KR20200062263A

KR20200062263A - 은 분말 및 그의 제조 방법

Info

Publication number: KR20200062263A
Application number: KR1020207011932A
Authority: KR
Inventors: 요시유키 미치아키; 마사히로 요시다; 겐이치 이노우에
Original assignee: 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤
Priority date: 2017-09-29
Filing date: 2018-09-18
Publication date: 2020-06-03
Anticipated expiration: 2038-09-18
Also published as: CN111132777A; CN111132777B; JP7090511B2; JP2019065386A; EP3670028A1; US11420256B2; EP3670028A4; US20200238388A1; KR102430857B1; SG11202001993XA

Abstract

탄소 함유량이 적으며 또한 응집하기 어려운 은 분말 및 그의 제조 방법이다. 은에 40ppm 이상의 구리를 첨가하여 용해한 용탕을 낙하시키면서, 고압수를 분사하여 급랭 응고시킴으로써, 구리의 함유량이 40ppm 이상, 탄소 함유량이 0.1질량％ 이하, 산소 함유량이 0.1질량％ 이하, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 체적 기준의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)이 1 내지 15㎛, 전계 방출형 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관측한 단체 입자의 평균 입자 직경(SEM 직경)이 1 내지 8㎛이며, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한, 전계 방출형 주사 전자 현미경에 의해 관측한 단체 입자의 평균 입자 직경(SEM 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)가 0.3 내지 1.0인 은 분말을 제조한다.

Description

은 분말 및 그의 제조 방법

본 발명은, 은 분말 및 그의 제조 방법에 관한 것이며, 특히 도전성 페이스트의 재료에 적합한 은 분말 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 태양 전지의 전극, 저온 소성 세라믹(LTCC)을 사용한 전자 부품이나 적층 세라믹 인덕터(MLCI) 등의 적층 세라믹 전자 부품의 내부 전극, 적층 세라믹 콘덴서나 적층 세라믹 인덕터 등의 외부 전극 등을 형성하는 도전성 페이스트의 재료로서, 은 분말 등의 금속 분말이 사용되고 있다.

이러한 도전성 페이스트의 재료로서 사용되는 은 분말로서, 은 이온을 함유하는 수성 반응계에, 구리 등의 종(種) 입자의 존재 하에서, 환원제를 첨가하여 은 입자를 환원 석출시키는, 은 분말의 제조 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).

또한, 질산은 등의 은 수용액에, 스테아르산염 등의 응집 억제제를 첨가한 후, 환원제를 첨가하여 은 입자를 환원 석출시키는, 은 분말의 제조 방법도 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).

일본 특허 공개 제2009-235474호 공보(단락 번호 0012-0014) 일본 특허 공개 제2013-14790호 공보(단락 번호 0023 내지 0027)

그러나, 특허문헌 1 내지 2에 기재된 은 분말의 제조 방법과 같이, 습식 환원법에 의해 은 분말을 제조하는 방법에서는, 제조 중에 은 분말의 입자 내부에 불순물로서 탄소 함유 화합물을 도입해버린다. 그 때문에, 이러한 방법에 의해 제조된 은 분말을 소성형 도전성 페이스트의 재료로서 사용하고, 이 소성형 도전성 페이스트를 기판에 도포한 후에 소성하여 도전막을 형성하면, 소성 시에 탄소분으로부터 이산화탄소 등의 가스가 발생하고, 이 가스에 의해 도전막에 크랙이 발생하여, 도전막과 기판의 밀착성이 나빠진다는 문제가 있다.

이러한 문제를 해소하기 위해서, 탄소 등의 불순물의 함유량이 매우 적은 은 분말을 저렴하게 제조하는 방법으로서, 은을 용해한 용탕을 낙하시키면서 고압수를 분사하여 급랭 응고시키는, 소위 물 아토마이즈법에 의해 은 분말을 제조하는 방법이 알려져 있다.

그러나, 종래의 물 아토마이즈법에 의한 은 분말의 제조 방법에 의해 제조된 은 분말은, 응집하여 2차 입자 직경이 커지기 쉽고, 이렇게 응집한 은 분말을 도전성 페이스트의 재료로서 사용하면, 표면이 평활한 얇은 도전막을 형성하기가 곤란해진다.

