KR20200034093A - 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템 - Google Patents

흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20200034093A
KR20200034093A KR1020180113347A KR20180113347A KR20200034093A KR 20200034093 A KR20200034093 A KR 20200034093A KR 1020180113347 A KR1020180113347 A KR 1020180113347A KR 20180113347 A KR20180113347 A KR 20180113347A KR 20200034093 A KR20200034093 A KR 20200034093A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
fume
partition wall
inlet
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020180113347A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102221272B1 (ko
Inventor
신경식
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180113347A priority Critical patent/KR102221272B1/ko
Publication of KR20200034093A publication Critical patent/KR20200034093A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102221272B1 publication Critical patent/KR102221272B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67017
    • H01L21/67098
    • H01L21/67742
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/33Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H10P72/3302Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

가열 플레이트에 장착되어 진공 홀로 들어오는 기류에서 흄을 분리할 수 있는 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템이 제공된다. 본 발명의 흄 트랩 장치는, 하우징; 하우징에 형성된 유입구를 통해 흄을 포함하는 기류를 하우징의 내부로 유입시키는 유입부; 하우징에 형성된 배출구를 통해 흄이 제거된 기류를 하우징의 외부로 배출시키는 배출부; 흄을 포함하는 기류의 이동 거리를 증가시키기 위해, 하우징의 내부에서 간격을 두고 배치되어 흄을 포함하는 기류의 이동 경로를 가이드하는 복수개의 격벽부; 및 하우징의 외표면을 감싸도록 형성되며, 흄이 기류로부터 분리되도록 기류를 냉각시키기 위한 물질이 통과하는 통로를 제공하는 냉각 유로를 포함한다.

Description

흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템 {Apparatus for trapping hume and system for heat-treating substrate with the apparatus}
본 발명은 반도체 소자를 제조할 때에 이용될 수 있는 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 웨이퍼(wafer)와 같은 기판 상에 소정의 패턴을 형성해야 한다. 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때에는 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 식각 공정(etching process) 등이 연속적으로 수행될 수 있다.
한국공개특허 제10-2014-0104863호 (공개일: 2014.08.29.)
상기의 공정들 중에서 사진 공정을 수행할 때에, 베이크 챔버(bake chamber)에서 기판을 열처리할 수 있다. 베이크 챔버에서 기판을 열처리할 때에는, 리프트 핀(lift pin)이 기판을 가열 플레이트(hot plate) 상에서 위치시킨 후 기판을 열처리할 수 있다. 이때 기판을 고정시키기 위해 가열 플레이트에는 진공 홀(vacuum hole)이 형성될 수 있다.
그런데 기판을 가열시킬 때에 발생되는 흄(fume)이 진공 홀로 향하는 기류를 따라 배출될 경우, 베이크 챔버 또는 베이크 챔버에 연결되는 보조 설비(예를 들어, 냉각수 공급 장치, 진공 펌프(vacuum pump) 등)를 오염시키거나 장애를 발생시킬 수 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 가열 플레이트에 장착되어 진공 홀로 들어오는 기류에서 흄을 분리할 수 있는 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 흄 트랩 장치의 일 면(aspect)은, 하우징; 상기 하우징에 형성된 유입구를 통해 흄(fume)을 포함하는 기류를 상기 하우징의 내부로 유입시키는 유입부; 상기 하우징에 형성된 배출구를 통해 상기 흄이 제거된 기류를 상기 하우징의 외부로 배출시키는 배출부; 상기 흄을 포함하는 기류의 이동 거리를 증가시키기 위해, 상기 하우징의 내부에서 간격을 두고 배치되어 상기 흄을 포함하는 기류의 이동 경로를 가이드하는 복수개의 격벽부; 및 상기 하우징의 외표면을 감싸도록 형성되며, 상기 흄이 기류로부터 분리되도록 상기 기류를 냉각시키기 위한 물질이 통과하는 통로를 제공하는 냉각 유로를 포함한다.
상기 하우징은 서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 포함하고, 상기 유입구와 상기 배출구는 상기 하우징의 제1 면에 형성되고, 상기 유입부는 상기 하우징의 외부로부터 상기 하우징의 내부까지 연장되는 배관이고, 상기 배관의 종단은 상기 제1 면보다 상기 제2 면에 가깝게 배치되고, 상기 배관을 따라 유입된 기류는, 상기 복수개의 격벽부를 따라 상기 배출부로 가이드될 수 있다.
상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 안쪽에서 바깥쪽 방향으로 제1 격벽과 제2 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며, 상기 제1 격벽은 상기 제1 하우징의 내부 하단면으로부터 상방으로 연장되어 형성되고, 상기 제2 격벽은 상기 제1 하우징의 내부 상단면으로부터 하방으로 연장되어 형성될 수 있다.
상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 아래에서 위쪽 방향으로 제3 격벽과 제4 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며, 상기 제3 격벽은 상기 유입부의 표면으로부터 상기 하우징의 내부 측벽이 위치한 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 제4 격벽은 상기 하우징의 내부 측벽으로부터 상기 유입부의 표면이 위치한 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 아래에서 위쪽 방향으로 제5 격벽과 제6 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며, 상기 제5 격벽과 상기 제6 격벽은 상기 하우징의 내부 측벽으로부터 상기 유입부의 표면까지 연장되어 형성되고, 상기 제5 격벽과 상기 제6 격벽은 서로 다른 개수의 홀을 구비할 수 있다.
상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 아래에서 위쪽 방향으로 제5 격벽과 제6 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며, 상기 제5 격벽과 상기 제6 격벽은 상기 하우징의 내부 측벽으로부터 상기 유입부의 표면까지 연장되어 형성되고, 상기 제5 격벽에 형성되는 홀과 상기 제6 격벽에 형성되는 홀은 서로 다른 측에 치우쳐 형성될 수 있다.
