KR20200044930A - 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 에피택셜 실리콘 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

높은 게터링 능력을 가지면서, 이면조사형(裏面照射型) 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 얻는 것이 가능한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)에, 버누스형 이온원 또는 IHC형 이온원을 이용하여 생성한 CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온(12)을 조사(照射)하여, 실리콘 웨이퍼(10) 내에, 클러스터 이온(12)의 구성 원소의 탄소 및 수소가 고용(固溶)되어 이루어지는 개질층(14)을 형성하는 제1 공정과, 이후, 표면(10A) 상에 실리콘 에피택셜층(16)을 형성하는 제2 공정을 갖고, 제1 공정에서는, 개질층(14)에 있어서의 탄소 및 수소의 농도 프로파일의 피크를, 표면(10A)으로부터 150㎚ 초과 2000㎚ 이내에 각각 위치시키는 것을 특징으로 한다.

Description

에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 에피택셜 실리콘 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법
[0001] 본 발명은, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 에피택셜 실리콘 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
[0002] 반도체 디바이스의 특성을 열화(劣化)시키는 요인으로서, 금속 오염을 들 수 있다. 예컨대, 이면조사형(裏面照射型) 고체 촬상 소자에서는, 상기 소자의 기판이 되는 에피텍셜 실리콘 웨이퍼에 혼입(混入)된 금속이, 고체 촬상 소자의 암전류(暗電流)를 증가시키는 요인이 되어, 화이트 스팟(white spot) 결함이라 불리는 결함을 발생시킨다. 이면조사형 고체 촬상 소자는, 배선층 등을 센서부보다 하층에 배치함으로써, 외부로부터의 광을 센서에 직접 받아들여, 암소(暗所) 등에서도 보다 선명한 화상이나 동영상을 촬영할 수 있기 때문에, 최근, 디지털 비디오 카메라나 스마트폰 등의 휴대전화에 널리 이용되고 있다. 이 때문에, 화이트 스팟 결함을 최대한 줄일 것이 요망되고 있다.
[0003] 실리콘 웨이퍼에 대한 금속의 혼입은, 주로 에피텍셜 실리콘 웨이퍼의 제조 공정 및 이면조사형 고체 촬상 소자의 제조 공정에서 발생한다. 전자(前者)의 에피텍셜 실리콘 웨이퍼의 제조 공정에 있어서의 금속 오염은, 에피택셜 성장로(爐)의 구성재(構成材)로부터의 중금속 파티클에 의한 것, 혹은, 에피택셜 성장 시의 노내(爐內) 가스로서 염소계 가스를 이용하기 때문에, 그 배관 재료가 금속 부식하여 발생하는 중금속 파티클에 의한 것 등을 고려할 수 있다. 최근, 이러한 금속 오염은, 에피택셜 성장로의 구성재를 내부식성(耐腐食性)이 우수한 재료로 교환하는 등에 의해 개선되고 있지만, 충분하지는 않다. 한편, 후자(後者)의 이면조사형 고체 촬상 소자의 제조 공정에서는, 이온 주입, 확산 및 산화 열처리 등의 각 처리 중에 있어서, 에피텍셜 실리콘 웨이퍼의 중금속 오염이 염려된다.
[0004] 이 때문에, 일반적으로는, 에피텍셜 실리콘 웨이퍼에 금속을 포획하기 위한 게터링층을 형성함으로써, 에피텍셜 실리콘 웨이퍼에 대한 금속 오염을 회피하고 있다. 예컨대, 특허문헌 1에는, 실리콘 웨이퍼에 탄소를 포함하는 클러스터 이온을 조사하여, 해당 실리콘 웨이퍼의 표면에, 탄소가 고용(固溶)되어 이루어지는 개질층을 형성하는 제1 공정과, 상기 개질층 상에 실리콘 에피택셜층을 형성하는 제2 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법이 기재되어 있다. 여기서, 제1 공정에서는, 근접 게터링을 가능하게 하기 위해, 실리콘 웨이퍼의 표면 근방에 개질층을 형성하는 것이 바람직하다고 되어 있다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터의 깊이가 150㎚ 이하인 범위 내에, 개질층에 있어서의 탄소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를 위치시키는 것이 바람직하다고 되어 있다.
국제공개 제2012/157162호
[0006] 특허문헌 1에 의하면, 클러스터 이온을 조사함으로써 형성한 개질층이, 모노머 이온(싱글 이온)을 주입함으로써 형성한 이온 주입층보다 높은 게터링 능력을 가진다. 이러한 높은 게터링 능력에 의해, 이면조사형 고체 촬상 소자의 화이트 스팟 결함을 저감시킬 수 있는 것이라고 생각되고 있다. 그러나, 본 발명자들이 이후 더욱 검토한 바, 추가적인 개선의 여지가 있음이 판명되었다.
[0007] 본 발명은, 상기의 과제를 감안하여, 높은 게터링 능력을 가지면서, 이면조사형 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 얻는 것이 가능한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 높은 게터링 능력을 가지면서, 이면조사형 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[0008] 본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 이면조사형 고체 촬상 소자의 제조 공정에 대해 검토하였다. 이면조사형 고체 촬상 소자는, 예컨대 도 3에 나타낸 공정을 거쳐서 제작된다. 우선, 이면조사형 고체 촬상 소자의 기판이 되는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 준비한다(도 3의 (A)). 이 실리콘 에피택셜 웨이퍼는, p＋ 실리콘 웨이퍼와, 상기 p＋ 실리콘 웨이퍼의 표층에 형성된, 클러스터 이온의 구성 원소인 탄소가 고용되어 이루어지는 개질층(게터링층)과, 상기 개질층 상에 형성된 p- 실리콘 에피택셜층을 가진다. 다음으로, p- 실리콘 에피택셜층에 포토다이오드 등의 디바이스를 형성한 후에, p- 실리콘 에피택셜층 상에 배선층을 형성한다(도 3의 (B)). 다음으로, 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 어닐링하여, 기판 내에 확산된 중금속을 개질층으로 끌어 들여서, 디바이스를 형성한 영역(디바이스 형성 영역)의 중금속 농도를 저감시킨다(도 3의 (C)). 다음으로, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 표리면(表裏面)을 반전시킨 후에, 지지 기판과 에피택셜 실리콘 웨이퍼와의 사이에 배선층이 위치하도록, 지지 기판과 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 접합한다(도 3의 (D)). 다음으로, p＋ 실리콘 웨이퍼를 연삭하여 제거한 후에, 디바이스 형성 영역(두께： 3㎛ 정도)이 남도록, p- 실리콘 에피택셜층을 박막화(薄膜化)한다(도 3의 (E)). 이상의 공정을 거쳐서, 이면조사형 고체 촬상 소자가 완성된다.
