KR20200062831A - 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 - Google Patents
약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200062831A KR20200062831A KR1020180148713A KR20180148713A KR20200062831A KR 20200062831 A KR20200062831 A KR 20200062831A KR 1020180148713 A KR1020180148713 A KR 1020180148713A KR 20180148713 A KR20180148713 A KR 20180148713A KR 20200062831 A KR20200062831 A KR 20200062831A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical
- chemical liquid
- external electrode
- supply pipe
- liquid supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H01L21/6704—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H10P72/0424—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H01L21/02052—
-
- H01L21/6715—
-
- H01L21/67259—
-
- H01L21/68764—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
- H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/20—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0404—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H10P72/0414—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7618—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating carrousel
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
- H05F1/00—Preventing the formation of electrostatic charges
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
도 2a는 도 1의 약액 공급 배관 및 외부 전극의 부분 수직 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 A-A에 대한 수평 단면도이다.
도 3은 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 배관 및 외부 전극의 부분 수평 단면도이다.
도 4a는 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 배관 및 외부 전극의 부분 수직 단면도이다.
도 4b는 도 4a의 B-B에 대한 수평 단면도이다.
도 5a는 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 배관 및 외부 전극의 부분 수직 단면도이다.
도 5b는 도 5a의 C-C에 대한 수평 단면도이다.
도 6a는 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 배관 및 외부 전극의 측면도이다.
도 6b는 도 6a의 D-D에 대한 수평 단면도이다.
도 7은 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 배관 및 외부 전극의 측면도이다.
도 8a는 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 배관과 외부 전극 및 보호층의 수직 단면도이다.
도 8b는 도 8a의 E-E에 따른 수평 단면도이다.
도 9는 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 배관과 외부 전극 및 전원 공급 모듈의 개략적인 구성도이다.
도 10은 본 개시의 다른 실시예에 따른 약액 공급 장치와 이를 포함하는 반도체 제조 장치의 개략적인 구성도이다.
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900: 약액 공급 장치
110: 약액 공급 배관
120, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820: 외부 전극
821: 제 1 외부 전극 822: 제 2 외부 전극
130, 830: 전원 공급 모듈 131: 전원 소스
132: 전원선 133: 접지선
140: 약액 저장 탱크 150: 약액 공급 펌프
760: 보호층 970: 전하 측정 모듈
Claims (20)
- 반도체 제조 공정이 진행되는 공정 챔버에 약액을 공급하는 약액 공급 장치이며,
내부에 약액이 흐르며, 상기 약액이 분사되는 분사단이 상기 공정 챔버의 내측으로 연장되는 약액 공급 배관과,
상기 약액 공급 배관의 외측에 위치하는 외부 전극 및
상기 외부 전극에 전원을 인가하는 전원 공급 모듈을 포함하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 약액이 저장되는 약액 저장 탱크 및
상기 약액 저장 탱크와 상기 약액 공급 배관 사이에 위치하는 약액 공급 펌프를 더 포함하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 약액 공급 배관은 전기 절연성 물질로 형성되는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 외부 전극은 상기 약액 공급 배관의 외주면과 직접 접촉하거나 이격되어 위치하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 외부 전극은 적어도 2개로 형성되고, 상기 약액 공급 배관의 원주 길이의 1/2보다 작은 폭으로 형성되며, 상기 약액 공급 배관의 외주면에 원주 방향을 따라 이격되어 위치하는 약액 공급 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 외부 전극은 폭과 같거나 짧은 길이로 형성되는 약액 공급 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 외부 전극은 폭보다 긴 길이로 형성되며,
적어도 2개가 상기 약액 공급 배관의 축 방향을 따라 이격되어 위치하는 약액 공급 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 외부 전극은 폭보다 긴 길이로 형성되는 약액 공급 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 외부 전극은 상기 약액 공급 배관의 중심 축을 기준으로 서로 대칭으로 위치하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 외부 전극은 상기 약액 공급 배관의 외경과 같거나 큰 내경을 갖는 링 형상으로 형성되는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 외부 전극은 띠 형상 또는 바 형상으로 형성되며, 상기 약액 공급 배관의 외주면을 따라 나선형으로 이루면서 위치하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 외부 전극은 하단이 상기 약액 공급 배관의 분사단과 일치하도록 위치하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