상기 냉각 유로는 상기 기류를 냉각시키기 위한 물질로 냉각수를 이용하며, 상기 냉각수는 기판을 냉각시키는 장치로부터 공급받을 수 있다.
상기 배출부는 상기 유입부와 동일 개수 구비되거나 상기 유입부보다 더 많은 개수 구비될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 열처리 시스템의 일 면(aspect)은, 가열 플레이트(hot plate)를 이용하여 상기 기판을 가열하는 가열 유닛; 가열된 상기 기판을 냉각시키는 냉각 유닛; 상기 기판을 상기 가열 유닛으로부터 상기 냉각 유닛으로 이송시키는 반송 로봇; 및 하우징; 상기 하우징에 형성된 유입구를 통해 흄(fume)을 포함하는 기류를 상기 하우징의 내부로 유입시키는 유입부; 상기 하우징에 형성된 배출구를 통해 상기 흄이 제거된 기류를 상기 하우징의 외부로 배출시키는 배출부; 상기 흄을 포함하는 기류의 이동 거리를 증가시키기 위해, 상기 하우징의 내부에서 간격을 두고 배치되어 상기 흄을 포함하는 기류의 이동 경로를 가이드하는 복수개의 격벽부; 및 상기 하우징의 외표면을 감싸도록 형성되며, 상기 흄이 기류로부터 분리되도록 상기 기류를 냉각시키기 위한 물질이 통과하는 통로를 제공하는 냉각 유로를 포함하는 흄 트랩 장치를 포함한다.
상기 흄 트랩 장치는 탈부착 가능하게 형성될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 흄 트랩 장치에 구비되는 냉각 유로를 보여주는 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 흄 트랩 장치를 구비하는 기판 열처리 시스템의 개략적인 구조를 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 흄 트랩 장치를 구비하는 기판 열처리 시스템의 개략적인 구조를 보여주는 정면도이다.
도 9는 기판 열처리 장치에 기판을 전달하는 기판 전달 로봇의 핸드를 개략적으로 도시한 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 기판을 가열시킬 때에 발생되는 흄(fume)을 진공 홀(vacuum hole)로 들어오는 기류로부터 분리하여 기판 열처리 시스템과 이에 연결되는 보조 설비의 오염이나 장애를 방지할 수 있는 흄 트랩(trap) 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템에 관한 것이다. 이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
도 1에 따르면, 흄 트랩 장치(100)는 기판 처리 장치용 흄 트랩 장치로서, 제1 하우징(110), 유입부(120), 배출부(130), 격벽부(140), 냉각 유로(150) 및 체결부(160)를 포함할 수 있다.
제1 하우징(110)은 흄 트랩 장치(100)의 외형 커버를 구성하는 것이다. 이러한 제1 하우징(110)은 그 내부에 기류가 통과할 수 있는 통로가 미로 형태로 형성될 수 있다. 여기서 기류는 기판 가열시 진공 홀을 통해 내부로 들어오는 기류를 말한다.
제1 하우징(110)은 열전도율(thermal conductivity)(또는 열전도 계수)이 높은 금속을 소재로 하여 형성될 수 있다. 일례로 제1 하우징(110)은 금, 은, 구리, 알루미늄 등의 금속을 소재로 하여 형성될 수 있다. 제1 하우징(110)이 이와 같은 금속을 소재로 하여 형성될 경우, 냉각 유로(150)에 흐르는 냉각수에 의해 그 내부에 온도 변화가 수시로 발생하는 것이 가능해진다. 즉, 냉각 유로(150)에 흐르는 냉각수에 의한 온도가 제1 하우징(110)의 내부에 잘 전달되는 것이 가능해진다.
제1 하우징(110)은 복수개의 커버(cover)들로 형성될 수 있다. 일례로 제1 하우징(110)은 도 1에 도시된 바와 같이 외부 커버(111)와 내부 커버(112)가 결합하여 이중 커버로 형성될 수 있다. 이 경우, 내부 커버(112)는 외부 커버(111)의 내부에 삽입되어 형성될 수 있으며, 내부 커버(112)와 외부 커버(111) 사이에는 소정 간격의 틈이 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1 하우징(110)은 단일개의 커버로 형성되는 것도 가능하다.
유입부(120)는 기류가 제1 하우징(110)의 내부로 유입될 수 있게 제공되는 것이다. 이러한 유입부(120)는 소정의 길이를 가지며 유입구가 형성되어 있는 배관 형태의 것으로 형성될 수 있다.
유입부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이 제1 하우징(110)의 외부로부터 제1 하우징(110)의 내부까지 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 유입부(120)는 그 일단부가 제1 하우징(110)의 내부에 진입되어 형성되며, 그 타단부가 제1 하우징(110)의 상부를 관통하여 외부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 이때 유입부(120)의 일단부는 제1 하우징(110)의 내부면 하부에 거의 닿을 정도까지 연장되어 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제1 하우징(110)이 서로 마주보는 제1 면(즉, 상부면)과 제2 면(즉, 하부면)을 포함할 때, 유입부(120)의 종단은 제1 면보다 제2 면에 가깝게 배치될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 유입부(120)는 제1 하우징(110)의 외부로부터 제1 하우징(110)의 표면에 형성된 홀(hole)까지 연장되어 형성되는 것도 가능하다.
유입부(120)는 제1 하우징(110)의 상부에 구비될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 유입부(120)는 제1 하우징(110)의 측부에 구비되는 것도 가능하다.
유입부(120)는 제1 하우징(110)의 상부에 구비될 때 그 상부의 중앙 부분에 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 유입부(120)는 제1 하우징(110)의 상부 외곽 부분에 형성되는 것도 가능하다.
유입부(120)는 제1 하우징(110)의 상부에 한 개 구비될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 유입부(120)는 제1 하우징(110)의 상부에 복수개 구비되는 것도 가능하다.