[0009] 이면조사형 고체 촬상 소자에서는, p- 실리콘 에피택셜층이 최종적으로 박막화되므로, 박막화되기 전의 p- 실리콘 에피택셜층은, 표면조사형(表面照射型) 고체 촬상 소자에 있어서의 10㎛ 정도와 비교하여, 6㎛ 정도로 얇게 설계되어 있다. 이 때문에, 종래와 같이 실리콘 웨이퍼의 표면 근방에 개질층이 존재하면, 개질층에 있어서의 탄소의 피크는, p- 실리콘 에피택셜층에 형성된 디바이스 형성 영역의 근처에 위치하게 된다. 이와 같이 탄소의 피크 위치가 디바이스 형성 영역에 가까우면, 도 3의 (C)에 나타낸 어닐링 후의 중금속의 깊이 방향의 농도 프로파일은, 개질층에 가까워짐에 따라 높은 농도를 나타내는데, 그 농도 프로파일의 끝자락(꼬리(tail))은 디바이스 형성 영역으로까지 확산된다. 이에 기인하여 이면조사형 고체 촬상 소자의 암전류가 증가하여, 화이트 스팟 결함이 생기는 경우가 있음이 판명되었다.
[0010] 따라서, 본 발명자들은, 추가적인 검토를 진행한 바, 모노머 이온을 생성하기 위한 장치로서 종래부터 이용되고 있는 버누스형(burnous-type) 이온원(ion source) 또는 IHC형 이온원을 이용하여, CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온을 생성하면, 종래와 동일한 조사 에너지로 비교하였을 경우에, 개질층에 있어서의 클러스터 이온의 구성 원소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 보다 깊은 위치(150㎚를 초과하는 위치)에 형성할 수 있고, 그 결과, 높은 게터링 능력을 가지면서, 이면조사형 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있음을 알게 되었다.
[0011] 본 발명은, 상기의 지견(知見)에 근거하여 완성된 것이며, 그 요지 구성은 이하와 같다.
(1) 실리콘 웨이퍼의 표면에, 버누스형 이온원 또는 IHC형 이온원을 이용하여 생성한 CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온을 조사하여, 상기 실리콘 웨이퍼 내에, 상기 클러스터 이온의 구성 원소인 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층을 형성하는 제1 공정과,
상기 제1 공정 후에, 상기 표면 상에 실리콘 에피택셜층을 형성하는 제2 공정을 갖고,
상기 제1 공정에서는, 상기 개질층에 있어서의 상기 탄소 및 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를, 상기 실리콘 웨이퍼의 상기 표면으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에 각각 위치시키는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
[0012] (2) 상기 제1 공정에서는, 상기 클러스터 이온을 170㎂ 이상의 빔 전류치로 조사하는, 상기 (1)에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
[0013] (3) 상기 제1 공정에서는, 상기 실리콘 웨이퍼의 틸트각 및 트위스트각이 모두 0°가 되도록, 상기 클러스터 이온의 조사를 행하는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
[0014] (4) 상기 제1 공정과 상기 제2 공정의 사이에, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 공정을 더 갖는, 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
[0015] (5) 실리콘 웨이퍼와, 상기 실리콘 웨이퍼 내에 형성된, 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층과, 상기 개질층 상에 형성된 실리콘 에피택셜층을 갖고,
상기 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에, 상기 개질층에 있어서의 상기 탄소 및 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크가 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
[0016] (6) 상기 탄소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 위치와 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 위치의 차(差)가 1000㎚ 이내인, 상기 (5)에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
[0017] (7) 상기 탄소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 농도와 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 농도가 모두 1×1016atoms/㎝3 이상인, 상기 (5) 또는 (6)에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
[0018] (8) 상기 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로 제조된 에피택셜 실리콘 웨이퍼 또는 상기 (5)∼(7) 중 어느 하나에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 실리콘 에피택셜층에, 고체 촬상 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
[0019] 본 발명에 의하면, 높은 게터링 능력을 가지면서, 이면조사형 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있다.
[0020] 도 1은, 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)의 제조 방법을 설명하는 모식적인 단면도이다.
도 2의 (A)는, 본 발명의 하나의 실시형태에서 이용할 수 있는 이온 조사 장치(70)의 개략도이며, (B)는, 이온원(20)으로서 버누스형 이온원을 이용하는 경우의 개략도이며, (C)는, 이온원(20)으로서 IHC형 이온원을 이용하는 경우의 개략도이다.
도 3은, 이면조사형 고체 촬상 소자의 제조 방법을 설명하는 모식적인 단면도이다.
도 4는, IHC형 이온원을 이용하여 생성한 복수 종류의 이온의 매스(mass)값에 대한 빔 전류치를 나타낸 그래프이다.
도 5의 (A)는, 발명예에 의한 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)의 깊이 방향의 탄소 및 수소의 농도 프로파일을 나타낸 그래프이며, (B)는, (A)에 나타낸 피크 위치 근방에서의 확대도이다.