특히 근년, 적층 세라믹 인덕터(MLCI) 등의 전자 부품의 내부 전극 등의 소형화에 의해, 도전성 페이스트에 사용하는 은 분말로서, 입자 직경이 작은 은 분말이 요구되고 있지만, 은 분말의 입자 직경이 작아지면, 은 분말이 응집하기 쉬워진다.

따라서, 본 발명은 이러한 종래의 문제점을 감안하여, 탄소 함유량이 적으며 또한 응집하기 어려운 은 분말 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 40ppm 이상의 구리를 포함하는 은을 용해한 용탕을 낙하시키면서, 고압수를 분사하여 급랭 응고시킴으로써, 40ppm 이상의 구리를 포함하며 또한 탄소 함유량이 0.1질량％ 이하인 은 분말을 제조하고, 탄소 함유량이 적으며 또한 응집하기 어려운 은 분말을 제조할 수 있음을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명에 의한 은 분말은, 40ppm 이상의 구리를 포함하며 또한 탄소 함유량이 0.1질량％ 이하인 것을 특징으로 한다.

이 은 분말 중의 구리의 함유량은 40 내지 10000ppm인 것이 바람직하다. 또한, 이 은 분말은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 체적 기준의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)이 1 내지 15㎛인 것이 바람직하고, 이 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한, 전계 방출형 주사 전자 현미경에 의해 관측한 단체 입자의 평균 입자 직경(SEM 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)가 0.3 내지 1.0인 것이 바람직하다. 또한, 이 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도의 비(탭 밀도/D₅₀ 직경)가 0.45 내지 3.0g/(cm³·㎛)인 것이 바람직하다. 또한, 은 분말 중의 산소 함유량은 0.1질량％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 은 분말의 BET 비표면적은 0.1 내지 1.0m²/g인 것이 바람직하고, 탭 밀도는 2 내지 6g/cm³인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 의한 은 분말의 제조 방법은, 40ppm 이상의 구리를 포함하는 은을 용해한 용탕을 낙하시키면서, 고압수를 분사하여 급랭 응고시키는 것을 특징으로 한다. 이 은 분말의 제조 방법에 있어서, 용탕 중의 구리의 함유량이 40 내지 10000ppm인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 의한 도전성 페이스트는, 상기 은 분말이 유기 성분 중에 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 도전막의 제조 방법은, 상기 도전성 페이스트를 기판 상에 도포한 후에 소성하여 도전막을 제조하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 탄소 함유량이 적으며 또한 응집하기 어려운 은 분말을 제조할 수 있다.

도 1은 실시예 8에서 얻어진 은 분말을 5000배로 관찰한 전계 방출형 주사 전자 현미경(FE-SEM) 사진을 나타내는 도면이다.
도 2는 실시예 9에서 얻어진 은 분말을 5000배로 관찰한 FE-SEM 사진을 나타내는 도면이다.
도 3은 실시예 10에서 얻어진 은 분말을 5000배로 관찰한 FE-SEM 사진을 나타내는 도면이다.
도 4는 실시예 11에서 얻어진 은 분말을 5000배로 관찰한 FE-SEM 사진을 나타내는 도면이다.
도 5는 실시예 12에서 얻어진 은 분말을 5000배로 관찰한 FE-SEM 사진을 나타내는 도면이다.

본 발명에 의한 은 분말의 실시 형태에서는, 구리의 함유량이 40ppm 이상이며, 탄소 함유량이 0.1질량％ 이하이다.

이 은 분말 중의 구리의 함유량은, (은 분말의 응집을 방지하는 관점에서) 40ppm 이상이며, 은 분말의 내산화성이나 도전성을 향상시키는 관점에서, 40 내지 10000ppm인 것이 바람직하고, 40 내지 2000ppm인 것이 더욱 바람직하고, 40 내지 800ppm인 것이 특히 바람직하고, 230 내지 750ppm인 것이 가장 바람직하다.

이 은 분말 중의 탄소 함유량은 0.1질량％ 이하이고, 0.03질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.007질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 탄소 함유량이 낮은 은 분말을 재료로서 사용한 소성형 도전성 페이스트를 기판에 도포한 후에 소성하여 도전막을 형성하면, 소성 시에 탄소분으로부터 발생하는 이산화탄소 등의 가스의 양이 적고, 가스에 의한 도전막의 크랙이 발생하기 어려워져, 기판과의 밀착성이 우수한 도전막을 형성할 수 있다.