배출부(130)는 유입부(120)를 통해 제1 하우징(110)의 내부로 유입된 기류가 제1 하우징(110)의 외부로 배출될 수 있게 제공되는 것이다. 이러한 배출부(130)도 유입부(120)와 마찬가지로 소정의 길이를 가지며 배출구가 형성되어 있는 배관 형태의 것으로 형성될 수 있다.
배출부(130)는 유입부(120)와 동일한 위치에 형성될 수 있다. 일례로 배출부(130)는 유입부(120)와 함께 제1 하우징(110)의 상부에 구비될 수 있다. 다시 말하면, 제1 하우징(110)이 서로 마주보는 제1 면(즉, 상부면)과 제2 면(즉, 하부면)을 포함할 때, 유입부(120)의 유입구와 배출부(130)의 배출구는 제1 하우징(110)의 제1 면에 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 배출부(130)는 유입부(120)와 서로 다른 위치에 형성되는 것도 가능하다. 일례로 유입부(120)는 제1 하우징(110)의 상부에 구비되고, 배출부(130)는 제1 하우징(110)의 측부에 구비될 수 있다.
배출부(130)는 유입부(120)와 동일한 위치에 형성될 때 유입부(120)의 옆에 형성될 수 있다. 이때 배출부(130)는 복수개로 구비될 수 있다. 일례로 배출부(130)는 도 1에 도시된 바와 같이 제1 하우징(110)의 상부 외곽에 두 개 구비될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 배출부(130)는 도 2에 도시된 바와 같이 제1 하우징(110)의 상부 외곽에 한 개 구비되는 것도 가능하다. 도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
배출부(130)는 제1 하우징(110)에 유입부(120)와 더 많은 개수 구비될 수 있다. 일례로 배출부(130)는 도 1에 도시된 바와 같이 유입부(120)가 제1 하우징(110)에 한 개 구비될 때, 제1 하우징(110)에 두 개 구비될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 배출부(130)는 도 2에 도시된 바와 같이 제1 하우징(110)에 유입부(120)와 동일 개수 구비되는 것도 가능하다. 배출부(130)는 기류가 역행하는 것을 방지하기 위해 유입부(120)와 동일 개수 구비되거나 유입부(120)보다 더 많은 개수 구비될 수 있다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
배출부(130)는 도 1에 도시된 바와 같이 그 일측이 제1 하우징(110)의 상부로부터 돌출되어 형성되고, 그 타측이 제1 하우징(110)의 상부에 형성된 홀까지 연장되어 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 배출부(130)는 그 일측이 제1 하우징(110)의 상부로부터 돌출되어 형성되고, 그 타측이 제1 하우징(110)의 내부로 진입되어 형성되는 것도 가능하다.
격벽부(140)는 제1 하우징(110)의 내부에서 기류의 이동 경로를 가이드하기 위한 것이다. 이러한 격벽부(140)는 제1 하우징(110)의 내부에서 기류의 유동 거리 및 접촉 면적을 증가시키기 위해, 제1 하우징(110)의 내부를 미로처럼 매우 복잡한 구조로 형성되게 할 수 있다. 즉, 격벽부(140)는 기류가 유입부(120)를 통해 유입되어 배출부(130)를 통해 배출될 때까지 지그재그 형태로 이동할 수 있도록 제1 하우징(110)의 내부에 미로가 구성되게 할 수 있다. 격벽부(140)는 이를 통해 유입부(120)로 유입된 기류가 배출부(130)를 통해 외부로 배출되기까지 오랜 시간동안 제1 하우징(110)의 내부에 머무르게 할 수 있다.
격벽부(140)는 상기를 위해 제1 하우징(110)의 내부 안쪽으로부터 바깥쪽 방향으로 순차적으로 복수개 배치될 수 있다. 일례로 격벽부(140)는 도 1에 도시된 바와 같이 제1 격벽(141)과 제2 격벽(142)을 포함하여, 이 두 격벽(141, 142)이 서로 다른 형태로 반복적으로 배치되어 형성될 수 있다.
제1 격벽(141)은 판 형상의 것으로서, 일단이 제1 하우징(110)의 내부면 상측에 부착되고, 타단이 제1 하우징(110)의 내부면 하측으로부터 소정 거리 떨어진 채 형성될 수 있다. 즉, 제1 격벽(141)은 제1 하우징(110)의 내부면 상측으로부터 하방으로 연장되어 형성될 수 있다.
제2 격벽(142)은 제1 격벽(141)과 마찬가지로 판 형상의 것으로서, 일단이 제1 하우징(110)의 내부면 하측에 부착되고, 타단이 제1 하우징(110)의 내부면 상측으로부터 소정 거리 떨어진 채 형성될 수 있다. 즉, 제2 격벽(142)은 제1 하우징(110)의 내부면 하측으로부터 상방으로 연장되어 형성될 수 있다.
상기와 같이 형성되는 제1 격벽(141)과 제2 격벽(142)이 제1 하우징(110)의 내부 안쪽으로부터 바깥쪽 방향으로 반복적으로 배치되면, 기류가 도 1에 도시된 화살표 방향으로 이동하기 때문에, 기류가 오랜 시간동안 제1 하우징(110)의 내부에 머무르는 것이 가능해지며, 이를 통해 기류로부터 흄을 분리하는 데에 필요한 시간을 확보하는 것이 가능해진다.
격벽부(140)는 도 1에 도시된 형태로 제1 하우징(110)의 내부에 배치될 수 있지만, 도 3에 도시된 형태나 도 4에 도시된 형태로 제1 하우징(110)의 내부에 배치되는 것도 가능하다. 도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이고, 도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
먼저 도 3을 참조하여 격벽부(140)의 다른 실시 형태에 대하여 설명한다.
격벽부(140)는 제1 하우징(110)의 내부 하측에서 상측 방향으로 제3 격벽(143)과 제4 격벽(144)이 반복적으로 배치되어 형성될 수 있다.