도 6의 (A)는, 비교예에 의한 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 깊이 방향의 탄소 및 수소의 농도 프로파일을 나타낸 그래프이며, (B)는, (A)에 나타낸 피크 위치 근방에서의 확대도이다.
도 7은, 발명예 및 비교예에 대해, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 깊이 방향의 Ni의 농도 프로파일을 나타낸 그래프이다.
[0021] 이하에서는, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 도 1에서는 설명의 편의상, 실제의 두께의 비율과는 달리, 실리콘 웨이퍼(10)에 대해 개질층(14) 및 실리콘 에피택셜층(16)의 두께를 과장하여 나타낸다.
[0022] (에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법)
도 1을 참조하여, 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)의 제조 방법을 설명한다. 본 실시형태에서는, 제1 공정에서, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)에, 버누스형 이온원 또는 IHC형 이온원을 이용하여 생성한 CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온(12)을 조사하여, 실리콘 웨이퍼(10) 내에, 클러스터 이온(12)의 구성 원소인 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층(14)을 형성한다(도 1의 (A), (B)). 이때, 개질층(14)에 있어서의 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)(즉, 클러스터 이온(12)을 조사한 측의 표면)으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에 각각 위치시킨다. 다음으로, 제2 공정에서, 해당 표면(10A) 상에 실리콘 에피택셜층(16)을 형성한다(도 1의 (B), (C)). 도 1의 (C)는, 상기 제조 방법에 의해 얻어진 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)의 모식적인 단면도이다. 이하에서는, 각 공정에 대해 상세히 설명한다.
[0023] [제1 공정]
도 1의 (A), (B)를 참조하여, 제1 공정에서는, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)에, 버누스형 이온원 또는 IHC형 이온원을 이용하여 생성한 CnHm(n=1, 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온(12)을 조사한다. 실리콘 웨이퍼(10) 내에 주입된 클러스터 이온(12)은, 순간적으로 1350∼1400℃ 정도의 고온 상태가 되어 융해되며, 이후, 급속히 냉각되고, 실리콘 웨이퍼(10)의 소정의 깊이 위치에서, 클러스터 이온(12)의 구성 원소인 탄소 및 수소가 재(再)결정화된다. 이에 의해, 국소적으로 고농도로 고용되어 이루어지는 개질층(14)이 형성된다. 또한, 실리콘 웨이퍼(10)로서는, 초크랄스키법(CZ법)이나 부유 대역 용융법(FZ법)에 의해 육성된 단결정 실리콘 잉곳을 실톱(wire saw) 등으로 슬라이스하여 얻은 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있다. 혹은, 이러한 단결정 실리콘 웨이퍼에 대해, 임의의 불순물을 첨가하여, n형 또는 p형 실리콘 웨이퍼로 한 것을 이용해도 되며, 탄소 및/또는 질소를 첨가한 것을 이용해도 된다.
[0024] 제1 공정에서 형성된 개질층(14)은, 게터링 사이트로서 작용하며, 그 이유는 이하와 같이 추측된다. 즉, 실리콘 웨이퍼(10)에 주입된 탄소 및 수소는, 실리콘 단결정의 치환 위치·격자 사이에 국소적으로 고밀도로 존재한다. 그리고, 실리콘 단결정의 평형 농도 이상으로 탄소 및 수소가 고용되면, 중금속의 고용도(固溶度)(천이 금속의 포화용해도)가 매우 증가됨이 실험적으로 확인되고 있다. 즉, 평형 농도 이상으로 고용된 탄소 및 수소에 의해 중금속의 고용도가 증가되고, 이에 따라 중금속에 대한 포획률이 현저히 증가하는 것이라고 생각된다.
[0025] 여기서, 본 발명은, 버누스형 이온원 또는 IHC형 이온원을 이용하여 생성한 CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온을 조사하여, 개질층(14)에 있어서의 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에 각각 위치시키는 것이 중요하다. 이하에서는, 버누스형 이온원 및 IHC형 이온원, 및 이들 이온원을 구비하는 이온 조사 장치(70)의 한 형태를, 도 2의 (A)∼(C)를 참조하여 상세히 설명한다. 참고로, 본 명세서에 있어서 「클러스터 이온」이란, 2종 이상의 원자가 복수 집합하여 덩어리가 된 클러스터이며, 양(陽) 또는 음(陰)의 전하를 갖는 것을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「클러스터 사이즈」란, 1개의 클러스터를 구성하는 원자의 개수를 의미한다.
[0026] 도 2의 (A)를 참조하여, 이온 조사 장치(70)는, 이온원(20)과, 전단(前段) 가속 기구(30)와, 질량 분석 기구(40)와, 후단(後段) 가속 기구(50)와, 조사(照射) 챔버(60)를 가진다. 우선, 이온원(20)에서 클러스터 이온을 생성하고, 이것을 이온 빔으로서 추출(取出)하여, 전단 가속 기구(30)로 보낸다. 그런 다음, 전단 가속 기구(30)에서, 클러스터 이온을 가속(전단 가속)시켜, 이온 빔으로서 추출하여, 질량 분석 기구(40)로 보낸다. 그런 다음, 질량 분석 기구(40)에서, 자기장(磁場)에 의한 질량 분석을 실시하여, 소정의 질량을 갖는 클러스터 이온만을 이온 빔으로서 추출하여, 후단 가속 기구(50)로 보낸다. 그런 다음, 후단 가속 기구(50)에서, 클러스터 이온을 더욱 가속(후단 가속)시켜, 이온 빔으로서 추출하여, 조사 챔버(60)로 보낸다. 그런 다음, 조사 챔버(60)에서, 웨이퍼 고정대에 재치(載置: 올려 놓음) 및 고정된 실리콘 웨이퍼(10)에 대해, 이온 빔을 조사한다. 참고로, 이온 빔이란, 클러스터 이온이 집속(集束)되어, 다발 형상(束狀)으로 병진(竝進)하는 빔이며, 도 2의 (A)에 있어서의 화살표는 이온 빔을 나타낸다.