또한, 은 분말 중의 산소 함유량은 0.1질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.01 내지 0.07질량％인 것이 더욱 바람직하다. 이렇게 은 분말 중의 산소 함유량이 낮으면, 충분히 소결하여 높은 도전성의 도전막을 형성할 수 있다.

이 은 분말의 (헬로스법에 의해) 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 체적 기준의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은, 1 내지 15㎛인 것이 바람직하고, 은 분말을 더욱 소형화한 전자 부품의 내부 전극 등을 형성하는 도전성 페이스트의 재료로서 사용하는 경우에는, 1 내지 8㎛인 것이 더욱 바람직하고, 1.2 내지 7㎛인 것이 가장 바람직하다. 또한, 이 은 분말의 전계 방출형 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관측한 단체 입자의 평균 입자 직경(SEM 직경)은, 은 분말을 더욱 소형화한 전자 부품의 내부 전극 등을 형성하는 도전성 페이스트의 재료로서 사용하는 경우에는, 1 내지 8㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 5㎛인 것이 더욱 바람직하고, 1.2 내지 4㎛인 것이 가장 바람직하다. 또한, 이 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한, 전계 방출형 주사 전자 현미경에 의해 관측한 단체 입자의 평균 입자 직경(SEM 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)는, 0.3 내지 1.0인 것이 바람직하고, 0.35 내지 1.0인 것이 더욱 바람직하고, 0.5 내지 1.0인 것이 한층 더 바람직하고, 0.65 내지 1.0인 것이 가장 바람직하다. 이 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)가 클수록, 은 분말의 응집이 적다고 할 수 있다.

또한, 은 분말의 BET 비표면적은 0.1 내지 1.0m²/g인 것이 바람직하고, 0.2 내지 0.8m²/g인 것이 더욱 바람직하고, 0.3 내지 0.5m²/g인 것이 가장 바람직하다. 또한, 은 분말의 탭 밀도는, 은 분말을 도전성 페이스트의 재료로서 사용하여 도전막을 형성하는 경우에 은 분말의 충전성을 높여서 양호한 도전성의 도전막을 형성하기 위해서, 2 내지 6g/cm³인 것이 바람직하고, 2.5 내지 5.5g/cm³인 것이 더욱 바람직하고, 3.5 내지 5.5g/cm³인 것이 가장 바람직하다. 또한, 은 분말을 도전성 페이스트의 재료로서 사용하여 도전막을 형성하는 경우에 은 분말의 충전성을 높여서 양호한 도전성의 도전막을 형성하기 위해서, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도의 비(탭 밀도/D₅₀ 직경)는, 0.45 내지 3.0g/(cm³·㎛)인 것이 바람직하고, 0.8 내지 2.8g/(cm³·㎛)인 것이 더욱 바람직하고, 1.1 내지 2.5g/(cm³·㎛)인 것이 가장 바람직하다.

또한, 상기 은 분말의 형상은, 구상이나 플레이크상 등의 다양한 입상의 형상 중 어느 형상이어도 되고, 형상이 고르지 않은 부정 형상이어도 된다.

상술한 은 분말의 실시 형태는, 본 발명에 의한 은 분말의 제조 방법의 실시 형태에 의해 제조할 수 있다.

본 발명에 의한 은 분말의 제조 방법의 실시 형태에서는, 은에 40ppm 이상(바람직하게는 40 내지 10000ppm, 더욱 바람직하게는 40 내지 2000ppm, 특히 바람직하게는 40 내지 800ppm, 가장 바람직하게는 230 내지 750ppm)의 구리를 (바람직하게는 구리 단체 또는 Ag-Cu 합금의 형태로) 첨가하여 용해한 (바람직하게는 은의 융점 약 962℃보다 300 내지 720℃ 높은 온도의) 용탕을 낙하시키면서, (바람직하게는 대기 분위기 중 또는 (수소, 일산화탄소, 아르곤, 질소 등의) 비산화성 분위기 중에 있어서 수압 70 내지 400MPa(더욱 바람직하게는 90 내지 280MPa)에서 (순수 또는 pH 8 내지 12의 알카리수임)) 고압수를 분사하여 급랭 응고시킨다.