제3 격벽(143)은 판 형상의 것으로서, 일단이 유입부(120)를 제공하는 배관(121)의 측벽에 부착되고, 타단이 제1 하우징(110)의 내부 측벽으로부터 소정 거리 떨어진 채 형성될 수 있다. 즉, 제3 격벽(143)은 배관(121)의 측벽으로부터 제1 하우징(110)의 내부 측벽 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
제4 격벽(144)은 제3 격벽(143)과 마찬가지로 판 형상의 것으로서, 일단이 제1 하우징(110)의 내부 측벽에 부착되고, 타단이 배관(121)의 측벽으로부터 소정 거리 떨어진 채 형성될 수 있다. 즉, 제4 격벽(144)은 제1 하우징(110)의 내부 측벽으로부터 배관(121)이 위치한 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
상기와 같이 형성되는 제3 격벽(143) 및 제4 격벽(144)도 제1 격벽(141) 및 제2 격벽(142)과 마찬가지로 기류를 오랜 시간동안 제1 하우징(110)의 내부에 머무르게 할 수 있다.
다음으로 도 4를 참조하여 격벽부(140)의 또다른 실시 형태에 대하여 설명한다.
격벽부(140)는 제1 하우징(110)의 내부 하측에서 상측 방향으로 제5 격벽(145)과 제6 격벽(146)이 반복적으로 배치되어 형성될 수 있다.
제5 격벽(145)과 제6 격벽(146)은 판 형상의 것으로서, 양단이 배관(121)의 측벽과 제1 하우징(110)의 내부 측벽에 장착되어 형성될 수 있다. 즉, 제5 격벽(145)과 제6 격벽(146)은 배관(121)의 측벽으로부터 제1 하우징(110)의 내부 측벽까지 연장되어 형성될 수 있다.
제5 격벽(145)과 제6 격벽(146)은 서로 다른 개수의 홀이 형성될 수 있다. 일례로 도 4에 도시된 바와 같이 제5 격벽(145)은 한 개의 홀이 형성될 수 있으며, 제6 격벽(146)은 두 개의 홀이 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제5 격벽(145)에는 두 개의 홀이 형성되고, 제6 격벽(146)에는 한 개의 홀이 형성되는 것도 가능하다.
상기와 같이 형성되는 제5 격벽(145) 및 제6 격벽(146)도 제1 격벽(141) 및 제2 격벽(142)과 마찬가지로 기류를 오랜 시간동안 제1 하우징(110)의 내부에 머무르게 할 수 있다.
한편 제5 격벽(145)과 제6 격벽(146) 모두 한 개의 홀이 형성되는 것도 가능하다. 이 경우 제5 격벽(145)과 제6 격벽(146)은 서로 다른 측에 형성될 수 있다. 일례로 도 5에 도시된 바와 같이 제5 격벽(145)의 홀은 제6 격벽(146)의 홀보다 더 좌측에 치우쳐 형성되고, 제6 격벽(146)의 홀은 제5 격벽(145)의 홀보다 더 우측에 치우쳐 형성될 수 있다. 도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 흄 트랩 장치의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
냉각 유로(150)는 냉각수가 흐르는 통로를 제공하는 것이다. 이러한 냉각 유로(150)는 제1 하우징(110)의 외측을 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다. 일례로 냉각 유로(150)는 도 6에 도시된 바와 같이 스크류(screw) 형태로 제1 하우징(110)의 외측을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 도 6은 본 발명에 따른 흄 트랩 장치에 구비되는 냉각 유로를 보여주는 예시도이다.
앞서 설명한 바와 같이 반도체 소자를 제조하기 위해 기판을 가열할 때에 흄이 발생될 수 있으며, 이 흄이 진공 기류에 섞여서 기판 가열 장치의 진공 홀로 유입될 수 있다. 이 흄을 진공 기류로부터 분리하지 않으면, 기판 열처리 시스템과 이에 구비되는 보조 설비(예를 들어, 냉각수 공급 장치, 진공 펌프(vacuum pump) 등)를 오염시킬 수 있다.
흄이 섞여 있는 진공 기류가 제1 하우징(110)의 내부로 유입되면, 제1 하우징(110)의 외측을 둘러싸고 있는 냉각 유로(150)에 의해 제1 하우징(110)의 내부에 온도 변화가 발생하며, 이 온도 변화에 따라 흄이 결정화됨으로써 흄을 진공 기류로부터 분리시킬 수 있다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 격벽부(140)를 통해 흄이 섞여 있는 진공 기류를 제1 하우징(110)의 내부에 오랜 시간동안 머무르게 함으로써, 진공 기류에 섞여 있는 흄을 최대 한도로 필터링하는 것을 목적으로 한다.
냉각 유로(150)에 의해 제공되는 통로에서는 냉각수가 이동할 수 있다. 그러나 본 실시예에서 냉각 유로(150)에서 이동하는 것이 냉각수에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서는 흄을 결정화시킬 수 있는 것이라면 액체 상태의 것 또는 기체 상태의 것 등 그 어떠한 것도 가능하다.
냉각 유로(150)에서 이동하는 냉각수는 기판 가열 장치와 함께 구비되는 기판 냉각 장치로부터 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 냉각수는 외부의 다른 장치로부터 제공되는 것도 가능하다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
체결부(160)는 제1 하우징(110)을 기판 열처리 시스템에 체결시키기 위한 것이다. 이러한 체결부(160)는 일례로 볼팅(bolting) 형태의 것으로 구현될 수 있으나, 본 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 하우징(110)은 체결부(160)을 통해 기판 열처리 시스템의 일측에 탈부착 가능하게 형성될 수 있다. 이때 제1 하우징(110)의 상부에 형성되는 유입부(120)는 배관을 통해 기판 가열 장치(예를 들어, 가열 플레이트(hot plate))의 진공 홀과 연결될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 제1 하우징(110)은 기판 가열 장치의 하부에 장착되는 것도 가능하다.