[0027] 도 2의 (A)에 나타낸 이온원(20)으로서는, 버누스형 이온원 또는 IHC(Indirectly Heated Cathode)형 이온원을 이용할 수 있다. 이하에서는, 도 2의 (B), (C)를 참조하여, 버누스형 이온원 또는 IHC형 이온원을 이용하여, 클러스터 이온을 생성하는 방법을 각각 설명한다.
[0028] 도 2의 (B)를 참조하여, 버누스형 이온원(20)은, 아크 챔버(21)와, 원료 가스 도입구(22)와, 이온 추출구(23)와, U자형의 필라멘트(24)와, 리플렉터(25)와, 전류 전압 인가(印加) 장치(26)와, 자기장 발생 장치(27)와, 진공 펌프(28)를 가진다. 아크 챔버(21)는, 이온 생성 챔버를 구획하는 챔버이다. 원료 가스 도입구(22)는, 아크 챔버(21)에 설치되어 있으며, 그곳으로부터 원료 가스를 아크 챔버(21) 내로 도입한다. 이온 추출구(23)는, 아크 챔버(21)에, 바람직하게는 원료 가스 도입구(22)에 대향(對向)하는 위치에 설치되어 있으며, 아크 챔버(21) 내에서 생성된 클러스터 이온은, 전단 가속 기구(30)에 의해 가속된다. 필라멘트(24) 및 리플렉터(25)는, 아크 챔버(21) 내에 서로 대향하는 위치에 설치되어 있다. 전류 전압 인가 장치(26)는, 아크 챔버(21)의 외부에 설치되어 있으며, 아크 챔버(21)와 필라멘트(24)에 접속되어 있다. 자기장 발생 장치(27)는, 아크 챔버(21)의 외부에 서로 대향되도록 설치되어 있다. 진공 펌프(28)는, 아크 챔버(21)에 접속되어 있다.
[0029] 버누스형 이온원(20)에서는, 이하의 방법에 의해 클러스터 이온을 생성한다. 우선, 진공 펌프(28)에 의해, 아크 챔버(21) 내를 감압(減壓)한다. 그런 다음, 원료 가스 도입구(22)로부터 아크 챔버(21) 내로 원료 가스를 도입한다. 그런 다음, 전류 전압 인가 장치(26)에 의해, 아크 챔버(21)에 양의 전압을 인가하는 동시에, 필라멘트(24)에 음의 전압을 인가한다. 그런 다음, 자기장 발생 장치(27)에 의해, 아크 챔버(21) 내에 자기장을 발생시킨다. 그런 다음, 전류 전압 인가 장치(26)에 의해 필라멘트(24)에 전류를 흘려서, 필라멘트(24)를 가열한다. 이에 의해, 필라멘트(24)로부터 방출된 열전자(e-)가, 전기장(電場)과 자기장의 영향을 받아, 필라멘트(24)와 리플렉터(25)와의 사이를 왕복 운동하여, 원료 가스와 높은 확률로 충돌한다. 그 결과, 원료 가스가 높은 효율로 전리(電離)되어, 밀도가 높은 원료 가스의 플라즈마가 생성된다. 그런 다음, 생성된 플라즈마에 포함되는 원료 가스의 클러스터 이온을 이온 빔으로서 이온 추출구(23)로부터 추출한다.
[0030] 도 2의 (C)를 참조하면, IHC형 이온원은, 버누스형 이온원과는 달리, 필라멘트(24)가, 플라즈마에 직접 노출되지 않도록 아크 챔버(21)의 외부에 설치되어 있다. 또한, 캐소드(29)가 필라멘트(24)에 대향되도록, 아크 챔버(21)의 벽에 설치되어 있고, 캐소드(29)에도 전류 전압 인가 장치(26)가 접속되어 있다. 또한 기타의 구성은, 도 2의 (B)를 참조하여 설명한 버누스형 이온원과 마찬가지이다.
[0031] IHC형 이온원(20)에서는, 이하의 방법에 의해 클러스터 이온을 생성한다. 우선, 진공 펌프(28)에 의해, 아크 챔버(21) 내를 감압한다. 그런 다음, 원료 가스 도입구(22)로부터 아크 챔버(21) 내로 원료 가스를 도입한다. 그런 다음, 전류 전압 인가 장치(26)에 의해, 아크 챔버(21)와 필라멘트(24)에 양의 전압을 인가하는 동시에, 캐소드(29)에 음의 전압을 인가한다. 그런 다음, 자기장 발생 장치(27)에 의해, 아크 챔버(21) 내에 자기장을 발생시킨다. 그런 다음, 전류 전압 인가 장치(26)에 의해 필라멘트(24)에 전류를 흘려서, 필라멘트(24)를 가열한다. 이에 의해, 필라멘트(24)로부터 방출된 열전자(e-)가, 캐소드(29)에 충돌하여, 캐소드(29)를 가열시킨다. 그러면, 캐소드(29)로부터 추가적인 열전자(e-)가 발생하고, 이 열전자(e-)가 전기장과 자기장의 영향을 받아, 캐소드(29)와 리플렉터(25) 사이를 왕복 운동하여, 원료 가스와 높은 확률로 충돌한다. 그 결과, 원료 가스가 높은 효율로 전리되어, 밀도가 높은 원료 가스의 플라즈마가 생성된다. 그런 다음, 생성된 플라즈마에 포함되는 원료 가스의 클러스터 이온을 이온 빔으로서 이온 추출구(23)로부터 추출한다.
[0032] 또한, IHC형 이온원은, 버누스형 이온원에 비해, 고밀도의 플라즈마 형성에 대해 제어성이 좋기 때문에, 높은 빔 전류치를 확보하기가 용이하며, 또한, 필라멘트(24)가 직접 플라즈마에 노출되지 않기 때문에 수명이 길다.