고압수를 분사하는, 소위 물 아토마이즈법에 의해, 은에 미량(40ppm 이상, 바람직하게는 40 내지 10000ppm, 더욱 바람직하게는 40 내지 2000ppm, 특히 바람직하게는 40 내지 800ppm, 가장 바람직하게는 230 내지 750ppm)의 구리를 첨가한 용탕으로부터 은 분말을 제조하면, 입자 직경이 작고, 탄소 함유량이 적으며 또한 응집하기 어려운 은 분말을 얻을 수 있다.

또한, 물 아토마이즈법에 의해 용탕으로부터 은 분말을 제조할 때, 용탕의 온도와 고압수의 압력을 조정함으로써, 은 분말의 평균 입자 직경을 조정할 수 있다. 예를 들어, 용탕의 온도나 고압수의 압력을 높게 함으로써, 은 분말의 평균 입자 직경을 작게 할 수 있다.

또한, 물 아토마이즈법에 의해 용탕으로부터 은 분말을 제조할 때, 용탕을 낙하시키면서 고압수를 분사하여 급랭 응고시켜 얻어진 슬러리를 고액 분리하고, 얻어진 고형물을 건조시켜 은 분말을 얻을 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 고액 분리하여 얻어진 고형물을 건조시키기 전에 수세해도 되고, 건조시킨 후에 해쇄나 분급을 행하여, 입도를 조정해도 된다.

본 발명에 의한 은 분말의 실시 형태를 (소성형 도전성 페이스트 등의) 도전성 페이스트의 재료로서 사용하는 경우, 이 은 분말을 (포화 지방족 탄화수소류, 불포화 지방족 탄화수소류, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 에스테르류, 알코올류 등의) 유기 용제나 (에틸셀룰로오스나 아크릴 수지 등의) 바인더 수지 등의 유기 성분 중에 분산시켜 도전성 페이스트를 제조할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 유리 프릿, 무기 산화물, 분산제 등을 도전성 페이스트에 첨가해도 된다.

도전성 페이스트 중의 은 분말의 함유량은, 도전성 페이스트의 제조 비용 및 도전막의 도전성의 관점에서, 5 내지 98질량％인 것이 바람직하고, 70 내지 95질량％인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트 중의 은 분말은, 1종 이상의 다른 금속 분말(은과 주석의 합금 분말, 주석분 등의 금속 분말)과 혼합하여 사용해도 된다. 이 금속 분말은, 본 발명에 의한 은 분말의 실시 형태와 형상이나 입경이 다른 금속 분말이어도 된다. 이 금속 분말의 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 체적 기준의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은, 도전성 페이스트를 소성하여 얇은 도전막을 형성하기 위해서, 0.5 내지 20㎛인 것이 바람직하다. 또한, 이 금속 분말의 도전성 페이스트 중의 함유량은, 1 내지 94질량％인 것이 바람직하고, 4 내지 29질량％인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트 중의 은 분말과 금속 분말의 함유량의 합계는, 60 내지 99질량％인 것이 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트 중의 유기 용제의 함유량은, 도전성 페이스트 중의 은 분말의 분산성이나 도전성 페이스트의 적절한 점도를 고려하여, 0.8 내지 20질량％인 것이 바람직하고, 0.8 내지 15질량％인 것이 더욱 바람직하다. 이 유기 용제는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 도전성 페이스트 중의 바인더 수지의 함유량은, 도전성 페이스트 중의 은 분말의 분산성이나 도전성 페이스트의 도전성의 관점에서, 0.1 내지 10질량％인 것이 바람직하고, 0.1 내지 6질량％인 것이 더욱 바람직하다. 이 바인더 수지는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 도전성 페이스트 중의 유리 프릿의 함유량은, 도전성 페이스트의 소결성의 관점에서, 0.1 내지 20질량％인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10질량％인 것이 더욱 바람직하다. 이 유리 프릿은 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.

이러한 도전성 페이스트는, 예를 들어 각 구성 요소를 계량하여 소정의 용기에 넣고, 분쇄기, 만능 교반기, 니더 등을 사용하여 예비 혼련한 후, 3축 롤에서 본 혼련함으로써 제작할 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 그 후, 유기 용제를 첨가하여, 점도 조정을 행해도 된다. 또한, 유리 프릿이나 무기 산화물과 유기 용제나 바인더 수지를 혼련하여 입도를 낮춘 후, 마지막으로 은 분말을 첨가하여 본 혼련해도 된다.