이상 도 1 내지 도 6을 참조하여 흄 트랩 장치(100)의 다양한 실시예에 대하여 설명하였다. 본 실시예에 따른 흄 트랩 장치(100)는 흄을 진공 기류로부터 분리하여 흄에 의해 기판 열처리 시스템과 보조 설비가 오염되는 것을 방지하기 위한 것이다. 이하에서는 이러한 흄 트랩 장치(100)가 구비되는 기판 열처리 시스템에 대하여 차례대로 설명한다.
사진 공정(lithography process)은 도포 공정, 노광 공정, 현상 공정 등의 순서로 차례대로 진행될 수 있다. 도포 공정은 기판 상에 감광액(photoresist)을 도포하여 포토레지스트 층(photoresist layer)을 형성하는 공정을 말하며, 노광 공정은 패턴을 포토레지스트 층에 전사하여 회로를 형성하는 공정을 말한다. 또한 현상 공정은 현상액을 포토레지스트 층에 공급하여 노광된 영역 등을 선택적으로 제거하는 공정을 말한다.
도포 공정을 수행하기 전 또는 그 후(즉, 기판 상에 감광액을 도포하기 전 또는 그 후), 노광 공정을 수행하기 전 또는 그 후(즉, 기판 상에 현상액을 공급하기 전 또는 그 후) 등의 경우, 기판 열처리 장치(예를 들어, 베이크 챔버(bake chamber))에서 기판을 열처리할 수 있다.
이하에서는 가열 유닛과 냉각 유닛을 이용하여 기판을 열처리하는 기판 열처리 시스템에 대하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 흄 트랩 장치를 구비하는 기판 열처리 시스템의 개략적인 구조를 보여주는 평면도이다. 그리고 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 흄 트랩 장치를 구비하는 기판 열처리 시스템의 개략적인 구조를 보여주는 정면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 열처리 시스템(200)는 제2 하우징(210), 냉각 유닛(220), 가열 유닛(230) 및 반송 로봇(240)을 포함할 수 있다.
제2 하우징(210)은 기판에 대한 열처리가 가능하도록 그 내부에 냉각 유닛(220), 가열 유닛(230) 및 반송 로봇(240)을 구비할 수 있다. 이러한 제2 하우징(210)은 그 측벽에 기판이 출입되는 반입구(미도시)가 형성될 수 있다.
반입구는 제2 하우징(210)에 한 개 제공될 수 있으나, 두 개 이상 제공되는 것도 가능하다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있으며, 반입구가 개폐 가능해지도록 제2 하우징(210)의 측벽에 도어(미도시)가 제공되는 것도 가능하다.
제2 하우징(210)의 내부는 냉각 영역(310), 버퍼 영역(320) 및 가열 영역(330)으로 구분될 수 있다. 여기서 냉각 영역(310)은 냉각 유닛(220)이 배치되는 영역을 말하며, 가열 영역(330)은 가열 유닛(230)이 배치되는 영역을 말한다. 냉각 영역(310)은 냉각 유닛(220)의 폭과 동일하게 제공될 수 있으나, 냉각 유닛(220)의 폭보다 더 넓게 제공되는 것도 가능하다. 마찬가지로 가열 영역(330)은 가열 유닛(230)의 폭과 동일하게 제공될 수 있으나, 가열 유닛(230)의 폭보다 더 넓게 제공되는 것도 가능하다.
버퍼 영역(320)은 반송 플레이트(241)가 원위치 상태일 때 배치되는 영역을 말한다. 이러한 버퍼 영역(320)은 반송 플레이트(241)의 폭보다 더 넓게 제공될 수 있다. 버퍼 영역(320)이 상기와 같이 제공되면, 냉각 유닛(220)과 가열 유닛(230)이 충분히 이격되어 상호 간에 열적 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그러나 냉각 영역(310)과 가열 영역(330)이 각각 냉각 유닛(220)과 가열 유닛(230)의 폭보다 더 넓게 제공되면, 버퍼 영역(320)은 반송 플레이트(241)의 폭과 동일하게 제공되는 것도 가능하다.
본 실시예에서는 제2 하우징(210) 내부의 좌측에서 우측 방향으로 냉각 영역(310), 버퍼 영역(320) 및 가열 영역(330)이 순서대로 배치될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 제2 하우징(210) 내부의 좌측에서 우측 방향으로 가열 영역(330), 버퍼 영역(320) 및 냉각 영역(310)이 순서대로 배치되는 것도 가능하다.
냉각 유닛(220)은 가열 유닛(230)에 의해 가열된 기판을 냉각(cooling)시키는 것으로서, 냉각판(221) 및 냉각 부재(222)를 포함하여 구성될 수 있다.
가열 유닛(230)을 통해 기판에 고온의 열을 가하면, 기판이 휘어지는 워페이지(warpage)가 발생할 수 있다. 따라서 본 실시예에서는 냉각 유닛(220)을 통해 가열 유닛(230)에 의해 가열된 기판을 냉각시킴으로써, 기판을 원래 상태로 복구시킬 수 있다.
냉각판(221)은 상부에서 바라볼 때 원형의 형상으로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 냉각판(221)은 타원형의 형상이나 다각형의 형상 등으로 형성되는 것도 가능하다.
냉각 부재(222)는 냉각판(221)의 내부에 형성될 수 있다. 이러한 냉각 부재(222)는 냉각판(221)의 내부에 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(230)은 기판을 가열시키기 위한 것으로서, 가열 플레이트(hot plate; 237), 커버(231) 및 구동기(232)를 포함하여 구성될 수 있다.
가열 플레이트(237)는 기판을 열처리할 때에 기판에 열을 가하는 것이다. 도 7에 따르면, 이러한 가열 플레이트(237)는 몸체부(233), 근접 핀(proximity pin; 234) 및 히터(heater; 235)를 포함할 수 있다.