[0033] 원료 가스는, 2-메틸펜탄이나 2,4-디메틸펜탄 등을 들 수 있다. 2-메틸펜탄이나 2,4-디메틸펜탄은, 분자 구조 중에 CH계를 가지고 있어, 이온원(20)에 있어서의 열전자(e-)에 의해 C=C 결합이 절단된다. 그 결과, CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)와 같은 클러스터 사이즈가 작은 클러스터 이온이 얻어진다. 제1 공정에서는, CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 조사해도 되지만, CH3를 조사하는 것이 특히 바람직하다. CH3는, 탄소에 대한 수소의 농도비가 커서, 보다 많은 수소를 주입할 수 있으므로, 패시베이션 효과에 의해 계면 준위에 기인하는 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 이러한 특정 종류의 클러스터 이온은, 도 2의 (A)에 나타낸 질량 분석 기구(40)에서, 공지 또는 임의의 방법으로 질량 분석을 행함으로써 추출할 수 있다.
[0034] 또한, 원료 가스로서, 디에틸에테르나 2-프로판올이나 2-메틸-2-프로판올이나 테트라히드로피란과 같이 산소를 포함하는 가스를 이용해도 된다. 산소를 포함하면, 아크 챔버(21) 내부나 필라멘트(24)에 퇴적된 탄소에 기인하는 퇴적물이 산소 이온에 의해 스퍼터링(sputtering)되므로, 이온원의 수명과 성능을 향상시킬 수 있기 때문이다. 또한, 산소에 대한 탄소의 조성비는 2배 이상으로 하는 것이 바람직하다. 예컨대, 탄소와 산소의 조성비가 1：1과 같이 산소의 비율이 높으면, 산소 이온이 필라멘트(24)를 과잉되게 스퍼터링해 버려, 열전자가 발생되기 어려워질 우려가 있기 때문이다.
[0035] 아크 챔버(21) 내의 압력은 5.0×10-2Pa 이하로 하는 것이 바람직하다.
[0036] 아크 챔버(21) 내의 전압(아크 전압)은 45V 이상 90V 이하로 하는 것이 바람직하며, 아크 챔버(21) 내의 전류(아크 전류)는 100mA 이상 5000mA 이하로 하는 것이 바람직하다. 이러한 전압 및 전류의 범위이면, 170㎂ 이상의 빔 전류를 실현할 수 있다.
[0037] 자기장 발생 장치(27)에 의해 발생시키는 외부 자기장은 0.5A/m 이상 1.5A/m 이하로 하는 것이 바람직하다.
[0038] 원료 가스의 유량은, 3cc/min 이상 5cc/min 이하로 하는 것이 바람직하다. 3cc/min 이상이면, CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)과 같은 클러스터 사이즈가 작은 클러스터 이온이라 하더라도 170㎂ 이상의 빔 전류치를 확보할 수 있고, 5cc/min 이하이면, 탄화 퇴적물의 영향으로 인한 빔 전류치 저하의 우려가 적기 때문이다.
[0039] 또한, 필라멘트(24)의 재료는, 일반적인 텅스텐을 이용할 수 있다. 원료 가스에 포함되고, 또한 전리되어 있지 않은 탄화수소 화합물과 필라멘트(24) 재료와의 반응 생성물이 필라멘트(24)에 형성되는 것을 억제함으로써, 이온원(20)의 수명을 장기화하는 관점에서, 탄탈을 이용하는 것이 더욱 바람직하다.
[0040] 이러한 버누스형 이온원이나 IHC형 이온원은, 종래에, 이산화탄소나 포스핀을 원료로 하여 탄소 이온이나 인 이온 등의 모노머 이온을 생성하기 위한 장치로서 이용되고 있으며, 원료 가스의 분자 결합을 완전히 절단하여 원자 이온을 생성하는 것을 목적으로 한 장치이기 때문에, 원료 가스의 전리 효율이 매우 높다. 본 실시형태는, 이와 같이 전리 효율이 매우 높은 버누스형 이온원이나 IHC형 이온원을, 클러스터 이온을 생성하기 위한 장치로서 이용한다. 즉, 이들 이온원에 클러스터 이온을 생성하기 위한 원료 가스를 도입하므로, 예컨대 종래의 CnHm(3≤n≤16, 3≤m≤10)과 같은 클러스터 이온보다 클러스터 사이즈가 작은 클러스터 이온을 170㎂ 이상이라는 높은 빔 전류치로 생성할 수 있다. 이 때문에, 종래와 동일한 조사 에너지로 비교하였을 경우에, 개질층(14)에 있어서의 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를 종래보다 깊은 위치, 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)으로부터 150㎚를 초과하는 위치에 형성할 수 있다. 그 결과, 높은 게터링 능력을 가지면서, 이면조사형 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「농도 프로파일」이란, 2차 이온 질량 분석법(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)에 의한 측정으로 얻어진 깊이 방향의 농도 분포를 의미한다. 이에 반해, 특허문헌 1에 기재된 기술은, 바람직하게는 근접 게터링을 가능하게 하는 기술이며, 실제로는 표면조사형 고체 촬상 소자에 적절한 게터링 기술이다. 이 때문에, 특허문헌 1에 기재된 이온원은, 본래, CnHm(3≤n≤16, 3≤m≤10)과 같은 클러스터 사이즈가 큰 클러스터 이온을 생성하는 것을 목적으로 한 장치이며, 이온원의 챔버 내에서는 플라즈마가 발생하지 않는다. 따라서, 클러스터 사이즈가 작은 클러스터 이온을 높은 빔 전류치로 생성하는 것은 기술적으로 곤란하다.