이 도전성 페이스트를 디핑이나 (메탈 마스크 인쇄, 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄 등의) 인쇄 등에 의해 (세라믹 기판이나 유전체층 등의) 기판 상에 소정 패턴형 형상으로 도포한 후에 소성하여 도전막을 형성할 수 있다. 도전성 페이스트를 디핑에 의해 도포하는 경우에는, 도전성 페이스트 중에 기판을 디핑하여 도막을 형성하고, 이 도막을 소성하여 얻어진 도전막이 불필요한 부분을 제거하여, 기판 상에 소정 패턴 형상의 도전막을 형성할 수 있다.

기판 상에 도포한 도전성 페이스트의 소성은, 질소, 아르곤, 수소, 일산화탄소 등의 비산화성 분위기 하에서 행해도 되지만, 은 분말은 산화되기 어렵기 때문에, 비용면에서 대기 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트의 소성 온도는 600 내지 1000℃ 정도인 것이 바람직하고, 700 내지 900℃ 정도인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 페이스트의 소성 전에, 진공 건조 등에 의해 예비 건조를 행함으로써, 도전성 페이스트 중의 유기 용제 등의 휘발 성분을 제거해도 된다. 또한, 도전성 페이스트가 바인더 수지를 포함하는 경우에는, 도전성 페이스트의 소성 전에, 바인더 수지의 함유량을 저감시키는 탈바인더 공정으로서 250 내지 400℃의 저온에서 가열하는 것이 바람직하다.

실시예

이하, 본 발명에 의한 은 분말 및 그의 제조 방법의 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.

[실시예 1]

순도 99.99질량％의 샷 은 23.96kg과 (228ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 6.04kg을 대기 분위기 중에 있어서 1600℃로 가열하여 용해한 용탕(46ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 턴디쉬 하부로부터 낙하시키면서, 물 아토마이즈 장치에 의해 대기 분위기 중에 있어서 수압 150MPa, 수량 160L/분으로 알카리수(순수 21.6m³에 대하여 가성 소다 157.55g을 첨가한 알칼리 수용액(pH 10.7))를 분사하여 급랭 응고시키고, 얻어진 슬러리를 고액 분리하여, 고형물을 수세하고 건조시켜, (미량의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말의 단체 입자 직경(1차 입자 직경)으로서, 전계 방출형 주사 전자 현미경(SEM)(가부시키가이샤 히타치 하이테크놀러지즈제의 S-4700)에 의해 배율 5000배로 관측한 단체 입자의 평균 입자 직경(SEM 직경)을, 임의의 입자 30개의 페레 직경의 평균값으로부터 구하였다. 그 결과, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.35㎛였다. 또한, 은 분말의 응집 입자 직경(2차 입자 직경)으로서, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(SYMPATEC사제의 헬로스 입도 분포 측정 장치(HELOS&RODOS(기류식의 분산 모듈)))를 사용하여, 분산압 5bar에서 체적 기준의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)을 측정한 결과, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 6.0㎛였다. 또한, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출하면, 0.39가 된다.

또한, 은 분말의 조성 분석을 유도 결합 플라스마(ICP) 발광 분석 장치(가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스제의 SPS3520V)에 의해 행한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 용탕 중의 구리의 함유량의 ±10％의 범위 내였다.

또한, 은 분말 중의 탄소 함유량을 탄소·황 분석 장치(가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제의 EMIA-920V2)에 의해 측정한 결과, 탄소 함유량은 0.004질량％이며, 산소 함유량을 산소·질소·수소 분석 장치(가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제의 EMGA-920)에 의해 측정한 결과, 산소 함유량은 0.040질량％였다.

또한, 은 분말의 BET 비표면적을 BET 비표면적 측정기(가부시키가이샤 마운테크제의 Macsorb)를 사용하여, 측정기 내에 105℃에서 20분간 질소 가스를 흘려서 탈기한 후, 질소와 헬륨의 혼합 가스(N₂: 30체적％, He: 70체적％)를 흘리면서, BET 1점법에 의해 측정한 결과, BET 비표면적은 0.34m²/g이었다.