몸체부(233)는 가열 플레이트(237)의 몸체를 구성하는 것이다. 이러한 몸체부(233)는 원통형으로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 몸체부(233)는 다면체 형태의 것이나 타원체 형태의 것 등으로 형성되는 것도 가능하다.
몸체부(233)는 기판보다 더 큰 직경을 가지도록 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 몸체부(233)는 기판과 동일한 직경을 가지도록 형성되는 것도 가능하다.
몸체부(233)는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AIN) 등 세라믹(ceramics)을 소재로 하여 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 몸체부(233)는 내열성(heat-resisting property)이나 내화성(refractoriness)이 우수한 금속 재료를 소재로 하여 형성되는 것도 가능하다.
몸체부(233)는 상하 방향으로 관통하여 형성되는 복수개의 진공 홀(vacuum hole; 236)을 구비할 수 있다. 진공 홀(236)은 진공 압력을 형성할 수 있으며, 기판을 열처리할 때에 기판을 고정시키는 역할을 할 수 있다. 이러한 진공 홀(236)은 흄 트랩 장치(100)가 기판 열처리 시스템(200) 내에 구비될 때 배관을 통해 흄 트랩 장치(100)의 유입부(120)와 연결되도록 형성될 수 있다.
진공 홀(236)은 그 단면이 원형인 형태로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 진공 홀(236)은 그 단면이 다각형인 형태로 형성되거나 그 단면이 타원형인 형태로 형성되는 것도 가능하다.
근접 핀(234)은 리프트 핀(lift pin; 미도시)이 기판(예를 들어, 웨이퍼(wafer))을 가열 플레이트(237) 상에 위치시킨 후 히터(235)를 이용하여 기판을 가열시킬 때에 기판의 튕김을 방지하기 위해 몸체부(233)의 상부에 형성되는 것이다. 즉, 근접 핀(234)은 기판이 몸체부(233)의 상부에 접촉되지 않게 기판을 지지할 수 있도록 몸체부(233)의 상부에 형성되는 것이다. 이러한 근접 핀(234)은 리프트 핀과 더불어 몸체부(233)의 상부에서 복수개 형성될 수 있다.
근접 핀(234)은 몸체부(233)의 상부에서 위쪽 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 이 경우 근접 핀(234)은 반구(hemisphere) 형태의 것으로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 근접 핀(234)은 각뿔 형태의 것, 다면체 형태의 것 등으로 형성되는 것도 가능하다.
근접 핀(234)은 몸체부(233)와 마찬가지로 산화 알루미늄, 질화 알루미늄 등 세라믹을 소재로 하여 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 근접 핀(234)도 내열성이나 내화성이 우수한 다른 재료를 소재로 하여 형성되는 것이 가능하다.
근접 핀(234)은 몸체부(233)와 동일한 소재로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 근접 핀(234)은 몸체부(233)와 다른 소재로 형성되는 것도 가능하다.
히터(235)는 리프트 핀 상에 위치하는 기판에 열을 가하기 위한 것이다. 이러한 히터(235)는 몸체부(233)의 내부에 복수개 구비될 수 있다. 히터(235)는 전류가 인가되는 발열 저항체로 구현될 수 있으나, 본 실시예에서 히터(235)의 구현 형태가 이에 한정되는 것은 아니다.
흄 트랩 장치(100)는 기판 열처리 시스템(200) 내에 장착 및 탈착이 가능하도록 조립체 형태로 형성될 수 있다. 흄 트랩 장치(100)가 이와 같이 형성되면, 흄 트랩 장치(100)를 분리시켜 주기적으로 클리닝(cleaning)하는 것이 가능해지며, 기판 열처리 시스템(200)에 대한 예방 보수(prevent maintenance)에 적절하게 대응하는 것이 가능해진다.
흄 트랩 장치(100)는 기판 열처리 시스템(200) 내에 단일개 구비될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 흄 트랩 장치(100)는 기판 열처리 시스템(200) 내에 복수개 구비될 수 있다. 일례로 흄 트랩 장치(100)는 가열 플레이트(237)의 진공 홀 개수만큼 구비되어 각각의 진공 홀과 연결되도록 구성되는 것도 가능하다.
흄 트랩 장치(100)가 기판 열처리 시스템(200) 내에 복수개 구비되는 경우, 서로 다른 유형의 흄 트랩 장치(100)가 기판 열처리 시스템(200) 내에 구비될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 동일한 유형의 흄 트랩 장치(100)가 기판 열처리 시스템(200) 내에 구비되는 것도 가능하다.
흄 트랩 장치(100)의 내부 구조에 대해서는 도 1 내지 도 6을 참조하여 전술하였는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.
커버(231)는 가열 플레이트(237)가 기판을 가열시킬 때에 가열 플레이트(237)의 상부를 덮을 수 있도록 형성되는 것이다. 이러한 커버(231)는 구동기(232)의 제어에 따라 상하 방향으로 이동되어 가열 플레이트(237)의 상부를 덮을 수 있도록 형성될 수 있다.
구동기(232)는 커버(231)를 상하 방향으로 이동시키는 것이다. 구동기(232)는 기판의 가열을 위해 기판이 가열 플레이트(237)의 상면에 안착되면, 커버(231)가 가열 플레이트(237)의 상부를 완전히 덮을 수 있도록 커버(231)를 하방으로 이동시킬 수 있다. 또한 구동기(232)는 기판의 가열이 종료되면, 반송 로봇(240)이 기판을 냉각 유닛(220)으로 이송시킬 수 있도록 커버(231)를 상방으로 이동시켜 가열 플레이트(237)의 상부를 외부로 노출시킬 수 있다.
가열 유닛(230)은 기판을 가열하는 도중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판 부착률을 향상시킬 수 있다. 가열 유닛(230)은 이를 위해 가스로 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스를 이용할 수 있다.