[0041] 클러스터 이온의 가속 에너지는, 전단 가속 기구(30)에서는 30keV/Cluster 이상 40keV/Cluster 이하로 하는 것이 바람직하다. 후단 가속 기구(50)에서는, 40keV/Cluster 이상 970keV/Cluster 이하로 하는 것이 바람직하다. 전단 가속 기구(30) 및 후단 가속 기구(50)에 의한 가속 에너지가 합계로 70keV/Cluster 이상이면, 탄소 및 수소의 농도 프로파일의 피크를 실리콘 웨이퍼 표면(10A)으로부터 깊이 150㎚ 이상에 각각 위치시킬 수 있고, 970keV/Cluster 이하이면, 개질층(14)에 있어서의 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)으로부터의 깊이가 2000㎚ 이내인 범위에 각각 위치시킬 수 있기 때문이다. 또한, 본 실시형태에서는, 후단 가속 기구(50)의 통과 후의 가속 에너지가 실리콘 웨이퍼(10)에 대한 클러스터 이온의 조사 에너지가 된다.
[0042] 클러스터 이온의 도스량은, 이하의 범위가 되도록, 빔 전류치나 이온 조사 시간을 제어함으로써 조정할 수 있다. 본 실시형태에서는, 이온원(20)에서 170㎂ 이상이라는 높은 빔 전류치가 얻어지므로, 이온 조사 시간은, 종래의 클러스터 이온의 조사에 비해 짧게 설정할 수 있다. 예컨대, 도스량을 1.0×1015atoms/㎝2로 하여, CH3의 클러스터 이온을 조사하는 경우, 이온 조사 시간은 180s∼2120s의 범위로부터 조정할 수 있다. 그 때문에, 클러스터 이온 조사에 수반하는, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)의 데미지를 억제할 수 있으며, 사이즈 150㎚ 이상의 에피택셜 결함을 10개/웨이퍼 이하로 억제할 수 있다. 도스량은 1×1013atoms/㎝2 이상 1×1016atoms/㎝2 이하로 하는 것이 바람직하고, 5×1013atoms/㎝2 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 1×1013atoms/㎝2 이상이면, 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 농도를 모두 1×1016atoms/㎝3 이상으로 할 수가 있으므로, 보다 높은 게터링 능력을 얻을 수 있고, 1×1016atoms/㎝2 이하이면, 에피택셜 결함이 발생할 우려가 없기 때문이다.
[0043] 클러스터 이온의 조사에 있어서는, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)의 법선(法線)과 이온 빔이 이루는 각도로 정의되는 틸트(tile)각을 0°로 하는 것이 바람직하며, 실리콘 웨이퍼(10)를 그 중심 주위에 기준 위치(노치)로부터 회전시킨 각도로 정의되는 트위스트각을 0°로 하는 것이 바람직하다. 클러스터 이온의 조사에 수반하는 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)의 데미지를 억제할 수 있으므로, 에피택셜 결함을 10개/웨이퍼 이하로 억제할 수 있기 때문이다.
[0044] [제2 공정]
도 1의 (B), (C)를 참조하여, 제2 공정에서는, 화학 기상 성장(CVD：chemical vapor deposition)법에 의해, 실리콘 웨이퍼(10)의 표면 중 개질층을 형성한 측의 표면(10A)(즉, 클러스터 이온(12)을 조사한 측의 표면) 상에 실리콘 에피택셜층(16)을 일반적인 조건으로 형성한다. 예컨대, 수소를 캐리어 가스로 하여, 디클로로실란, 트리클로로실란 등의 원료 가스를 챔버 내에 도입하고, 1000℃ 이상 1150℃이하에서, 실리콘 에피택셜층(16)을 에피택셜 성장시킨다. 실리콘 에피택셜층(16)의 두께는, 1㎛ 이상 10㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 1㎛ 이상이면, 실리콘 웨이퍼로부터 바깥쪽(外方)으로 확산된 도펀트에 의해, 실리콘 에피택셜층의 저항율이 변화할 우려도 없고, 10㎛ 이하이면, 고체 촬상 소자의 분광 감도 특성에 영향이 생길 우려가 없기 때문이다. 특히, 실리콘 에피택셜층(16)의 일부를, 이면조사형 고체 촬상 소자를 제조하기 위한 디바이스 형성 영역으로 하는 경우에는, 실리콘 에피택셜층(16)의 두께는 3㎛ 이상 6㎛ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
[0045] 이상, 본 실시형태를 예로 하여 본 발명의 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 설명하였지만, 본 발명은, 상기의 실시형태로 한정되지 않으며, 특허청구의 범위 내에서 적절히 변경을 가할 수 있다.
[0046] 예컨대, 제1 공정과 제2 공정의 사이에, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)을 SC-1 세정(예컨대, 체적비로 H2O：H2O2：NH4OH=5：1：1인 용액)이나 SC-2 세정(예컨대, 체적비로 H2O：H2O2：HCl=6：1：1인 용액)을 행하는 공정을 가져도 된다. 이에 의해 표면(10A)의 파티클이나 중금속을 제거할 수 있기 때문이다.
[0047] (에피택셜 실리콘 웨이퍼)
도 1의 (C)를 참조하여, 상기 제조 방법에 의해 얻어지는 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)에 대해 설명한다. 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)는, 실리콘 웨이퍼(10)와, 실리콘 웨이퍼(10) 내에 형성된, 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층(14)과, 개질층(14) 상에 형성된 실리콘 에피택셜층(16)을 가진다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에, 개질층(14)에 있어서의 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크가 각각 위치하는 것을 특징으로 한다.
[0048] 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)에 의하면, 이하의 작용 효과를 얻을 수 있다. 즉, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)는, 클러스터 이온(12)의 구성 원소인 탄소 및 수소의 석출을 국소적 영역에서 고농도로 할 수가 있으므로, 높은 게터링 능력을 가진다. 또한, 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)는, 실리콘 웨이퍼의 표면(10A)으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에, 개질층(14)에 있어서의 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크가 각각 위치한다. 이 때문에, 이면조사형 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있다.
[0049] 개질층(14)은, CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온의 구성 원소가 고용되어 있으므로, 클러스터 이온을 구성하는 원소종(種), 및 원자 개수로부터, 탄소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 위치와 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 위치의 차를 1000㎚ 이내로 할 수 있다.
[0050] 보다 높은 게터링 능력을 얻는 관점에서 보면, 탄소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 농도와 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 농도가 모두 1×1016atoms/㎝3 이상인 것이 바람직하다.
[0051] 이상, 본 실시형태를 예로 하여 본 발명의 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 설명하였지만, 본 발명은, 상기의 실시형태로 한정되지 않으며, 특허청구의 범위 내에서 적절히 변경을 가할 수가 있다.
[0052] (고체 촬상 소자의 제조 방법)
본 발명의 하나의 실시형태에 따른 이면조사형 고체 촬상 소자의 제조 방법은, 상기 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로 제조된 에피택셜 실리콘 웨이퍼 또는 상기 에피택셜 실리콘 웨이퍼, 즉 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)의 표면에 위치하는 실리콘 에피택셜층(16)에, 고체 촬상 소자를 형성하는 것을 특징으로 한다. 이 제조 방법에 의해 얻어지는 고체 촬상 소자는, 종래에 비해 화이트 스팟 결함의 발생을 더욱 억제할 수 있다.
실시예
[0053] (발명예)
[클러스터 이온의 생성]
원료 가스를 2-메틸펜탄으로 하고, 도 2의 (C)에 나타낸 IHC형 이온원(NISSIN ION EQUIPMENT CO. LTD. 제조, 제품 번호：IMPHEAT)을 이용하여, 이온을 생성하였다. 아크 챔버 내의 압력을 2.2×10-2Pa, 아크 챔버의 전압을 76V로 하고, 전류를 2200mA로 하고, 외부 자기장을 0.6A/m로 하고, 원료 가스의 유량을 4.0cc/min으로 하였다.
[0054] 여기서, 도 2의 (A)에 나타낸 질량 분석 기구를 이용하여, IHC형 이온원으로 생성한 이온의 질량을 분석하였다. 분석 결과를 도 4에 나타낸다. 도 4에 나타낸 매스값(AMU) 15에 해당하는 단편(fragment)이 CH3의 클러스터 이온이며, 매스값(AMU) 26에 해당하는 단편(fragment)이 C2H2의 클러스터 이온이다. CH3의 빔 전류치는 325㎂이고, C2H2의 빔 전류치는 250㎂였다. 따라서, IHC형 이온원을 이용하여, 종래보다 클러스터 사이즈가 작은 클러스터 이온을 170㎂ 이상이라는 높은 빔 전류치로 생성할 수 있음을 확인하였다. 또한, 도 4에 나타낸 CH3나 C2H2 이외의 단편(fragment)은, 수소나 탄소의 원자 이온 또는 단원자(單原子)나 분자 이온 등이다.
[0055] [에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제작]
상기의 조건으로 생성한 이온 중에서 CH3의 클러스터 이온을 추출하여, 이것을 p형 실리콘 웨이퍼(10)(두께：725㎛, 도펀트：붕소, 도펀트 농도：8.5×1018atoms/㎝3)의 표면에 조사하여(도 1의 (A)), 실리콘 웨이퍼 내에, 클러스터 이온의 구성 원소인 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층(14)을 형성하였다(도 1의 (B)). 도스량은 1×1015atoms/㎝2로 하고, 전단 가속 및 후단 가속을 합계한 조사 에너지는 80keV/Cluster로 하고, 틸트각은 0°로 하고, 트위스트각은 0°로 하였다.
[0056] 다음으로, 실리콘 웨이퍼를 개별 처리 방식(枚葉式)의 에피택셜 성장 장치(Applied Materials, Inc. 제조) 내로 반송하고, 장치 내에서 1120℃의 온도로 30초의 수소 베이크 처리를 실시한 후, 수소를 캐리어 가스로 하고 디클로로실란을 소스 가스로 하여 1150℃로 CVD법에 의해, 실리콘 웨이퍼의 표면 중 개질층을 형성한 측의 표면 상에 실리콘 에피택셜층(두께：6㎛, 도펀트：붕소, 도펀트 농도：1.0×1015atoms/㎝3)을 에피택셜 성장시켜, 본 발명에 따른 에피택셜 실리콘 웨이퍼(100)를 제작하였다(도 1의 (C)).
[0057] (비교예)
[클러스터 이온의 생성]
원료 가스를 시클로헥산으로 하고, 클러스터 이온 발생 장치(NISSIN ION EQUIPMENT CO. LTD. 제조, 제품 번호：CLARIS)를 이용하여, C3H5의 클러스터 이온을 생성하였다. 또한, 클러스터 이온의 빔 전류치는 850㎂였다.
[0058] [에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제작]
이 클러스터 이온을 p형 실리콘 웨이퍼(두께：725㎛, 도펀트：붕소, 도펀트 농도：8.5×1018atoms/㎝3)의 표면에 조사하여, 실리콘 웨이퍼의 표면에, 클러스터 이온의 구성 원소인 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층을 형성하였다. 도스량은 1×1015atoms/㎝2로 하고, 조사 에너지는 80keV/Cluster로 하고, 틸트각은 0°로 하고, 트위스트각은 0°로 하였다.