또한, 은 분말의 탭 밀도(TAP)로서, 일본 특허 공개 제2007-263860호 공보에 기재된 방법과 동일하게, 은 분말을 내경 6mm×높이 11.9mm의 유저(有底) 원통형 다이에 용적의 80％까지 충전하여 은 분말층을 형성하고, 이 은 분말층의 상면에 0.160N/m²의 압력을 균일하게 가하여, 이 압력에서 은 분말이 더 이상 조밀하게 충전되지 않게 될 때까지 은 분말을 압축한 후, 은 분말층의 높이를 측정하고, 이 은 분말층의 높이의 측정값과, 충전된 은 분말의 중량으로부터, 은 분말의 밀도를 구하였다. 그 결과, 탭 밀도는 3.0g/cm³이었다. 또한, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 0.50g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 2]

샷 은 25kg과 (581ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 15kg을 용해한 용탕(218ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (미량의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.34㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 4.1㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.57이었다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하여, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 용탕 중의 구리의 함유량의 ±10％의 범위 내이며, 탄소 함유량은 0.002질량％, 산소 함유량은 0.041질량％, BET 비표면적은 0.36m²/g, 탭 밀도는 4.1g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.00g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 3]

샷 은 24kg과 (595ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 16kg을 용해한 용탕(238ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (미량의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)를 산출하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.19㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 2.9㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.75였다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 용탕 중의 구리의 함유량의 ±10％의 범위 내이며, 탄소 함유량은 0.004질량％, 산소 함유량은 0.051질량％, BET 비표면적은 0.42m²/g, 탭 밀도는 4.2g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.45g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 4]

샷 은 25kg과 (675ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 15kg을 용해한 용탕(253ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (미량의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.51㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 3.1㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.81이었다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 용탕 중의 구리의 함유량의 ±10％의 범위 내이며, 탄소 함유량은 0.003질량％, 산소 함유량은 0.036질량％, BET 비표면적은 0.36m²/g, 탭 밀도는 5.0g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.61g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 5]

샷 은 18.62kg과 (975ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 11.38kg을 용해한 용탕(370ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (미량의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.54㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 2.8㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.90이었다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 용탕 중의 구리의 함유량의 ±10％의 범위 내이며, 탄소 함유량은 0.004질량％, 산소 함유량은 0.049질량％, BET 비표면적은 0.37m²/g, 탭 밀도는 4.7g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.68g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 6]

샷 은 6.27kg과 (1343ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 2.43kg을 용해한 용탕(375ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (미량의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.83㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 3.1㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.91이었다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 용탕 중의 구리의 함유량의 ±10％의 범위 내이며, 탄소 함유량은 0.006질량％, 산소 함유량은 0.069질량％, BET 비표면적은 0.35m²/g, 탭 밀도는 4.7g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.52g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 7]

샷 은 29.79kg과 (1508ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 10.21kg을 용해한 용탕(385ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (미량의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.57㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 2.9㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.89였다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 용탕 중의 구리의 함유량의 ±10％의 범위 내이며, 탄소 함유량은 0.002질량％, 산소 함유량은 0.046질량％, BET 비표면적은 0.36m²/g, 탭 밀도는 4.3g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.48g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 8]

샷 은 39.97kg과 (28질량％의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 0.031kg을 용해한 용탕(218ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (220ppm의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.33㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 4.3㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.54였다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 220ppm이며, 탄소 함유량은 0.005질량％, 산소 함유량은 0.046질량％, BET 비표면적은 0.34m²/g, 탭 밀도는 3.7g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 0.84g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 9]

샷 은 31.79kg과 (1252ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 8.21kg을 용해한 용탕(257ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (270ppm의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.60㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 2.9㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.89였다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 270ppm이며, 탄소 함유량은 0.001질량％, 산소 함유량은 0.042질량％, BET 비표면적은 0.37m²/g, 탭 밀도는 4.7g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.60g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 10]

샷 은 48.00kg과 (757ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 32.00kg을 용해한 용탕(303ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (310ppm의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.73㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 3.6㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.76이었다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 310ppm이며, 탄소 함유량은 0.003질량％, 산소 함유량은 0.042질량％, BET 비표면적은 0.35m²/g, 탭 밀도는 4.1g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.14g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 11]

샷 은 20.69kg과 (723ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 19.31kg을 용해한 용탕(349ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (360ppm의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 3.15㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 3.3㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.97이었다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 360ppm이며, 탄소 함유량은 0.003질량％, 산소 함유량은 0.043질량％, BET 비표면적은 0.38m²/g, 탭 밀도는 3.8g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.16g/(cm³·㎛)였다.