반송 로봇(240)은 기판을 가열시키기 위해 기판을 가열 유닛(230)으로 이송시키는 것이다. 또한 반송 로봇(240)은 가열된 기판을 냉각시키기 위해 기판을 가열 유닛(230)에서 냉각 유닛(220)으로 이송시키는 것이다.
반송 로봇(240)은 기판을 가열 유닛(230)과 냉각 유닛(220)으로 차례대로 이송시키기 위해 핸드에 반송 플레이트(241)가 결합될 수 있으며, 가이드 레일(342)을 따라 반송 플레이트(241)를 가열 유닛(230)과 냉각 유닛(220)으로 이동시킬 수 있다.
반송 플레이트(241)는 원판 형태의 것으로서, 기판에 대응하는 직경을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 반송 플레이트(241)는 그 가장자리에 노치(243)가 복수개 형성될 수 있으며, 일면에 슬릿 형상의 가이드 홈(244)이 복수개 형성될 수 있다.
반송 로봇(240)은 제2 하우징(210)의 반입구를 통해 외부의 기판 전달 로봇(400)으로부터 기판을 전달받을 수 있다. 도 9는 기판 열처리 장치에 기판을 전달하는 기판 전달 로봇의 핸드를 개략적으로 도시한 예시도이다.
도 9를 참조하면, 기판 전달 로봇(400)의 핸드(410)에는 복수개의 돌기(411)가 형성되어 있다. 반송 플레이트(241)의 노치(243)는 이러한 돌기(411)와 대응하는 형상을 가질 수 있으며, 돌기(411)와 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 또한 노치(243)는 돌기(411)와 대응하는 개수로 제공될 수 있다.
기판 전달 로봇(400)의 핸드(410)와 반송 플레이트(241)가 상하 방향으로 정렬된 상태에서 기판 전달 로봇(400)의 핸드(410)와 반송 플레이트(241)의 상하 위치가 변경되면, 기판 전달 로봇(400)의 핸드(410)와 반송 플레이트(241) 사이에 기판의 전달이 이루어질 수 있다.
가이드 홈(244)은 반송 플레이트(241)의 끝단에서 반송 플레이트(241)의 내부 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 이때 복수개의 가이드 홈(244)은 동일한 방향을 따라 서로 이격되게 형성될 수 있다. 가이드 홈(244)은 반송 플레이트(241)와 가열 유닛(230) 사이에 기판의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(241)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지할 수 있다.
기판의 가열은 기판이 가열 플레이트(237) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판의 냉각은 기판이 놓인 반송 플레이트(241)가 냉각판(221)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(541)과 기판 사이에 열 전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(241)는 열전달 효율이 우수한 재질로 형성될 수 있다. 일례로 반송 플레이트(241)는 금속 재질로 형성될 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 흄 트랩 장치 110: 제1 하우징
120: 유입부 130: 배출부
140: 격벽부 150: 냉각 유로
160: 체결부 200: 기판 열처리 시스템
210: 제2 하우징 220: 냉각 유닛
221: 냉각판 222: 냉각 부재
230: 가열 유닛 231: 커버
232: 구동기 233: 몸체부
234: 근접 핀 235: 히터
236: 진공 홀 237: 가열 플레이트
240: 반송 로봇 241: 반송 플레이트
310: 냉각 영역 320: 버퍼 영역
330: 가열 영역

Claims (10)

  1. 하우징;
    상기 하우징에 형성된 유입구를 통해 흄(fume)을 포함하는 기류를 상기 하우징의 내부로 유입시키는 유입부;
    상기 하우징에 형성된 배출구를 통해 상기 흄이 제거된 기류를 상기 하우징의 외부로 배출시키는 배출부;
    상기 흄을 포함하는 기류의 이동 거리를 증가시키기 위해, 상기 하우징의 내부에서 간격을 두고 배치되어 상기 흄을 포함하는 기류의 이동 경로를 가이드하는 복수개의 격벽부; 및
    상기 하우징의 외표면을 감싸도록 형성되며, 상기 흄이 기류로부터 분리되도록 상기 기류를 냉각시키기 위한 물질이 통과하는 통로를 제공하는 냉각 유로를 포함하는 흄 트랩 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징은 서로 마주보는 제1 면과 제2 면을 포함하고,
    상기 유입구와 상기 배출구는 상기 하우징의 제1 면에 형성되고,
    상기 유입부는 상기 하우징의 외부로부터 상기 하우징의 내부까지 연장되는 배관이고, 상기 배관의 종단은 상기 제1 면보다 상기 제2 면에 가깝게 배치되고,
    상기 배관을 따라 유입된 기류는, 상기 복수개의 격벽부를 따라 상기 배출부로 가이드되는 흄 트랩 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 안쪽에서 바깥쪽 방향으로 제1 격벽과 제2 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며,
    상기 제1 격벽은 상기 제1 하우징의 내부 하단면으로부터 상방으로 연장되어 형성되고,
    상기 제2 격벽은 상기 제1 하우징의 내부 상단면으로부터 하방으로 연장되어 형성되는 흄 트랩 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 아래에서 위쪽 방향으로 제3 격벽과 제4 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며,
    상기 제3 격벽은 상기 유입부의 표면으로부터 상기 하우징의 내부 측벽이 위치한 방향으로 연장되어 형성되고,
    상기 제4 격벽은 상기 하우징의 내부 측벽으로부터 상기 유입부의 표면이 위치한 방향으로 연장되어 형성되는 흄 트랩 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 아래에서 위쪽 방향으로 제5 격벽과 제6 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며,
    상기 제5 격벽과 상기 제6 격벽은 상기 하우징의 내부 측벽으로부터 상기 유입부의 표면까지 연장되어 형성되고,
    상기 제5 격벽과 상기 제6 격벽은 서로 다른 개수의 홀을 구비하는 흄 트랩 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 격벽부는 상기 하우징의 내부의 아래에서 위쪽 방향으로 제5 격벽과 제6 격벽이 순차적으로 반복되어 배치되며,
    상기 제5 격벽과 상기 제6 격벽은 상기 하우징의 내부 측벽으로부터 상기 유입부의 표면까지 연장되어 형성되고,
    상기 제5 격벽에 형성되는 홀과 상기 제6 격벽에 형성되는 홀은 서로 다른 측에 치우쳐 형성되는 흄 트랩 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 유로는 상기 기류를 냉각시키기 위한 물질로 냉각수를 이용하며,
    상기 냉각수는 기판을 냉각시키는 장치로부터 공급받는 흄 트랩 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 배출부는 상기 유입부와 동일 개수 구비되거나 상기 유입부보다 더 많은 개수 구비되는 흄 트랩 장치.
  9. 가열 플레이트(hot plate)를 이용하여 상기 기판을 가열하는 가열 유닛;
    가열된 상기 기판을 냉각시키는 냉각 유닛;
    상기 기판을 상기 가열 유닛으로부터 상기 냉각 유닛으로 이송시키는 반송 로봇; 및
    하우징; 상기 하우징에 형성된 유입구를 통해 흄(fume)을 포함하는 기류를 상기 하우징의 내부로 유입시키는 유입부; 상기 하우징에 형성된 배출구를 통해 상기 흄이 제거된 기류를 상기 하우징의 외부로 배출시키는 배출부; 상기 흄을 포함하는 기류의 이동 거리를 증가시키기 위해, 상기 하우징의 내부에서 간격을 두고 배치되어 상기 흄을 포함하는 기류의 이동 경로를 가이드하는 복수개의 격벽부; 및 상기 하우징의 외표면을 감싸도록 형성되며, 상기 흄이 기류로부터 분리되도록 상기 기류를 냉각시키기 위한 물질이 통과하는 통로를 제공하는 냉각 유로를 포함하는 흄 트랩 장치를 포함하는 기판 열처리 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 흄 트랩 장치는 탈부착 가능하게 형성되는 기판 열처리 시스템.
KR1020180113347A 2018-09-21 2018-09-21 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템 Active KR102221272B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180113347A KR102221272B1 (ko) 2018-09-21 2018-09-21 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180113347A KR102221272B1 (ko) 2018-09-21 2018-09-21 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200034093A true KR20200034093A (ko) 2020-03-31
KR102221272B1 KR102221272B1 (ko) 2021-03-03

Family

ID=70002071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180113347A Active KR102221272B1 (ko) 2018-09-21 2018-09-21 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102221272B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250045749A (ko) 2023-09-26 2025-04-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020015189A (ko) * 2000-08-21 2002-02-27 문영환 반도체 공정 배출 가스중 유해성분 처리 약제 용기
JP2003068726A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Tokyo Electron Ltd 冷却機能を備えた加熱処理装置
KR20030061162A (ko) * 2002-01-11 2003-07-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 펌핑 시스템
KR20060085357A (ko) * 2005-01-24 2006-07-27 삼성전자주식회사 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치
KR20070020639A (ko) * 2005-08-16 2007-02-22 주식회사 제우스 냉각효율이 향상된 냉각트랩
KR20090131548A (ko) * 2008-06-18 2009-12-29 주식회사 동부하이텍 이중 분리형 캐니스터
KR20140104863A (ko) 2013-02-21 2014-08-29 호서대학교 산학협력단 반도체 웨이퍼의 베이크 유닛 챔버

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020015189A (ko) * 2000-08-21 2002-02-27 문영환 반도체 공정 배출 가스중 유해성분 처리 약제 용기
JP2003068726A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Tokyo Electron Ltd 冷却機能を備えた加熱処理装置
KR20030061162A (ko) * 2002-01-11 2003-07-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 펌핑 시스템
KR20060085357A (ko) * 2005-01-24 2006-07-27 삼성전자주식회사 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치
KR20070020639A (ko) * 2005-08-16 2007-02-22 주식회사 제우스 냉각효율이 향상된 냉각트랩
KR20090131548A (ko) * 2008-06-18 2009-12-29 주식회사 동부하이텍 이중 분리형 캐니스터
KR20140104863A (ko) 2013-02-21 2014-08-29 호서대학교 산학협력단 반도체 웨이퍼의 베이크 유닛 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
KR102221272B1 (ko) 2021-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105321853A (zh) 烘烤单元、包括该单元的基板处理设备以及基板处理方法
KR102139615B1 (ko) 기판 처리 장치
CN111954927B (zh) 加热的陶瓷面板
US7802986B2 (en) Thermal processing apparatus
US11714356B2 (en) Bake unit and apparatus for treating substrate
CN105074885B (zh) 用于高效热循环的模块化基板加热器
KR102386210B1 (ko) 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법
KR20210022196A (ko) 기판 처리 장치
KR20210054642A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102282145B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20200034093A (ko) 흄 트랩 장치 및 이를 구비하는 기판 열처리 시스템
US20220413397A1 (en) Support unit, bake apparatus and substrate treating apparatus including the same
KR102136130B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102664992B1 (ko) 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102282147B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102221284B1 (ko) 가열 플레이트, 이를 구비하는 기판 열처리 장치 및 가열 플레이트의 제조 방법
KR102191385B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20200132827A (ko) 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법
KR20230035178A (ko) 지지 유닛과 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102037919B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102444878B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20200021818A (ko) 가열 플레이트, 이를 구비하는 기판 열처리 장치 및 가열 플레이트의 제조 방법
KR102504570B1 (ko) 기판 처리 장치
US20250183062A1 (en) Apparatus for heat-treating substrate and apparatus for treating substrate
CN111916369B (zh) 用于处理基板的装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000