를 회수했다. 회수한 잔사를 과염소산 및 질산으로 용해하고, 용해된 용액의 Fe양을 ICP로 분석했다. 또한, 충분히 용해할 수 없던 잔사는, 다시 염산으로 용해하고, ICP로 Fe양을 분석했다. Fe양과 절연 피막의 밀착성의 평가를 표 2에 나타낸다.
또한, JIS C 2550에 따라 층간 전류를 측정했다. 층간 전류를 표 2에 더불어 나타낸다.
Figure pct00002
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 포르스테라이트계 피막이 없고, 강판 표면을 평활화한 방향성 전자 강판의 표면에, 피막 밀착성이 현저하게 우수한 장력 절연 피막을 형성할 수 있고, 피막 밀착성이 우수한 장력 절연 피막을 구비한 방향성 전자 강판을 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 전자 강판 제조 산업에 있어서 이용 가능성이 높다.

Claims (2)

  1. 강판과,
    상기 강판 상에 형성된 SiO2를 포함하는 산화물 피막과,
    상기 산화물 피막 상에 형성된 장력 절연 피막을
    갖고,
    상기 강판이, 화학 조성으로서, 질량%로,
    C: 0.085% 이하,
    Si: 0.80 내지 7.00%,
    Mn: 1.00% 이하,
    산가용성 Al: 0.065% 이하,
    S: 0.013% 이하,
    Cu: 0 내지 0.80%,
    N: 0 내지 0.012%,
    P: 0 내지 0.50%,
    Ni: 0 내지 1.00%,
    Sn: 0 내지 0.30%,
    Sb: 0 내지 0.30%,
    를 포함하고,
    잔부 Fe 및 불순물로 이루어지고,
    상기 장력 절연 피막이, 크롬 화합물을 포함하고,
    상기 산화물 피막 및 상기 장력 절연 피막 중의 Fe양이 70㎎/㎡ 이상 250㎎/㎡ 이하인
    것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 강판의 상기 화학 조성이, 질량%로, Cu: 0.01 내지 0.80%를 포함하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판.
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