[실시예 12]

샷 은 6.00kg과 (800ppm의 구리를 포함하는) Ag-Cu 합금 14.00kg을 용해한 용탕(560ppm의 구리를 포함하는 은의 용탕)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, (620ppm의 구리를 포함하는) 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.32㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 2.8㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.84였다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 은 분말 중의 구리의 함유량은 620ppm이며, 탄소 함유량은 0.003질량％, 산소 함유량은 0.057질량％, BET 비표면적은 0.38m²/g, 탭 밀도는 4.4g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 1.59g/(cm³·㎛)였다.

[비교예]

샷 은 5kg을 용해한 용탕을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 은 분말에 대하여, SEM 직경(1차 입자 직경)을 산출하여, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)을 측정하고, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)(2차 입자 직경)에 대한 SEM 직경(1차 입자 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)(1차 입자 직경/2차 입자 직경)를 산출한 바, 은 분말의 SEM 직경(1차 입자 직경)은 2.33㎛, 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)은 9.6㎛이며, SEM 직경/D₅₀ 직경(1차 입자 직경/2차 입자 직경)은 0.24였다.

또한, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 은 분말의 조성 분석을 행하고, 은 분말 중의 탄소 함유량 및 산소 함유량을 측정하여, 은 분말의 BET 비표면적 및 탭 밀도(TAP)를 구하고, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)를 산출한 바, 얻어진 은 분말은 Cu를 포함하지 않는 은 분말이며, 탄소 함유량은 0.004질량％, 산소 함유량은 0.038질량％, BET 비표면적은 0.35m²/g, 탭 밀도는 2.3g/cm³이며, 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도(TAP)의 비(TAP/D₅₀ 직경)는, 0.24g/(cm³·㎛)였다.

이들 실시예 및 비교예의 은 분말 원료 중의 구리의 양과 특성을 표 1 및 표 2에 나타낸다. 또한, 실시예 8 내지 12에서 얻어진 은 분말을 5000배로 관찰한 전계 방출형 주사 전자 현미경(FE-SEM) 사진을 도 1 내지 도 5에 도시한다.

본 발명에 의한 은 분말은, 태양 전지의 전극, 저온 소성 세라믹(LTCC)을 사용한 전자 부품이나 적층 세라믹 인덕터 등의 적층 세라믹 전자 부품의 내부 전극, 적층 세라믹 콘덴서나 적층 세라믹 인덕터 등의 외부 전극 등을 형성하기 위해서, 소성형 도전성 페이스트의 재료로서 이용하여, 높은 도전성의 도전막을 얻을 수 있다.

Claims

40ppm 이상의 구리를 포함하며 또한 탄소 함유량이 0.1질량％ 이하인 것을 특징으로 하는 은 분말.
제1항에 있어서, 상기 은 분말 중의 구리의 함유량이 40 내지 10000ppm인 것을 특징으로 하는 은 분말.
제1항에 있어서, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 체적 기준의 누적 50％ 입자 직경이 1 내지 15㎛인 것을 특징으로 하는 은 분말.
제3항에 있어서, 상기 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한, 전계 방출형 주사 전자 현미경에 의해 관측한 단체 입자의 평균 입자 직경(SEM 직경)의 비(SEM 직경/D₅₀ 직경)가 0.3 내지 1.0인 것을 특징으로 하는 은 분말.
제3항에 있어서, 상기 은 분말의 누적 50％ 입자 직경(D₅₀ 직경)에 대한 탭 밀도의 비(탭 밀도/D₅₀ 직경)가 0.45 내지 3.0g/(cm³·㎛)인 것을 특징으로 하는 은 분말.
제1항에 있어서, 상기 은 분말 중의 산소 함유량이 0.1질량％ 이하인 것을 특징으로 하는 은 분말.
제1항에 있어서, 상기 은 분말의 BET 비표면적이 0.1 내지 1.0m²/g인 것을 특징으로 하는 은 분말.
제1항에 있어서, 상기 은 분말의 탭 밀도가 2 내지 6g/cm³인 것을 특징으로 하는 은 분말.
40ppm 이상의 구리를 포함하는 은을 용해한 용탕을 낙하시키면서, 고압수를 분사하여 급랭 응고시키는 것을 특징으로 하는 은 분말의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 용탕중의 구리의 함유량이 40 내지 10000ppm인 것을 특징으로 하는 은 분말의 제조 방법.
제1항에 기재된 은 분말이 유기 성분 중에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
제11항의 도전성 페이스트를 기판 상에 도포한 후에 소성하여 도전막을 제조하는 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.