전기 절연성 수지 물질로 형성되며, 상기 외부 전극의 노출면을 감싸면서 상기 약액 공급 배관의 외주면에 소정 두께로 코팅되는 보호층을 포함하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 외부 전극은 상기 약액 공급 배관의 외주면에서 서로 이격되어 위치하는 제 1 외부 전극 및 제 2 외부 전극을 포함하고,
상기 전원 공급 모듈은 상기 제 1 외부 전극에 전원을 공급하는 제 1 전원 모듈 및 상기 제 2 외부 전극에 전원을 공급하는 제 2 전원 모듈을 포함하며,
상기 제 1 전원 모듈은 상기 제 2 전원 모듈과 반대 극성의 전원을 인가하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 약액 공급 배관에서 분사되는 상기 약액의 전하량을 측정하는 전하 측정 모듈을 포함하는 약액 공급 장치. - 전기 절연성 물질로 형성되며, 내부에 약액이 흐르는 약액 공급 배관 및
상기 약액 공급 배관의 외측에 전계를 형성하는 외부 전극을 포함하며,
상기 약액에 전계를 인가하여 상기 약액과 상기 약액 공급 배관의 내주면의 마찰에 의하여 발생되는 정전기를 감소시키는 약액 공급 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 외부 전극에 + 전원 또는 - 전원을 인가하는 전원 공급 모듈을 더 포함하는 약액 공급 장치. - 제 16 항에 있어서
상기 약액 공급 배관에서 분사되는 상기 약액의 전하량을 측정하는 전하 측정 모듈을 포함하는 약액 공급 장치. - 제 16 항에 있어서
상기 외부 전극은 적어도 2개로 형성되고, 상기 약액 공급 배관의 원주 길이의 1/2보다 작은 폭으로 형성되며, 상기 약액 공급 배관의 외주면에 원주 방향을 따라 이격되어 위치하며,
상기 외부 전극의 하단은 상기 약액 공급 배관의 분사단과 일치하도록 위치하는 약액 공급 장치. - 상부가 개방되고 내부 공간을 구비하는 박스 형상의 챔버 하우징 및 상기 챔버 하우징의 바닥면으로부터 돌출되어 회전하는 회전축 및 상기 회전축의 상부에 연결되며 상면에 반도체 기판이 안착되는 회전판을 구비하는 스핀 척을 포함하는 공정 챔버와,
약액이 저장되는 약액 저장 탱크와,
상기 약액 저장 탱크와 연결되는 약액 공급 펌프와,
상기 약액 공급 펌프와 연결되어 상기 약액이 내부를 흐르며, 상기 약액이 분사되는 분사단이 상기 공정 챔버의 회전판의 상부로 연장되는 약액 공급 배관과,
상기 약액 공급 배관의 외측에서 상기 분사단에 인접하여 위치하는 외부 전극 및
상기 외부 전극에 전원을 인가하는 전원 공급 모듈을 포함하는 반도체 제조 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180148713A KR20200062831A (ko) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 |
| US16/387,779 US20200168478A1 (en) | 2018-11-27 | 2019-04-18 | Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same |
| CN201910583940.0A CN111223792A (zh) | 2018-11-27 | 2019-07-01 | 化学液体供应装置和具有其的半导体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180148713A KR20200062831A (ko) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200062831A true KR20200062831A (ko) | 2020-06-04 |
Family
ID=70770966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180148713A Withdrawn KR20200062831A (ko) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200168478A1 (ko) |
| KR (1) | KR20200062831A (ko) |
| CN (1) | CN111223792A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230103525A (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR20230129812A (ko) * | 2022-03-02 | 2023-09-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 모니터링 하는 방법 |
| KR20230143072A (ko) * | 2022-04-04 | 2023-10-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12235287B2 (en) | 2021-11-29 | 2025-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7297591B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
| US11721561B2 (en) * | 2020-07-17 | 2023-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | System and method for supplying chemical solution |
| KR102587858B1 (ko) * | 2021-12-21 | 2023-10-12 | 세메스 주식회사 | 토션 펌프, 약액 공급 유닛 |
| JP7425172B2 (ja) * | 2021-12-27 | 2024-01-30 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び処理液帯電モニタリング方法 |
| JP7488880B2 (ja) * | 2021-12-27 | 2024-05-22 | セメス カンパニー,リミテッド | ホームポート、そして、これを含む基板処理装置 |
| KR102730440B1 (ko) * | 2021-12-27 | 2024-11-14 | 세메스 주식회사 | 홈 포트, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3423462C2 (de) * | 1984-06-26 | 1987-01-29 | Uniroyal Englebert Textilcord S.A., Steinfort | Verfahren und Vorrichtung zum elektrostatischen Beflocken eines faden- oder garnförmigen Materials sowie Flockfaden oder -garn |
| JP5891341B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2016-03-23 | ヘルスセンシング株式会社 | プラズマ生成装置及び方法 |