[0059] 다음으로, 실리콘 웨이퍼를 개별 처리 방식(枚葉式)의 에피택셜 성장 장치(Applied Materials, Inc. 제조) 내로 반송하고, 장치 내에서 1120℃의 온도로 30초의 수소 베이크 처리를 실시한 후, 수소를 캐리어 가스로 하고 디클로로실란을 소스 가스로 하여 1150℃로 CVD법에 의해, 실리콘 웨이퍼의 표면 중 개질층을 형성한 측의 표면 상에 실리콘 에피택셜층(두께：6㎛, 도펀트：붕소, 도펀트 농도：1.0×1015atoms/㎝3)을 에피택셜 성장시켜, 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
[0060] (평가 방법 및 평가 결과)
우선, 각 발명예 및 비교예에 대해, 2차 이온 질량 분석법(SIMS)에 의해 측정을 행하여, 조사(照射) 원소인 탄소 및 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일을 얻었다. 평가 결과를 도 5의 (A), (B) 및 도 6의 (A), (B)에 나타낸다.
[0061] 발명예에서는, 도 5의 (A), (B)에 나타낸 바와 같이, 탄소의 농도 프로파일의 피크는, 실리콘 에피택셜층과 실리콘 웨이퍼 간의 계면(즉, 실리콘 웨이퍼의 표면 중 클러스터 이온을 조사한 측의 표면)으로부터 167㎚의 위치에 있으며, 피크 농도는 5.37×1019atoms/㎝3였다. 또한, 수소의 농도 프로파일의 피크는, 실리콘 에피택셜층과 실리콘 웨이퍼 간의 계면으로부터 167㎚의 위치에 있으며, 피크 농도는 7.36×1017atoms/㎝3였다. 한편, 비교예에서는, 도 6의 (A), (B)에 나타낸 바와 같이, 탄소의 농도 프로파일의 피크는, 실리콘 에피택셜층과 실리콘 웨이퍼 간의 계면으로부터 80㎚의 위치에 있으며, 피크 농도는 8.65×1019atoms/㎝3였다. 또한, 수소의 농도 프로파일의 피크는, 실리콘 에피택셜층과 실리콘 웨이퍼 간의 계면으로부터, 80㎚의 위치에 있으며, 피크 농도는 1.35×1018atoms/㎝3였다. 따라서, 발명예는 피크 위치를 비교예보다 깊은 위치에 형성하는 것이 가능하였다.
[0062] 다음으로, 각 발명예 및 비교예의 실리콘 에피택셜층의 표면을 Ni 오염액(1.0×1013atoms/㎝2)으로 스핀 코트 오염법에 의해 고의로 오염시킨 후에, 질소 분위기하에서 900℃, 30분의 열처리를 실시하였다. 이후, 2차 이온 질량 분석법(SIMS)에 의해 측정을 행하여, Ni의 깊이 방향의 농도 프로파일을 얻었다. 평가 결과를 도 7에 나타낸다.
[0063] 도 7에 나타낸 바와 같이, 각 발명예 및 비교예 모두, 개질층이 게터링 사이트로서 기능함으로써, 높은 게터링 능력을 발휘하는 것을 확인할 수 있었다. 나아가, 발명예에서는, 탄소 및 수소의 피크 위치가 비교예보다 깊은 위치에 존재하고 있었던 것에 기인하여, Ni의 농도 프로파일의 끝자락의 실리콘 에피택셜층으로의 확산을 비교예보다 억제하는 것이 가능하였다. 이것으로부터, 발명예에 따른 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 이용하여 이면조사형 고체 촬상 소자를 제작하면, 화이트 스팟 결함을 비교예보다 억제할 수 있음을 알 수 있다.
[0064] 본 발명에 의하면, 높은 게터링 능력을 가지면서, 이면조사형 고체 촬상 소자에 있어서의 화이트 스팟 결함을 보다 억제할 수 있는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있다.
100 에피택셜 실리콘 웨이퍼
10 실리콘 웨이퍼
10A 실리콘 웨이퍼의 표면
12 클러스터 이온
14 개질층
16 실리콘 에피택셜층
20 이온원
21 아크 챔버
22 원료 가스 도입구
23 이온 추출구
24 필라멘트
25 리플렉터
26 전류 전압 인가 장치
27 자기장 발생 장치
28 진공 펌프
29 캐소드
30 전단 가속 기구
40 질량 분석 기구
50 후단 가속 기구
60 조사 챔버
70 이온 조사 장치

Claims (8)

  1. 실리콘 웨이퍼의 표면에, 버누스형 이온원 또는 IHC형 이온원을 이용하여 생성한 CnHm(n=1 또는 2, m=1, 2, 3, 4 또는 5)의 클러스터 이온을 조사하여, 상기 실리콘 웨이퍼 내에, 상기 클러스터 이온의 구성 원소인 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층을 형성하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정 후에, 상기 표면 상에 실리콘 에피택셜층을 형성하는 제2 공정을 갖고,
    상기 제1 공정에서는, 상기 개질층에 있어서의 상기 탄소 및 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크를, 상기 실리콘 웨이퍼의 상기 표면으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에 각각 위치시키는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정에서는, 상기 클러스터 이온을 170㎂ 이상의 빔 전류치로 조사하는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 공정에서는, 상기 실리콘 웨이퍼의 틸트각 및 트위스트각이 모두 0°가 되도록, 상기 클러스터 이온의 조사를 행하는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정과 상기 제2 공정의 사이에, 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 공정을 더 갖는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  5. 실리콘 웨이퍼와, 상기 실리콘 웨이퍼 내에 형성된, 탄소 및 수소가 고용되어 이루어지는 개질층과, 상기 개질층 상에 형성된 실리콘 에피택셜층을 갖고,
    상기 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터의 깊이가 150㎚ 초과 2000㎚ 이내인 범위에, 상기 개질층에 있어서의 상기 탄소 및 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크가 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 탄소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 위치와 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 위치의 차(差)가 1000㎚ 이내인, 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 탄소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 농도와 상기 수소의 깊이 방향의 농도 프로파일의 피크 농도가 모두 1×1016atoms/㎝3 이상인, 에피택셜 실리콘 웨이퍼.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로 제조된 에피택셜 실리콘 웨이퍼 또는 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 실리콘 에피택셜층에, 고체 촬상 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조 방법.
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