| US20140299273A1 (en) * | 2013-04-08 | 2014-10-09 | Lam Research Corporation | Multi-segment electrode assembly and methods therefor |
| JP6342838B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2018-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2018
- 2018-11-27 KR KR1020180148713A patent/KR20200062831A/ko not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-04-18 US US16/387,779 patent/US20200168478A1/en not_active Abandoned
- 2019-07-01 CN CN201910583940.0A patent/CN111223792A/zh not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12235287B2 (en) | 2021-11-29 | 2025-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR20230103525A (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US12198971B2 (en) | 2021-12-31 | 2025-01-14 | Semes Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR20230129812A (ko) * | 2022-03-02 | 2023-09-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 모니터링 하는 방법 |
| KR20230143072A (ko) * | 2022-04-04 | 2023-10-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12456637B2 (en) | 2022-04-04 | 2025-10-28 | Semes Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200168478A1 (en) | 2020-05-28 |
| CN111223792A (zh) | 2020-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20200168478A1 (en) | Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same | |
| KR20180126866A (ko) | 약액 공급 장치 및 이를 구비하는 반도체 처리 장치 | |
| US9593030B2 (en) | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method | |
| US12153017B2 (en) | Gas analyzer apparatus and method for controlling gas analyzer apparatus | |
| Volný et al. | Surface effects and electrochemical cell capacitance in desorption electrospray ionization | |
| US20160314938A1 (en) | Plasma Generating Device | |
| US11056358B2 (en) | Wafer cleaning apparatus and method | |
| TW201720528A (zh) | 處理液供給裝置及處理液供給裝置的運用方法及記憶媒體 | |
| JP2008153322A (ja) | 二流体ノズル、基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR101807002B1 (ko) | 액체 플라즈마 젯 분사 장치 | |
| KR20110016486A (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
| KR100830265B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| Di Natale et al. | Absorption of sulphur dioxide by electrosprayed droplets | |
| KR20250057766A (ko) | 기판 처리 장치 및 도전성 배관 열화 정도 판정 방법 | |
| US20170032984A1 (en) | Liquid processing method and liquid processing apparatus | |
| JP6711219B2 (ja) | 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体 | |
| KR102578780B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| Seike et al. | ESD prevention technology for two-fluid pure water spray cleaning with controlled electrostatic charge | |
| JP6472230B2 (ja) | 真空処理方法 | |
| JP6952302B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| RU2555272C2 (ru) | Электрохимический роботизированный комплекс для формирования наноразмерных покрытий | |
| US10712332B2 (en) | Solution tank device | |
| KR101000939B1 (ko) | 공정 모니터링 장치와 그 방법 | |
| JP2721313B2 (ja) | 高比抵抗液体の供給装置 | |
| CN103713204B (zh) | 夹具及电荷测量方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| PC1202 | Submission of document of withdrawal before decision of registration |
St.27 status event code: N-1-6-B10-B11-nap-PC1202 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| R18 | Changes to party contact information recorded |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-3-3-R10-R18-OTH-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18 | Changes to party contact information recorded |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-3-3-R10-R18-OTH-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18 | Changes to party contact information recorded |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-3-3-R10-R18-OTH-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |